专利名称：基板处理装置以及基板处理系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如对以液晶显示装置(LCD)基板为代表的FPD(平板显示器)用基板等的基板进行规定处理的基板处理装置以及基板处理系统。
背景技术：
在现有技术中，例如在LCD基板的制造工序中，使用具有多个在减压气氛下对LCD基板进行蚀刻、灰化、成膜等规定处理的基板处理装置的所谓多腔室型的真空处理系统。
这种真空处理系统包括设置有具有搬送基板的搬送臂的基板搬送机构的搬送室、以及设置在其周围的多个基板处理装置，其利用搬送室内的搬送臂，将被处理基板搬入各基板处理装置的处理腔室内，同时，将处理完的基板从基板处理装置的处理腔室搬出。
然而，在这种基板处理装置中，为了易于对处理腔室内进行维修处理或者易于在盖体内进行重物的装卸，而提出通过具有使盖体滑动的滑动机构和以水平轴为中心使盖体转动的旋转机构作为可装卸盖体的开闭装置的结构，使盖体在水平方向滑动而从腔室主体卸下，然后转动该盖体的结构(专利文献1)。
专利文献1日本特开2001-185534(图6等)在上述专利文献1的盖体开闭装置中，使用一对导轨进行处理腔室(处理组件)的盖体的开闭。然而，在搬送室(转移组件)的周围配备有多个处理腔室的多腔室型的基板处理系统中，由于必须在搬送室和处理腔室之间经由闸门开口来搬送基板，因此，在与搬送室连接一侧不能配备导轨。由于这样，在专利文献1中，为了不妨碍基板的搬送，而需要在处理腔室的两侧，以与基板搬送方向平行的方式来配置导轨。
因此，当开放盖体时，需要使盖体从以搬送室为中心而配备的各处理腔室进一步向外侧滑动，从而成为装置占地面积增大的主要原因。
此外，在上述专利文献1的盖体开闭装置中，对于打开盖体时的动作，一旦使盖体上升，则在水平方向滑动，在该位置以180°旋转的顺序进行。然而，在该盖体开闭装置中，由于盖体的旋转中心为使盖体上升并在水平方向滑动的高度位置，因此，当考虑盖体的旋转半径时，由于至设置场所(清洁室内)的天井部的高度以及起重设备扬程尺寸的关系，而存在受制约的情况。特别是，近年来，随着被处理基板大型化的发展，例如以长边的长度超过2m的基板作为处理对象，因此，基板处理装置也变得大型化，所以，难以确保盖体开闭中所需要的天井部高度等的设置空间。
此外，在专利文献1所述的盖体开闭装置中，开放时的盖体高度位置和腔室主体的位置高度不同。因此，在进行内部维修作业时，必需准备高度不同的作业台。此外，从确保维修时作业者的安全的观点出发，希望盖体与腔室主体没有高度差。
这样，需要提供一种能够减小盖体开闭动作中所必要的面积，并能够抑制装置占地面积的基板处理装置。此外，还需要提供一种能够抑制盖体开闭动作中的必要高度，不易于受设置场所的天井部的高度等制约，而容易进行维修作业的基板处理装置。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制盖体开闭动作中所必要的装置空间的基板处理装置。
为了解决上述问题，本发明第一方面提供一种基板处理装置，其特征在于，其能够在处理腔室内处理基板，上述处理腔室包括腔室主体；可自由装卸地设置在上述腔室主体上的盖体；以及装卸上述盖体的开闭装置，其中，上述开闭装置能够在与向上述处理腔室搬送基板的方向正交的方向上使上述盖体滑动开闭。
在上述第一方面中，优选上述开闭装置包括在水平方向上使上述盖体滑动的滑动机构；
在铅直方向使上述盖体升降的升降机构；和以水平轴为中心使上述盖体旋转的旋转机构。
本发明的第二方面提供一种基板处理装置，其特征在于其能够在处理腔室内处理基板，上述处理腔室包括腔室主体；可自由装卸地设置在上述腔室主体上的盖体；以及装卸上述盖体的开闭装置，其中，上述开闭装置包括在水平方向上使上述盖体滑动的滑动机构；在铅直方向上使上述盖体升降的升降机构；和以水平轴为中心使上述盖体旋转的旋转机构。
在上述第一方面或者第二方面中，优选上述滑动机构能够使上述盖体滑动至不与上述腔室主体重合的位置；上述升降机构能够使滑动至不与上述腔室主体重合位置处的上述盖体下降；上述旋转机构通过使下降的上述盖体旋转，打开开放状态的上述盖体的上端，使得成为与上述腔室主体的上端相同高度的位置。在这种情况下，优选上述升降机构在利用上述滑动机构使上述盖体滑动之前，使上述盖体上升。
