专利名称：基板处理装置以及基板处理方法
技术领域：
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术：
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板等的各种基板进行各种处理，使用基板处理装置。
在这样的基板处理装置中，一般连续的对一张基板进行多个不同的处理(例如参照JP特开2003-324139号公报)。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置由分度器模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块以及接口模块构成。以相邻于接口模块的方式配置有与基板处理装置另设的作为外部装置的曝光装置。
在上述基板处理装置中，从分度器模块搬入的基板通过反射防止膜用处理模块以及抗蚀膜用处理模块进行反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂布处理后，经由接口模块搬送到曝光装置中。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理后，基板经由接口模块被搬送到显影处理模块中。通过在显影处理模块中对基板上的抗蚀膜进行显影处理来形成抗蚀图案后，基板被搬送到分度器模块。
这里，从接口模块向曝光装置搬送基板以及从曝光装置向接口模块搬送基板是由设在接口模块上的接口用搬送机构的一个保持臂来进行的。
近年来，伴随着设备的高密度化以及高集成化，抗蚀图案的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将刻线的图案经由投影透镜缩小投影在基板上，进行曝光处理。可是，在这样的以往的曝光装置中，因为曝光图案的线宽由曝光装置的光源的波长决定，所以抗蚀图案的微细化有限。
因此，作为可将曝光图案进一步微细化的投影曝光方法，提出浸液法(例如参照国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，投影光学系统和基板间充满液体，能够将基板表面中的曝光光短波长化。由此，可将曝光图案进一步微细化。
在上述的投影曝光装置中，因为在基板和液体相接触的状态下进行曝光处理，所以曝光处理后的基板在附着有液体的状态下从投影曝光装置被搬出。
因此，将上述国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置作为外部装置而设在上述JP特开2003-324139号公报的基板处理装置上时，附着在从投影曝光装置搬出的基板上的液体会附着在保持臂上。保持臂也会进行将曝光处理前的基板向投影曝光装置般入。由此，当液体附着在保械臂上时，附着在保持臂上的液体也会附着在曝光处理前的基板的里面。
由此，在向基板的投影曝光装置搬入时，周围环境中的灰尘等会附着在基板里面的液体上，污染基板的里面。其结果，由于基板的里面污染，可能产生曝光处理的解像功能恶化。
发明内容
本发明目的在于提供一种能够充分防止基板的里面污染的基板处理装置以及基板处理方法。
(1)根据本发明的一方面的基板处理装置是以相邻于曝光装置的方式配置的基板处理装置，其具有处理部，其用于对基板进行处理；交接部，其用于在处理部和曝光装置之间进行基板的交接；交接部包括在处理部和曝光装置之间搬送基板的搬送装置；搬送装置具有第一保持部，保持由曝光装置进行曝光处理之前的基板；第二保持部，保持由曝光装置进行曝光处理然后的基板。
在该基板处理装置中，由处理部对基板进行处理，由搬送装置在处理部与曝光装置之间搬送基板。在由搬送装置进行基板的搬送时，由第一保持部来保持没有附着曝光处理的液体的基板，由第二保持部来保持附着了曝光处理的液体的基板。
由此，由于液体没有附着在第一保持部上，所以能够防止液体附着在曝光处理前的基板的里面。因此，能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。其结果，能够防止在曝光装置中由于基板的里面污染而产生曝光处理的解像功能的恶化等引起的处理不良。
(2)交接部还包含处理单元，其对基板进行规定的处理；载置部，其暂时载置基板。搬送装置包含第一搬送单元，其在处理部、处理单元以及载置部之间搬送基板；第二搬送单元，其在曝光装置和载置部之间搬送基板。第二搬送单元也可具备第一保持部及第二保持部。
此时，在由处理部对基板进行处理后，基板由交接部的第一搬送单元搬送到交接部的处理单元。另外，由处理单元对基板进行规定的处理后，基板由第一搬送单元搬送到交接部的载置部。然后，基板由交接部的第二搬送单元搬送到曝光装置。在曝光装置进行了基板的曝光处理后，基板由第二搬送单元搬送到载置部。
