专利名称：光纤模块及其制造方法
技术领域：
本发明涉及由容纳例如发光元件和受光元件的组件和一端5a上进入该组件内部的状态下固定于该组件的规定长度的光纤构成的光纤模块。
本发明涉及制造上述光纤模块的方法。
背景技术：
过去，作为产生紫外区域的高输出的激光束的装置，公知的是包括组件内容纳的多个半导体激光器、一端进入该组件内部的状态下固定于该组件的1根光纤和将从上述多个半导体激光器射出的激光束耦合于光纤的聚光光学系统的合波激光光源(例如专利文献1)如上所述，组件内容纳发光元件和受光元件、将与其光学耦合的光纤引出到组件外的结构一般称为尾缆型光纤模块，在光通信领域等已经供广泛使用。
另外，光纤保持裸露状态容易划伤，而且划伤后容易折断，因此通常实施保护用的被覆。市场销售的光纤中，在包层外侧用紫外线固化树脂进行一次被覆，在其外侧再用聚合物进行二次被覆。
上述的尾缆型激光模块中，为按微米级精度稳定维持组件内发光元件和受光元件与光纤光学耦合的状态，需要将光纤牢固地固定在组件上。一般地，该光纤的固定使用焊锡或粘接剂进行。
但是，在附加了上述一次被覆的状态下原样固定光纤时，由于焊锡的热量造成被覆破损或被覆恶化等，固定位置精度恶化。因此，通常通过化学蚀刻处理去除一次被覆后，进行在包层上通过溅射或电镀处理金属薄膜被覆裸光纤的所谓的金属化处理。该金属化处理除防止光纤线材(仅纤芯和包层的状态)的划伤外，还有一个目的是提高与焊锡固定作业的焊锡的亲和性。
另外，实施了该金属化处理的光纤与施加了一次被覆的光纤相比，划伤抑制效果和拉伸强度降低。该处理中需要大成本，因此仅在必要的最小限度的范围内进行金属化处理(通常是25mm以下左右)。即，原来的光纤模块中，引出到组件外的光纤的大部分仍保持实施了通常的被覆的状态。
专利文献1特开2002-202442号公报但是，在使用激光器的一类设备中，一般使用环境中浮动着垃圾和气化的有机物等时，引起它们与激光束的有机物光化学反应，在激光器发光点端面和聚光点端面上沉积物质。已知引起该集尘效果时，激光器寿命缩短，越是短波长、高输出，该效果越大。尤其，使用振动波长为400nm左右的GaN系半导体激光器时，该效果显著地出现。光强度高的激光模块中，在半导体激光元件端面上、或光纤端面上的光强度尤其高，因此这些端面中集尘效果明显出现。将来自射出多个激光束的半导体激光元件的该多个激光束合波在一根光纤中的激光模块中，光纤端面上的光强度非常高，因此该光纤端面上集尘效果明显出现。
前面说明的尾缆型激光模块中，为防止上述问题，进行半导体激光器和光纤的光学对准和固定后，密闭密封容纳这些对准了的光学部件的组件。另外，在密封组件之前对模块内部实施脱气处理时更有效。该脱气处理一般是将密封组件前的整个模块配置在脱气处理装置炉中进行。
但是，进行上述脱气作业时之际，脱气处理装置炉中存在有机树脂构成的光纤被覆时，脱气处理中产生从该被覆的脱气成分，由该气体反而会污染组件内部。另外，如上所述，在对光纤实施金属化处理的现有装置中，引出到组件外的光纤的大部分具有通常的被覆，因此从该被覆后产生脱气成分。
为防止该污染，考虑预先将被覆全部去除，但没有被覆的光纤容易折断，该方法不实用。考虑使用脱气成分少的材料，或者例如将聚酰胺用于被覆材料，但这种特殊被覆光纤更昂贵，采用它时，光纤模块成本大大提高。