此外，优选上述滑动机构包括设置在与上述盖体相对的侧壁上的、滑动移动的一对滑动移动部；驱动上述滑动移动部，使盖体滑动的驱动部；和分别对上述一对滑动移动部进行导向的一对导向部件。
在这种情况下，优选上述导向部件互相平行且具有高低差地配置在上述处理腔室的两侧。
此外，优选上述导向部件中的配置在高位置处的导向部件，被配置在向上述处理腔室搬送基板的搬送室一侧的侧面上。
此外，优选上述导向部件中的配置在高位置处的导向部件，形成为比配置在低位置处的另一个导向部件短，同时，在该短导向部件的前端配置有与上述滑动移动部接合支承滑动移动部并与滑动移动部一起移动的换乘轨道部件。
此外，优选上述升降机构具有与上述盖体连接的一对可动体，能够与这些可动体连动以使上述盖体升降。在这种情况下，优选当使上述盖体下降时，上述一个可动体在上述换乘轨道部件和上述短导向部件的端部之间下降。
此外，优选其具有可旋转地支承与上述盖体相对的一对侧壁的旋转支承部，上述旋转机构以该旋转支承部作为旋转轴。
此外，优选具有检测上述盖体安装在上述腔室主体上的关闭状态的位置偏移和上述盖体从上述腔室主体卸下的开放状态的位置偏移的传感器。
此外，优选基板处理装置包括在上述处理腔室内放置基板的放置台；和将处理气体供给至基板的气体供给部，其中，对基板进行气体处理。在这种情况下，优选上述气体供给部具有形成有多个气体吐出孔的喷淋头，该喷淋头被安装在上述盖体内。
此外，优选基板处理装置是在使上述处理腔室内处于减压的状态下处理基板的真空处理装置。
本发明的第三方面提供一种基板处理系统，其中，使第一方面和第二方面的基板处理装置与搬送基板的搬送室邻接配置。
通过本发明的基板处理装置，能够抑制盖体开闭动作中所必要的装置空间。即，能够提供一种基板处理装置，通过使用在与向处理腔室搬送基板的搬送方向正交的方向上使盖体滑动开闭的开闭装置，而能够减小盖体开闭动作中所必要的面积，能够抑制装置的占地面积。
此外，能够提供一种基板处理装置，通过使用具有使盖体在水平方向滑动的滑动机构、使盖体在铅直方向升降的升降机构、以及以水平轴为中心使盖体旋转的旋转机构的开闭装置，而能够抑制盖体开闭动作中所必要的高度，难以受设置场所制约，且维修作业容易。
图1是表示真空处理系统的简要立体图。
图2是表示图1的真空处理系统的水平截面图。
图3是表示本发明一实施方式的蚀刻处理装置的截面图。
图4是表示本发明一实施方式的蚀刻处理装置的主要部分立体图。
图5是从其他角度观察本发明一实施方式的蚀刻处理装置的主要部分立体图。
图6是蚀刻处理装置的侧视图。
图7是蚀刻处理装置的另一侧视图。
图8是供滑动马达控制的说明用的简要结构图。
图9是说明盖体的开闭动作侧视图，其表示的是关闭盖体的图。
图10是说明盖体的开闭动作的侧视图，其表示的是使盖体稍微上升的状态的图。
图11是说明盖体的开闭动作的侧视图，其表示的是使盖体滑动的状态的图。
图12是说明盖体的开闭动作的侧视图，其表示的是使盖体下降的状态的图。
图13是说明盖体的开闭动作的侧视图，其表示的是使盖体转动180°后的状态的图。
图14是从说明盖体的开闭动作的相反侧观察的侧视图，其表示的是使盖体稍微上升状态的图。
图15是表示滑块和换乘轨道部件的连接部的主要部分的放大图。
图16是说明盖体的开闭动作的侧视图，其表示的是与换乘轨道部件一起使盖体滑动的状态的图。
图17是说明盖体的开闭动作的侧视图，其表示的是使盖体下降的状态的图。
图18为说明盖体的开闭动作的侧视图，其表示的是使盖体旋转180°的状态的图。
图19是说明盖体的开闭动作的图。
标号说明1-真空处理系统；10-蚀刻处理装置；60-处理腔室；61-腔室主体；62-盖体；63、64-开闭装置；
72-基座；74-喷淋头；77-处理气体供给系统；80-高频电源；101、121-滑块；102、122-滑动马达；103a、103b、123a、123b-升降轴；104、124-可动体；105、125-升降支撑物(jack)；106-旋转马达；107、127-升降马达；108、128-联结器(coupling)；109、129-小齿轮；110、130-齿条齿轮；S-LCD基板。
具体实施例方式
以下，参照附图，对本发明的优选实施方式进行说明。
这里，对在相对玻璃制LCD基板(以下简称为“基板”)S进行蚀刻处理的多腔室型的真空处理系统中使用本发明基板处理装置的情况进行说明。
