专利名称：电光装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及在每个像素中具有存储电路的电光装置的低功耗化的技术。
背景技术：
在可携带的电子设备中，因为要求薄型化及轻量化等，在用作电子设备的显示装置的电光装置中，使用适应此要求的液晶元件及有机EL元件等的电光元件。此处，此种电光装置，因为可与显示内容无关而重写(刷新)每一帧中的各像素的状态，由于驱动各像素的驱动电路及其控制电路等消耗功率，妨碍低功耗化。
因此，提出在每个像素中内置存储一个位(bit)的静态型的存储电路，并按照存储在该存储电路的位使像素导通或断开的技术(参照专利文献1)。在此技术中，因为不需要刷新存储电路，所以在显示静止画面时，可以不使驱动电路等工作，相应地可以达到低功耗化。
另外，在专利文献1中记述的技术中，可以使数据线驱动器为地址译码器方式而部分重写。首先，利用扫描线驱动器使存储电路选择用的晶体管变成导通状态。从而使整个一行之中所有的存储电路选择用的晶体管成为导通状态。同时从数据线驱动器向利用地址译码器进行选择的、与进行写入的像素相对应的数据位线供给H(高)电平或L(低)电平的显示用的数据电压，另一方面向互补数据位线供给反相电平的数据电压进行数据重写。对于与不进行重写的像素相对应的数据线及互补位线，使数据线驱动器变成高阻抗状态，维持业已写入的存储器的数据。
专利文献1日本专利特开平8-286170号公报然而，数据线一般具有很大的寄生电容，即使是在从数据线不供给数据时，当为了充电到先前供给的电位，存储电路选择晶体管成为导通状态时，难以维持以前写入的数据而很可能发生数据反相(误重写)。
在专利文献1中记述的技术中，为了不发生这种误重写，一般将数据位线和互补位线两者预充电到H电平是公知的方法。
但是，当对数据位线和互补位线进行预充电时，虽然不会产生数据反相，但由于数据位线和互补数据位线两者为H电平，其中某一个成为与存储电路的输出短路状态，会发生很大的消耗电流。
另外，对于近年的电子设备，由于连续使用时间的扩大及电池的小型化、功能的增大等等种种原因，强烈要求进一步降低电光装置单体的功耗。
为解决上述问题，本发明的特征在于，具有选择多条X选择线的任何一条的X地址译码器、选择多条Y选择线的任何一条的Y地址译码器及与上述多条X选择线和上述多条Y选择线的交叉处相对应而设置的多个像素块，上述多个像素块包括一个或多于一个像素电路，一列的上述像素电路彼此共用位线和互补位线，上述像素电路包括存储电路、选择电路和像素电极，上述存储电路，在上述位线及上述互补位线和上述存储电路之间具有在与本身所属的像素块相对应的X选择线及Y选择线被同时选择时变成导通状态的多个晶体管，在上述晶体管为导通状态时保持由对应的位线所供给的数据位，上述选择电路根据在上述存储电路中保持的数据位，选择使电光元件成为导通或断开状态的信号而供给上述像素电极。利用此结构，可以只选择生成有显示内容的像素块，只重写在该像素块中保持的数据位。
在本发明中，上述存储电路的结构也可以包括栅电极与上述Y选择线相连接并且源电极与上述位线相连接的第1晶体管；栅电极与上述X选择线相连接并且源电极与上述第1晶体管的漏电极相连接，漏电极与反相电路的一端相连接的第2晶体管；栅电极与上述Y选择电路相连接并且源电极与上述互补位线相连接的第3晶体管；以及栅电极与上述X选择线相连接并且源电极与上述第3晶体管的漏电极相连接，漏电极与上述反相电路的另一端相连接的第4晶体管。在此结构中，上述第2晶体管及上述第4晶体管的沟道宽度比上述第1晶体管及上述第3晶体管的沟道宽度窄为优选。
另外，既可以是一列的像素块彼此共用一条X选择线的结构，也可以是一列的量的像素块，被分割为多个组，并且各组共用一条X选择线的结构。在采用后者这种结构时，在上述像素块中将多个上述像素电路并行排列成为一行，上述电光元件具有包括按每个像素电路为分别的像素电极和对全部像素电路为共用的共用电极的像素电容，对于上述像素块的像素电路的排列方向，上述像素电极的排列间距比上述存储电路的排列间距宽为优选。