以上说明了组件内容纳发光元件的光纤模块的问题，但组件内容纳受光元件的光纤模块中也会产生同样问题。另外，组件内不特别保持发光元件和受光元件、为保护成为光纤的光射出端的一端而将该一端容纳在组件内的光纤模块中也产生同样问题。
发明内容
本发明考虑上述情况，目的是提供一种从光纤被覆脱离的气体成分不会污染组件内部、充分确保光纤部分的强度而且可廉价形成的光纤模块。
本发明目的是提供可制作上述光纤模块的方法。
另外，本发明的第一光纤模块，是由可密封内部的结构的组件；一端进入上述组件内部的状态下固定于该组件的规定长度的光纤构成，其特征在于上述光纤的另一端为剥离包层的裸线状态，该光纤的其他部分在整个长度上用金属和/或无机物被覆。
本发明的第二光纤模块，是由可密封内部的结构的组件；一端进入上述组件内部的状态下固定于该组件的规定长度的光纤构成，其特征在于上述光纤的一端和另一端为剥离包层的裸线状态，该光纤的其他部分在整个长度上用金属和/或无机物被覆。
另外，在进入上述组件内部的状态下配置的光纤的一端可从该组件的壁部向组件内部突出，或与该壁面的里面为同一面的状态，也可以是比该壁面的里面稍稍进入的状态。
最好是组件使用无焊剂焊锡或不含Si系有机物的粘接剂或通过熔接或焊接气密密封。
另外最好是组件内部用惰性气体充满，而该惰性气体中混入1ppm以上的浓度的氧、卤素族气体和/或卤素化合物气体。即作为组件的内部气氛，最好为(1)惰性气体和1ppm以上的浓度的氧的混合气体、(2)惰性气体和卤素族气体以及卤素化合物气体中的至少一个的气体的混合气体、(3)惰性气体和1ppm以上的浓度的氧和卤素族气体以及卤素化合物气体中的至少一个的气体的混合气体中的任一种。
另外，本发明的这些光纤模块的最佳实施例是组件内容纳发光元件和/或受光元件，该元件和上述光纤的一端光学耦合的结构。
其中更好的实施例是构成为产生高输出的合波激光束的装置。即，此时，上述组件内容纳射出多个激光束的作为上述发光元件的半导体激光器、分别将从该半导体激光器按发散状态发出的各激光束变化为平行光的准直透镜、将变为平行光的多个激光束进行聚光，并在成为上述光纤的一端的纤芯端面收敛的聚光透镜。
作为半导体激光器，是阵列状并置的多个单腔体半导体激光元件、1个多腔体半导体激光元件、阵列状并置的多个多腔体半导体激光元件、单腔体半导体激光元件和多腔体半导体激光元件的组合中的任一种。
半导体激光器的振动波长是350～500nm。的光纤模块中适用本发明。
本发明的第一光纤模块的制造方法，其中该光纤模块是由可密封内部的结构的组件；一端进入上述组件内部的状态下固定于该组件的规定长度的光纤构成，其特征在于用金属和/或无机物被覆；将该光纤固定于上述组件；接着对上述组件内进行脱气处理；之后，气密密封该组件。
本发明的第二光纤模块的制造方法，其中，该光纤模块是由可密封内部的结构的组件；该组件内容纳的发光元件或受光元件；一端进入上述组件内部的状态下固定于该组件的、光学耦合于上述发光元件或受光元件的规定长度的光纤构成，其特征在于上述光纤的另一端部为剥离包层的裸线状态，其他部分在整个长度上用金属和/或无机物被覆；将该光纤和上述组件内配置的上述发光元件或受光元件在光学耦合的状态下固定于上述组件；接着对上述组件内进行脱气处理；之后，气密密封该组件。
另外，如上述的本发明的光纤模块的制造方法中，尤其好是气密密封上述组件后，将上述裸线状态的光纤的另一端与实施了树脂被覆的另一规定长度的光纤接合。
此时，最好在从上述组件的壁部到实施了上述树脂被覆的另一光纤之间的至少一部分中，通过加强部件加强光纤。
