专利名称：半透过反射型液晶装置和使用其的电子设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半透过反射型液晶装置和使用该半透过反射型液晶装置的电子设备。更详细而言，涉及在1像素内形成透过显示用彩色滤光器和反射显示用彩色滤光器的像素的构造技术。
背景技术：
在各种液晶装置中，可以用透过模式和反射模式双方显示图像的液晶装置称为半透过反射型液晶装置，可以在所有的场景中使用。
在该半透过反射型液晶装置中，例如，如图14(A)示意性地所示的那样，在由数据线6a和扫描线3a所划分的像素100a内，形成有反射显示区域100b和矩形窗状的透过显示区域100c。
在这样的半透过反射型液晶装置中，作为像素开关元件，使用了薄膜晶体管(以下，称为TFT(Thin FilM Transistor))的开关元件，如图14(B)所示，具有在表面形成有透明的像素电极9a(第1透明电极)和像素开关的TFT30的TFT阵列基板10(第1透明基板)；形成有对向电极21(第2透明电极)和遮光膜23的对向基板20(第2透明基板)；和保持在这些基板10、20之间的液晶层50。TFT阵列基板10与对向基板20的基板间隔，在任意一方的基板表面散布上规定粒径的间隙材料5后通过密封材料(图中未示出)将TFT阵列基板10和对向基板20贴合而规定。
在TFT阵列基板10上，在像素电极9a与对向电极21相对的像素100中形成构成反射显示区域100b的光反射层8a，由未形成该光反射层8a的其余的区域(光透过窗8d)构成透过显示区域100c。
因此，从配置在TFT阵列基板10的背面一侧的背光装置(图中未示出)出射的光中，入射到透过显示区域100c的光如箭头LB所示，从TFT阵列基板10一侧入射到液晶层50，由液晶层50进行光调制后从对向基板20一侧作为透过显示光射出，显示图像(透过模式)。
与此相反，从对向基板20一侧入射的外光中，入射到反射显示区域100b的光如箭头LA所示，通过液晶层50到达反射层8a，由该反射层8a反射后再次通过液晶层50从对向基板20一侧作为反射显示光射出，显示图像(反射模式)。
在这样的半透过反射型液晶装置中，如果在对向基板20上形成彩色滤光器，则在透过模式和反射模式中都可以进行彩色显示，但是，透过显示光仅1次通过彩色滤光器而射出，与此相对，反射显示光则要2次通过彩色滤光器。
因此，在对向基板20上，在形成光反射膜8a的反射显示区域100b中形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242，另一方面，在形成透过窗8d的透过显示区域100c中则形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241。
这里，透过显示用彩色滤光器241和反射显示用彩色滤光器242分别使用光刻技术等形成，如果在它们的边界部分26留有间隙，则用透过模式进行显示时，将从该处漏光从而显示品质将降低。因此，以往是在透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26形成遮光膜230。
作为以往的例子，有特开平11-044814号公报所记载的方法。
但是，在液晶装置中，对显示有贡献的光量，在像素100a内由可以射出显示光的区域的面积所规定，所以，如果像以前那样为了覆盖透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26而形成遮光膜230时，将降低该部分的显示光量，存在将不能进行明亮的显示的问题。
而且，如图14(A)所示，如果是透过显示区域100c由反射显示区域100b包围的布局(レイアウト)时，由于透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26的全长很长，遮光膜230的形成区域将延长，显示光量将显著降低。
另外，在半透过反射型液晶装置中，透过显示光仅1次通过液晶层50后射出，而反射显示光要2次通过液晶层50，所以，在透过显示光和反射显示光双方中，难于将延迟(リタ-デ-シヨン)Δn·d最佳化。因此，如果设定液晶层50的层厚d使反射模式的显示可视性好时，将牺牲透过模式的显示，另一方面，设定液晶层50的层厚d使透过模式的显示可视性好时，将牺牲反射模式的显示。
鉴于上述问题，本实用新型的课题首先就是提供在像素内形成透过显示用彩色滤光器和反射显示用彩色滤光器时，使用时也可以用充分的光量显示图像的半透过反射型液晶装置和使用该半透过反射型液晶装置的电子设备。
另外，本实用新型的课题就是提供在透过显示区域和反射显示区域双方中都可以将液晶层的延迟最佳化的半透过反射型液晶装置和使用该半透过反射型液晶装置的电子设备。
发明内容
为了解决上述问题，本实用新型的半透过反射型液晶装置具有在表面矩阵状地形成有第1透明电极和像素开关元件的第1透明基板、在表面与上述第1透明电极相对地形成有构成像素的第2透明电极的第2透明基板、和保持在上述第1透明基板与上述第2透明基板之间的液晶层；并且在上述第1透明基板一侧形成有将像素内的一部分区域作为反射显示区域而将其余的区域作为透过显示区域的光反射层；其特征在于在上述第2基板中，在上述透过显示区域形成有透过显示用彩色滤光器，同时在上述反射显示区域形成有色度域比上述透过显示用彩色滤光器窄的反射显示用彩色滤光器，并且，上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器的边界部分位于上述反射显示区域一侧。
本说明书中的“色度域宽”，是指例如在CIE1931rgb表色系色度图中表示的色三角形的面积大，与色调浓的情况对应。
在半透过反射型液晶装置中，在搭载该半透过反射型液晶装置的设备的待机状态，仅用反射模式进行显示，在使用时点亮背光，除了反射模式外，也用透过模式进行显示。与这样的使用方式对应，在本实用新型中将透过显示用彩色滤光器与反射显示用彩色滤光器的边界部分配置到反射显示区域一侧，所以，在透过显示区域用透过显示用彩色滤光器恰当地形成。因此，在透过显示用彩色滤光器与反射显示用彩色滤光器的边界部分即使有彩色滤光器的重叠或彩色滤光器的间隙，在用透过模式进行显示的设备使用时，彩色滤光器的边界部分也对显示的图像没有影响。因此，在第2透明基板中，不需要在透过显示用彩色滤光器与反射显示用彩色滤光器的边界部分形成遮光膜，所以，可以用充分的光量显示图像。
在本实用新型中，在上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器的边界部分，上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器可以重叠。