另外，本发明的概念不仅可以是电光装置，也可以是具有该电光装置的电子设备。
图1为示出本发明的实施方式的电光装置的结构的框图。
图2为示出同一电光装置的像素块等结构的示图。
图3为示出对同一电光装置的存储电路的写入工作的示图。
图4为示出同一电光装置的应用例的像素块等的结构的电路图。
图5为示出同一电光装置的应用例的像素块等的结构的平面图。
图6为示出应用实施方式的电光装置的便携电话机的结构的示图。
附图标记说明1…电光装置、10…像素块、20…像素电路、30…存储电路、40…选择电路、105…液晶、108…共用电极、118…像素电极、150…液晶元件、211…X选择线、215…位线、216…互补位线、240…X地址译码器、311…Y选择线、350…Y地址译码器、1200…便携电话机具体实施方式
下面参照附图对本发明的实施方式进行说明。
实施方式中的电光装置是具有液晶元件作为电光元件的液晶装置，其结构为形成有各种晶体管及像素电极的元件基板和形成有共用电极的对向基板互相以电极形成面对向，保持一定间隙进行粘接，在此间隙中夹持TN(扭曲向列)型的液晶。
图1为示出此电光装置1的电结构的框图。
如此图所示，在电光装置1的显示区域100中，设置成240行的Y选择线311分别在行(X)方向上延伸，另一方面，120列的X选择线211在列(Y)方向上延伸。像素块10设置成为与240行的Y选择线311和120列的X选择线211的交叉处相对应。因此，在本实施方式中，像素块10，在显示区域100中排列成为纵240行×横120列。
Y地址译码器350是对由图示中省略的上位控制电路供给的Y地址Ady所指定的行的Y选择线311互斥地输出H电平的行选择信号的器件。另外，为了方便起见，在显示区域100中，将供给自上而下的第1、2、3、…、240行的Y选择线311的行选择信号分别标记为Y1、Y2、Y3、…、Y240。另外，对于行选择信号，在不特别特定某一行进行一般说明时，标记为Yi。其中，i为满足1≤i≤240的整数。
另一方面，X地址译码器240是对由上位控制电路供给的X地址Adx所指定的列的X选择线211互斥地输出H电平的列选择信号的器件。另外，为了方便起见，在显示区域100中，将供给从左至右的第1、2、3、…、120列的X选择线211的列选择信号分别标记为X1、X2、X3、…、X120。另外，对于列选择信号，在不特别特定某一列进行一般说明时，标记为Xj。其中，j为满足1≤j≤120的整数。
下面，对像素块10进行详细说明。各像素块10，在结构上是相同的。因此，对于像素块10，以与第1行的Y选择线311和第1列的X选择线211的交叉处相对应的像素块为代表进行说明。图2为示出其结构的电路图。
如图2所示，一个像素块10是由沿着X方向排列的8个像素电路20构成的。因此，在本实施方式中，像素电路20，在显示区域100配置成为纵240行×横960列的矩阵形状。
在图1中在图示中省略，在排列成为矩阵形状的像素电路20中，如图2所示，位线215及互补位线216在列(Y)方向上延伸设置，与像素电路20的每列相对应。如上所述，像素电路20，因为在本实施方式中是横960列，所以对于位线215及互补位线216也设置960组。
为了方便起见，在显示区域100中，将由自左而右的第1、2、3、…、960列的位线215供给的数据位分别标记为D1、D2、D3、…、D960，将由第1、2、3、…、960列的互补位线216供给的反相数据位分别标记为/D1、/D2、/D3、…、/D960时，对于第j列的像素块10，相对应的是自第(8j-7)列至第(8j)列的位线215及互补位线216的8组。
此外，对于各像素电路20，在纵240行×横960列的范围内互相相同。因此，在图2中，也是示出第1行第1列作为代表来表示像素电路20。
如图2所示，像素电路20，具有静态型存储电路30、选择电路40及液晶元件150。
其中，存储电路30，具有用作静态元件的n沟道型的薄膜晶体管(以下简称为“TFT”)122、124、126、128和NOT(反相)电路132、134。