图1是表示该真空处理系统1的简要立体图，图2是表示其内部的水平截面图。对于该真空处理系统1来说，其中央部与作为转移组件的搬送室20和负载锁定室30连接。在搬送室20的周围配置有三个蚀刻处理装置10作为处理组件。此外，在搬送室20和负载锁定室30之间、在搬送室20和各个蚀刻处理装置10之间、以及在连通负载锁定室30和外侧的大气气氛的开口部上，分别插入有气密密封它们之间、并且可以开闭的闸阀22。
此外，在各个蚀刻处理装置10的侧部，设置有在水平方向具有高低差且互相平行的一对导轨201、202。这些导轨201、202向着展开处理腔室60的盖体62的方向延伸。在本实施方式中，盖体62的展开方向呈与搬送室20和各个蚀刻处理装置10之间的基板搬入搬出方向正交的方向。
此外，如后所述，导轨202被设置在比导轨201高的位置，并且比导轨201短。其中，在导轨202的端部配置有延伸轨道部206。
而且，在各个蚀刻处理装置10中还配置有进行盖体62的开闭的开闭装置63、64。
将两个盒分度器(cassette indexer)41设置在负载锁定室30的外侧，在其上分别放置有收容基板S的盒40。在这些盒40的一个中收容有未处理的基板S，在另一个中收容有处理完的基板S。这些盒40可利用升降机构42进行升降。
在该两个盒40之间，在支承台44上设置有基板搬送装置43，该搬送装置43具有上下两层设置的臂45、46和整体进出退避以及可转动地支承这些臂的基底47。
在臂45，46上形成有支承基板S的四个突起部48。突起部48由摩擦系数大的合成橡胶制的弹性体构成，能够防止基板S在基板支承中发生位置偏移而落下。其中，可以只设置一个盒40。在这种情况下，处理完的基板S返回至同一盒内的空闲的空间中。
如后所述，各个蚀刻处理装置10具有处理腔室，其内部空间可以保持为规定的减压气氛，在处理腔室内进行蚀刻处理。以后详细说明该蚀刻处理装置10。
搬送室20与蚀刻处理装置10同样，可以保持为规定的减压气氛，其中，如图2所示，配置有搬送机构50。利用该搬送机构50，能够在负载锁定室30和三个蚀刻处理装置10之间搬送基板S。
搬送机构50被设置在基底51的一端，具有可转动地设置在基底51上的第一臂52；可转动地安装在第一臂52前端的第二臂53；以及可转动地安装在第二臂53上，用于支承基板S的叉状的基板支承板54，利用内置于基底51中的驱动机构驱动第一臂52、第二臂53和基板支承板54，而能够搬送基板S。此外，基底51可以上下移动，同时，可以转动。
负载锁定室30与各个蚀刻处理装置10和搬送室20相同，能够保持为规定的减压气氛，在其中配置有具有使基板S定位用的一对定位器32的缓冲架31。
其次，参照图3～7，对蚀刻处理装置10的详细情况进行说明。图3是蚀刻处理装置10的截面图，图4和图5是其主要部分的立体图，图6和图7是侧视图。
对于蚀刻处理装置10来说，具有用于在其中心对基板S进行蚀刻处理的处理腔室60。处理腔室60具有腔室主体61、可自由装卸地安装在腔室主体61上的盖体62、和相对于腔室主体61对该盖体62进行装卸的开闭装置63、64。当在处理腔室60内进行处理时，为了能够使其中成为气密空间进行抽真空，而在腔室主体61和盖体62之间设置有密封件95。
开闭装置63、64具有利用设置在处理腔室60的两侧部上的一对导轨201、202进行盖体62的开闭的滑动机构。如图4和图5所示，在处理腔室60的两侧部上，在与基板S的搬入搬出方向大致正交的方向上，平行且具有规定高低差地将导轨201和202配置在不同高度。
配置在搬送室20侧的高度高的导轨202，以跨过进行基板S在各个蚀刻处理装置10中搬入搬出的闸阀22的上面的方式而架设。这样，使得导轨201和202具有高低差，通过将导轨202配置在比导轨201相对高的位置上，不会妨碍通过闸门开口22a的基板S的搬入搬出，可以由导轨201、202对盖体62进行导向。因此，能够在与基板S的搬入搬出方向大致正交的方向上使盖体62滑动，能够缩小盖体62的开闭动作中所需要的空间。该节省空间的效果，例如对于以搬送室20为中心而配置有多个蚀刻处理装置10的真空处理系统1那样的，在搬送机构的周围具有多个处理装置的多腔室型的基板处理系统中特别明显。
此外，如图4和图5所示，导轨202形成为比导轨201短，延伸轨道部206与其端部连接，具有能够在该延伸轨道部206上移动的换乘轨道部件203。后面说明利用该换乘轨道部件203的换乘轨道机构。