另外，在本实用新型中，在上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器的边界部分，在上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器之间也可以有间隙。即使在上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器的边界部分有彩色滤光器的间隙，在反射显示区域，外光从间隙入射后通不过彩色滤光器，从而原样从间隙射出的光量非常少，所以，对图像的品质几乎没有影响。
在本实用新型中，优选地上述像素具有大致长方形的平面形状，上述透过显示区域与上述反射显示区域的边界部分在上述像素内直线延伸，上述透过显示区域的3边与上述像素的3边重叠。采用这样的结构时，因为可以将透过显示用彩色滤光器与反射显示用彩色滤光器的边界部分缩短，所以，可以抑制边界部分的影响。
在本实用新型中，优选地，上述透过显示区域与上述反射显示区域的边界部分沿上述像素的短边平行地延伸。采用这样的结构时，因为可以使透过显示用彩色滤光器与反射显示用彩色滤光器的边界部分最短，所以，可以抑制边界部分的影响。
在本实用新型中，优选地通过将上述反射显示用彩色滤光器形成得比上述透过显示用彩色滤光器厚，而使上述反射显示区域中的上述液晶层的层厚比上述透过显示区域中的上述液晶层的层厚薄。采用这样的结构时，即使不增加新的层，也可以使反射显示区域中的液晶层的层厚比透过显示区域的液晶层的层厚薄。因此，即使透过显示光仅1次通过液晶层后射出而反射显示光2次通过液晶层，在透过显示光和反射显示光双方中都可以将延迟Δn·d最佳化。
在本实用新型中，优选地，在上述第1透明基板和上述第2透明基板中的至少一方的表面一侧，形成有使上述反射显示区域中的上述液晶层的层厚比上述透过显示区域中的上述液晶层的层厚薄的层厚调整层。采用这样的结构时，由于可以使反射显示区域的液晶层的层厚比透过显示区域的液晶层的层厚薄，所以，即使透过显示光仅1次通过液晶层后射出而反射显示光2次通过液晶层，在透过显示光和反射显示光双方中都可以将延迟Δn·d最佳化。
在本实用新型中，优选地，上述层厚调整层是在上述第2透明基板上形成的透明层。采用这样的结构时，即使设置了层厚调整层，在用于在第1透明基板上形成像素开关元件的光刻工序中曝光精度也不会降低。因此，可以提供可靠性高并且显示品质高的半透过反射型液晶装置。
在本实用新型中，作为上述层厚调整层，可以采用例如在与上述反射显示用彩色滤光器重叠的区域中有选择地形成的结构。这时，上述层厚调整层的端部优选地位于上述反射显示区域内。采用这样的结构时，层厚调整层的端部成为圆锥(テ-パ)面，即使在该处液晶层的层厚偏离恰当的值，这样的偏离在用透过模式进行显示时对图像的品质也不会有影响。
在本实用新型中，作为上述层厚调整层，也可以是在上述反射显示区域形成得厚而在上述透过显示区域形成得比上述反射显示区域薄的结构。这时，优选地，上述层厚调整层在上述反射显示区域形成得厚的部分与在上述透过显示区域形成得薄的部分的边界部分位于上述反射显示区域内。采用这样的结构时，层厚调整层的厚的部分与薄的部分将成为圆锥状的段差，即使在该处液晶层的层厚偏离恰当的值，这样的偏离在用透过模式进行显示时对图像的品质与不会有影响。
在本实用新型中，优选地，在上述第1透明基板和上述第2透明基板中的至少一方的表面一侧形成有通过从一方的基板突出并与另一方的基板接触而规定上述第1透明基板与上述第2透明基板的基板间隔的柱状突起。由于彩色滤光器的厚度平衡或层厚调整层的形成，即使在第1透明基板一侧或第2透明基板一侧形成了凹凸，如果通过在第1透明基板一侧或第2透明基板一侧形成的柱状突起控制基板间隔，就不需要散布间隙材料。因此，在第1透明基板与第2透明基板之间，不会发生间隙材料滚落到由层厚调整层引起的凹凸中的凹部而发生的基板间隔的偏差，从而可以将延迟Δn·d保持为最佳的状态。因此，可以进行品质高的显示。
应用本实用新型的液晶装置可以作为便携电话机、移动式计算机等的电子设备的显示装置使用。
图1是从对向基板一侧看应用本实用新型的半透过反射型液晶装置时的平面图。
图2是沿图1的H-H’线的剖面图。
图3是在半透过反射型液晶装置中在矩阵状的多个像素上形成的元件等的等效电路图。
图4是表示本实用新型的半透过反射型液晶装置的TFT阵列基板的各像素的结构的平面图。
图5(A)、(B)分别是在本实用新型实施例1的半透过反射型液晶装置中示意性地表示在像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
图6(A)、(B)分别是在本实用新型实施例2的半透过反射型液晶装置中示意性地表示在像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
图7(A)、(B)分别是在本实用新型实施例3的半透过反射型液晶装置中示意性地表示在像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
图8(A)、(B)分别是在本实用新型实施例4的半透过反射型液晶装置中示意性地表示在像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
图9(A)、(B)分别是在本实用新型实施例5的半透过反射型液晶装置中示意性地表示在像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
图10(A)、(B)分别是在本实用新型实施例6的半透过反射型液晶装置中示意性地表示在像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
图11是表示将本实用新型的半透过反射型液晶装置作为显示装置使用的电子设备的电路结构的框图。
图12是表示使用本实用新型的半透过反射型液晶装置的移动式的个人计算机的说明图。
图13是使用本实用新型的半透过反射型液晶装置的便携电话机的说明图。
图14(A)、(B)分别是在以往的半透过反射型液晶装置中示意性地表示在像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和像素的剖面图。
符号说明1a半导体膜
2 栅绝缘膜3a 扫描线3b 电容线4 层间绝缘膜6a 数据线6b 漏电极7a 上层绝缘膜8a 光反射膜8d 光透过窗8g 光反射膜表面的凹凸图案9a 像素电极10 TFT阵列基板11 基底保护膜13a 凹凸形成层20 对向基板21 对向电极23 遮光膜25 层厚调整层26 彩色滤光器的边界部分27 反射显示区域和透过显示区域的边界部分28 彩色滤光器的间隙30 像素开关用TFT40 柱状突起70 液晶60 存储电容100 半透过反射型液晶装置100a像素100b反射显示区域
100c透过显示区域241 透过显示用彩色滤光器242 反射显示用彩色滤光器具体实施方式
下面，参照附图说明本实用新型的实施例。在以下说明中使用的各图中，为了将各层、各部件等在图面上设置为可以识别的大小，各层、各部件等的比例尺是不同的。
实施例1.