对于TFT122，其源电极与位线215相连接，其漏电极与TFT124的源电极相连接，而其栅电极与Y选择线311相连接。对于TFT124，其漏电极与NOT电路132的输入端相连接，而其栅电极与X选择线211相连接。NOT电路132的输出端，与NOT电路134的输入端相连接，而NOT电路134的输出端反馈连接到NOT电路132的输入端。
其中，以NOT电路132的输入端(NOT电路134的输出端)作为存储电路30的(正相)端子Q，以NOT电路134的输入端(NOT电路132的输出端)作为存储电路30的(反相)端子/Q。
另外，因为存储电路30是互补型，对于TFT126，其源电极与互补位线216相连接，其漏电极与TFT128的源电极相连接，而其栅电极与Y选择线311相连接。另外，对于TFT128，其漏电极与NOT电路134的输入端相连接，而其栅电极与X选择线211相连接。
这种存储电路30，其构成为在供给Y选择线311的行选择信号成为H电平，并且供给X选择线211的列选择信号成为H电平时，使TFT122、124、126及128同时导通，使由位线215供给的后述的位由端子Q保持，另一方面，使将该位Xj进行逻辑反相的反相位由端子/Q保持。
选择电路40，具有传输门142、144。其中，对传输门142的输入端供给信号Von，另一方面对传输门144的输入端供给信号Voff，传输门142、144的输出端共同连接到按每个像素分别形成的像素电极118。另外，传输门142的正相控制栅及传输门144的反相控制栅与存储电路30的端子Q相连接，而传输门142的反相控制栅及传输门144的正相控制栅与存储电路30的端子/Q相连接。其中，信号Von及信号Voff分别是使后述的液晶元件成为导通或断开的信号，由上位控制电路共通供给各像素电路20。
传输门142、144，在正相控制栅为H电平(反相控制栅为L电平)时，在输入端及输出端之间为导通(导通状态)。
因此，其结构为在存储电路30的端子Q为H电平时，传输门142、144分别成为导通、截止，信号Von施加到像素电极118上，另一方面，在端子Q为L电平时，传输门142、144分别成为截止、导通，信号Voff施加到像素电极118上。
作为电光元件的一例的液晶元件150的结构为在按每个像素为分别的像素电极118和在全部像素范围内共用的共用电极108之间夹持TN型的液晶105。
另外，在本实施方式中，对共用电极108，如图3所示，按每一帧(1F约16.7毫秒)施加进行极性反相的信号LCcom。信号LCcom，与信号Von及信号Voff一样，由上位控制电路共通供给于各像素电路20。
另外，信号Von，具有与该信号LCcom的逻辑电平反相的关系，另一方面，信号Voff，具有与该信号LCcom逻辑电平相同的关系。
另外，信号Von、Voff、LCcom，在H电平时取电源电压Vdd，在L电平时取接地电压Gnd。
特别是，虽然图中未示出，在两基板的各对向面上，分别设置使液晶分子的长轴方向，在两基板之间，比如，连续地扭曲约90度地被进行摩擦处理的取向膜，另一方面，设置与取向方向相应的偏振镜。因此，通过像素电极118和共用电极108之间的光，在两电极间的电压有效值为零时，沿着液晶分子的扭曲旋光约90度，另一方面，随着该电压有效值的增加，液晶分子向着电场方向倾斜的结果，其旋光性消失。因此，在该电压有效值接近零时，光的反射率(透射率)变大，另一方面，在电压有效值增大时，透射率降低(常白模式)。
再次返回图1进行说明，采样保持电路250，将由上位控制电路供给的8个数据位Db采样并分别传送到与由X地址译码器240选择的X选择线211相对应的8列位线215，并使该数据位Db分别进行逻辑反相，供给对应的8列互补位线216。
另外，在本实施方式中，X地址译码器240，采样保持电路250，Y地址译码器350及像素块10的构成元件，全部可以利用低温多晶硅处理同时形成。
下面对本实施方式的电光装置的工作进行说明。