第二搬送单元从基板的载置部向曝光装置搬送时，由第一保持部来保持由曝光装置进行曝光处理前的基板。另外，第二搬送单元从基板的曝光装置向载置部搬送时，由第二保持部来保持由曝光装置进行曝光处理后的基板。
由此，由于液体没有附着在第一保持部上，能够防止液体附着在曝光处理前的基板的里面。因此，能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。其结果，能够防止在曝光装置中由于基板的里面污染而产生曝光处理的解像功能的恶化等引起的处理不良。
(3)第一搬送单元可具备第三保持部和第四保持部，该第三保持部保持由曝光装置进行曝光处理前的基板；该第四保持部保持由曝光装置进行曝光处理后的基板。
此时，第一搬送单元由第三保持部来保持由曝光装置进行曝光处理前的基板。另外，第二搬送单元由第四保持部来保持由曝光装置进行曝光处理后的基板。
由此，由于液体没有附着在第三保持部上，所以能够防止液体附着在曝光处理前的基板的里面。因此，能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。其结果，能够防止在曝光装置中由于基板的里面污染而产生曝光处理的解像功能的恶化等引起的处理不良。
(4)载置部可包含第一载置单元和第二载置单元，第一载置单元载置由曝光装置进行曝光处理前的基板；第二载置单元载置由曝光装置进行曝光处理后的基板。
此时，在载置部，由第一载置单元来载置由曝光装置进行曝光处理前的基板，由第二载置单元来载置由曝光装置进行曝光处理后的基板。
由此，由于液体没有附着在第一载置单元上，所以能够防止液体附着在曝光处理前的基板的里面。因此，能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。其结果，能够防止在曝光装置中由于基板的里面污染而产生曝光处理的解像功能的恶化等引起的处理不良。
(5)处理单元可包含边缘曝光部，其将基板的周边部进行曝光。此时，能够在边缘曝光部对基板的边缘部进行曝光处理。
(6)处理单元可包含热处理单元，其对基板进行规定的热处理。此时，由热处理单元对基板进行规定的热处理。
(7)处理单元可包含感光膜形成单元，其在基板上形成由感光材料构成的感光膜。此时，能够在曝光处理前的基板上由感光膜形成单元来形成由感光材料构成的感光性膜。
(8)处理单元可包含反射防止膜形成单元，其在由感光膜形成单元来形成感光膜之前，在基板上形成反射防止膜。此时，由于在基板上形成了反射防止膜，所以能够减少曝光时产生的驻波和光晕。
(9)处理单元可包含显影处理单元，其进行基板的显影处理。此时，由显影处理单元进行基板的显影处理。
(10)第一保持部及第二保持部可层叠设在上下方向，第二保持部可设在第一保持部的下侧。此时，由于第二保持部设在第一保持部的下侧，所以即使液体从第二保持部以及其保持的基板上落下，也不会附着在第一保持部以及其保持的基板上。
由此，由于液体没有附着在曝光处理前的基板上，所以能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。因此，能够防止在曝光装置中解像功能的恶化等引起的处理不良。
(11)第一保持部以及第二保持部可在大致水平方向上并列地设置。此时，由于第一保持部以及第二保持部在大致水平方向上并列，所以即使液体从第二保持部以及其保持的基板上落下，也不会附着在第一保持部以及其保持的基板上。
由此，由于液体没有附着在曝光处理前的基板上，所以能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。因此，能够防止在曝光装置中解像功能的恶化等引起的处理不良。
另外，由于第一保持部以及第二保持部在大致水平方向上并列，所以能够同时进行第一保持部以及第二保持部的基板的搬运动作。其结果，能够缩短基板的处理时间，提高产量。
(12)根据本发明的另一个方面的基板处理方法，是在以相邻于曝光装置的方式配置、且具有处理部以及搬送装置的基板处理装置中处理基板的方法，具有由处理部对基板进行处理的工序；由设在搬送装置上的第一保持部来保持由处理部处理过的基板，同时搬送到曝光装置的工序；由设在搬送装置上的第二保持部来保持由曝光装置进行曝光处理过的基板，同时搬送到处理部的工序。
在该基板处理方法中，由处理部对基板进行处理，由第一保持部来保持由处理部处理过的基板，搬送到曝光装置。然后，由第二保持部来保持由曝光装置进行曝光处理过的基板，搬送到处理部。
由此，由于液体没有附着在第一保持部上，所以能够防止液体附着在曝光处理前的基板的里面。因此，能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。其结果，能够防止在曝光装置中由于基板的里面污染而产生曝光处理的解像功能的恶化等引起的处理不良。
根据本发明，能够充分防止曝光处理前的基板的里面污染。