半透过反射型液晶装置的基本的结构图1是与各结构要素一起从对向基板一侧看应用本实用新型的半透过反射型液晶装置的平面图，图2是图1的H-H’线的剖面图。图3是在半透过反射型液晶装置的图像显示区域中形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、配线等的等效电路图。在本实施例的说明中使用的各图中，为了将各层、各部件等在图面上设置为可以识别的大小，各层、各部件等的比例尺是不同的。
在图1和图2中，本实施例的半透过反射型液晶装置100，将作为电光物质的液晶层50保持在由密封材料52贴合的TFT阵列基板10(第1透明基板)与对向基板20(第2透明基板)之间，在密封材料52的形成区域的内侧区域形成由遮光性材料构成的周边分离线(見切り)53。在密封材料52的外侧的区域，沿TFT阵列基板10的一边形成数据线驱动电路101和装配端子102，沿着与该一边相邻的两边形成扫描线驱动电路104。在TFT阵列基板10的其余的一边设置用于将在图像显示区域的两侧设置的扫描线驱动电路104间连接的多个配线105，此外，有时还利用周边分离线53的下面等设置预充电电路、检测电路等。另外，在对向基板20的角部的至少1个部位形成用于在TFT阵列基板10与对向基板20之间进行电气导通的上下导通部件106。另外，数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104等可以与密封材料52重叠地形成，也可以在密封材料52的内侧区域形成。
另外，代替将数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104形成的TFT阵列基板10上，也可以将装配了驱动用LSI的TAB(带式自动键合)基板通过各向异性导电膜与在TFT阵列基板10的周边部形成的端子群相对地进行电气和机械连接。另外，在半透过反射型液晶装置100中，根据使用的液晶层50的种类即TN(扭转向列)模式、STN(超级TN)模式等工作模式、常白模式/常黑模式等的不同，以规定的方向配置偏振膜、相位差膜、偏振片等，但是，这里省略图示。
另外，本实施例的半透过反射型液晶装置100是彩色显示用的，所以，如后面所述，在对向基板20中，在与TFT阵列基板10的各像素电极9a相对的区域中形成R、G、B各色的彩色滤光器。
在这样构成的半透过反射型液晶装置100的画面显示区域中，如图3所示，多个像素100a构成为矩阵状，同时，在这些像素100a的各自上，形成像素电极9a和用于驱动该像素电极9a的像素开关用的TFT30，供给像素信号S1、S2…Sn的数据线6a与该TFT30的源极电气连接。写入数据线6a的像素信号S1、S2…Sn可以依次按线顺序供给，也可以对相邻接的多个数据线6a每组地供给。另外，构成为将扫描线3a与TFT30的栅极电气连接，以规定的定时脉冲式地将扫描信号G1、G2…Gm顺序施加到扫描线3a。像素电极9a与TFT30的漏极电气连接，通过使作为开关元件的TFT30只在一定期间成为ON(导通)状态，将从数据线6a供给的像素信号S1、S2…Sn以规定的定时写入各像素。这样，通过像素电极9a写入液晶的规定电平的像素信号S1、S2…Sn在与图2所示的对向基板20的对向电极21之间保持一定期间。
这里，液晶层50通过由于施加的电压水平分子集合的取向、次序等变化，对光进行调制，可以进行灰度显示。如果是常白模式，则入射光通过该液晶层50的部分的光量随所加的电压而降低，如果是常黑模式，则入射光通过该液晶层50的部分的光量随所加的电压而增大。结果，总体上从半透过反射型液晶装置100射出具有与像素信号S1、S2…Sn对应的对比度的光。
为了防止保持的像素信号S1、S2…Sn泄漏，有时附加与在像素电极9a和对向电极之间形成的液晶电容并联的存储电容60。例如，像素电极9a的电压通过存储电容60保持比施加源极电压的时间长3位数的时间。由此，改善电荷的保持特性，从而可以实现对比度高的半透过反射型液晶装置100。再有，作为形成存储电容60的方法，如图3所示，可以有在与作为用于形成存储电容60的配线的电容线3b间形成的情况或在与前级的扫描线3a间形成的情况。
TFT阵列基板的结构图4是本实施例的半透过反射型液晶装置使用的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群的平面图。图5(A)、(B)是在半透过反射型液晶装置中示意性地表示在像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
在图4中，在TFT阵列基板10上，由多个透明的ITO(Indium TinOxide)膜构成的像素电极9a(第1透明电极)形成为矩阵状，像素开关元件用的TFT30分别与各像素电极9a连接。另外，沿像素电极9a的纵横的边界形成数据线6a、扫描线3a和电容线3b，TFT30与数据线6a和扫描线3a连接。即，数据线6a通过接触孔与TFT30的高浓度源极区域1d电气连接，扫描线3a的突出部分构成TFT30的栅电极。
存储电容60的结构是，将用于形成像素开关用TFT30的半导体膜1的延伸部分1f进行导电化处理后作为下电极，将电容线3b作为上电极重叠到该下电极41上。
这样构成的像素100a的C-C’线的剖面如图5(B)所示，在作为TFT阵列基板10的基体的透明的基板10’的表面形成电厚度300nm～500nm的硅氧化膜(绝缘膜)构成的基底保护膜11，在该基底保护膜11的表面，形成厚度30nm～100nm的岛状的半导体膜1a。在半导体膜1a的表面，形成由厚度约50～150nm的硅氧化膜构成的栅极绝缘膜2，在该栅极绝缘膜2的表面，形成厚度300nm～800nm的扫描线3a。在半导体膜1a中，通过栅极绝缘膜2与扫描线3a对峙的区域成为沟道区域1a’。与该沟道区域1a’相对在一侧形成具有低浓度源极区域1b和高浓度源极区域1d的源极区域，在另一侧形成具有低浓度漏极区域1c和高浓度漏极区域1e的漏极区域。
有时在像素开关用TFT30的表面一侧形成由厚度300nm～800nm的硅氧化膜构成的层间绝缘膜4，在该层间绝缘膜4的表面形成由厚度100nm～300nm的硅氮化膜构成的表面保护膜(图中未示出)。在层间绝缘膜4的表面，形成厚度300nm～800nm的数据线6a，该数据线6a通过在层间绝缘膜4上形成的接触孔与高浓度源极区域1d电气连接。在层间绝缘膜4的表面形成与数据线6a同时形成的漏电极6b，该漏电极6b通过在层间绝缘膜4上形成的接触孔与高浓度漏极区域1e电气连接。