首先，因为在电光装置1中，在各像素电路20的存储电路30中，是以数据位被存储的状态为前提的，所以对向该存储电路30的数据位的存储工作进行说明。
在本实施方式中，对于存储电路30的数据位的存储工作，是以像素块10为单位进行的。此处，比如，在对i行j列的像素块10的8个像素电路20进行数据位存储时，上位控制电路，输出指定第i行的Y地址Ady并输出指定第j列的X地址Adx，并且还将需要存储到属于该像素块10的像素电路20，即第i行的从第(8j-7)列至第8j列的像素电路20中的数据位Db以8位的量进行输出。
利用此X地址Adx，X地址译码器240，使列选择信号Xj变成为H电平。因此，采样保持电路250，对需要存储的数据位Db的8位的量进行采样，供给与第j列相对应的8组位线215。详细言之，采样保持电路250，以数据位Db的8位的量，将应该存储到第i行的从第(8j-7)列至第8j列的像素电路20中的数据位Db，分别作为位X(8j-7)、X(8j-6)、X(8j-5)、…、X8j供给从第(8j-7)列至第8j列的位线215。
此外，采样保持电路250，使应该存储的数据位Db进行逻辑反相，作为位/X(8j-7)、/X(8j-6)、/X(8j-5)、…、/X8j供给从第(8j-7)列至第8j列的互补位线216。
另外，采样保持电路250，对其以外的位线215及互补位线216不供给任何数据位。
另一方面，利用指定第i行的Y地址Ady，Y地址译码器350，只使行选择信号Yi成为H电平。
因为在属于i行j列的像素块10的8个像素电路20中，由于行选择信号Yi成为H电平，TFT122、126变成导通状态，此外，由于列选择信号Xj成为H电平，TFT124、128变成导通状态，所以由位线215供给的位写入到端子Q，由互补位线216供给的位写入到端子/Q。
在此状态下，行选择信号Yi或列选择信号Xj的一方或两方变成L电平时，在属于i行j列的像素块10的8个像素电路20中，TFT122、126或124、128分别变成截止状态或者任何一个都变成截止状态。因此，在存储电路30中，端子Q和端子/Q分别与位线215及互补位线216电分离，存储电路30持续保持所写入的位。
另外，在列选择信号Xj为H电平，行选择信号Yi为H电平时，在i行j列的像素块10以外的像素电路20中，行选择信号或列选择信号中的任一个或行选择信号及列选择信号两者为L电平。
因此，在这些像素电路20中，因为TFT122、124(126、128)的一方或两方变成截止，存储电路30的端子Q与位线215电分离，同样，端子/Q与互补位线216电分离。因此，i行j列的像素块10以外的像素电路20的存储电路30，不会受到位线215、互补位线216的电压变化的任何影响。
就是说，在这些像素电路20的存储电路30中，如果数据位业已写入，可以与位线215、互补位线216的电压状态无关而持续保持该数据位。
在电源接通后立即对全部像素块10执行这种写入工作，因此，在全部像素电路20的存储电路30中，可以保持H或L电平的任何一种数据位。
另外，即使是在显示内容改变时，规定改变后的显示内容的数据位Db汇总为8位的量，与X地址Adx及Y地址Ady一起由上位控制电路供给，分别重写保持在由该X地址Adx及Y地址Ady指定的像素块10的8个存储电路30中的数据位。
之后，对以这种方式在各像素电路20中分别保持有数据位时，液晶元件150如何变化这一观点进行说明。
首先，在像素电路20的存储电路30中，因为在端子Q被保持为L电平时(即端子/Q被保持为H电平时)，传输门142、144分别变成截止、导通，对该像素的像素电极118，如图3所示，施加与共用电极108处于同一逻辑关系的信号Voff。因此，因为施加到液晶元件150的电压VLC，此处，从像素电极118的电位减去共用电极108的电位的电压为零，所以在是常白模式时，该像素变成明亮的断开状态。