图1是第一实施方式涉及的基板处理装置的俯视图；图2是从+X方向看到的图1的基板处理装置的侧视图；图3是从-X方向看到的图1的基板处理装置的侧视图；图4是用于说明图1的接口用搬送机构的构成以及动作的图；图5是第二实施方式涉及的基板处理装置的示意俯视图；图6是用于说明图5的接口用搬送机构的构成以及动作的图。
具体实施例方式
下面，针对本发明的一个实施方式涉及的基板处理装置，使用附图进行说明。在下面的说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、掩膜用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、掩膜用基板等。
(第一实施万式)针对本发明第一实施方式涉及的基板处理装置进行说明。图1是第一实施方式涉及的基板处理装置的俯视图。
在图1以及以后的各图中，为了明确位置关系，标有表示相互正交的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互正交，Z方向相当于铅直方向。此外，在各方向中，将箭头指向的方向设为+方向，其相反的方向设为-方向。另外，将以Z方向为中心的旋转方向设为θ方向。
如图1所示，基板处理装置500包括分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、以及接口模块13。以相邻于接口模块13的方式配置有曝光装置14。在曝光装置14中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。因此，在本实施方式中，在由曝光装置14进行曝光处理后的基板上附着了液体。
下面，将各个分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12以及接口模块13称为处理模块。
分度器模块9包括控制各处理模块的动作的主控制器(控制部)30、多个运送器载置台60、分度器机械手IR。在分度器机械手IR上，设置有用于交接基板W的手部IRH。
反射防止膜用处理模块10包括反射防止膜用热处理部100、101、反射防止膜用涂布处理部70以及第一中央机械手CR1。反射防止膜用涂布处理部70隔着第一中央机械手CR1与反射防止膜用热处理部100、101相对置地设置。在第一中央机械手CR1，上下设置有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在分度器模块9和反射防止膜用处理模块10之间，设置有隔离环境用的隔壁15。在该隔壁15，上下接近设置有用于在分度器模块9和反射防止膜用处理模块10之间进行基板W的交接的基板载置部PASS1、PASS2。上侧的基板载置部PASS1在将基板W从分度器模块9搬送到反射防止膜用处理模块10时使用，下侧的基板载置部PASS2在将基板W从反射防止膜用处理模块10搬送到分度器模块9时使用。
另外，在基板载置部PASS1、PASS2设置有检测出有无基板W的光学式传感器(未图示)。由此，可以进行在基板载置部PASS1、PASS2中是否载置有基板W的判定。另外，在基板载置部PASS1、PASS2设置有固定设置的多根支撑销。此外，上述的光学式传感器以及支撑销也同样设置在后面所述的基板载置部PASS3～PASS10上。
抗蚀膜用处理模块11包括抗蚀膜用热处理部110、111、抗蚀膜用涂布处理部80以及第二中央机械手CR2。抗蚀膜用涂布处理部80隔着第二中央机械手CR2与抗蚀膜用热处理部110、111相对置地设置。在第二中央机械手CR2，上下设置有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用处理模块10和抗蚀膜用处理模块11之间，设置有隔离环境用的隔壁16。在该隔壁16，上下接近设置有用于在反射防止膜用处理模块10和抗蚀膜用处理模块11之间进行基板W的交接的基板载置部PASS3、PASS4。上侧的基板载置部PASS3在将基板W从反射防止膜用处理模块10搬送到抗蚀膜用处理模块11时使用，下侧的基板载置部PASS4在将基板W从抗蚀膜用处理模块11搬送到反射防止膜用处理模块10时使用。
显影处理模块12包括显影用热处理部120、121、显影处理部90以及第三中央机械手CR3。显影用热处理部121与接口模块13相邻，如后述，具备基板载置部PASS7、PASS8。显影处理部90隔着第三中央机械手CR3与显影用热处理部120、121相对置地设置。在第三中央机械手CR3，上下设置有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蚀膜用处理模块11和显影处理模块12之间，设置有隔离环境用的隔壁17。在该隔壁17，上下接近设置有用于在抗蚀膜用处理模块11和显影处理模块12之间进行基板W的交接的基板载置部PASS5、PASS6。上侧的基板载置部PASS5在将基板W从抗蚀膜用处理模块11搬送到显影处理模块12时使用，下侧的基板载置部PASS6在将基板W从显影处理模块12搬送到抗蚀膜用处理模块11时使用。
