专利名称：：防反射膜的形成方法
技术领域：
：本发明涉及防反射膜的形成方法。
背景技术：
：以往玻璃或透明塑料被用作光学部件、透镜、棱镜、光盘、照相机镜头、眼镜、液晶屏、等离子显示器、布劳恩管、显示器、机器仪表罩、太阳能电池、太阳能电池板(太阳能电池组件)、太阳光收集器、窗玻璃、车辆用玻璃及展览窗玻璃等透明部件材料。在这些透明部件的表面时常形成有作为防止反射层的防反射膜。作为其形成方法可举出单层膜或多层膜的真空蒸镀或浸渍涂布等方法。另一方面，在这些透明部件中根据其用途、目的，有时也需要强化处理。特别是太阳能电池板的覆盖玻璃、建材用玻璃、汽车用玻璃及显示器用玻璃，通常实施强化处理。为了使用单层的防反射膜得到良好的防反射效果，该防反射膜的折射率相对于透明部件的折射率需要为1/2次方左右。例如构成透明部件的光学玻璃通常具有1.471.92的折射率。因此，作为防反射膜的折射率，要求为1.211.38左右。无机材料中MgF2显示出最低的折射率，但是其折射率也为1.38左右。通常的玻璃材料和透明塑料的折射率为1.5左右，从而期待着显示出更低折射率的材料。然而，通常采用CVD法作为以无机材料为主成分的防反射膜的形成方法。但是，由CVD法形成防反射膜时，由于采用真空工艺，在提高生产性上存在限制，工序上的制约变大。从而，从成本方面考虑，难以说将CVD法应用于制造太阳能电池板的覆盖玻璃、建材用玻璃、汽车用玻璃是实用的。另外，针对低折射率的防反射膜的要求，尝试了使防反射膜材料多孔质化以实现低折射率(参照例如专利文献112)。专利文献1:日本特开昭58-116507号公报专利文献2:日本特开昭62-226840号公报专利文献3:日本特开平1-312501号公报专利文献4:日本特开平3-199043号公报专利文献5:日本特开平5-157902号公才艮专利文献6:日本特开平6-3501号公报专利文献7:日本特开平6-157076号公才艮专利文献8:日本特开平7-140303号公报专利文献9:日本特开平7-150356号公报专利文献10:日本特开平7-333403号公报专利文献11:日本特开平9-249411号乂>才艮专利文献12:日本特开2000-147750号公报
发明内容发明要解决的问题然而，通过以专利文献112记载的内容为代表的现有的防反射膜形成方法来获得具有防反射膜的透明部件时成本仍然较高，迫切期望进一步低成本化。因此，本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供能够以充分低的成本形成防反射膜的防反射膜形成方法。解决问题的手段为了实现上述目的，本发明提供一种防反射膜的形成方法，具有同时进行在玻璃体表面上形成的包含防反射膜前体的涂膜的烧结处理和上述玻璃体的强化处理的工序。由此，本发明将防反射膜的形成工艺的一部分与玻璃体的强化处理同时来进行，从而不仅能够实现充分的低成本化，而且工序也被缩短。本发明中，上述烧结处理和强化处理优选在400800。C进行。由此，不仅可以降低防反射膜的折射率，而且可以更有效地进行玻璃体的强化。本发明中，防反射膜优选为二氧化硅系覆膜。二氧化硅系覆膜的适于涂膜的烧结处理的温度与玻璃体的强化处理的温度相同或近似。因此，防反射膜为二氧化硅系覆膜时，不仅能够实现充分的低成本化，而且容易使防反射膜的折射率更低。另外，防反射膜为多孔质的二氧化硅系覆膜时，可以进一步降低折射率，提高防反射效果。本发明中上述涂膜优选将二氧化硅系覆膜形成用组合物涂布到玻璃体表面上并干燥而得到，所述二氧化硅系覆膜形成用组合物含有(a)成分硅氧烷树脂、(b)成分可溶解(a)成分的溶剂和(c)成分固化促进催化剂。通过进一步烧结这种涂膜得到的防反射膜与专利文献113中记载的防反射膜相比，可以显示出特别低的折射率。