另一方面，在像素电路20的存储电路30中，因为在端子Q被保持为H电平时(即端子/Q被保持为L电平时)，传输门142、144分别成为导通、截止，所以对该像素的像素电极118，如图3所示，施加与共用电极108处于逻辑反相关系的信号Von。因此，因为施加于液晶元件150的电压VLC就绝对值而言成为Vdd，所以在常白模式时，该像素变成暗的导通状态。
这种导通或断开的任何一种显示，相应于存储电路30的保持状态，在各像素电路20中执行，显示预定的图像。
这样，利用本实施方式，因为是以与X选择线211及Y选择线311的交叉处相对应的像素块10作为单位，使存储电路30的TFT122、124、128、126成为导通状态重写数据位，不使未选择的像素块10的存储电路30的TFT成为导通状态，所以与数据线驱动器使数据线成为高阻抗状态而重写数据位的结构相比较，可以实现低功耗化。
另外，在本实施方式中，因为在除了位于由Y地址Ady指定的行及由X地址Adx指定的列的交叉处的像素块10以外处，存储电路30的端子Q、端子/Q分别与位线215、互补位线216电分离，所以也可以防止存储电路30的保持内容受到位线215、互补位线216的噪声的影响。
然而，在上述实施方式中，一列X选择线211与240个像素块10相连接，一个像素块10具有8个像素电路20，并且在一个像素电路20中TFT124、128的栅与X选择线211相连接。因此，栅与X选择线211的一列相连接的TFT的个数为3840(＝240×8×2)个。另一方面，由于一行的Y选择线311与120个像素块10相连接，栅与Y选择线311的一行相连接的TFT的个数为1920(＝120×8×2)个。
因此，在假设TFT122(126)和TFT124(128)的晶体管尺寸(特别是沟道宽度)相同时，附加于一列的X选择线211的栅电容变得大于一行的Y选择线311的栅电容。
因为在重写数据位时，通常是对画面进行垂直及水平扫描，所以可以认为X选择线211的选择次数一方变得大于Y选择线311的选择次数。在考虑低功耗化时，在一次选择X选择线211之时的电容负载小为优选是当然的。
于是，比如，在忽略布线电容时，在使TFT124、128的沟道宽度小于TFT122、126的沟道宽度，比如，变成一半时，可以使X选择线211的一列的栅电容和Y选择线311的一行的栅电容成为大致相同。
但是，因为，比如，在一行的像素电路20中，在对全部进行数据位重写时，相对于Y选择线311的一次选择，必须顺序地每次一列选择X选择线211(即对X选择线211选择120次)，所以必须进一步使附加于X选择线211的电容负载减小，但是晶体管的沟道宽度的减小也是有限度的。
在此，也可以不是由一条X选择线211共用一列的量的240个像素块10，而是将各多个像素块10组成一个组并对同一组的像素块10共用一条X选择线211的结构。
图4为示出在一列的量的像素块10中将每两个组成一个组，在各组中共用一条X选择线211的结构的示例。
另外，在此示例中，因为一列的量的像素块10为240个，在使像素块10每两个组成一组时，在一列中产生120个组。因此，成为在一列中，X选择线211可以设置120根，对于这些X选择线211，就第1列而言，将各个列选择信号X1-1、X1-2、X1-3、…、X1-120分别从X地址译码器240供给，而就不特定列的第j列而言，将各个列选择信号Xj-1、Xj-2、Xj-3、…、Xj-120分别从X地址译码器240供给的结构。
另外，在这种结构中，虽然在图中未特别示出，但在X地址译码器240中，与X地址Adx一起还供给Y地址Ady。利用这一结构，X地址译码器240，可以输出在由X地址Adx指定的列中的由Y地址Ady指定的行所属的组的列选择信号。比如，在图4所示的结构中，由X地址Adx指定的列为从左数起的第2列，在由Y地址Ady指定的行是从上数起的第3行时，X地址译码器240只使列选择信号X2-2成为H电平。另外，在此结构中，Y地址译码器350使与由行地址Ady指定的行相对应的行选择信号成为H电平这一点与图1所示的结构相同。
然而，在将各为多个的一列的量的像素块10分组时，像素块10的每一列的X选择线211的根数飞跃增加(在图4的示例中从1根增加到120根)。因此，必须将用来设置X选择线211的布线区域对像素块10的每一列(就像素电路20而言为各8个)进行设置。