对于利用与搬送室20相反一侧的导轨201的开闭装置63来说，作为其主要结构，具有与导轨201接合并且能够在水平方向滑动设置的滑块101、作为移动该滑块101的驱动源的滑动马达102、与滑块101连接的升降支撑物105、以及使盖体62旋转的旋转马达106。
升降支撑物105具有刻出螺纹的两根升降轴103a、103b、与该升降轴103a、103b接合并可自由升降支承的可动体104、以及作为驱动源的升降马达107。两根升降轴103a、103b利用联结器108连接，升降马达107的旋转被分配传递给两根升降轴103a、103b，可使各升降轴103a、103b同步转动。
可动体104通过旋转支承部111与盖体62连接，当利用升降轴103a、103b的转动，使可动体104在上下进行升降移动时，盖体62也能够连动于可动体104而上下升降。
小齿轮109被设置在滑动马达102的旋转轴的前端，此外，直线状的齿条齿轮110(参照图6)平行地被安装在导轨201上，利用齿条和小齿轮机构，能够使滑块101沿着导轨201滑动移动。由于滑块101通过升降支撑物105、旋转支承体111而与盖体62连接，因此，能够使盖体62连动于滑块101在水平方向移动。
另一方面，利用搬送室20侧的导轨202的开闭装置64，作为其主要结构，具与导轨202接合并可在水平方向滑动的滑块121a、121b，作为移动滑块121a、121b的驱动源的滑动马达122，以及与滑块121a、121b连接的升降支撑物125。其中，在开闭装置64中不具有旋转马达，以开闭装置63的旋转马达106作为驱动源，使盖体62转动。
升降支撑物125具有刻有螺纹的两根升降轴123a、123b，可自由升降地支承在该升降轴123a、123b上的可动体124，以及作为驱动源的升降马达127。两根升降轴123a、123b利用配置在其上方位置的联结器128连接，将升降马达127的旋转分配传递给两根升降轴123a、123b，以使各升降轴123a、123b同步转动。
可动体124形成为从正面观察大致呈T字形的外形，在其下部通过旋转支承部131与盖体62连接，若通过升降轴123a、123b的转动，使可动体124在上下升降移动，则盖体62能够连动于可动体124而上下升降。这样，可动体124形成为向下凸的形状，在其下部通过旋转支承部131与盖体62连接，因此，通过利用后述换乘轨道机构能够以长行程(stroke)使可动体124下降，从而，能够增大盖体62的下降行程。
在滑动马达122的旋转轴的前端设置有小齿轮129，此外，在导轨202上平行地安装有直线状的齿条齿轮130(参见图7)，利用齿条和小齿轮机构，可以沿着导轨202移动滑块121a、121b。由于滑块121a、121b通过升降支撑物125和旋转支承部131与盖体62连接，因此，能够使盖体62与滑块121a，121b的滑块移动连动，在水平方向移动。
设置在开闭装置63上的旋转马达106被固定在可动体104上，能够以旋转支承部111和旋转支承部131作为旋转轴使盖体62转动。即，旋转支承部111和旋转支承部131可转动地分别支承在与盖体62相对的侧壁的中心，同时，位于水平方向的同一条线上，利用旋转马达106，能够以旋转支承部111、131作为旋转轴，使盖体62旋转。
此外，如图8中简略表示那样，开闭装置63的滑动马达102和开闭装置64的滑动马达122构成为由控制部分150分别通过单独的转换器(inverter)151、152进行控制。利用这种结构，即使在滑动移动中由于负荷变动等影响而在滑块101或者滑块121a、121b上产生滞后的情况下，也可以分别对滑动马达102和滑动马达122进行转换控制，可以提高滑动停止的位置精度。
其中，实际上在开闭装置63和开闭装置64的外侧设置有盖，各个驱动系统看不见，可以省略盖。此外，在图4和图5中，省略了齿条齿轮110、130。
参照图3可以得知，在处理腔室60的内部空间的下方，通过绝缘部件71配置有基座72，形成为在基座72上放置LCD基板S。
排气管81与腔室主体61的侧壁下部连接，排气装置82与该排气管81连接。排气装置82具有涡轮分子泵等真空泵，这样，能够将处理腔室60的内部空间抽成真空，形成规定的减压气氛。
在上述基座72的上方，与该基座72平行相对设置有作为上部电极工作的喷淋头74。该喷淋头74被螺纹拧紧在配置于其周围的绝缘部件75上(图中没有示出)，绝缘部件75通过在盖体62的内部突出的支承部62a而被支承，并被螺纹拧紧(图中没有示出)。将蚀刻处理用的处理气体供给喷淋头74的处理气体供给系统77，通过管路76与喷淋头74连接，从设置在喷淋头74下面的多个气体吐出孔74a向基板S吐出处理气体。
