光控制模块12与发光元件LE连接并通过所述写入控制模块12与数据线Data连接；
[0047]所述存储电容C1，第一端A与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，第二端B通过所述发光控制模块12与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接并通过所述写入控制模块12接入参考电压Vref;
[0048]所述接通控制模块11，接入接通控制信号CR，用于在每一显示周期的阈值补偿阶段和写入阶段，在所述接通控制信号CR的控制下控制所述驱动晶体管DTFT的栅极和所述驱动晶体管DTFT的第一极连接，以使得所述驱动晶体管DTFT为二极管连接，从而控制所述驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth写入所述存储电容C1;
[0049]所述写入控制模块12，接入扫描信号Scan，用于在每一显示周期的写入阶段在所述扫描信号Scan的控制下控制所述数据线Data上的数据电压Vdata写入所述驱动晶体管DTFT的第二极，控制所述参考电压Vref写入所述存储电容C1的第二端B;
[0050]所述发光控制模块13，接入发光控制信号Em，用于在每一显示周期的阈值补偿阶段和发光保持阶段在所述发光控制信号Em的控制下控制所述驱动晶体管DTFT的第一极接入所述第一电源电压VI，控制所述驱动晶体管DTFT的第二极与所述发光元件LE连接。
[0051]本发明实施例所述的像素驱动电路通过接通控制模块和写入控制模块分步写入驱动晶体管的阈值电压Vth和数据线上的数据电压Vdata至存储电容，从而使得驱动晶体管的栅源电压包含Vdata+Vth，从而控制发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压Vth无关，达到显示均匀的目的，本发明实施例所述的像素驱动电路还通过写入控制模块在写入阶段将参考电压写入存储电容的第二端，从而可以控制发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流与发光元件的开启电压无关，以使得发光保持阶段时驱动晶体管的驱动电流不受发光元件的老化的影响。
[0052]具体的，在图1中，驱动晶体管DTFT为η型晶体管，此时，DTFT的第一极为DTFT的漏极，DTFT的第二极为DTFT的源极;然而在实际操作时，驱动晶体管DTFT也可以为ρ型晶体管。
[0053]本发明如图1所示的像素驱动电路在工作时，
[0054]在每一显示周期的阈值补偿阶段:发光控制模块13控制VI写入DTFT的漏极，控制DTFT的源极与发光元件LE连接;接通控制模块11控制所述驱动晶体管DTFT的栅极和DTFT的漏极连接，即DTFT为二极管连接，DTFT进入饱和状态，DTFT的栅源电压为Vth，此时A点电压为VI，电压为Vl-Vth，Cl的第一端A和Cl的第二端B之间的电压差为Vth，从而控制驱动晶体管的阈值电压Vth写入C1;
[0055]在每一显示周期的写入阶段:发光控制模块13控制断开DTFT的漏极与输出VI的第一电源电压线的连接，并控制断开DTFT的源极与发光元件LE的连接;接通控制模块11持续控制所述驱动晶体管DTFT的栅极和DTFT的漏极连接，DTFT保持二极管连接；写入控制模块12控制Vdata写入DTFT的源极，故A点电压为Vdata+Vth，写入控制模块12控制B点电压被下拉至Vref，Cl的第一端A和C2的第二端B之间的电压差为Vdata+Vth_Vref，驱动晶体管的阈值电压Vth和数据电压Vdata写入C1，此时Vref可以清除上一帧与DTFT的源极连接的发光元件LE的端子的电压；
[0056]在每一显示周期的发光保持阶段:发光控制模块13控制DTFT的漏极接入VI并控制DTFT的源极分别与发光元件LE和存储电容C1的第二端B连接，接通控制模块11控制断开DTFT的栅极与DTFT的漏极之间的连接，写入控制模块12控制C1的第二端B停止接入Vref并控制断开DTFT的源极与Data之间的连接，从而DTFT的栅源电压VgsS卩为C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差，由于C1两端的电压差不能突变，因此此时C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差仍为Vdata+Vth-Vref，从而控制DTFT的驱动电流与DTFT的阈值电压Vth无关;
