专利名称：蚀刻系统及其纯水添加装置的制作方法
技术领域：
本实用新型是关于一种纯水添加装置和使用该纯水添加装置的蚀刻系统。
背景技术：
在薄膜晶体管液晶显示器(Thin-Film Transistor Liquid-CrystalDisplay，TFT-LCD)前段制程中，对于氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)膜的蚀刻一般使用草酸作为蚀刻液。蚀刻过程中为了保证草酸的浓度，需使用一纯水添加装置定时定量添加纯水。另外，一般还需在反应腔中通入洁净干气体。
请参阅图1，是一现有技术的蚀刻系统1，其包括一蚀刻反应腔11、一药品承装箱12、一药品输送管道14和一纯水添加装置(未标示)，该纯水添加装置包括一纯水输入管道13和一位于其上的定时控制器131。该药品承装箱12内承装液体化学药品(图未示)，该化学药品由泵(图未示)经药品输送管道14进入反应腔11后参与反应。随着化学反应进行，反应腔11中要排除酸气，同时水会以蒸气形式随之被带离，从而使化学药品浓度升高，该纯水输入管道13即通过定时控制器131定时补充反应腔11内的水份。该蚀刻系统1的缺陷在于该蚀刻系统1反应腔11中的酸气易流入下一反应腔，另外，前一反应腔中基板表面残留的化学药品也可带入下一反应腔，所以需要另一洁净干气体输入管道阻绝酸气和吹掉停留在基板上的化学药品。
请参阅图2，为另一现有技术的蚀刻系统2，其包括一蚀刻反应腔21、一药品承装箱22、一药品输送管道26和一纯水添加装置(未标示)，该纯水添加装置包括一纯水输入管道23和一位于其上的定时控制器231与一洁净干气体输入管道24和一位于其上的定时控制器241以及一主管道25。该蚀刻系统2中主管道25的末端部份空气流动较强烈，导致蚀刻化学药品的溶解率低，当水分子被带离，此处会造成蚀刻化学药品结晶，进而影响机构动作，为解决此问题，该蚀刻系统2由纯水输入管道23通过定时控制器231定时输入水分来溶解结晶的化学药品。该蚀刻系统2的缺陷在于该纯水输入管道23内的纯水是室温，而反应腔21内反应液温度要高于室温，室温纯水进入反应腔后会产生温度波动，从而影响蚀刻效果。
实用新型内容为克服现有技术纯水添加装置所提供的纯水温度较低的缺陷，本实用新型提供一种可添加热纯水的纯水添加装置。
为克服现有技术蚀刻系统蚀刻效果不佳的缺陷，本实用新型还提供一种蚀刻效果较佳的蚀刻系统。
本实用新型解决技术问题的技术方案是提供一纯水添加装置，其包括一洁净干气体输入管道和一纯水输入管道，该洁净干气体输入管道和该纯水输入管道的开合分别由位于其上的计时控制器控制，其中，该纯水输入管道一部分经过一加热器加热。
本实用新型的蚀刻系统包括一反应腔、一承装箱和一纯水添加装置，该反应腔与该承装箱相连，该纯水添加装置包括一洁净干气体输入管道和一纯水输入管道，两者均与反应腔相连，该洁净干气体输入管道和该纯水输入管道的开合分别由位于其上的计时控制器控制；其中，该纯水输入管道一部分经过一加热器加热。
相较现有技术，本实用新型的有益效果是本实用新型蚀刻系统的纯水添加装置所添加的纯水是热纯水，其温度与反应腔内的反应液温度相近，避免了反应腔内温度波动，提高蚀刻反应质量，进而得到较佳的蚀刻效果。
图1是现有技术蚀刻系统的平面示意图。
图2是另一现有技术蚀刻系统的平面示意图。
图3是本实用新型蚀刻系统第一实施方式的平面示意图。
图4是本实用新型蚀刻系统第二实施方式的平面示意图。
具体实施方式