另一方面，给电棒78与喷淋头74的上面的中央连接，匹配器79与给电棒78的上端连接，而且，高频电源80与匹配器79连接。因此，在利用排气装置82将处理腔室60的内部空间抽真空至规定的减压状态后，从喷淋头74导入处理气体，在调压至规定压力后，从高频电源80通过匹配器79和给电棒78，将高频电力施加在喷淋头74上，从而，能够在基板S的上方空间中形成处理气体的等离子体，这样对基板S进行蚀刻处理。
其次，对上述这样构成的真空处理系统的处理动作进行说明。首先，进退驱动搬送装置43的两个臂45、46，从收容有未处理基板的一个盒40(图1左侧的盒)，一次将两块基板S搬入负载锁定室30中。
在负载锁定室30内，利用缓冲架31保持基板S，在臂45、46退避后，关闭负载锁定室30的大气侧的闸阀22。然后，对负载锁定室30内进行排气，将内部减压至规定的真空度。在抽真空结束后，在图2中符号A所示的方向上移动定位器32，并使其与基板S接触，这样进行基板S的位置对准。
在基板S的位置对准后，打开搬送室20和负载锁定室30之间的闸阀22，利用搬送机构50将基板S搬入搬送室20内。其次，将搬入搬送室20内的基板S安放在搬送机构50的基板支承板54上，并搬入规定的蚀刻处理装置10。然后，基板支承板54从蚀刻处理装置10退避，关闭闸阀22。此时，通过由密封件95密封腔室主体61和盖体62，而能够对蚀刻处理装置10的处理腔室60内进行抽真空。
如图3所示，在蚀刻装置10中，在基板S放置于基座72上的状态下，在将处理腔室60的内部空间减压至规定压力后，使从处理气体供给系统77供给的蚀刻处理用的处理气体，通过喷淋头74，向着基板S吐出，同时，从高频电源80通过进配器79和给电棒78，将高频电力供给至喷淋头74，在基板S上面的空间中形成等离子体，对基板S进行蚀刻处理。
在该蚀刻处理结束后，打开闸阀22，利用搬送机构50的基板支承板54，接收处理完的基板S，并将其搬送至负载锁定室30中。搬送至负载锁定室30中的基板S，利用搬送装置43的臂45、46而被送入处理完基板用的盒40(图1右侧的盒)中。这样，结束在一块基板上的一系列处理动作，可重复该处理动作的次数为在未处理基板用的盒40中放置的基板数。
当重复这种处理规定次数时，必需对蚀刻处理装置10进行维修。在这种情况下，利用上述开闭装置63、64卸下处理腔室60的盖体62，并使其移动至从腔室主体61的上面偏离的位置。
其次，参照图9～图18，对盖体62的开闭装置63、64及其开闭动作进行详细说明。其中，开闭装置63和开闭装置64协同工作进行盖体62的开闭动作。在以下的说明中，为了方便，参照图9～图13和图14～图18，分别对开闭装置63和开闭装置64的动作进行说明。
如上所述，在处理腔室60的两侧部，以具有高低差且平行的方式配置有一对导轨201、202。图9～图13是从与搬送室20相反的一侧观察处理腔室60的侧视图，其依次表示使盖体62成为开放状态的一连串动作。为了说明方便，在图9～图13中只表示前面的导轨201。此外，符号204表示支承导轨201的台架。
首先，图9表示盖体62气密地与腔室主体61接触的处理中的状态。
在导轨201的滑动开始位置上，配置有挡块210以及光电传感器211，检测处理腔室60的盖体62是否在关闭状态下安装在正确的位置。此外，在导轨201的滑动结束位置，即与滑动101接触而停止的位置上，配置有挡块212和光电传感器213。其中，挡块210和光电传感器211、以及挡块212和光电传感器213分别表示为一体。
如图10所示，使升降马达107从图9所示的状态开始工作，通过使升降支撑物105的可动体104稍微上升，而能够使盖体62稍微上升。通过在这个状态下驱动滑动马达102，利用小齿轮109和齿条齿轮110的接合，能够沿着导轨201使滑块101滑动，如图10中的假想线所示那样，使盖体62与开闭装置63一起在水平方向移动。
如图11所示，在将盖体62从腔室主体61的上方取下，将滑块101滑动至与挡块212接触的位置后，停止滑动马达102的驱动。通过利用光电传感器213监视滑块101的停止位置，而能够检测盖体62的滑动位置的位置偏移。