本发明的第一光纤模块中，如上所述，光纤的另一端部为剥离包层的裸线状态，该光纤的其他部分在整个长度上由金属和/或无机物被覆，因此可通过该被覆加强保护并处理光纤，不需要通常的有机树脂构成的被覆。因此，即便将该光纤模块装入脱气处理装置炉中进行脱气处理，此时来自光纤被覆的脱气气体成分不会污染组件内部。
该效果在光纤的一端为剥离包层的裸线状态的本发明的第二光纤模块中当然也同样。
尤其本发明适用于将发光元件和/或受光元件容纳在组件内、该元件与光纤的一端光学耦合的光纤模块的光纤模块时，防止这些元件污染，提高动作稳定性、可靠性。
其中，尤其是在组件内容纳射出多个激光束的半导体激光器、将该半导体激光元件按发散状态发出的各激光束分别变为平行光的准直透镜、将成为平行光的多个激光束进行聚光，并在成为上述光纤的一端的纤芯端面上收敛的聚光透镜的合波光纤模块中适用本发明的情况下，防止上述组件内的各要素污染，可提高并稳定维持合波激光束的输出。
此时，尤其是半导体激光器的振动波长为350～500nm的范围时，如上所述的组件内要素不容易污染，因此如上所述，提高并稳定维持合波激光束的输出的效果明显。
进行上述脱气处理之际，不从光纤被覆产生脱气成分，脱气装置内的脱气分压更低，也得到脱气处理效果增强的效果。
由金属和/或无机物的被覆如上所述与通常的一次被覆或二次被覆相比，划伤抑制效果或拉伸强度低，但脱气处理和组件密封后通常的光纤连接上述裸线状态的部分，如果施加适当的加强，则通常使用中可避免光纤部分容易破损。
另外，实施上述的金属和/或无机物的被覆的光纤与将上述聚酰胺用于被覆材料的光纤相比，可廉价形成，因此使用实施了这种被覆的光纤的本发明的光纤模块没有明显的成本上升，能够以较低成本形成。
另一方面，本发明的第一光纤模块的制造方法如上所述，光纤的另一端部为剥离包层的裸线状态，其他部分在整个长度上由金属和/或无机物被覆，将该光纤固定于组件，接着对组件内脱气处理，之后，气密密封该组件，从而脱气处理时，确实防止来自有机树脂构成的光纤被覆的脱气成分污染组件内部。
另外，在本发明的第二光纤模块的制造方法中，如果将光纤的另一端部为剥离包层的裸线状态，其他部分在整个长度上由金属和/或无机物被覆，将该光纤和组件内配置的发光元件或受光元件在光学耦合的状态下固定于该组件，接着对组件内脱气处理，之后，气密密封该组件，从而脱气处理时，确实防止来自有机树脂构成的光纤被覆的脱气成分污染组件内部的发光元件或受光元件，可制造动作稳定性、可靠性优越的光纤模块。
本发明的光纤模块的制造方法中，尤其是气密密封组件后，成为裸线状态的光纤的另一端与实施了树脂被覆的另一规定长度的光纤耦合，这样脱气处理时，不存在该另一光纤，也可防止来自该光纤被覆的脱气成分污染组件内部的发光元件或受光元件。
此时，在从组件的壁部到实施了上述树脂被覆的另一光纤之间的至少一部分中，通过加强部件加强光纤，则通常使用中可防止光纤部分容易破坏。
图1是表示本发明第一实施例的光纤模块的侧面图；图2是图1的光纤模块的平面图；图3是图1的光纤模块中使用的光纤的平面图；图4是表示图1的光纤模块的加强处理后的状态的侧面图；图5是表示本发明第二实施例的光纤模块的平面图；图6是表示本发明第三实施例的光纤模块的平面图；图7是表示本发明第四实施例的光纤模块的平面图；图8是表示本发明第五实施例的光纤模块的平面图；图9是表示本发明第六实施例的光纤模块的平面图；图10是表示本发明使用的光纤的另一例子的平面图。