另一方面，如本实施方式所示，在像素电路20排列成为矩阵形状时，考虑到半导体的制造工艺(特别是曝光时的掩模图形)，优选是做成以像素块10作为单位的重复图形。
因此，对于像素块10及像素电路20，可以考虑如图4所示的平面配置。在此配置中，设置像素电极118的间隔(间距)也不同，使显示画面产生不协调感。
因此，如图5所示，采用在像素电路20中，对于存储电路30及选择电路40，以像素块10作为单位进行配置，另一方面，在像素电路20之中，对于像素电极118，以与像素块10的配置无关的规则间距排列的结构是优选。
详细言之，在使显示区域100成为反射模式时，在元件基板中，存储电路30及选择电路40，对于Y方向以间距Mp，与X选择线211及Y选择线311一起形成，另一方面，为了对这些进行覆盖，经绝缘层以间距Pp形成像素电极118。另外，在图5中为了进行说明，图示的是像素电极118相对存储电路30及选择电路40在Y方向上错开的状态，但在实际上，像素电极118的排列成为覆盖X选择线211、存储电路30及选择电路40(就是说，从平面上观察，像素电极118位于存储电路30及选择电路40的上层)，并且尽量没有间隙。因此，像素电极118的排列间距Pp，比存储电路30及选择电路40的排列间距Mp宽。另外，此排列间距Pp的8倍，在本实施方式中，与像素块10的排列间距Bp相等。
另外，在实施方式中，是假设在像素块10中包括的像素电路20的个数为8个，但个数既可以是其以外的多数，也可以是单数的一个。
另外，在实施方式中，是假设信号LCcom以一帧为周期电平发生反相，但使信号LCcom的电平发生反相的理由，不过是由于对液晶元件150进行交流驱动而已。因此，比如，也可以是使信号LCcom的电平以大于等于2帧为周期发生反相的结构。
此外，液晶元件150，是假设为常白模式，但也可以是不施加电压的状态时为暗的状态的常黑模式。
另外，在实施方式中，为了简化说明，假设是导通和断开的两值显示，但也可以是各像素电路20，比如，在向着X方向与RGBRGB…的三原色相对应地对各个颜色进行可以导通和断开的8色的彩色显示的结构。
另外，在实施方式中，也可以是各像素电路20，比如，向着X方向对于RGB的三原色使之成为使色调的范围改变的颜色，并且还可以添加一色(比如，青(C)色系)，与RGBCRGBC…4色相对应而提高色再现性的结构。
除此之外，并不限定于反射型，也可以是透射型及两者之间的半透射半反射型。此外，除了TN型之外，也可以使用STN型等的液晶，其是将在分子的长轴方向和短轴方向上可见光的吸收具有各向异性的染料(宾)溶解在一定的分子排列的液晶(主)中，使染料分子与液晶分子平行排列的宾-主型等的液晶。除此之外，也可以采用在不施加电压时液晶分子相对两基板在垂直方向上排列，另一方面，在施加电压时液晶分子相对两基板在水平方向上排列的所谓垂直取向(垂直(homeotropic)取向)的结构以及所谓的IPS(面内开关方式，包括FSS)方式。
此外，作为电光元件，除了液晶元件，也可以应用于EL(电致发光)元件、电泳元件、电子发射元件、数字镜元件等等以及等离子显示器等。就是说，本发明可以应用于所有在存储电路中存储指示导通或断开的二值数据位的电光装置。
<电子设备>
下面对具有上述实施方式的电光装置1将其作为显示装置的电子设备进行说明。图6为示出应用实施方式的电光装置1的便携电话机1200的结构的立体图。
如此图所示，便携电话机1200，除了多个操作键1202之外，与受话口1204、送话口1206一并，具有上述电光装置1的显示区域100。另外，在电光装置1中，对于显示区域100以外的结构要素在外观上没有表现。