其次，使升降马达107动作，使升降支撑物105的可动体104下降，从而使盖体62下降。
在盖体62下降的位置，通过使旋转马达106工作，如图12所示，能够以旋转支承部111、131作为旋转中心，使盖体62转动。由于该盖体62的旋转是在盖体62下降后进行的，所以可以将旋转所要的高度H抑制得较低，不容易受设置场所的天井部高度等的制约。这样，如图13所示，当使盖体62转动180℃时，盖体62成为完全展开的状态。在该开放状态下，通过在旋转前使盖体62下降，而能够例如使腔室主体61的上端和盖体62的上端以大致相同的高度保持一致。
图14和图16～图18是从搬送室20一侧观察处理腔室60的侧视图，其依次表示从与图9～图13相反一侧，使盖体62成为开放状态的一连串动作。为了说明上的方便，在图14、图16～图18中，只表示前面的导轨202，同时省略闸阀22的闸门开口22a的表示，其中，符号205表示的是支承导轨202的台架。
如上所述，导轨202被设置在比导轨201相对高的位置处，同时，形成为比导轨201短，在前端侧设置有延伸轨道部206，在其上配置有换乘轨道部件203。换乘轨道部件203是由形成为比导轨202低的延伸轨道部206导向，通过图中没有示出的滑块等，在延伸轨道部206上在水平方向移动的移动体，在其上面配置有可与滑块121a、121b接合的轨道。
在导轨202的滑动开始位置上，配置有挡块214以及光电传感器215，该光电传感器215检测在关闭状态下处理腔室60的盖体62是否安装在正确的位置。此外，在延伸轨道部206的滑动结束位置，即与换乘轨道部件203接触而停止的停止位置处，配置有挡块216和光电传感器217。挡块214和光电传感器215、以及挡块216和光电传感器217分别表示为一体。
首先，从盖体62气密地与腔室主体61接触的处理中的状态开始，使升降马达127工作，通过利用支撑物125使可动体124稍微上升，如图14所示，使盖体62从腔室主体61稍微上升。在该状态下，通过驱动滑动马达122，利用小齿轮129和齿条齿轮130接合，可沿着导轨202使滑块121a、121b滑动，如图14中假想线所示，与其相随使盖体62在水平方向移动。
然后，如图14所示，使换乘轨道部件203与导轨202接触的状态(连接状态)下，使滑块121a在换乘轨道部件203上进行。这时，如图15所示，使用锁紧气缸207，将换乘轨道部件203固定在导轨202的端部，使得换乘轨道部件203不能移动。在只有滑块121a放置在换乘轨道部件203上的位置处，可以停止滑动马达122，一次停止滑块121a、121b的移动。
在该位置上，可以使用任何接合装置(例如固定销208)，连接换乘轨道部件203和滑块121a。其中，在连接后，解除锁紧气缸207。这样，在只由换乘轨道部件203支承滑块121a的状态下，在连接换乘轨道部件203和滑块121a后，如图16所示，再次驱动滑动马达122，使滑块121a、121b与换乘轨道部件203一起，在延伸轨道部206的前端方向进行。将盖体62移动至与腔室主体61不重合的位置。
在将滑块121a、121b滑动至换乘轨道部件203与挡块216接触的位置后，停止滑动马达122。通过利用光电传感器217监视滑块121a、121b的停止位置，可以检测盖体62的滑动位置的位置偏移。然后，如图17所示，使升降马达127工作，利用升降支撑物125使可动体124下降，使盖体62下降。这时，作成T字形的可动体124其下部在两个滑块121a、121b之间下降，插入换乘轨道部件203和导轨202之间。这样，在图17中，能够使以符号B表示的盖体62的旋转中心比导轨202的高度低。即，通过使用换乘部件203，可以使可动体124以长行程下降，与此相应，盖体62的下降行程也可以增大。
然后，在盖体62下降的位置处，通过驱动旋转马达106，可使盖体62旋转。由于盖体62的旋转是使盖体62下降后进行的，所以如图18所示，可以利用低位置旋转中心B进行旋转，可以将旋转要求的高度H抑制得较低，因此不容易受设置场所的天井部高度等的制约。
如上所述，同时使处理腔室60的两侧部的开闭装置63、64工作，在水平方向使盖体62滑动后，下降并进一步转动180°，使盖体62成为完全展开的状态。在该开放状态下，通过旋转前使盖体62下降，能够使腔室主体61的上端和盖体62的上端高度大致相同。