这被认为是由于通过并用二氧化硅系化合物中高分子量的硅氧烷树脂和固化促进催化剂，得到的防反射膜(二氧化硅系覆膜)，与现有的防反射膜相比，具有非常多的足够致密的空孔。发明的效果根据本发明，可以提供以充分低的成本形成防反射膜的防反射膜形成方法。图1是表示本发明的包括白板强化玻璃和防反射膜的层叠体的截面示意图。图2是表示防反射膜(白板强化玻璃)的反射率的波长依存性的图。图3是本发明的硅太阳能电池的平面示意图。图4是表示本发明的硅太阳能电池的制造工序的工序截面图。图5是表示本发明的多个太阳能电池相互布线连接的方式的示意图。图6是透视了本发明的太阳能电池组件的斜视示意图。图7是部分地表示本发明的太阳能电池组件的截面示意图。图8是对本发明的实施例中的防反射膜表示反射率的波长依存性的图。图9是对本发明的实施例中的防反射膜表示反射率的波长依存性的图。图10是对本发明的实施例中的防反射膜表示反射率的波长依存性的图。图11是对本发明的实施例中的防反射膜表示反射率的波长依存性的图。符号说明l...硅衬底、2…紋理面、3…n型层、4…防反射膜、5…表面电极用银浆料、6…背面电极用铝浆料、7…表面银电极(栅电极)、8…背面铝电极、9…p+层、10…表面银电极(汇流电极)、11…背面银电极(汇流电极)、M…太阳能电池、52a、52b…片状电极、53…背片、54…横向片状布线、55、56…电极接片、57…白板强化玻璃、58…太阳能电池密封材料、60…防反射膜、100…层叠体、600…太阳能电池组件具体实施例方式本发明的防反射膜的形成方法具有同时进行在玻璃体的表面上形成的包含防反射膜的前体的涂膜的烧结处理和上述玻璃体的强化处理的工序。以下根据需要参照附图对本发明的适宜实施方式进行详细的说明。这里，附图中对同一构件赋予同一符号，省略重复说明。另外，只要没有特别说明，上下左右等位置关系基于附图所示的位置关系。进而，附图的尺寸比率并不限于图示的比率。另外，本说明书中的"(曱基)丙烯酸酯"是指"丙烯酸酯"及与之对应的"曱基丙烯酸酯"。本实施方式的防反射膜的形成方法包括将二氧化硅系覆膜形成用组合物涂布到玻璃体的表面上而形成涂膜的涂布工序，除去包含在涂膜中的溶剂的溶剂除去工序以及同时进行涂膜的烧结处理和上述玻璃体的强化处理的烧结强化工序。在涂布工序中，作为将二氧化硅系覆膜形成用组合物涂布到玻璃体的表面上的方法没有特別限制，可举出例如旋转涂布、刷毛涂布、喷涂、狭缝涂布、模唇涂布、印刷法等。在涂布工序中使用的二氧化硅系覆膜形成用组合物为防反射膜的前体，含有下述(a)(c)成分。并且，该组合物根据需要可以进一步含有(d)成分和/或其他成分。〈(a)成分〉(a)成分为硅氧烷树脂，可以使用公知的树脂，优选在树脂的末端或侧链等具有OH基。由此，可以进一步进行使二氧化硅系覆膜形成用组合物固化的水解缩合反应。另外，从提高对溶剂的溶解性、机械特性、成型性等角度考虑，硅氧烷树脂的重均分子量(Mw)优选为5001000000,更优选为500500000,进一步优选为500100000，特别优选为50010000，尤其优选为5005000。该重均分子量小于500时，有二氧化硅系覆膜的成膜性差的倾向；该重均分子量超过1000000时，有与溶剂的相溶性低的倾向。在本说明书中，重均分子量是通过凝胶渗透色谱法(以下称为"GPC，，)测定且使用标准聚苯乙烯的标准曲线进行换算而得到的值。重均分子量(Mw)可以通过例如下述条件的GPC进行测定。试样二氧化硅系覆膜形成用组合物10|iL标准聚苯乙烯东曹林式会社制造标准聚苯乙蹄(分子量190000、17900、9100、2980、578、474、370、266)检测器抹式会社日立制作所社制造RI监测器、商品名"L-3000"积分仪抹式会社日立制作所社制造GPC积分仪、商品名"D-2200"泵抹式会社日立制作所社制造、商品名"L-6000"脱气装置昭和电工株式会社制造、商品名"ShodexDEGAS"柱将日立化成工业抹式会社制造的商品名"GL-R440"、"GL-R430"、"GL-R420"的柱依次连接来使用洗脱液四氢呋喃(THF)测定温度23。