另外，作为应用电光装置1的电子设备，除了图6所示的便携电话机之外，还可以举出的有数字静止相机、笔记本电脑、液晶电视、取景器型(或监视器直视型)的录影机；汽车导航装置；寻呼机；电子手册；台式计算器；文字处理机；工作站；电视电话；POS终端机、具有触摸面板的设备等等。于是，比如，可以应用上述的电光装置1作为这些各种电子设备的显示装置是自不待言的。因此，在任何一种电子设备中都会受益于电光装置1的低功耗化。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，具有选择多条X选择线的任何一条的X地址译码器；选择多条Y选择线的任何一条的Y地址译码器；以及与上述多条X选择线和上述多条Y选择线的交叉处相对应而设置的多个像素块；上述多个像素块包括一个或多于一个像素电路，一列的上述像素电路彼此共用位线和互补位线，上述像素电路包括存储电路、选择电路和像素电极，上述存储电路，在上述位线及上述互补位线和上述存储电路之间具有多个晶体管，该多个晶体管在与本身所属的像素块相对应的X选择线及Y选择线被同时选择时变成导通状态，该存储电路在上述多个晶体管为导通状态时保持由对应的位线所供给的数据位，上述选择电路，基于在上述存储电路所保持的数据位，选择使电光元件成为导通状态或断开状态的信号，而供给上述像素电极。
2.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述存储电路包括栅电极与上述Y选择线相连接、且源电极与上述位线相连接的第1晶体管；栅电极与上述X选择线相连接、且源电极与上述第1晶体管的漏电极相连接、漏电极与反相电路的一端相连接的第2晶体管；栅电极与上述Y选择电路相连接、且源电极与上述互补位线相连接的第3晶体管；以及栅电极与上述X选择线相连接、且源电极与上述第3晶体管的漏电极相连接、漏电极与上述反相电路的另一端相连接的第4晶体管。
3.如权利要求2所述的电光装置，其特征在于上述第2晶体管及上述第4晶体管的沟道宽度比上述第1晶体管及上述第3晶体管的沟道宽度窄。
4.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于一列的像素块彼此共用一条X选择线。
5.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于一列的量的像素块，被分割为多个组，且各组共用一条X选择线。
6.如权利要求5所述的电光装置，其特征在于上述像素块，将多个上述像素电路并行排列成为一行，上述电光元件具有像素电容，该像素电容包括按每个像素电路分别配置的像素电极和对全部像素电路为共用的共用电极，对于上述像素块的像素电路的排列方向，上述像素电极的排列间距比上述存储电路的排列间距宽。
7.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于上述选择电路包括在输入端被供给使上述电光元件变成导通状态的信号、并且输出端与上述像素电极相连接的第1传输门；和在输入端被供给使上述电光元件变成断开状态的信号、并且输出端与上述像素电极相连接的第2传输门；基于上述数据位对上述第1传输门及上述第2传输门进行控制。
8.一种电子设备，其特征在于具有如权利要求1至7中的任何一项所述的电光装置。
全文摘要
本发明的目的是在每个像素中具有存储电路的结构中做到进一步的低功耗化。像素电路(20)包括TFT(122、124、126、128)；存储电路(30)及液晶元件(150)。其中，TFT(122、124)(或者126、128)，在位线(215)(互补位线(216))和存储电路(30)之间，在与本身所属的像素块相对应的X选择线(211)及Y选择线(311)被选择时双方变成导通。存储电路(30)，在TFT(122、124)(或者126、128)两者都成为导通时，保持由对应的位线(215)供给的数据位。液晶元件(150)，按照保持在存储电路(30)中的数据位，变成导通或断开中的任何一种显示状态。
文档编号G02F1/136GK1928641SQ20061015142
公开日2007年3月14日 申请日期2006年9月7日 优先权日2005年9月7日
发明者小泽裕, 山崎卓 申请人:三洋爱普生映像元器件有限公司