图中，1组件，2组件主体，3组件盖，4套筒，5、75光纤，5a、75a光纤的一端，6、76光纤的裸线部分，7光纤的金属化部分，8套圈，11～15准直透镜，20聚光透镜，25另外的光纤，26加强用管，30光束，40透明窗，50聚光透镜，51受光元件，77无机物制棒状圆筒具体实施方式
下面参考附图详细说明本发明的实施例。
图1和图2分别表示本发明的第一实施例的光纤模块的侧面形状、平面形状。该光纤模块作为一个例子构成合波激光光源，具有可密封内部的结构的组件1、一端5a突出到上述组件1内部的状态下固定于该组件1的规定长度的多模光纤5。
上述组件1由上面打开的筐状的组件主体2和封闭该组件主体2的上部的组件盖3(图2中省略了)构成。并且，组件主体2的侧壁部上固定中空的套筒4。
光纤5的另一端为剥离包层的裸线状态，该裸线部6以外的部分在整个长度上为包层外侧用金属被覆的金属化部7。靠近该光纤5的上述一端5a的部分贯通套圈8并固定于套圈8，并且该套圈8固定于组件主体2的上述套筒4内，从而固定于该组件主体2。
作为多模光纤5，阶梯转位型、渐变转位型、其复合型全部适用。替代多模光纤可使用单模光纤。
接着说明组件1内设置的要素。组件1的底板上固定由铜构成的散热片10，其上面作为一个例子固定5个芯片状态的横向多模式GaN系半导体激光器L D1，LD2，LD3，LD4和LD5。上述散热片10上固定准直透镜夹具16，该准直透镜夹具16上按各GaN系半导体激光器LD1，LD2，LD3，LD4和LD5的发光轴和光轴一致的状态安装准直透镜11，12，13，14和15。
组件1的底板上固定聚光透镜夹具17，其上安装一个聚光透镜20。另外，组件1的底板上固定光纤夹具18，该光纤夹具18上固定上述光纤5的一端。
GaN系半导体激光器LD1～5的振动波长为例如大致408nm、各自的最大输出大约100mW。本实施例中，使用振动波长在403～415nm的范围中的。这些GaN系半导体激光器L D1，LD2，LD3，LD4和LD5按发散光状态射出的激光束B1，B2，B3，B4和B5分别由准直透镜11，12，13，14和15变为平行光。
变为平行光的激光束B1～5由聚光透镜20聚光，在成为光纤5的一端5a的线芯端面上收敛。由此，激光束B1～5入射到该光纤5的纤芯并传播过那里，合波为一个激光束B，并从光纤5的另一端射出。在本实施例中，激光束B1～5对光纤5的耦合效率为0.9。并且，GaN系半导体激光器L D1～5的各输出大致为100mW，因此得到输出大致450mW(＝100mW×0.9×5)的合波激光束B。
接着说明本实施例的光纤模块的制造方法。首先，将仅一次被覆的多模光纤纤苋切断为规定长度，例如140mm。该切断的光纤的一次被覆通过被覆去除剂去除。将去除被覆并剥离包层的裸线状态的光纤在前端的100mm部分位于蒸镀炉内的状态下对该部分蒸镀Ni，Ti的金属薄膜。
之后，将该光纤沉入电镀槽中实施镀金，进行光纤侧面的金属化。此时，光纤的未进行上述蒸镀的一端40mm的部分用工具或树脂保护不被金属化，该工具或树脂在结束金属化处理后被去除。并且，将镀金处理的金属套圈焊锡固定于该光纤的金属化部。以上如图3所示，得到裸线部6和金属化部7构成、在金属化部7上固定套圈8的光纤5。