C流速1.75mL/分钟测定时间45分钟作为优选的硅氧烷树脂，可举出例如以下述通式(1)表示的化合物为必要成分进行水解缩合而得到的树脂等，通式(1):R、SiX4-n...(1)。在此，式中W表示包含B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子及Ti原子中的至少一种的基团(除了碳原子数120的有机基团)、碳原子数120的有机基团、H原子或F原子，X表示水解性基团，n表示04的整数；n为2时各R'可以相同也可以不同，n为02时各X可以相同也可以不同。作为水解性基团X,可举出例如烷氧基、芳氧基、卣原子、乙酰氧基、异氰酸酯基和羟基。其中，从组合物自身的液态稳定性和涂布特性等角度考虑，优选烷氧基或芳氧基，更优选烷氧基。作为水解性基团X为烷氧基时由通式(1)表示的化合物(烷氧基硅烷)，可举出例如各自可以被取代的四烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷和二烷氧基硅烷。作为四烷氧基硅烷，可举出例如四曱氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四仲丁氧基硅烷和四叔丁氧基硅坑。作为三烷氧基硅烷，可举出例如三曱氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷、氟代三曱氧基硅烷、氟代三乙氧基硅烷、曱基三曱氧基硅烷、曱基三乙氧基硅烷、曱基三正丙氧基硅烷、曱基三异丙氧基硅烷、曱基三正丁氧基硅烷、曱基三异丁氧基硅烷、曱基三叔丁氧基硅烷、乙基三曱氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基三正丙氧基硅烷、乙基三异丙氧基硅烷、乙基三正丁氧基硅烷、乙基三异丁氧基硅烷、乙基三叔丁氧基硅烷、正丙基三曱氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、正丙基三正丙氧基硅烷、正丙基三异丙氧基硅烷、正丙基三正丁氧基硅烷、正丙基三异丁氧基硅烷、正丙基三叔丁氧基硅烷、异丙基三曱氧基硅烷、异丙基三乙氧基硅烷、异丙基三正丙氧基硅烷、异丙基三异丙氧基硅烷、异丙基三正丁氧基硅烷、异丙基三异丁氧基硅烷、异丙基三叔丁氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、正丁基三乙氧基硅烷、正丁基三正丙氧基硅烷、正丁基三异丙氧基硅烷、正丁基三正丁氧基硅烷、正丁基三异丁氧基硅烷、正丁基三叔丁氧基硅烷、仲丁基三曱氧基硅烷、仲丁基三乙氧基硅烷、仲丁基三正丙氧基硅烷、仲丁基三异丙氧基硅烷、仲丁基三正丁氧基硅烷、仲丁基三异丁氧基硅烷、仲丁基三叔丁氧基硅烷、叔丁基三甲氧基硅烷、叔丁基三乙氧基硅烷、叔丁基三正丙氧基硅烷、叔丁基三异丙氧基硅烷、叔丁基三正丁氧基硅烷、叔丁基三异丁氧基硅烷、叔丁基三叔丁氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三正丙氧基硅烷、苯基三异丙氧基硅烷、苯基三正丁氧基硅烷、苯基三异丁氧基硅烷、苯基三叔丁氧基硅烷、三氟曱基三甲氧基硅烷、五氟乙基三甲氧基硅烷、3，3，3-三氟丙基三曱氧基硅烷及3,3,3-三氟丙基三乙氧基硅貌。