接口模块13包括第四中央机械手CR4、缓冲器SBF、接口用搬送机构IFR以及边缘曝光部EEW。另外，在边缘曝光部EEW的下侧，设置有后面所述的返回缓冲器RBF1、RBF2以及基板载置部PASS9、PASS10。在第四中央机械手CR4，上下设置有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
接口用搬送机构IFR具有用于交接基板W的手部H5以及手部H6。在本实施方式中，手部H5以及手部H6在上下方向上层叠。特别，手部H5置于手部H6的上侧(参照后述的图2以及图4)。
接口用搬送机构IFR在基板载置部PASS9与曝光装置14之间、曝光装置14与基板载置部PASS10，进行基板W的交接。针对后述接口用搬送机构IFR进行了详细的说明。
在本实施方式的基板处理装置500中，沿Y方向依次并列设置有分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12以及接口模块13。
图2是从+X方向看到的图1的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理模块10的反射防止膜用涂布处理部70(参照图1)，上下层叠配置有3个涂布单元BARC。各涂布单元BARC具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘71以及向保持在旋转卡盘71上的基板W供给反射防止膜的涂布液的供给喷嘴72。
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用涂布处理部80(参照图1)，上下层叠配置有3个涂布单元RES。各涂布单元RES具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘81以及向保持在旋转卡盘81上的基板W供给抗蚀膜的涂布液的供给喷嘴82。
在显影处理模块12的显影处理部90，上下层叠配置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘91以及向保持在旋转卡盘91上的基板W供给显影液的供给喷嘴92。
在接口模块13，上下层叠配置有两个边缘曝光部EEW、返回缓冲部RBF1、基板载置部PASS9、PASS10以及返回缓冲部RBF2，同时配置有第四中央机械手CR4(参照图1)以及接口用搬送机构IFR。各边缘曝光部EEW具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘98以及曝光保持在旋转卡盘98上的基板W的周边的光照射器99。
图3是从-X方向看到的图1的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理模块10的反射防止膜用热处理部100，上下层叠配置有两个带有交接部的热处理单元PHP(以下，只称作热处理单元)与3个加热板HP，在反射防止膜用热处理部101，上下层叠配置有两个密封强化剂涂布处理部AHL以及4个冷却板CP。另外，在反射防止膜用热处理部100、101，在最上部分别配置有热处理单元PHP、加热板HP、密封强化剂涂布处理部AHL以及控制冷却板CP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用热处理部110，上下层叠配置有6个热处理单元PHP，在抗蚀膜用热处理部111，上下层叠配置有4个冷却板CP。另外，在抗蚀膜用热处理部110、111的最上部分别配置有热处理单元PHP以及控制冷却板CP的温度的局部控制器LC。
在显影处理模块12的显影用热处理部120，上下层叠配置有4个加热板HP和4个冷却板CP，在显影用热处理部121，上下层叠配置有5个热处理单元PHP、基板载置部PASS7、PASS8以及控制冷却板CP。另外，在显影用热处理部120、121的最上部分别配置有热处理单元PHP、加热板HP以及控制冷却板CP的温度的局部控制器LC。
针对本实施方式涉及的基板处理装置500的动作进行说明。
在分度器模块9的运送器载置台60的上面，搬入多级容纳多张基板W的运送器C。分度器机械手IR使用用于基板的交接的手部IRH来取出容纳在运送器C内的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR沿±X方向移动的同时沿±θ方向旋转移动，将未处理的基板W移载到基板载置部PASS1上。
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod晶圆传送盒)作为运送器C，但是不限于此，也可以使用SMIF(Standard Mechanical InterFace标准机械界面晶圆)盒或将容纳基板W曝露在外部空气中的OC(opencassette开放式晶元匣)等。进一步，在分度器机械手IR、第一～第四中央机械手CR1～CR4以及接口用搬送机构IFR，分别使用使其相对基板W直线滑动来进行手部的进退动作的直动型搬送机械手，但是不限于此，可以使用通过使关节动作来直线地进行手部的进退动作的多关节型搬送机械手。