在层间绝缘膜4的上层，以规定的图案形成由第1感光性树脂构成的凹凸形成层13a，在该凹凸形成层13a的表面形成由第2感光性树脂构成的上层绝缘膜7a。另外，在上层绝缘膜7a的表面，形成由铝膜等构成的光反射膜8a。因此，在光反射膜8a的表面，通过上层绝缘膜7a反映凹凸形成层13a的凹凸形成由凹部8c和凸部8b构成的凹凸图案8g。
这里，如图4和图5(A)所示，光反射层8a在略呈长方形的像素100a的一对短边中，只在一方的短边一侧形成，另一方的短边一侧是不形成光反射层8a的光透过窗8d。因此，略呈长方形的像素100a形成光反射层8a的一方的短边一侧成为反射显示区域100b，成为光透过窗8d的另一方的短边一侧成为透过显示区域100c。换言之，透过显示区域100c与反射显示区域100b的边界区域27，在像素100a内与短边平行地直线延伸，透过显示区域100c的3边与像素100a的3边重叠。
在图5(B)中，在光反射膜8a的上层，形成由ITO膜构成的像素电极9a。像素电极9a在光反射膜8a的表面直接层积，像素电极9a与光反射膜8a电气连接。另外，像素电极9a通过在感光性树脂层7a和层间绝缘膜4上形成的接触孔与漏电极6b电气连接。
在像素电极9a的表面一侧，形成由聚酰亚胺膜构成的取向膜12。该取向膜12是对聚酰亚胺膜进行摩擦处理后的膜。
另外，与从高浓度漏极区域1e的延伸部分1f(下电极)相对，电容线3b作为上电极通过与栅极绝缘膜2同时形成的绝缘膜(电介质膜)进行面对，构成存储电容60。
进而，如上所述，虽然TFT30优选地具有LDD结构，但是，也可以具有不向与低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c相当的区域注入杂质离子的偏移(オフセツト)结构。另外，TFT30也可以是将栅电极(扫描线3a的一部分)作为掩模以高浓度注入杂质离子，自匹配地形成高浓度的源极和漏极区域的自调整(セルフアライン)型的TFT。
另外，在本实施例中，虽然设为将TFT30的栅电极(扫描线3a)在源极-漏极区域间仅配置1个的单栅极结构，但是，也可以在它们之间配置2个或2个以上的栅电极。这时，成为将同一信号加到各个栅电极上。这样，如果用双栅极或三栅极或以上构成TFT30，则可以防止沟道与源极-漏极区域的接合部的泄漏电流，从而可以降低OFF(断开)时的电流。如果使这些栅电极中的至少1个为LDD结构或偏移结构，可以进一步降低OFF电流，从而可以得到稳定的开关元件。
TFT阵列基板10和对向基板20由散布在一方的基板上的间隙(ギヤツプ)材料5规定基板间隔。
对向基板的结构在对向基板20上，在与在TFT阵列基板10上形成的像素电极9a的纵横的边界部分相对的区域，形成称为黑矩阵或黑条纹等的遮光膜23，并在其上层一侧形成由ITO膜构成的对向电极21(第2电极)。在对向电极21的上层一侧，形成由聚酰亚胺膜构成的取向膜22，该取向膜22是对聚酰亚胺膜进行了摩擦处理的膜。
在对向基板20，在对向电极21的下层一侧，在与像素电极9a相对的区域形成厚度1μm～数μm的R、G、B的彩色滤光器。但是，在半透过反射型液晶装置100中，进行反射模式的显示和透过模式的显示时，透过显示光如箭头LB所示的那样，仅1次通过彩色滤光器而射出，与此相反，反射显示光则如箭头LA所示的那样2次通过彩色滤光器。因此，在本实施例中，在对向基板20的表面中，在形成光反射膜8a的反射显示区域100b形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242，另一方面，在形成透过窗8d的透过显示区域100c形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241。
这里，像素100a形成光反射层8a的一方的短边侧成为反射显示区域100b，成为光透过窗8d的另一方的短边侧成为透过显示区域100c，所以，反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26与像素100a的短边平行地延伸。
另外，反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，从反射显示区域100b与透过显示区域100c的边界部分27偏移配置在反射显示区域100b一侧。这里，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，以往是形成遮光膜，但是，在本实施例中，则并不形成这样的遮光膜。
这样的对向基板20，首先在利用光刻技术形成遮光膜23之后，利用光刻技术、苯胺印刷法或喷墨法，形成反射显示用彩色滤光器242和透过显示用彩色滤光器241，然后，通过形成对向电极21和取向膜22便可制造而成。
本实施例的作用和效果在搭载了这样结构的半透过反射型液晶装置100的电子设备中，在待机时按利用箭头LA所示的反射显示光的反射模式进行显示，在使用时点亮背光，除了反射模式外，也可以按利用箭头LB所示的透过显示光的透过模式进行显示。
与这样的使用形式对应，在本实施例中将透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26配置到反射显示区域100b一侧。因此，彩色滤光器的边界部分26未加在透过显示区域100c，而恰当地形成透过显示用彩色滤光器241。因此，例如即使在透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26有彩色滤光器241、242的重叠或彩色滤光器241、242的间隙，在除了反射模式外也按透过模式进行显示时，彩色滤光器的边界部分对显示的图像没有影响。因此，在对向基板20中，在透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26不需要形成遮光膜，所以，可以用充分的光量显示图像。
另外，在本实施例中，透过显示区域100c与反射显示区域100b的边界部分27，在像素100a内与短边平行地并且直线地延伸，透过显示区域100b的3边与像素100a的3边重叠。因此，可以使透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26最短，所以，可以将着色不稳定的边界部分26的影响抑制到最小限度。
实施例2.
图6(A)、(B)分别是示意性地表示在本实用新型实施例2的半透过反射型液晶装置的像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。在本实施例和以下说明的任意一个实施例中，基本的结构都与实施例1相同。因此，对于共同的部分标以相同的符号，并省略其说明，仅说明作为各实施例的特征点的对向基板的结构。