作为二烷氧基硅烷，可举出例如二甲基二曱氧基硅烷、二曱基二乙氧基硅烷、二曱基二正丙氧基硅烷、二甲基二异丙氧基硅烷、二曱基二正丁氧基硅烷、二曱基二仲丁氧基硅烷、二甲基二叔丁氧基硅烷、二乙基二曱氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二正丙氧基硅烷、二乙基二异丙氧基硅烷、二乙基二正丁氧基硅烷、二乙基二仲丁氧基硅烷、二乙基二叔丁氧基硅烷、二正丙基二甲氧基硅烷、二正丙基二乙氧基硅烷、二正丙基二正丙氧基硅烷、二正丙基二异丙氧基硅烷、二正丙基二正丁氧基硅烷、二正丙基二仲丁氧基硅烷、二正丙基二叔丁氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、二异丙基二乙氧基硅烷、二异丙基二正丙氧基硅烷、二异丙基二异丙氧基硅烷、二异丙基二正丁氧基硅烷、二异丙基二仲丁氧基硅烷、二异丙基二叔丁氧基硅烷、二正丁基二曱氧基硅烷、二正丁基二乙氧基硅烷、二正丁基二正丙氧基硅烷、二正丁基二异丙氧基硅烷、二正丁基二正丁氧基硅烷、二正丁基二仲丁氧基硅烷、二正丁基二叔丁氧基硅烷、二仲丁基二曱氧基硅烷、二仲丁基二乙氧基硅烷、二仲丁基二正丙氧基硅烷、二仲丁基二异丙氧基硅烷、二仲丁基二正丁氧基硅烷、二仲丁基二仲丁氧基硅烷、二仲丁基二叔丁氧基硅烷、二叔丁基二曱氧基硅烷、二叔丁基二乙氧基硅烷、二4又丁基二正丙氧基硅烷、二4又丁基二异丙氧基硅烷、二叔丁基二正丁氧基硅烷、二叔丁基二仲丁氧基硅烷、二叔丁基二叔丁氧基硅烷、二苯基二曱氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、二苯基二正丙氧基硅烷、二苯基二异丙氧基硅烷、二苯基二正丁氧基硅烷、二苯基二仲丁氧基硅烷、二苯基二叔丁氧基硅烷、二(3,3,3-三氟丙基)二曱氧基硅烷及曱基(3，3,3-三氟丙基)二曱氧基硅烷。作为水解性基团X为芳氧基时由上述通式(1)表示的化合物，可举出例如各自可以被取代的四芳氧基硅烷、三芳氧基硅烷和二芳氧基硅烷。作为四芳氧基硅烷，可举出例如四苯氧基硅烷。作为三芳氧基硅烷，可举出例如三苯氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、乙基三苯氧基硅烷、正丙基三苯氧基硅烷、异丙基三苯氧基硅烷、仲丁基三苯氧基硅烷、叔丁基三苯氧基硅烷及苯基三苯氧基硅烷。作为二芳氧基硅烷，可举出二甲基二苯氧基硅烷、二乙基二苯氧基硅烷、二正丙基二苯氧基硅烷、二异丙基二苯氧基硅烷、二正丁基二苯氧基硅烷、二异丁基二苯氧基硅烷、二叔丁基二苯氧基硅烷及二苯基二苯氧基硅烷。另外，作为R1为碳原子数120的有机基团时由上述通式(1)表示的化合物，除了上述以外，还可举出例如二(三曱氧基曱硅烷基)曱烷、二(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、二(三正丙氧基曱硅烷基)曱烷、二(三异丙氧基曱硅烷基)曱烷、二(三曱氧基曱硅烷基)乙烷、二(三乙氧基曱硅烷基)乙烷、二(三正丙氧基曱硅烷基)乙烷、二(三异丙氧基甲硅烷基)乙烷、二(三甲氧基甲硅烷基)丙烷、二(三乙氧基曱硅烷基)丙烷、二(三正丙氧基曱硅烷基)丙烷和二(三异丙氧基曱硅烷基)丙烷等二甲硅烷基烷烃，以及二(三曱氧基甲硅烷基)苯、二(三乙氧基曱硅烷基)苯、二(三正丙氧基曱硅烷基)苯、二(三异丙氧基曱硅烷基)苯等二曱硅烷基苯。作为R'为包含Si原子的基团时由通式(1)表示的化合物，可举出例如六曱氧基二硅烷、六乙氧基二硅烷、六正丙氧基二硅垸及六异丙氧基二硅烷等六烷氧基二硅烷类，以及1，2-二曱基四曱氧基二硅烷、1，2-二甲基四乙氧基二硅烷及1，2-二曱基四丙氧基二硅烷等二烷基四烷氧基二硅烷类。作为水解性基团X为卤原子(卤基)时由通式(1)表示的化合物(卤化硅烷)，可举出例如上述的各烷氧基硅烷分子中的烷氧基被卣原子取代的化合物。进而，作为水解性基团X为乙酰氧基时由通式(1)表示的化合物(乙酰氧基硅烷)，可举出例如上述的各烷氧基硅烷分子中的烷氧基被乙酰氧基取代的化合物。进而，作为水解性基团X为异氰酸酯基时由通式(1)表示的化合物(异氰酸酯基硅烷)，可举出例如上述的各烷氧基硅烷分子中的烷氧基被异氰酸酯基取代的化合物。