像素驱动电路、方法、像素结构及显示器件的制作方法

像素驱动电路、方法、像素结构及显示器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及像素驱动技术，特别是一种像素驱动电路、方法、像素结构及显示器件，在阈值补偿的基础上，消除发光器件本身的电容特性对显示的影响。
【背景技术】
[0002]在如图1所示的传统的由电流或电压驱动的发光器件像素结构中，由数据信号输入驱动晶体管的控制端并对电容进行充电，之后利用存储在电容中的电量来控制驱动晶体管的导通程度，实现对发光器件的电流的控制。
[0003]如图1所示的像素结构中，流过发光器件的电流I为:0.5* μ n*CM*W/L* (Vdata_V工作-VJ2，其中:μ ?为载流子迀移率，c Μ为驱动晶体管的等效电容，W/L为晶体管宽长比，V data为数据信号的电压，为发光器件的工作电压，vth为驱动晶体管的阈值电压。
[0004]由于不同驱动晶体管的Vth以及发光器件的乂工^并不相同，当流过发光器件的电流I受到V工#和vth的影响时，显示器件会出现显示不均匀现象，即:在相同的数据信号的驱动下，不同的像素单元会呈现出不同的亮度。
[0005]为了避免上述显示不均匀现象的发生，针对驱动晶体管的Vth漂移，现有技术中已经有如图2所示的解决方案。
[0006]然而，现有技术的解决方案并不能保证发光阶段发光的恒定性，解释如下。
[0007]由电流或电压驱动的发光器件，如有机发光二极管(Organic Light EmittingD1de, 0LED)或者电致变色显示器件(Electro Chromic Displays，EO))等，其自身都具有电容的性质，且其电容会随电压变化而变化。
[0008]也就是说，在具备阈值电压补偿的像素结构中，从写入阶段转变到发光阶段时，如图2所示的N4节点的电压会发生跳变。而如图2所示的具备阈值电压补偿的像素结构并不具备使得N2节点的电压跟随N4节点的电压的变化的能力，这就导致驱动晶体管T5的Vgs会在发光阶段发生改变，而Vgs的变化会引起流过发光器件的电流发生变化，导致发光器件在发光阶段亮度不统一。