根据以上所述，图19中示意地表示处理腔室60的盖体62的一连串的开闭动作。首先，图19(a)是表示盖体62气密地与腔室主体61接触的状态。如图19(b)所示，从该状态开始，使开闭装置63、64的升降马达107、127工作，通过利用升降支撑物105、125，使可动体104、124稍微上升，可使盖体62稍微上升。
其次，驱动开闭装置63、64的滑动马达102、122。另外，滑块101、121a、121b沿着在处理腔室60的两侧部高度不同地配置的导轨201、202滑动，通过换乘轨道部件203(在图19中省略了表示)在延伸轨道部件206上移动，使得如图19(c)所示，盖体62在水平方向移动。在该状态下，容易进行腔室主体61的维护。
在盖体62滑动至离开腔室主体61的位置后，如图19(d)所示，使升降马达107、127工作，利用升降支撑物105、125使可动体104、124下降，以长行程使盖体62下降。在盖体62下降的位置，通过使旋转马达106工作，如图19(e)所示将盖体62转动90°。通过在该位置锁紧，可进行盖体62内部的简易维护。
再使旋转马达106工作，在盖体62从原来位置转动180°的情况下，如图19(f)所示，可使盖体62的上端(开放面)与腔室主体61的上端高度相同地一致开放。这样，利用起重设备等可以容易且安全地进行盖体62内的维护作业或盖体62内存在的重物(例如喷淋头74)的装卸等。其中，盖体62的安装动作，为该顺序的反顺序。
这样，由使盖体62滑动的滑动机构、使盖体62升降的升降机构、和使盖体62旋转的旋转机构构成装卸盖体62的开闭装置63、64，因此，可以使盖体62滑动，并从腔室主体61卸下，然后，以水平轴为中心，自由地转动盖体62。
此时，通过从在水平方向滑动盖体62的位置下降转动后，可以将盖体62旋转必要的高度抑制得比现有结构的低，可以缓和处理腔室60的设置空间，特别是高度的制约。另外，在使盖体62转动180°的状态下，由于能够使腔室主体61的上端和盖体62的上端(开放端)高度大致相同，所以，在与腔室主体61之间不产生高度差，可以很容易且安全地进行盖体62内重物的装卸等维修作业。
而且，通过将滑动机构中使用的导轨202配置在比导轨201高的地方，不妨碍将基板S搬入装有闸阀22的处理腔室60内，由于在与基板S的搬送方向正交的方向上展开盖体62，所以能够缩小全体真空处理系统的占地面积。
此外，如上所述，由于在导轨201、202和延伸轨道部206上配置光电传感器211、213、215、217，所以可以检测盖体62关闭状态和开放状态的位置偏移，可以提高装置的可靠性。
本发明不只是限于上述实施方式，可以有各种变形。例如，在上述实施方式中，在一对导轨201、202上设有高低差，在与基板S的搬送方向正交的方向上延伸，盖体62的开闭方向(滑动方向)为与基板S的搬送方向正交的方向，然而，也可以在设置空间(占地面积)不受制约的地方，与基板S的搬送方向平行地配置导轨。
此外，使盖体62在水平方向滑动的滑动机构，或者使盖体升降的升降机构不仅是限于上述实施方式，也可以采用各种机构。
而且，在上述实施方式中，表示在等离子体蚀刻装置中使用本发明的情况，但是在灰化或者CVD等其他真空处理中也可以使用。此外，真空处理不是必需限于等离子体处理，利用其他的气体处理也可以，而且，气体处理以外的真空处理也可以。
而且，是以处理LCD基板作为基板的真空处理系统为例，但不是仅限于此，在处理其他的FPD基板或半导体晶片的基板处理装置中也可以。其中，作为FPD，除了液晶显示器(LCD)以外，还例示有发光二极管(LED)显示器、电荧光(EL)显示器、荧光显示管(VFD)、等离子体显示器板(PDP)等。
产业上利用的可能性本发明能够应用于对各种FPD用基板等的基板进行规定处理的基板处理装置中。
权利要求
1.一种基板处理装置，能够在处理腔室内处理基板，其特征在于，所述处理腔室包括腔室主体；可自由装卸地设置在所述腔室主体上的盖体；和装卸所述盖体的开闭装置，其中，所述开闭装置在与向所述处理腔室搬送基板的方向正交的方向上使所述盖体滑动开闭。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述开闭装置包括在水平方向使所述盖体滑动的滑动机构；在铅直方向使所述盖体升降的升降机构；和以水平轴为中心使所述盖体旋转的旋转机构。