移载到基板载置部PASS1上的未处理的基板W，由反射防止膜用处理模块10的第一中央机械手CR1的手部CRH1接受。第一中央机械手CR1由手部CRH1将基板W搬入到反射防止膜用热处理部100、101。然后，第一中央机械手CR1由手部CRH2从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，并搬入到反射防止膜用涂布处理部70。在该反射防止膜用涂布处理部70中，为了减少曝光时产生的驻波或光晕，由涂布单元BARC在掩膜下部涂布形成反射防止膜。
然后，第一中央机械手CR1由手部CRH1从反射防止膜用涂布处理部70取出涂布处理结束的基板W，搬入反射防止膜用热处理部100、101。
接着，第一中央机械手CR1由手部CRH2从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，移载到基板载置部PASS3上。
移载到基板载置部PASS3上的基板W由抗蚀膜用处理模块11的第二中央机械手CR2的手部CRH3接受。第二中央机械手CR2由手部CRH3将基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。然后，第二中央机械手CR2由手部CRH4从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，并搬入到抗蚀膜用涂布处理部80。在该抗蚀膜用涂布处理部80中，由涂布单元RES在涂布形成了反射防止膜的基板W上涂布形成光致抗蚀膜。
然后，第二中央机械手CR2由手部CRH3从抗蚀膜用涂布处理部80取出涂布处理结束的基板W，搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。
接着，第二中央机械手CR2由手部CRH4从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，移载到基板载置部PASS5上。
移载到基板载置部PASS5上的基板W由显影处理模块12的第三中央机械手CR3的手部CRH5接受。第三中央机械手CR3由手部CRH5将基板W移载到基板载置部PASS7上。移载到基板载置部PASS7上的基板W，由接口模块13的第四中央机械手CR4上侧的手部CRH7接受。第四中央机械手CR4由手部CRH7将基板W搬入到边缘曝光部EEW。在该边缘曝光部EEW中，向基板W的周边部实施曝光处理。
而且，第四中央机械手CR4由手部CRH7从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理结束的基板W。然后，第四中央机械手CR4由手部CRH7将基板W移载到基板载置部PASS9上。
移载到基板载置部PASS9上的基板W由接口用搬送机构IFR搬入曝光装置14。在将基板W向搬入曝光装置14搬入时，基板W由接口用搬送机构IFR上侧的手部H5来保持。
在曝光装置14中对基板W实施了曝光处理后，接口用搬送机构IFR从曝光装置14接受基板W，将接受的基板W移载到基板载置部PASS10上。在将基板W向基板载置部PASS10搬入时，基板W由接口用搬送机构IFR下侧的手部H6来保持。关于接口用搬送机构IFR的具体结构，在后面叙述。
移载到基板载置部PASS10上的基板W由接口模块13的第四中央机械手CR4下侧的手部CRH8接受。第四中央机械手CR4由手部CRH8将基板W搬入到显影处理模块12的显影用热处理部121。在显影用热处理部121中，对基板W进行热处理。然后，第四中央机械手CR4由手部CRH8从显影用热处理部121取出基板W，移载到基板载置部PASS8上。
移载到基板载置部PASS8上的基板W由显影处理模块12的第三中央机械手CR3的手部CRH6接受。第三中央机械手CR3由手部CRH6将基板W移载到显影处理部90上。在显影处理部90中，对曝光了的基板W进行显影处理。
然后，第三中央机械手CR3由手部CRH5从显影处理部90取出显影处理结束的基板W，搬入到显影用热处理部120上。
接着，第三中央机械手CR3由手部CRH6从显影用热处理部120取出热处理后的基板W，移载到设在抗蚀膜用处理模块11上的基板载置部PASS6上。
还有，由于故障等，在显影处理部90中暂时不能进行基板W的显影处理时，在显影用热处理部121中对基板W实施了热处理然后，可以暂时将基板W容纳保管在接口模块13的返回缓冲器部RBF1中。