在图6(A)、(B)中，本实施例也和实施例1一样，在对向基板20的表面中，在形成光反射膜8a的反射显示区域100b，形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242，另一方面在形成透过窗8d的透过显示区域100c，形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241。像素100a形成光反射层8a的一方的短边侧成为反射显示区域100b，而成为光透过窗8d的另一方的短边侧成为透过显示区域100c，所以，反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26与像素100a的短边平行地直线延伸。
另外，在本实施例中，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，从反射显示区域100b与透过显示区域100c的边界部分27偏移，配置在反射显示区域100b侧。
这里，在实施例1中，形成为反射显示用彩色滤光器242和透过显示用彩色滤光器241在边界部分26不重叠，并且没有间隙发生，但是，在本实施例中，在边界部分26，反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241部分地重叠。
另外，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，以往是形成遮光膜，但是，在本实施例中，不形成这样的遮光膜。
在这样构成的半透过反射型液晶装置100中，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，从反射显示区域100b与透过显示区域100c的边界部分27偏移，配置在反射显示区域100b一侧，并且，在该边界部分26，反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241部分地重叠。因此，在待机时按利用箭头LA所示的反射显示光的反射模式进行显示时，完全不发生光泄漏。
另外，由于将透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26配置在反射显示区域100b一侧，所以，彩色滤光器的边界部分26未加到透过显示区域100c上，恰当地形成了透过显示用彩色滤光器241。因此，例如在反射显示区域100b中，即使在透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26有彩色滤光器241、242的重叠，在除了以反射模式外也以透过模式进行显示时，彩色滤光器的边界部分26对显示的图像也没有影响。因此，在对向基板20中，不需要在透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26形成遮光膜，所以，可以用充分的光量显示图像。
实施例3.
图7(A)、(B)分别是示意性地表示在本实用新型实施例3的半透过反射型液晶装置的像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
在图7(A)、(B)中，本实施例也和实施例1一样，在对向基板20的表面中，在形成光反射膜8a的反射显示区域100b形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242，另一方面在形成透过窗8d的透过显示区域100c形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241。像素100a形成光反射层8a的一方的短边侧成为反射显示区域100b，而成为光透过窗8d的另一方的短边侧成为透过显示区域100c，所以，反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，与像素100a的短边平行地直线延伸。
另外，在本实施例中，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，从反射显示区域100b与透过显示区域100c的边界部分27偏移，配置在反射显示区域100b一侧。
这里，在实施例1中，反射显示用彩色滤光器242和透过显示用彩色滤光器241在边界部分26不重叠，并且没有间隙发生，但是，在本实施例中，在边界部分26，在反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241之间留有间隙28。
并且，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，以往形成遮光膜，但是，在本实施例中，不形成这样的遮光膜。
在这样构成的半透过反射型液晶装置100中，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，从反射显示区域100b与透过显示区域100c的边界部分27偏移，配置在反射显示区域100b一侧，并且，在该边界部分26，在反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241之间留有间隙28。即使这样，在待机时以利用箭头LA所示的反射显示光的反射模式进行显示时，外光从间隙28入射，不通过彩色滤光器242原样从间隙28射出的光量非常少，所以，对图像的品质几乎没有影响。
另外，由于将透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26配置到反射显示区域100b一侧，所以，彩色滤光器的边界部分26未加到透过显示区域100c上，恰当地形成了透过显示用彩色滤光器241。因此，例如在反射显示区域100b中，在透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26，即使在彩色滤光器241、242之间有间隙28，也几乎不从间隙28漏光，所以，在除了反射模式外也以透过模式进行显示时，彩色滤光器的边界部分26对显示的图像没有影响。因此，在对向基板20中，不需要在透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26形成遮光膜，所以，可以用充分的光量显示图像。
另外，在本实施例中，透过显示区域100c与反射显示区域100b的边界部分27，在像素100a内与短边平行地直线延伸，透过显示区域100c的3边与像素100a的3边重叠。因此，可以使透过显示用彩色滤光器241与反射显示用彩色滤光器242的边界部分26最短，所以，可以将着色不稳定的边界部分26的影响抑制到最小限度。
实施例4.