成为与另一光纤的熔接连接侧的裸线部6的前端面，为了后面的熔接而实施镜面切割。另一方面，成为来自半导体激光器的光入射侧的光纤5的一端5a为达到高效率的光耦合而实施镜面切割，此外，可实施端面研磨，另外，可实施对使用光的波长(本例中为大约408nm)无反射的涂层。该一端5a从组件主体2的侧壁向内部突出，但也可以与侧壁里面对齐为同一面，或为从那里稍稍引入的状态。
另一方面，组件主体2在侧壁部安装中空的套筒4和导电用端子(未图示)，上面开放。组件主体2和组件盖3在整个面上实施镀金。上述光纤5通过套筒4突出，使其一端5a进入组件主体2内部，通过将上述套圈8焊锡固定于该套筒4，固定于组件主体2。上述套筒4和套圈8之间为焊锡密封状态。
上述导电用端子和线焊的多个GaN系半导体激光器LD1～5、准直透镜11～15和聚光透镜20对准为使之从各半导体激光器LD1～5发出的激光束B1～5在光纤5的纤芯端面上收敛后，通过焊锡、熔接或微量的粘结剂固定。通过焊锡固定时，最好使用无焊剂焊锡，通过粘结剂固定时，使用不包含Si系有机物的粘结剂。这里，位于组件主体2外的光纤5的裸线部6上残余树脂被覆的情况下，通过化学蚀刻或机械剥离被覆将被覆完全去除。
并且，为去除成为降低激光器的长期可靠性的原因的组件内部的挥发成分，将光耦合的组件整个装入脱气处理装置的炉中，在后述的气氛下加热到90℃进行脱气处理。该脱气处理后，在组件主体2的上面设置组件盖3，通过熔接或焊锡焊接密封。由此，组件内部在填充上述气氛气体的状态下密封。
上述气氛气体最好是惰性气体。作为优选的惰性气体，可举出氮气、稀有气体等。而且该惰性气体中最好含1ppm以上浓度的氧、卤素族气体和卤素化合物的至少一种。
密封气氛中包含1ppm以上的浓度的氧时，可以更有效抑制光纤模块的恶化。得到这种恶化抑制效果的提高是由于密封气氛中包含的氧氧化分解由烃成分的光分解产生的固体物。这样，由于密封气氛中包含氧，组件中可封入净化空气(大气成分)。
所谓卤素族气体是氯气(Cl2)、氟气(F2)等的卤素气体，所谓卤素化合物气体是含有氯原子(Cl)、溴原子(Br)、碘原子(I)、氟原子(F)等的卤素原子的气体状化合物。
作为卤素化合物气体，可举出CF3Cl、CF2Cl2、CFCl3、CF3Br、CCl4、CCl4-O2、C2F4Cl2、Cl-H2、CF3Br、PCl3、CF4、SF6、NF3、XeF2、C2F8、CHF3等，但氟或氯和碳(C)、氮(N)、硫(S)、氙(Xe)的化合物为优选，含有氟原子尤其好。
这些卤素族气体微量也发挥恶化抑制效果，但为得到明显的恶化抑制效果，含卤素族气体的浓度最好是1ppm以上。得到这样的恶化抑制效果是为了由密封气氛中所含有的卤素族气体分解有机硅化合物气体的光分解产生的沉积物。
如上所述的光纤5上一点也没有残留树脂被覆，因此进行上述脱气处理时，来自树脂被覆的脱气成分不会污染组件内部。因此，可以防止组件内的准直透镜11～15、聚光透镜20和光纤端面5a的污染，提高动作稳定性和可靠性，可以提高并稳定维持合波激光束B的输出。尤其，本例中，GaN系半导体激光器LD1～5的振动波长是350～500nm的范围内的408nm附近，组件内要素容易污染，所以上述效果更显著。
光纤5的大多部分为由金属被覆的金属化部7，通过该被覆可加强、保护并处理光纤5。由此，可以有效防止光纤5划伤、折断。