移载到基板载置部PASS6的基板W由抗蚀膜用处理模块11的第二中央机械手CR2的手部CRH4移载到基板载置部PASS4上。移载到基板载置部PASS4上的基板W由反射防止膜用处理模块10的第一中央机械手CR1的手部CRH2移载到基板载置部PASS2上。
移载到基板载置部PASS2上的基板W由分度器模块9的分度器机械手IR容纳在运送器C内。由此，基板处理装置500中的基板W的各个处理结束。
针对接口用搬送机构IFR进行说明。图4是用于说明接口用搬送机构IFR的构成以及动作的图。
针对图1的接口用搬送机构IFR的构成进行说明。如图4所示，接口用搬送机构IFR的可动台21与螺旋轴22螺合。螺旋轴22以在X方向延伸的方式由支撑台23可旋转地支撑。在螺旋轴22的一端部设置有马达M1，由该马达M1旋转螺旋轴22，在±X方向上水平移动可动台21。
另外，在可动台21，在±θ方向可旋转并且在±Z轴方向可升降的装载有手部支撑台24。手部支撑台24经由旋转轴25与可动台21内的马达M2连接，由该马达M2旋转手部支撑台24。在手部支撑台24，可进退地上下设置有以水平姿势保持基板W的两个手部H5、H6。
接着，针对图1的接口用搬送机构IFR的动作进行说明。接口用搬送机构IFR的动作由图1的主控制器30控制。
首先，接口用搬送机构IFR，在图4的位置A使手部支撑台24旋转的同时，沿+Z方向上升，使上侧的手部H5进入基板载置部PASS9。在基板载置部PASS9中，当手部H5接受由曝光处理14进行曝光处理前的基板W时，接口用搬送机构IFR使手部H5从基板载置部PASS9后退，使手部支撑台24沿-Z方向下降。
接着，接口用搬送机构IFR沿-X方向移动，在图4的位置B，使手部支撑台24旋转的同时，使保持基板的手部H5进入曝光装置14的基板搬入部14a(参照图1)。将基板W搬入基板搬入部14a然后，接口用搬送机构IFR使手部H5从基板搬入部14a后退。由此，从基板载置部PASS9向曝光装置14搬送基板W的搬送动作结束。
接着，接口用搬送机构IFR沿+X方向移动，在图4的位置C，使下侧的手部H6进入曝光装置14的基板搬入部14b(参照图1)。在基板搬入部14b中，当手部H6接受由曝光装置14曝光处理后的基板W时，接口用搬送机构IFR使手部H6从基板搬出部14b后退。
然后，接口用搬送机构IFR沿+X方向移动，在位置A使手部支撑台24旋转的同时沿+Z方向上升，使保持了基板W的手部H6进入基板载置部PASS10。由此，将基板W移载到基板载置部PASS10。由此，从曝光装置14向基板载置部PASS10搬送基板W的动作结束。
还有，将基板W从曝光装置14搬送到基板载置部PASS10时，在基板载置部PASS10不能接受基板W的情况下，基板W暂时容纳保管在返回缓冲器RBF2中。
另外，将基板W从基板载置部PASS9搬送到曝光装置14时，在曝光装置14不能接受基板W的情况下，基板W暂时容纳保管在缓冲器SBF中。
如上所述，在本实施方式中，在将由曝光装置进行曝光处理前的基板W从基板载置部PASS9搬送到曝光装置14时，使用接口用搬送机构IFR上侧的手部H5。
另外，在将由曝光装置14进行曝光处理后的基板W从曝光装置14搬送到基板载置部PASS10时，使用接口用搬送机构IFR下侧的手部H6。
即，在搬送附着了因曝光处理的液体的基板W时，由手部H6来保持基板W。另外，在搬送没有附着因曝光处理的液体的基板W时，由手部H5来保持基板W。因此，液体不会附着在手部H5上。
由此，由于能够防止液体附着在曝光处理前的基板W的里面，所以能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。因此，能够防止在曝光装置14中产生解像功能的恶化等引起的处理不良。
还有，在本实施方式中，在将基板W从基板载置部PASS7搬送到边缘曝光部EEW时以及将基板W从边缘曝光部EEW搬送到基板载置部PASS9时，由第四中央机械手CR4上侧的手部CRH7来保持基板W。另外，在将基板W从基板载置部PASS10搬送到显影用热处理部121时，由第四中央机械手CR4下侧的手部CRH8来保持基板W。
而且，由曝光装置14进行曝光处理前的基板W被移载到基板载置部PASS9上，由曝光装置14进行曝光处理后的基板W被移载到基板载置部PASS10上。
由此，还由于能够防止液体附着在曝光处理前的基板W的里面，所以能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。因此，能够防止在曝光装置14中产生解像功能的恶化等引起的处理不良。
在本实施方式中，因为手部H6设置在手部H5的下方，所以即使液体从手部H6以及其保持的基板W落下，液体也不会附着在手部H5以及其保持的基板W上。
由此，由于能够防止液体附着在曝光处理前的基板W上，所以能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。因此，能够防止在曝光装置14中产生解像功能的恶化等引起的处理不良。