3.一种基板处理装置，能够在处理腔室内处理基板，其特征在于，所述处理腔室包括腔室主体；可自由装卸地设置在所述腔室主体上的盖体；和装卸所述盖体的开闭装置，其中，所述开闭装置包括在水平方向使所述盖体滑动的滑动机构；在铅直方向使所述盖体升降的升降机构；和以水平轴为中心使所述盖体旋转的旋转机构。
4.如权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于所述滑动机构可将所述盖体滑动至不与所述腔室主体重合的位置；所述升降机构可使滑动至不与所述腔室主体重合位置处的所述盖体下降；所述旋转机构通过使下降的所述盖体旋转，打开开放状态的所述盖体的上端，使得成为与所述腔室主体的上端相同高度的位置。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于所述升降机构在利用所述滑动机构使所述盖体滑动前，使所述盖体上升。
6.如权利要求2～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述滑动机构包括设置在与所述盖体相对的侧壁上，进行滑动移动的一对滑动移动部；驱动所述滑动移动部，使盖体滑动的驱动部；和分别对所述一对滑动移动部进行导向的一对导向部件。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于所述导向部件以互相平行且具有高低差的方式而被配置在所述处理腔室的两侧部。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于所述导向部件中，配置在高位置的导向部件设置在向所述处理腔室搬送基板的搬送室的侧部上。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于所述导向部件中，配置在高位置的导向部件形成为比配置在低位置的另一个导向部件短，同时，在该短导向部件的前端配置有与所述滑动移动部接合支承滑动移动部并与滑动移动部一起移动的换乘轨道部件。
10.如权利要求2～9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于所述升降机构具有与所述盖体连接的一对可动体，可与这些可动体连动使所述盖体升降。
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于所述升降机构具有与所述盖体连接的一对可动体，可与这些可动体连动使所述盖体升降，同时，当使所述盖体下降时，所述一个可动体在所述换乘轨道部件和所述短导向部件的端部之间下降。
12.如权利要求2～11中任一项所述的基板处理装置，其特征在于具有可旋转地支承与所述盖体相对的一对侧壁的旋转支承部，所述旋转机构以该旋转支承部作为旋转轴。
13.如权利要求1～12中任一项所述的基板处理装置，其特征在于具有检测所述盖体安装在所述腔室主体上的关闭状态的位置偏移和所述盖体从所述腔室主体卸下的开放状态的位置偏移的传感器。
14.如权利要求1～13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还包括在所述处理腔室内放置基板的放置台；和将处理气体供给基板的气体供给部，其中，对基板进行气体处理。
15.如权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于所述气体供给部具有形成有多个气体吐出孔的喷淋头，该喷淋头被安装在所述盖体内。
16.如权利要求1～15中任一项所述的基板处理装置，其特征在于其是在使所述处理腔室内减压的状态下处理基板的真空处理装置。
17.一种基板处理系统，其特征在于使权利要求1～16中任一项所述的基板处理装置与搬送基板的搬送室邻接配置。
全文摘要
本发明提供一种能够抑制盖体开闭动作中所必要的装置空间的基板处理装置。从盖体(62)气密地与腔室主体(61)接触的状态开始，使升降马达(107、127)工作，使盖体(62)稍微上升。其次，沿着高度不同地配置在处理腔室(60)的两侧部的导轨(201、202)，在水平方向滑动移动盖体(62)。在将盖体(62)滑动至偏离腔室主体(61)的位置后下降，在下降后的位置处转动盖体(62)。
文档编号G02F1/1333GK1924659SQ20061012644
公开日2007年3月7日 申请日期2006年8月31日 优先权日2005年8月31日
发明者盐野胜美, 出口新悟 申请人:东京毅力科创株式会社