另外，进行上述脱气处理时，不从光纤被覆产生脱落气体成分，脱气装置内的脱气的分压更低，得到脱气处理效果增强的效果。针对本实施例中脱气的分压为1×10-8Torr，光纤的树脂被覆存在于脱气装置内的状态下脱气处理时的脱气分压为1×10-4Torr，可以看出根据本发明的效果是明显的。
另外，进行如上所述的金属化处理的光纤5与上述的将聚酰胺用作被覆材料的光纤相比，可廉价形成，从而使用这种光纤5的本实施例的光纤模块不会伴随成本的明显上升，能够以较低成本形成。
安装组件盖3密封组件内部后，伸出组件主体2的外部的光纤5的裸线部6上熔接另外的通常的有机物被覆光纤。图4中表示连接该另外的光纤25的状态。连接这种通常的光纤25，则之后使用普通熔接机可简单连接必要长度的任意光纤。
为加强光纤，最好由树脂或热收缩管或尼龙等构成的管26(参考图4)从组件主体2的侧壁开始被覆金属化部7、裸线部6形成的熔接部和该熔接部附近的光纤5，25。这种光纤的加强中，除上述管26外，可以使用通过成型金属、陶瓷等无机物或树脂构成的圆筒形或半圆形的支持部件和具有容纳光纤的V槽的形状的支持部件等。
金属化部7与光纤的通常一次被覆和二次被覆相比，划伤抑制效果和拉伸强度低，而且裸线部6当然容易破坏，但通过上述管26等的加强，则通常使用中尤其可以避免光纤部分的容易破损。
另外，最好光纤5非常短。但是，为以低成本生产光纤模块，需要用现有熔接机进行熔接作业。因此，在例如用古河电工公司制造的熔接机S175进行熔接作业时，伸出组件外的光纤5的金属部7的长度最好为65～75mm。最好其前面的裸线部6在熔接时高温区域中不包含异物，为维持强度，其要非常短，例如为2～40mm左右的长度。
本发明的光纤模块中，成为剥离包层的裸线状态的光纤的另一端部可在进行脱气处理时为裸线状态，因此在脱气处理之前，为防止到至此的步骤中产生划伤，也可以是残留被覆的状态。即，根据上述实施例说明，将多模光纤芯切割为140mm后，在另一端部上残余40mm的被覆，对其他的100mm部分进行一次被覆的去除、金属薄膜的蒸镀、光纤侧面的金属化，以后进行和上述实施例相同的处理，脱气处理之前，可去除上述40mm的被覆。
接着参考图5～8说明本发明的另一实施例。这些图5～8中，与图1～4中相同的要素加上相同序号，只要不需要就省略其说明。
图5表示本发明的第二实施例的光纤模块的平面形状。该图中，组件盖3省略了(下面同样)。这里，表示出安装另一光纤25和加强用管26的状态，但这些与第一实施例同样，在进行脱气处理后安装。这一点在下面的第三到第五实施例中也同样。
根据该第二实施例的光纤模块分别对5个GaN系半导体激光器LD1～5各自设置1根光纤5，分别入射激光束，其他基本上与第一实施例相同。
该第二实施例的激光模块整体中，也通过使用由裸线部6和金属化部7构成的光纤5得到和第一实施例相同的效果。
接着图6表示本发明的第三实施例的光纤模块的平面形状。该第三实施例的光纤模块向连接光纤5的裸线部6的光纤25入射从未图示的光源发出的光束30，传输过该光纤25和光纤5的光束30从光纤5的一端5a射出，透过组件主体2上形成的透明窗40射出到组件外。其他基本上与第一实施例相同。
在本例中，光纤5的一端5a附近部分为进行保护而容纳在上述组件主体2和未图示的组件盖构成的组件内。此时，也通过使用由裸线部6和金属化部7构成的光纤5得到和第一实施例相同的效果。
接着图7表示本发明的第四实施例的光纤模块的平面形状。与图6所示的第三实施例相比，该第四实施例的光纤模块设置5根光纤5，向这些每一个上连接光纤25，这一点是不同的，其他基本上与第三实施例相同。