图8(A)、(B)分别是示意性地表示在本实用新型实施例4的半透过反射型液晶装置的像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
在图8(A)、(B)中，本实施例也和实施例3一样，在对向基板20的表面中，在形成光反射膜8a的反射显示区域100b形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242，另一方面在形成透过窗8d的透过显示区域100c形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241。另外，像素100a形成光反射层8a的一方的短边侧成为反射显示区域100b，而成为光透过窗8d的另一方的短边侧成为透过显示区域100c，所以，反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26与像素100a的短边平行地直线延伸。
另外，在本实施例中，也和实施例3一样，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，从反射显示区域100b与透过显示区域100c的边界部分27偏移，配置到反射显示区域100b一侧。这里，在边界部分26，在反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241之间留有间隙28。
并且，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，以往是形成遮光膜，但是，在本实施例中，不形成这样的遮光膜。
另外，在本实施例中，在透过显示用彩色滤光器241使用色度域宽但薄的颜色材料，而在反射显示用彩色滤光器242使用色度域窄但厚的颜色材料。因此，反射显示区域100b中液晶层50的层厚d比透过显示区域100c中液晶层50的层厚d薄很多。
进而，在本实施例中，由在TFT阵列基板10上形成的柱状突起40规定TFT阵列基板10与对向基板20的间隔，不向TFT阵列基板10与对向基板20之间散布间隙材料。
在这样构成的半透过反射型液晶装置100中，在待机时以利用箭头LA所示的反射显示光的反射模式进行显示时，外光从间隙28入射后原样从间隙28射出的光量非常少，所以，对图像的品质几乎没有影响，可以获得与另外，在本实施例中，改变透过显示用彩色滤光器241和反射显示用彩色滤光器242的厚度，使反射显示区域100b中液晶层50的层厚d比透过显示区域100c中液晶层50的层厚d薄很多。因此，虽然透过显示光仅1次通过液晶层50后射出，而反射显示光2次通过液晶层50，但是，在本实施例中，在透过显示光和反射显示光双方中可以将延迟Δn·d最佳化，所以，可以进行品质高的显示。
此外，由在TFT阵列基板10上形成的柱状突起40规定TFT阵列基板10与对向基板20的间隔，不向TFT阵列基板10与对向基板20之间散布间隙材料，所以，即使在对向基板20上有由层厚调整层25引起的凹凸，也不会发生间隙材料滞留到该凹部中失去功能的情况。因此，高精度地规定TFT阵列基板10与对向基板20的间隔，使延迟Δn·d最佳化，所以，可以进行品质高的显示。
实施例5.
图9(A)、(B)分别是示意性地表示在本实用新型实施例5的半透过反射型液晶装置的像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
在图9(A)、(B)中，本实施例也和实施例3一样，在对向基板20的表面中，在形成光反射膜8a的反射显示区域100b形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242，而在形成透过窗8d的透过显示区域100c形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241。另外，像素100a形成光反射层8a的一方的短边侧成为反射显示区域100b，而成为光透过窗8d的另一方的短边侧成为透过显示区域100c，所以，反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26与像素100a的短边平行地直线延伸。
另外，在本实施例中，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，从反射显示区域100b与透过显示区域100c的边界部分27偏移，配置在反射显示区域100b一侧。这里，在边界部分26，在反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241之间留有间隙28。
并且，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，以往是形成遮光膜，但是，在本实施例中，不形成这样的遮光膜。
另外，在本实施例中，在对向基板20的表面中，在反射显示用彩色滤光器242与对向电极21的层间以厚度2μm至4μm形成由丙烯树脂或聚酰亚胺树脂等的透明层构成的层厚调整层25。因此，反射显示区域100b中液晶层50的层厚d比透过显示区域100c中液晶层50的层厚d薄。这里，层厚调整层25的端部250成为圆锥面，而这样的圆锥状的端部250位于反射显示区域100b内。
此外，在本实施例中，由在TFT阵列基板10上形成的高度2μm～3μm的柱状突起40，规定TFT阵列基板10与对向基板20的间隔，在TFT阵列基板10与对向基板20之间不散布间隙材料。
在这样构成的半透过反射型液晶装置100中，在待机时以利用箭头LA所示的反射显示光的反射模式进行显示时，外光从间隙28入射后原样从间隙28射出的光量非常少，所以，对图像的品质几乎没有影响，可以获得与另外，在本实施例中，在对向基板20侧设置层厚调整层25，使反射显示区域100b中液晶层50的层厚d比透过显示区域100c中液晶层50的层厚d薄很多。因此，在透过显示光和反射显示光双方中可以使延迟Δn·d最佳化，所以，可以进行品质高的显示。
而且，在本实施例中，层厚调整层25的端部250成为圆锥面，虽然在该处液晶层50的层厚偏离恰当的值，但是，由于这样的端部250位于反射显示区域100b内，所以，这样的层厚的偏离在以透过模式进行显示时对图像的品质没有影响。
另外，在对向基板20一侧，即对不形成像素开关用的TFT30的一方的基板形成层厚调整层25，使反射显示区域100b中液晶层50的层厚d比透过显示区域100c中液晶层50的层厚d薄。因此，即使设置了层厚调整层25，在用于在TFT阵列基板10上形成TFT30的光刻工序中曝光精度也不会降低。因此，可以提供可靠性高并且显示品质高的半透过反射型液晶装置100。
此外，由在TFT阵列基板10上形成的柱状突起40规定TFT阵列基板10与对向基板20的间隔，在TFT阵列基板10与对向基板20之间不散布间隙材料，所以，即使在对向基板20上有由层厚调整层25引起的凹凸，也不会发生间隙材料滞留到该凹部中失去功能的情况。因此，高精度地规定TFT阵列基板10与对向基板20的间隔，使延迟Δn·d最佳化，所以，可以进行品质高的显示。
实施例6.