再者，作为水解性基团X为羟基时由通式(1)表示的化合物(羟基硅烷)，可举出例如上述的各烷氧基硅烷分子中的烷氧基被羟基取代的化合物。这些由通式(l)表示的化合物可以单独使用l种或者组合使用2种以上。另外，作为硅氧烷树脂，也可以使用由通式(1)表示的化合物的多聚物等的部分缩合物水解缩合而得到的树脂、由通式(1)表示的化合物的多聚物等的部分缩合物与由通式(1)表示的化合物水解缩合而得到的树脂、由通式(1)表示的化合物与其他化合物水解缩合而得到的树脂以及由通式(1)表示的化合物的多聚物等的部分缩合物与由通式(1)表示的化合物与其他化合物水解缩合而得到的树脂等。作为由通式(1)表示的化合物的多聚物等的部分缩合物，可举出例如六曱氧基二硅氧烷、六乙氧基二硅氧烷、六正丙氧基二硅氧烷及六异丙氧基二硅氧烷等六烷氧基二硅氧烷，进行了部分缩合的三硅氧烷、四硅氧烷、低聚硅氧烷等。作为上述的"其他化合物"，可举出例如具有聚合性双键或三键的化合物。作为具有聚合性双键的化合物，可举出例如乙烯、丙烯、异丁烯、丁二烯、异戊二烯、氯乙烯、醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、己酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、曱基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚、丙烯腈、苯乙烯、曱基丙烯酸、曱基丙烯酸曱酯、曱基丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸正丙酯、曱基丙烯酸异丙酯、甲基丙歸酸正丁酯、丙烯酸、丙烯酸曱酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸苯酯、乙烯基吡啶、乙烯基咪唑、丙烯酰胺、烯丙基苯和二烯丙基苯以及这些化合物部分缩合后的化合物等。作为具有三键的化合物可举出乙炔和乙炔基苯等。这样得到的硅氧烷树脂可以单独使用l种或者组合使用2种以上。使通式(1)表示的化合物水解缩合时使用的水的量，优选每1摩尔由通式(1)表示的化合物为0.1~1000摩尔，更优选为0.5100摩尔。该水的量小于0.1摩尔时，水解缩合反应有不充分地进行的倾向；水的量超过1000摩尔时，水解中或缩合中有产生凝胶物的倾向。另外，由通式(1)表示的化合物在水解缩合时，优选使用催化剂。作为这种催化剂的种类，可举出例如酸催化剂、碱催化剂、金属螯合化合物等。作为酸催化剂，可举出例如有机酸和无机酸。作为有机酸，可举出例如曱酸、马来酸、富马酸、酞酸、丙二酸、琥珀酸、酒石酸、苹果酸、乳酸、柠檬酸、醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、己二酸、癸二酸、丁酸、油酸、硬脂酸、亚油酸、亚麻酸、水杨酸、苯磺酸、苯曱酸、对氨基苯曱酸、对曱苯磺酸、曱烷磺酸、三氟曱烷磺酸及三氟乙烷磺酸。作为无机酸，可举出例如盐酸、磷酸、硝酸、硼酸、辟u酸及氢氟酸等。其中，作为有机酸优选马来酸，作为无机酸优选硝酸。这些酸催化剂可以单独使用1种或者组合使用2种以上。作为碱催化剂，可举出例如无机碱和有机碱。作为无机碱，可举出例如氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷及氢氧化铯等。作为有机-威，可举出例如吡啶、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二曱基单乙醇胺、单曱基二乙醇胺、氨、四曱基氬氧化铵、四乙基氩氧化铵、四丙基氢氧化铵、曱胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、十一烷基胺、十二烷基胺、环戊胺、环己胺、N，N-二甲基胺、N,N-二乙基胺、N,N-二丙基胺、N,N-二丁基胺、N,N-二戊基胺、N，N-二己基胺、N,N-二环戊基胺、N，N-二环己基胺、三甲基胺、三乙基胺、三丙基胺、三丁基胺、三戊基胺、三己基胺、三环戊基胺和三环己基胺。