还有，在本实施方式中，由1台接口用搬送机构IFR进行从基板载置部PASS9向曝光装置14的搬送、从曝光装置14向基板载置部PASS10的搬送，但是也可以使用多个接口用搬送机构IFR进行基板W的搬送。此时，在多个接口用搬送机构IFR上，设有保持由曝光装置14进行曝光处理前的基板W的手部和保持由曝光装置14进行曝光处理后的基板W的手部。
另外，在本实施方式中，虽没有针对用于交接基板W的手部的构造进行了说明，但手部也可以为局部的支持基板W的周边部的构造、也可以为吸附保持基板W的里面的构造。
(第二实施方式)针对第二实施方式涉及的基板处理装置进行说明。图5是第二实施方式涉及的基板处理装置的示意平面图。
第二实施方式涉及的基板处理装置500在以下几点上与第一实施方式涉及的基板处理装置500相异。
如图5所示，曝光装置14的基板搬入部14a以及基板搬入部14b的配置，与图1的曝光装置14的基板搬入部14a以及基板搬入部14b的配置相异。在图5中，基板搬入部14b配置在基板搬入部14a的-X方向侧。
接口模块13的接口用搬送机构IFR具有在X方向延伸的结构，具有并列在X方向上的两个手部H7以及H8。
针对图5的接口用搬送机构IFR来进行说明。图6是用于说明图5的接口用搬送机构IFR的构成以及动作的图。
针对图5的接口用搬送机构IFR的构成来进行说明。如图6所示，在图6的接口用搬送机构IFR中，在具有在X方向上延伸的构造的固定台21K上，在X方向上并列装载了手部支撑台24a、24b。手部支撑台24a、24b以可分别向±θ方向旋转并且在±Z轴方向可升降的方式装载。
手部支撑台24a、24b分别通过旋转轴25a、25b连接到固定台21K的马达M3、M4上。由该马达M3、M4来旋转手部支撑台24a、24b。
在手部支撑台24a上，可进退地设有以水平姿态保持基板W的手部H7。在手部支撑台24b上，可进退地设有以水平姿态保持基板W的手部H8。
针对图5的接口用搬送机构IFR的动作来进行说明。接口用搬送机构IFR的动作由图5的主控制器30来控制。
接口用搬送机构IFR，在使手部支撑台24a旋转的同时，沿+Z方向上升，使手部H7进入基板载置部PASS9。在基板载置部PASS9中，当手部H7接受由曝光处理14进行曝光处理前的基板W时，接口用搬送机构IFR使手部H7从基板载置部PASS9后退，使手部支撑台24沿-Z方向下降。
然后，接口用搬送机构IFR，在使手部支撑台24a旋转的同时，使保持基板的手部H7进入曝光装置14的基板搬入部14a(参照图5)。将基板W搬入到基板搬入部14a后，接口用搬送机构IFR使手部H7从基板搬入部14a后退。由此，从基板载置部PASS9向曝光装置14搬送基板W的搬送动作结束。
上述动作结束后或者与上述动作并行，接口用搬送机构IFR，使手部H8进入曝光装置14的基板搬出部14b(参照图5)。在基板搬出部14b中，当手部H8接受由曝光处理14进行曝光处理后的基板W时，接口用搬送机构1FR使手部H8从基板搬出部14b后退。
然后，接口用搬送机构IFR使手部支撑台24b旋转的同时沿+Z方向上升，使保持基板W的手部H8进入基板载置部PASS10。由此，将基板W移载到基板载置部PASS10。然后，接口用搬送机构IFR使手部H8从基板载置部PASS10后退。由此，从曝光装置14向基板载置部PASS10搬送基板W的搬送动作结束。
在本实施方式中，因为手部H7设为与手部H8在大致水平的方向上并列，所以即使液体从手部H8以及其保持的基板W落下，液体也不会附着在手部H7以及其保持的基板W上。
由此，由于能够防止液体附着在曝光处理前的基板W上，所以能够充分防止由于附着了掺入灰尘等的液体而导致的基板的里面污染。因此，能够防止在曝光装置14中产生解像功能的恶化等引起的处理不良。
另外，因为手部H7与手部H8在大致水平的方向上并列，所以接口用搬送机构IFR能够同时进行由手部H7以及手部H8进行的基板W的搬运动作。其结果，能够缩短基板的处理时间，提高产量。
还有，在本实施方式中，可以代替图6的固定台21K，使用第一实施方式中说明的可动台21。另外，虽然在本实施方式中手部支撑台24a、24b一起装载在相同的固定台21K，但也可以设两个固定台21K，分别在各自的固定台21K上装载手部支撑台24a、24b。
以上，在第一以及第二实施方式中，反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11以及显影处理模块12相当于处理部；接口模块13相当于交接部；第四中央机械手CR4以及接口用搬送机构IFR相当于搬送装置。
另外，手部H5、H7相当于第一保持部；手部H6、H8相当于第二保持部；边缘曝光部EEW、涂布单元BARC、RES、显影处理单元DEV、热处理单元PHP、加热板HP、密封强化剂涂布处理部AHL以及冷却板CP相当于处理单元；基板载置部PASS9、PASS10相当于载置部；第四中央机械手CR4相当于第一搬送单元；接口用搬送机构IFR相当于第二搬送单元。