图10(A)、(B)分别是示意性地表示在本实用新型实施例6的半透过反射型液晶装置的像素上构成反射显示区域和透过显示区域的情况的说明图和在与图4的C-C’线相当的位置将像素的一部分切断时的剖面图。
在图10(A)、(B)中，本实施例也和实施例3一样，在对向基板20的表面中，在形成光反射膜8a的反射显示区域100b形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242，而在形成透过窗8d的透过显示区域100c形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241。像素100a形成光反射层8a的一方的短边侧成为反射显示区域100b，而成为光透过窗8d的另一方的短边侧成为透过显示区域100c，所以，反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26与像素100a的短边平行地直线延伸。
另外，在本实施例中，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，从反射显示区域100b与透过显示区域100c的边界部分27偏移，配置在反射显示区域100b一侧。这里，在边界部分26，在反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241之间留有间隙28。
并且，对于反射显示用彩色滤光器242与透过显示用彩色滤光器241的边界部分26，以往是形成遮光膜，但是，在本实施例中，不形成这样的遮光膜。
另外，在本实施例中，在对向基板20中，在与对向电极21的层间形成由丙烯树脂或聚酰亚胺树脂等的透明层构成的层厚调整层25，该层厚调整层25在反射显示区域100b厚而在透过显示区域100c薄。因此，反射显示区域100b中液晶层50的层厚d比透过显示区域100c中液晶层50的层厚d薄。这里，在层厚调整层25上有厚的部分与薄的部分的段差251，但是，这样的段差250位于反射显示区域100b内。
此外，在本实施例中，由在TFT阵列基板10上形成的柱状突起40规定TFT阵列基板10与对向基板20的间隔，在TFT阵列基板10与对向基板20之间不散布间隙材料。
在这样构成的半透过反射型液晶装置100中，在待机时以利用箭头LA所示的反射显示光的反射模式进行显示时，外光从间隙28入射后原样从间隙28射出的光量非常少，所以，对图像的品质几乎没有影响，可以获得与另外，在本实施例中，在对向基板20一侧设置层厚调整层25，使反射显示区域100b中液晶层50的层厚d比透过显示区域100c中液晶层50的层厚d薄很多。因此，在透过显示光和反射显示光双方中可以使延迟Δn·d最佳化，所以，可以进行品质高的显示。
而且，在层厚调整层25中，在厚的部分与薄的部分有圆锥状的段差251，在该处液晶层50的层厚度偏离恰当的值，但是，由于这样的段差251位于反射显示区域100b内，所以，这样的层厚的偏离在以透过模式进行显示时对图像的品质没有影响。
另外，在对向基板20一侧，即对不形成像素开关用的TFT30的一方的基板，形成层厚调整层25，使反射显示区域100b中液晶层50的层厚d比透过显示区域100c中液晶层50的层厚d薄。因此，即使设置层厚调整层25，在用于在TFT阵列基板10上形成TFT30的光刻工序中曝光精度也不会降低。因此，可以提供可靠性高并且显示品质高的半透过反射型液晶装置100。
进而，由在TFT阵列基板10上形成的柱状突起40规定TFT阵列基板10与对向基板20的间隔，在TFT阵列基板10与对向基板20之间不散布间隙材料，所以，即使在对向基板20上有由层厚调整层25引起的凹凸，也不会发生间隙材料滞留到该凹部中失去功能的情况。由此，因为高精度地规定TFT阵列基板10与对向基板20的间隔，使延迟Δn·d最佳化，所以，可以进行品质高的显示。
其他实施例.