这些碱催化剂可以单独使用l种或者组合使用2种以上。作为金属螯合化合物，只要是具有金属和多配位基配位体的化合物就没有特别限制，还可以具有有机基团。作为金属螯合化合物中的金属，可举出例如钛、锆、铝等。作为多配位基配位体，可举出例如乙酰丙酮离子和乙酰乙酸乙酯。作为有机基团，可举出例如曱氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等烷氧基。作为金属螯合化合物的具体例，可举出三曱氧基.单(乙酰丙酮)钛、三乙氧基.单(乙酰丙酮)钛、三正丙氧基'单(乙酰丙酮)钛、三异丙氧基.单(乙酰丙酮)钛、三正丁氧基.单(乙酰丙酮)钛、三仲丁氧基.单(乙酰丙酮)钛、三叔丁氧基.单(乙酰丙酮)钛、二曱氧基.二(乙酰丙酮)钛、二乙氧基'二(乙酰丙酮)钛、二正丙氧基.二(乙酰丙酮)钛、二异丙氧基'二(乙酰丙酮)钛、二正丁氧基.二(乙酰丙酮)钛、二仲丁氧基.二(乙酰丙酮)钛、二叔丁氧基.二(乙酰丙酮)钛、单曱氧基.三(乙酰丙酮)钛、单乙氧基.三(乙酰丙酮)钛、单正丙氧基.三(乙酰丙酮)钛、单异丙氧基.三(乙酰丙酮)钛、单正丁氧基三(乙酰丙酮)钛、单仲丁氧基'三(乙酰丙酮)钛、单叔丁氧基.三(乙酰丙酮)钛、四(乙酰丙酮)钛、三曱氧基'单(乙酰乙酸乙酯)钛、三乙氧基.单(乙酰乙酸乙酯)钛、三正丙氧基.单(乙酰乙酸乙酯)钛、三异丙氧基.单(乙酰乙酸乙酯)钛、三正丁氧基单(乙酰乙酸乙酯)钛、三仲丁氧基.单(乙酰乙酸乙酯)钛、三叔丁氧基.单(乙酰乙酸乙酯)钛、二曱氧基.二(乙酰乙酸乙酯)钛、二乙氧基二(乙酰乙酸乙酯)钛、二正丙氧基'二(乙酰乙酸乙酯)钛、二异丙氧基，二(乙酰乙酸乙酯)钛、二正丁氧基.二(乙酰乙酸乙酯)钛、二仲丁氧基.二(乙酰乙酸乙酯)钛、二叔丁氧基.二(乙酰乙酸乙酯)钛、单甲氧基'三(乙酰乙酸乙酯)钛、单乙氧基.三(乙酰乙酸乙酯)钛、单正丙氧基'三(乙酰乙酸乙酯)钛、单异丙氧基.三(乙酰乙酸乙酯)钛、单正丁氧基.三(乙酰乙酸乙酯)钛、单仲丁氧基.三(乙酰乙酸乙酯)钛、单叔丁氧基.三(乙酰乙酸乙酯)钛、四(乙酰乙酸乙酯)钛等具有钛的金属螯合化合物，上述具有钛的金属螯合化合物的钛被锆、铝等替换的化合物等。这些化合物可以单独使用1种或者組合使用2种以上。由通式(1)表示的化合物的水解缩合时，优选使用上述催化剂进行水解。但是，二氧化硅系覆膜形成用组合物由于含有催化剂，也存在组合物的稳定性恶化的情况和/或可能对其他材料产生腐蚀等影响的情况。这种情况下例如可以在水解后从组合物中除去上述催化剂，或者将催化剂与其他化合物反应而使作为催化剂的功能失活。除去催化剂的方法和使催化剂反应的方法没有特别限制，可以采用蒸馏、离子色谱柱等进行除去。由通式(1)表示的化合物得到的水解生成物，可以通过再沉降等从组合物中耳又出。另外，作为通过反应使作为催化剂的功能失活的方法，例如催化剂为,威催化剂时，可举出添加酸催化剂，利用酸碱反应进行中和或者使pH为酸性侧的方法。同样，催化剂为酸催化剂时，可举出添加碱催化剂，利用酸碱反应进行.中和或者使pH为碱性侧的方法。该催化剂的使用量，相对于1摩尔由通式(1)表示的化合物优选为0.0001~1摩尔的范围。该使用量小于0.0001摩尔时，有实质上不进行反应的倾向；超过l摩尔时，水解缩合时有促进凝胶化的倾向。进而，由于通过该水解副产生的醇为质子性溶剂，因此优选使用蒸发器等进行除去。从对溶剂的溶解性、机械特性、成型性等角度考虑，这样得到的树脂的重均分子量优选为5001000000,更优选为500500000，进一步优选为500~100000,特别优选为50010000,尤其优选为500~5000。