【发明内容】

[0009]本发明实施例的目的在于提供一种像素驱动电路、方法、像素结构及显示器件，在阈值补偿的基础上，消除发光器件本身的电容特性对显示的影响。
[0010]为实现上述目的，本发明实施例提供了一种像素驱动电路，用于驱动像素结构中的发光器件，所述像素驱动电路包括:
[0011]驱动晶体管T5，源极与发光器件连接；
[0012]电容结构Cst，第一端和所述驱动晶体管T5的栅极连接；
[0013]第一写入控制单元，用于在写入阶段将所述驱动晶体管T5的阈值电压写入所述电容结构Cst的第一端；
[0014]第二写入控制单元，用于在写入阶段将数据信号写入所述电容结构Cst的第二端;
[0015]电源输出控制单元，用于在发光阶段输出电源信号到所述驱动晶体管T5的漏极；
[0016]电压跟随控制单元，用于在发光阶段通过所述电容结构Cst控制所述驱动晶体管T5的栅极的电压跟随所述驱动晶体管T5的源极的电压的变化。
[0017]上述的像素驱动电路，其中，所述电压跟随控制单元为:第三薄膜晶体管T3，用于在发光阶段导通所述驱动晶体管的源极和所述电容结构的第二端，以将所述驱动晶体管的源极电压写入所述驱动晶体管T5的栅极。
[0018]上述的像素驱动电路，其中，所述第一写入控制单元为:第二薄膜晶体管T2，用于在写入阶段导通所述驱动晶体管的漏极和栅极，以将所述驱动晶体管T5的阈值电压写入所述电容结构Cst的第一端。
[0019]上述的像素驱动电路，其中，所述第二写入控制单元为:第一薄膜晶体管(T1)，用于在写入阶段导通所述数据信号输入端子和所述电容结构的第二端，以在写入阶段将数据信号写入所述电容结构Cst的第二端。
[0020]上述的像素驱动电路，其中，所述第一写入控制单元为:第二薄膜晶体管T2，用于在写入阶段导通所述驱动晶体管的漏极和栅极，以将所述驱动晶体管T5的阈值电压写入所述电容结构Cst的第一端；
[0021]所述第二写入控制单元为:第一薄膜晶体管T1，用于在写入阶段导通所述数据信号输入端子和所述电容结构的第二端，以在写入阶段将数据信号写入所述电容结构Cst的
Λ-Λ- _-上山弟一栖；
[0022]所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第四薄膜晶体管T4还在复位阶段导通，以利用所述电源信号和所述数据信号对所述电容结构进行充电。
[0023]上述的像素驱动电路，其中，所述第一写入控制单元为:第二薄膜晶体管T2，用于在写入阶段导通所述驱动晶体管的漏极和栅极，以将所述驱动晶体管T5的阈值电压写入所述电容结构Cst的第一端；
[0024]所述第二写入控制单元为:第一薄膜晶体管T1，用于在写入阶段导通所述数据信号输入端子和所述电容结构的第二端，以在写入阶段将数据信号写入所述电容结构Cst的
Λ-Λ- _-上山弟一栖；
[0025]所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4还在位于写入阶段和发光阶段之间的缓冲阶段截止。
[0026]上述的像素驱动电路，其中，所述发光器件为电致变色显示器件。
[0027]为了更好地实现上述目的，本发明实施例还提供了一种像素结构，包括发光器件，还包括用于驱动所述发光器件的上述任意的像素驱动电路。
[0028]为了更好地实现上述目的，本发明实施例还提供了一种显示器件，包括上述的像素结构。
[0029]为了更好地实现上述目的，本发明实施例还提供了一种像素驱动方法，用于驱动像素结构中的发光器件，所述像素驱动方法包括:
[0030]电压跟随控制步骤，在发光阶段通过像素驱动电路中的电容结构控制像素驱动电路中的驱动晶体管的栅极的电压跟随所述驱动晶体管的源极的电压的变化。
[0031]上述的像素驱动方法，所述电压跟随控制步骤具体为:在发光阶段导通所述驱动晶体管的源极和所述电容结构的第二端。
[0032]上述的像素驱动方法，还包括:在写入阶段和发光阶段之间，断开所述电容结构与外部的电路连接。
[0033]在像素结构从写入阶段转变到发光阶段时，由于发光器件的电容特性，将会导致驱动晶体管的源极电压发生变化，在本发明实施例的像素驱动电路、像素结构及显示器件中，利用电容结构的维持两端电压差的能力，将驱动晶体管的源极电压的跳变写入到驱动晶体管的栅极，使得驱动晶体管的栅极电压能够跟随其源极电压的变化而变化，从而保证驱动晶体管的Vgs保持不变，消除了发光器件本身的电容特性对显示的影响。
【附图说明】
[0034]图1表示传统的由电流或电压驱动的发光器件形成的像素结构；
[0035]图2表示传统的具备阈值电压补偿的像素结构；
[0036]图3表示本发明实施例的像素驱动电路的结构示意图；
[0037]图4表示本发明实施例的电压跟随控制单元采用薄膜晶体管实现的像素驱动电路的结构不意图；
[0038]图5表示本发明实施例的像素驱动电路写入阈值电压的示意图；
[0039]图6表示本发明实施例的第二写入控制单元采用薄膜晶体管实现的像素驱动电路的结构不意图；
[0040]图7表示本发明实施例的复用薄膜晶体管的像素驱动电路的结构示意图；
[0041]图8表不图7所不的像素驱动电路的时序不意图；
[0042]图9-图12为图7所示的像素驱动电路在不同阶段的等效电路示意图。
【具体实施方式】
[0043]本发明实施例的像素驱动电路、方法、像素结构及显示器件中，在阈值补偿的基础上，增加驱动晶体管的栅极跟随其源极电压变化的能力，消除发光器件本身的电容特性对显示的影响。
[0044]本发明实施例提供了一种像素驱动电路，用于驱动像素结构中的发光器件，所述像素驱动电路如图3所示包括:
[0045]驱动晶体管T5，源极与发光器件连接；
[0046]电容结构Cst，第一端和所述驱动晶体管T5的栅极连接；
[0047]第一写入控制单元，用于在写入阶段将所述驱动晶体管T5的阈值电压写入所述电容结构Cst的第一端；
[0048]第二写入控制单元，用于在写入阶段将数据信号写入所述电容结构Cst的第二端;
[0049]电源输出控制单元，用于在发光阶段输出电源信号到所述驱动晶体管T5的漏极；
[0050]电压跟随控制单元，用于在发光阶段通过所述电容结构Cst控制所述驱动晶体