在本例中也是各光纤5的一端5a附近部分为进行保护而容纳在组件主体2和未图示的组件盖构成的组件内。此时，也通过使用由裸线部6和金属化部7构成的光纤5得到和第一实施例相同的效果。
接着图8表示本发明的第五实施例的光纤模块的平面形状。与图6所示的第三实施例相比，该第五实施例的光纤模块使光纤5的一端5a射出的光束30由聚光透镜50聚光，并入射到由光电二极管等构成的受光元件51，由该受光元件51进行检测，这一点是不同的，其他基本上与第三在本例中，各光纤5的一端5a附近部分以及聚光透镜50和受光元件51为进行保护而容纳在组件主体2和未图示的组件盖构成的组件内。此时，通过使用裸线部6和金属化部7构成的光纤5得到和第一实施例相同的效果。
接着图9表示本发明的第六实施例的光纤模块的侧截面形状。该第六实施例的光纤模块构成为使组件内的发光元件发出的光入射到光纤，但这里作为发光元件，并非上述的芯片状态的半导体激光器，而是使用CAN组件型的半导体激光器，这一点与上述第一实施例不同。
下面详细说明其结构。本实施例使用的光纤模块的组件具有金属套筒125构成的密封结构，由内周上包括螺钉槽的金属套筒125、保持容纳半导体激光器芯片LD的CAN组件110的同时具有包括与套筒125的一部分125a对接的面的法兰的保持体126、容纳聚光透镜112并在外周上包括螺纹牙的圆筒体127构成。该组件中，在上述金属套筒125的一部分125a对接凸缘的对接面126a的状态下通过将该金属套筒125螺紧与圆筒体127将圆筒体127压入保持体126侧，二者的斜面部127b和126b密接，密封组件内空间。
另一方面，光纤5插入在圆筒体127的底上设置的孔中，通过例如无机熔接材料107密封固定。而且CAN组件110也通过例如无机熔接材料107固定于保持体126。
本实施例中，作为光纤5，也如图3所示，使用裸线部6和金属化部7构成的光纤(此时不需要套圈8)，因此得到和第一实施例相同的效果。
以上说明了使用以金属被覆裸线部以外的光纤的实施例，但可使用由无机物被覆裸线部以外的光纤，得到与使用光纤5的情况下一样的效果。
这样，图10表示出用无机物被覆裸线部以外的光纤的一个例子。该光纤75将剥出纤芯的裸线部76插入具有比其外径稍大的内径的无机物制作的棒状圆筒77内并固定，通过采用比裸线部76的整个长度短的无机物制作的棒状圆筒77，成为残留规定的裸线部76的状态。并且，靠近光纤75的一端75a的位置上根据需要安装套圈8。构成上述棒状圆筒77的无机物材料可举出例如玻璃、陶瓷等。
作为容纳在组件内的半导体激光元件的形式，除上述实施例所示的将离散单腔体半导体激光元件配置为阵列状外，可以是将1个多腔体半导体激光元件(LD棒)、多个多腔体半导体激光元件按阵列状排列、或是单腔体半导体激光元件和多腔体半导体激光元件的组合等。
另外，作为单腔体或多腔体半导体激光元件，可使用开口宽度为1～3微米的单模式半导体激光元件、开口宽度为2～30微米的多模式半导体激光元件、开口宽度为30～50微米的宽区域半导体激光元件等。
权利要求
1.一种光纤模块，是由可密封内部的结构的组件；一端进入上述组件内部的状态下固定于该组件的规定长度的光纤构成，其特征在于上述光纤的另一端为剥离包层的裸线状态，该光纤的其他部分在整个长度上用金属和/或无机物被覆。