[0057]并且由于在所述写入阶段Vref写入DTFT的源极，从而避免DTFT的源极电压为发光元件LE的开启电压而导致的在所述发光保持阶段时DTFT的栅源电压与LE的开启电压有关的情况，从而使得在所述发光保持阶段DTFT的驱动电流与发光元件LE的开启电压无关，以使得该驱动电流不受发光元件的老化的影响。
[0058]具体的，如果在写入阶段不采用Vref写入DTFT的源极，而是C1的第二端B直接与发光元件LE连接的话，则在写入阶段C1的第二端B的电压VB为LE的开启电压VI e，C1的第一端A和Cl的第二端B之间的电压差即为Vdata+Vth-Vle，由于Cl两端的电压差不能突变，则在发光保持阶段C1的第一端A和C1的第二端B之间的电压差维持为Vdata+Vth-Vle，这样的话驱动晶体管驱动发光元件发光的驱动电流就会与发光元件的开启电压有关，所述驱动电流会受到发光元件老化的影响。
[0059]具体的，如图2A所示，所述发光元件可以包括有机发光二极管0LED;
[0060]所述有机发光二极管0LED，阳极与所述存储电容C1的第二端连接，阴极接入第二电源电压V2;
[0061]优选的，在每一显示周期的写入阶段，所述参考电压Vref小于或等于所述第二电源电压V2，从而控制在所述写入阶段有机发光二极管0LED不发光，以延长0LED的寿命。
[0062]优选的，所述阈值补偿阶段持续的时间小于预定时间；
[0063]由于在所述阈值补偿阶段发光元件是由处于饱和状态的驱动晶体管驱动而发光的，为了减小显示效果的影响，需尽量减少阈值补偿阶段持续的时间。
[0064]具体的，如图2B所示，所述接通控制模块包括:接通控制晶体管T1，栅极接入接通控制信号CR，第一极与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；
[0065]在图2B中，所述接通控制晶体管T1为η型晶体管。
[0066]具体的，如图2C所示，所述写入控制模块包括:数据写入晶体管Τ2，栅极接入扫描信号Scan，第一极与所述数据线Data连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接；以及，
[0067]参考电压写入晶体管T3，栅极接入所述扫描信号Scan，第一极与所述存储电容Cs的第二端连接，第二极接入所述参考电压Vref ；
[0068]在图2C中，所述数据写入晶体管T2和所述参考电压写入晶体管T3都为η型晶体管。
[0069]具体的，如图2D所示，所述发光控制模块可以包括:
[0070]第一发光控制晶体管Τ4，栅极接入发光控制信号Em，第一极接入所述第一电源电压VI，第二极与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接;以及，
[0071]第二发光控制晶体管T5，栅极接入所述发光控制信号Em，第一极与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接，第二极与所述有机发光二极管0LED的阳极连接；
[0072]在图2D中，所述第一发光控制晶体管T4和所述第二发光控制晶体管T5都为η型晶体管。
[0073]具体的，如图2Ε所示，所述发光控制信号Em为扫描信号Scan;
[0074]所述发光控制模块包括:第一发光控制晶体管T4，栅极接入所述扫描信号Scan，第一极与所述驱动晶体管DTFT的第一极连接，第二极接入所述第一电源电压VI;以及，
[0075]第二发光控制晶体管T5，栅极接入所述扫描信号Scan，第一极与所述有机发光二极管0LED的阳极连接，第二极与所述驱动晶体管DTFT的第二极连接。
[0076]具体的，在图2E中，所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管都为ρ型晶体管。
[0077]本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为将晶体管除栅极之外的两极称为第一极和第二极，其中，第一极和第二极可以随着电流流向的改变而互换，也即第一极为源极，第二极为漏极，或者，第一极为漏极，第二极为源极。此外，按照晶体管的特性本发明实施例中采用的晶体管可以为η型晶体管或ρ型晶体管。
[0078]下面根据两个具体实施例来说明本发明所述的像素驱动电路。
[0079]如图3所示，本发明所述的像素驱动电路的第一具体实施例包括驱动晶体管DTFT、存储电容C1、接通控制模块、写入控制模块和发光控制模块；
[0080 ]所