请参阅图3，为本实用新型蚀刻系统第一实施方式的平面示意图。本实用新型蚀刻系统3包括一反应腔31、一承装箱32和一纯水添加装置(未标示)，该反应腔31与承载箱32通过一管道38连接，承载箱32内的化学药品33由一泵(图未示)通过管道38送入反应腔31。该纯水添加装置包括一洁净干气体输入管道35和一纯水输入管道36，两者汇合于一主管道37，该洁净干气体输入管道35和纯水输入管道36的开合分别由位于其上的计时控制器351、361控制，但是两者不会同时开启。该纯水输入管道36一部分经过一加热器34加热。该加热器34位于承装箱32内，也可以设置在承载箱32外部周围，其是用来加热蚀刻用的液体化学药品33，该化学药品33一般为草酸。
请参阅图4，是本实用新型蚀刻系统第二实施方式的平面示意图。本实用新型蚀刻系统4包括一反应腔41、一承装箱42和一纯水添加装置(未标示)，该反应腔41与承载箱42通过一管道48连接，承载箱42内的化学药品43由一泵(图未示)通过管道48送入反应腔41。该纯水添加装置包括一洁净干气体输入管道45和一纯水输入管道46，两者分别连入反应腔41，该洁净干气体输入管道45和纯水输入管道46的开合分别由位于其上的计时控制器451、461控制。该纯水输入管道46一部分经过一加热器44加热。该加热器44位于承装箱42内，也可以设置在承载箱42外部周围，其是用来加热蚀刻用的液体化学药品43，该化学药品43一般为草酸。
该蚀刻系统3、4的纯水添加装置所添加的纯水为热纯水，在其流入反应腔31、41之前经加热器34、44加热，由于该加热器34、44也用于加热化学药品32、42，即保证该纯水温度与进入反应腔31、41内的化学药品33、43温度相近，避免了反应腔31、41内的温度波动，提高蚀刻反应质量，进而得到较佳的蚀刻效果，另外，本实用新型的纯水添加系统3、4也可用来调节反应液浓度和溶解结晶的蚀刻化学药品33、43。
权利要求1.一纯水添加装置，其包括一洁净干气体输入管道和一纯水输入管道，该洁净干气体输入管道和该纯水输入管道上个包含一计时控制器，其特征在于该纯水添加装置进一步包括一加热器。
2.如权利要求1所述的纯水添加装置，其特征在于该纯水添加装置进一步包括一主管道，该主管道分别与该洁净干气体输入管道和该纯水输入管道相连通。
3.一蚀刻系统，其包括一反应腔、一承装箱和一纯水添加装置，该反应腔与该承装箱相连，该纯水添加装置包括一洁净干气体输入管道和一纯水输入管道，该洁净干气体输入管道和该纯水输入管道上个包含一计时控制器，其特征在于该添加装置进一步包括一加热器。
4.如权利要求3所述的蚀刻系统，其特征在于该纯水添加装置进一步包括一主管道，该主管道分别与该洁净干气体输入管道和该纯水输入管道相连通。
5.如权利要求3所述的蚀刻系统，其特征在于该洁净干气体输入管道与该纯水输入管道分别与该反映腔相连。
6.如权利要求3所述的蚀刻系统，其特征在于该加热器设置在该承装箱内。
7.如权利要求3所述的蚀刻系统，其特征在于该加热器设置在该承装箱外部周围。
8.如权利要求3所述的蚀刻系统，其特征在于该承装箱内承装蚀刻用的液态化学药品。
9.如权利要求7所述的蚀刻系统，其特征在于该液态化学药品是草酸。
专利摘要本实用新型公开一纯水添加装置，其包括一洁净干气体输入管道和一纯水输入管道，该洁净干气体输入管道和该纯水输入管道的开合分别由位于其上的计时控制器控制，该纯水输入管道一部分经过一加热器加热。本实用新型还公开一蚀刻系统，其包括一反应腔、一承装箱和一上述纯水添加装置，该反应腔与该承装箱相连，该纯水添加装置的洁净干气体输入管道和纯水输入管道均与反应腔相连。
文档编号G02F1/136GK2715199SQ200420043389
公开日2005年8月3日 申请日期2004年3月3日 优先权日2004年3月3日
发明者欧振宪, 黄昌桂, 高胜洲, 黄荣龙, 陈青枫, 黄志鸿 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 群创光电股份有限公司