该重均分子量小于500时，有防反射膜的成膜性差的倾向；该重均分子量超过1000000时，有与溶剂的相溶性降低的倾向。当要求二氧化硅系覆膜形成用组合物与涂布其的底层的粘接性和机械强度时，形成硅氧烷树脂的硅氧烷键的每1个Si原子所结合的选自由H原子、F原子、B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子、Ti原子和C原子形成的组中的至少一种原子的总数(将其定义为特定结合原子(通式(1)中的R1)的总数(M))优选为1.30~0.20，更优选为1.000.20,特别优选为0.卯0.20,尤其优选为0.800.20。这样，可以抑制二氧化硅系覆膜对玻璃体等的粘接性和机械强度的降低。该特定结合原子的总数(M)小于0.20时，有二氧化硅系覆膜的介电特性差的倾向；超过1.30时，最终得到的防反射膜与玻璃体等的粘接性和机械强度等会较差。另外，上述的特定结合原子中，在二氧化硅系覆膜的成膜性方面，优选含有选自由H原子、F原子、N原子、Si原子、Ti原子和C原子形成的组中的至少一种原子；其中，在介电特性和机械强度方面，更优选含有选自由H原子、F原子、N原子、Si原子和C原子形成的组中的至少一种原子。另外，特定结合原子的总数(M)可以从硅氧烷树脂的加入量求出，例如可以采用由下述式(A)表示的关系算出。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>式中，Ml表示特定结合原子中与单一(仅仅一个)Si原子结合的原子的总数，M2表示特定结合原子中与2个Si原子结合的原子的总数，M3表示特定结合原子中与3个Si原子结合的原子的总数，Msi表示Si原子的总数。这种硅氧烷树脂可以单独使用l种或组合使用2种以上。作为组合2种以上硅氧烷树脂的方法，可举出例如组合具有不同重均分子量的2种以上硅氧烷树脂的方法、组合以不同化合物为必要成分进行水解缩合而得到的2种以上硅氧烷树脂的方法等。〈(b)成分〉(b)成分只要是可溶解(a)成分的溶剂就没有特别限制。作为(b)成分，可举出例如不显示供质子性的非质子性溶剂和显示供质子性的质子性溶剂。这些溶剂可以单独使用l种或组合使用2种以上。作为非质子性溶剂，可举出例如丙酮、甲基乙基酮、曱基正丙基酮、曱基异丙基酮、曱基正丁基酮、甲基异丁基酮、曱基正戊基酮、曱基正己基酮、二乙基酮、二丙基酮、二异丁基酮、三曱基壬酮、环己酮、环戊酮、曱基环己酮、2，4-戊二酮、丙酮基丙酮、，丁内酯和？戊内酯等酮系溶剂，二乙基醚、甲基乙基醚、曱基正二正丙基醚、二异丙基醚、四氢呋喃、曱基四氢呋喃、二噁烷、二曱基二噁烷、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二正丙基醚、乙二醇二丁基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇曱基乙基醚、二甘醇曱基单正丙基醚、二甘醇曱基单正丁基醚、二甘醇二正丙基醚、二甘醇二正丁基醚、二甘醇甲基单正己基醚、三甘醇二甲基醚、三甘醇二乙基醚、三甘醇甲基乙基醚、三甘醇曱基单正丁基醚、三甘醇二正丁基醚、三甘醇曱基单正己基醚、四甘醇二曱基醚、四甘醇二乙基醚、四甘醇曱基乙基醚、四甘醇曱基单正丁基醚、二甘醇二正丁基醚、四甘醇曱基单正己基醚、四甘醇二正丁基醚、丙二醇二曱基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇二正丙基醚、丙二醇二丁基醚、二丙二醇二曱基醚、二丙二醇二乙基醚、二丙二醇曱基乙基醚、二丙二醇曱基单正丁基醚、二丙二醇二正丙基醚、二丙二醇二正丁基醚、二丙二醇曱基单正己基醚、三丙二醇二曱基醚、三丙二醇二乙基醚、三丙二醇曱基乙基醚、三丙二醇曱基单正丁基醚、三丙二醇二正丁基醚、三丙二醇甲基单