在实施例4、5、6中对实施例3追加了各结构，但是，也可以对实施例1、2追加在实施例4、5、6中说明的结构。
另外，在实施例4、5、6中，对在对向基板20上形成层厚调整层25的液晶装置说明了利用柱状突起40进行基板间隔的控制的例子，但是，可以对在TFT阵列基板10上形成层厚调整层25的液晶装置利用柱状突起40进行基板间隔的控制。
此外，对于柱状突起40，也可以在对向基板20侧形成。
进而，在上述实施例中，说明了作为像素开关用的有源元件使用TFT的例子，但是，作为有源元件，使用MIM(Metal Insulator Metal)元件等薄膜二极管(TFD元件/Thin Film Diode元件)的情况也相同。
半透过反射型液晶装置在电子设备中的应用这样构成的半透过反射型液晶装置100可以作为各种电子设备的显示部使用，下面参照图11、图12和图13说明其一例。
图11是表示将本实用新型的半透过反射型液晶装置作为显示装置使用的电子设备的电路结构的框图。
在图11中，电子设备具有显示信息输出源70、显示信息处理电路71、电源电路72、定时发生器73和液晶装置74。另外，液晶装置74具有液晶显示面板75和驱动电路76。作为液晶装置74，可以使用上述半透过反射型液晶装置100。
显示信息输出源70具备ROM、RAM等这样的存储器、各种盘等这样的存储单元、调谐输出数字图像信号的调谐电路等，根据由定时发生器73生成的各种时钟信号将规定格式的图像信号等显示信息供给显示信息处理电路71。
显示信息处理电路71具备串一并变换电路、放大·反相电路、旋转电路、伽马补正电路、箝位电路等这样的众所周知的各种电路，进行输入的显示信息的处理，并将该图像信号与时钟信号CLK一起供给驱动电路76。电源电路72向各构成要件供给规定的电压。
图12表示作为本实用新型电子设备的1个实施例的移动式个人计算机。这里所示的个人计算机80具有包括键盘81的主体部82和液晶显示单元83。液晶显示单元83被构成为包含上述半透过反射型液晶装置100。
图13表示作为本实用新型电子设备的其他实施例的便携电话机。这里所示的便携电话机90具有多个操作按钮91和由上述半透过反射型液晶装置100构成的显示部。
如上所述，在本实用新型中，与半透过反射型液晶装置的使用方式对应，将透过显示用彩色滤光器与反射显示用彩色滤光器的边界部分配置在反射显示区域一侧，所以，在透过显示区域可以用透过显示用彩色滤光器恰当地形成。因此，在透过显示用彩色滤光器与反射显示用彩色滤光器的边界部分即使有彩色滤光器的重叠或彩色滤光器的间隙，在除了反射模式外也以透过模式进行显示时，彩色滤光器的边界部分对显示的图像也没有影响。因此，在第2透明基板中，不需要在透过显示用彩色滤光器与反射显示用彩色滤光器的边界部分形成遮光膜，所以，可以用充分的光量显示图像。
权利要求1.一种半透过反射型液晶装置，具有在表面矩阵状地形成有第1透明电极和像素开关元件的第1透明基板、在表面与上述第1透明电极相对地形成有构成像素的第2透明电极的第2透明基板、和保持在上述第1透明基板与上述第2透明基板之间的液晶层；并且在上述第1透明基板一侧形成有将像素内的一部分区域作为反射显示区域而将其余的区域作为透过显示区域的光反射层；其特征在于在上述第2基板中，在上述透过显示区域形成有透过显示用彩色滤光器，同时在上述反射显示区域形成有色度域比上述透过显示用彩色滤光器窄的反射显示用彩色滤光器，并且，上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器的边界部分位于上述反射显示区域一侧。
2.根据权利要求1所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，在上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器的边界部分，上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器重叠。
3.根据权利要求1所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，在上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器的边界部分，在上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器之间存在间隙。
4.根据权利要求1～3的任意一项所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，上述像素具有大致长方形的平面形状；上述透过显示区域与上述反射显示区域的边界部分，在上述像素内直线地延伸，上述透过显示区域的3边与上述像素的3边重叠。
5.根据权利要求4所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，上述透过显示区域与上述反射显示区域的边界部分，与上述像素的短边平行地延伸。
6.根据权利要求1～5的任意一项所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，在上述第2透明基板上形成有遮光膜；在上述透过显示用彩色滤光器与上述反射显示用彩色滤光器的边界部分不形成该遮光膜。
7.根据权利要求1～6的任意一项所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，通过将上述反射显示用彩色滤光器形成得比上述透过显示用彩色滤光器厚，使上述反射显示区域中的上述液晶层的层厚比上述透过显示区域中的上述液晶层的层厚薄。
8.根据权利要求1～6的任意一项所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，在上述第1透明基板和上述第2透明基板中的至少一方的表面一侧，形成有使上述反射显示区域中的上述液晶层的层厚比上述透过显示区域中的上述液晶层的层厚薄的层厚调整层。
9.根据权利要求8所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，上述层厚调整层是在上述第2透明基板上形成的透明层。
10.根据权利要求9所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，上述层厚调整层，被选择性地形成在与上述反射显示用彩色滤光器重叠的区域中。
11.根据权利要求10所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，上述层厚调整层的端部，位于上述反射显示区域内。
12.根据权利要求9所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，上述层厚调整层，形成得在上述反射显示区域厚而在上述透过显示区域比上述反射显示区域薄。
13.根据权利要求12所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，上述层厚调整层，在上述反射显示区域形成得厚的部分与在上述透过显示区域形成得薄的部分的边界部分位于上述反射显示区域内。
14.根据权利要求7～13的任意一项所述的半透过反射型液晶装置，其特征在于，在上述第1透明基板和上述第2透明基板中的至少一方的表面一侧形成有通过从一方的基板突出并与另一方的基板接触而规定上述第1透明基板与上述第2透明基板的基板间隔的柱状突起。
15.一种电子设备，其特征在于，在显示部中具备权利要求1～14的任意一项所述的半透过反射型液晶装置。
专利摘要本实用新型提供了即使是在像素内形成透过显示用彩色滤光器和反射显示用彩色滤光器的情况，在使用时也可以用充分的光量显示图像的半透过反射型液晶装置和使用该半透过反射型液晶装置的电子设备。在半透过反射型液晶装置100的对向基板10中，在对向电极21的下层一侧中，在透过显示区域100c形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241，在反射显示区域100b形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242。使这些彩色滤光器241、242的边界部分26位于反射显示区域100b内。
文档编号G02F1/1335GK2630888SQ0326491
公开日2004年8月4日 申请日期2003年5月22日 优先权日2002年5月22日
发明者村井一郎, 伊藤友幸 申请人:精工爱普生株式会社