2.一种光纤模块，是由可密封内部的结构的组件；一端进入上述组件内部的状态下固定于该组件的规定长度的光纤构成，其特征在于上述光纤的一端和另一端为剥离包层的裸线状态，该光纤的其他部分在整个长度上用金属和/或无机物被覆。
3.根据权利要求1或2所述的光纤模块，其特征在于上述组件使用无焊剂焊锡或不含Si系有机物的粘接剂或通过熔接或焊接气密密封。
4.根据权利要求1到3的任意1项中所述的光纤模块，其特征在于上述组件内部用惰性气体充满。
5.根据权利要求4所述的光纤模块，其特征在于上述惰性气体中混入1ppm以上的浓度的氧、卤素族气体和/或卤素化合物气体。
6.根据权利要求1到5的任意1项中所述的光纤模块，其特征在于上述组件内容纳发光元件和/或受光元件，该元件和上述光纤的一端光学耦合。
7.根据权利要求6所述的光纤模块，其特征在于上述组件内容纳射出多个激光束的作为上述发光元件的半导体激光器、分别将从该半导体激光器按发散状态发出的各激光束变化为平行光的准直透镜、将变为平行光的多个激光束进行聚光并在成为上述光纤的一端的纤芯端面收敛的聚光透镜。
8.根据权利要求7所述的光纤模块，其特征在于上述半导体激光器是阵列状并置的多个单腔体半导体激光元件、1个多腔体半导体激光元件、阵列状并置的多个多腔体半导体激光元件、单腔体半导体激光元件和多腔体半导体激光元件的组合中的任一种。
9.根据权利要求1到6的任意1项中所述的光纤模块，其特征在于上述半导体激光器的振动波长是350～500nm。
10.一种光纤模块的制造方法，该光纤模块由可密封内部的结构的组件和一端进入上述组件内部的状态下固定于该组件的规定长度的光纤构成，其特征在于上述光纤的另一端部为剥离包层的裸线状态，其他部分在整个长度上用金属和/或无机物被覆；将该光纤固定于上述组件；接着对上述组件内进行脱气处理；之后，气密密封该组件。
11.一种光纤模块的制造方法，其中该光纤模块由可密封内部的结构的组件；该组件内容纳的发光元件或受光元件；一端进入上述组件内部的状态下固定于该组件的、上述一端光学耦合于上述发光元件或受光元件的规定长度的光纤构成，其特征在于上述光纤的另一端部为剥离包层的裸线状态，其他部分在整个长度上用金属和/或无机物被覆；将该光纤和上述组件内配置的上述发光元件或受光元件在光学耦合的状态下固定于上述组件；接着对上述组件内进行脱气处理；之后，气密密封该组件。
12.根据权利要求10或11所述的光纤模块的制造方法，其特征在于气密密封上述组件后，将上述裸线状态的光纤的另一端与实施了树脂被覆的另一规定长度的光纤接合。
13.根据权利要求12所述的光纤模块的制造方法，其特征在于在从上述组件的壁部到上述树脂被覆的另一光纤之间的至少一部分中，通过加强部件加强光纤。
全文摘要
提供一种光纤模块，是由可密封内部的结构的组件(1)、一端5a进入上述组件(1)内部的状态下固定于该组件(1)的规定长度的光纤(5)构成的光纤模块中，光纤(5)的另一端作为剥离包层的裸线部(6)，该光纤(5)的其他部分为在整个长度上用金属和/或无机物被覆的部分(7)。所述光纤模块，不会由光纤被覆物的脱气成分污染组件内部，充分确保光纤部分的强度，而且可廉价地形成。
文档编号G02B6/02GK1519605SQ20041000257
公开日2004年8月11日 申请日期2004年1月30日 优先权日2003年1月31日
发明者寺村友一, 蔵町照彦, 冈崎洋二, 二, 彦 申请人:富士胶片株式会社