还有，手部CRH7相当于第三保持部；手部CRH8相当于第四保持部；基板载置部PASS9相当于第一载置单元；基板载置部PASS10相当于第二载置单元。
另外，反射防止膜用热处理部100、101、抗蚀膜用热处理部110、111、显影用热处理部120、121的热处理单元PHP、加热板HP以及冷却板CP相当于热处理单元；反射防止膜用涂布处理部70的涂布单元BARC相当于反射防止膜形成单元。还有，抗蚀膜用涂布处理部80的涂布单元RES相当于感光膜形成单元；显影处理部90的显影处理单元DEV相当于显影单元。
权利要求
1.一种基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，其特征在于，具有处理部用于对基板进行处理；交接部用于在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接；上述交接部具有在上述处理部和上述曝光装置之间搬送基板的搬送装置；上述搬送装置具有第一保持部和第二保持部，上述第一保持部保持由上述曝光装置进行曝光处理前的基板；上述第二保持部保持由上述曝光装置进行曝光处理后的基板。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述交接部还包含处理单元和载置部，上述处理单元对基板进行规定的处理；上述载置部暂时载置基板，上述搬送装置包含第一搬送单元和第二搬送单元，上述第一搬送单元在上述处理部、上述处理单元以及上述载置部之间搬送基板；上述第二搬送单元在上述曝光装置和上述载置部之间搬送基板，上述第二搬送单元具有上述第一保持部及第二保持部。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一搬送单元具有第三保持部和第四保持部，上述第三保持部保持由上述曝光装置进行曝光处理前的基板；上述第四保持部保持由上述曝光装置进行曝光处理后的基板。
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述载置部包含第一载置单元和第二载置单元，上述第一载置单元载置由上述曝光装置进行曝光处理前的基板；上述第二载置单元载置由上述曝光装置进行曝光处理后的基板。
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理单元包含边缘曝光部，其曝光基板的周边部。
6.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理单元包含热处理单元，其对基板进行规定的热处理。
7.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理单元包含感光膜形成单元，其在基板上形成由感光材料构成的感光膜。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理单元还包含反射防止膜形成单元，其在由上述感光膜形成单元形成上述感光膜之前，在基板上形成反射防止膜。
9.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理单元包含显影处理单元，其进行基板的显影处理。
10.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一保持部及第二保持部在上下方向层叠设置，上述第二保持部设在上述第一保持部的下侧。
11.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一保持部及第二保持部在大致水平的方向上并列地设置。
12.一种基板处理方法，在以相邻于曝光装置的方式配置、且具有处理部以及搬送装置的基板处理装置中对基板进行处理，其特征在于，具有由上述处理部对基板进行处理的工序；由设在上述搬送装置的第一保持部来保持由上述处理部处理过的基板，同时搬送到上述曝光装置的工序；由设在上述搬送装置的第二保持部来保持由上述曝光装置进行曝光处理过的基板，同时搬送到上述处理部的工序。
全文摘要
本发明提供一种对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。在将由曝光装置进行曝光处理前的基板从基板载置部向曝光装置搬送时，使用接口用搬送机构上侧的手部。另外，在将由曝光装置进行曝光处理后的基板从曝光装置向基板载置部搬送时，使用接口用搬送机构下侧的手部。即，在附着了曝光处理后的液体的基板的搬送中，使用下侧的手部；在曝光处理前的没有附着液体的基板的搬送中，使用上侧的手部。
文档编号G03F7/00GK1773671SQ20051012044
公开日2006年5月17日 申请日期2005年11月10日 优先权日2004年11月10日
发明者金山幸司 申请人:大日本网目版制造株式会社