正己基醚、四丙二醇二甲基醚、四丙二醇二乙基醚、四丙二醇曱基乙基醚、四丙二醇曱基单正丁基醚、二丙二醇二正丁基醚、四丙二醇甲基单正己基醚和四丙二醇二正丁基醚等醚系溶剂，醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸正丙酯、醋酸异丙酯、醋酸正丁酯、醋酸异丁酯、醋酸仲丁酯、醋酸正戊酯、醋酸仲戊酯、醋酸-3-曱氧基丁酯、醋酸曱基戊酯、醋酸-2-乙基丁酯、醋酸-2-乙基己酯、醋酸节酯、醋酸环己酯、醋酸曱基环己酯、醋酸壬酯、乙酰醋酸甲酯、乙酰醋酸乙酯、醋酸二甘醇单甲基醚、醋酸二甘醇单乙基醚、醋酸二甘醇单正丁基醚、醋酸二丙二醇单曱基醚、醋酸二丙二醇单乙基醚、二醋酸乙二醇酯、醋酸甲氧基三甘醇酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸异戊酯、草酸二乙酯和草酸二正丁酯等酯系溶剂，乙二醇曱基醚丙酸酯、乙二醇乙基醚丙酸酯、乙二醇曱基醚醋酸酯、乙二醇乙基醚醋酸酯、二甘醇曱基醚醋酸酯、二甘醇乙基醚醋酸酯、二甘醇正丁基醚醋酸酯、丙二醇曱基醚醋酸酯、丙二醇乙基醚醋酸酯、丙二醇丙基醚醋酸酯、二丙二醇曱基醚醋酸酯和二丙二醇乙基醚醋酸酯等醚醋酸酯系溶剂，乙腈、N-曱基吡咯烷二酮、N-乙基吡咯烷二酮、N-丙基吡咯烷二酮、N-丁基吡咯烷二酮、N-己基吡咯烷二酮、N-环己基吡咯烷二酮、N，N-二甲基曱酰胺、N,N-二曱基乙酰胺以及N,N-二曱基亚砜等。这些非质子性溶剂中，从厚膜化的角度考虑，优选从由醚系溶剂、醚醋酸酯系溶剂和酮系溶剂形成的组中选出的l种以上的溶剂。进而，从抑制涂布不均和凹陷的角度考虑，这些溶剂中首先优选醚醋酸酯系溶剂，其次优选醚系溶剂，第三优选酮系溶剂。这些溶剂可以单独使用1种或组合使用2种以上。作为质子性溶剂，可举出例如曱醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、异戊醇、2-曱基丁醇、仲戊醇、叔戊醇、3-曱氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、仲己醇、2-乙基丁醇、仲庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、仲辛醇、正壬醇、正癸醇、仲十一烷醇、三曱基壬醇、仲十四烷醇、仲十七烷醇、苯酚、环己醇、甲基环己醇、节醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1，3-丁二醇、二甘醇、二丙二醇、三甘醇和三丙二醇等醇系溶剂，乙二醇曱基醚、乙二醇乙基醚、乙二醇单苯基醚、二甘醇单曱基醚、二甘醇单乙基醚、二甘醇单正丁基醚、二甘醇单正己基醚、乙氧基三甘醇、四甘醇单正丁基醚、丙二醇单曱基醚、二丙二醇单曱基醚、二丙二醇单乙基醚和三丙二醇单曱基醚等醚系溶剂，以及乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯和乳酸正戊酯等酯系溶剂等。这些质子性溶剂中，从保存稳定性的角度考虑，优选醇系溶剂。进而，其中，从抑制涂布不均和凹陷的角度考虑，优选从由乙醇、异丙醇和丙二醇丙基醚形成的组中选择的1种以上的溶剂。这些溶剂可以单独使用1种或组合使用2种以上。非质子性溶剂的配合比例相对于二氧化硅系覆膜形成用组合物中的全部溶剂量优选为70质量％90质量％,更优选为75质量％85质量％，特别优选为73质量％~83质量％。该配合比例小于70质量％时，有容易发生涂布不均的倾向；超过90质量％时，有稳定性降低的倾向。质子性溶剂的配合比例相对于二氧化硅系覆膜形成用组合物中的全部溶剂量优选为0.1质量％15质量％,更优选为0.5质量％10质量％,特别优选为1.0质量％7质量％。该配合比例小于0.1质量％时，有稳定性降低的倾向；超过15质量％时，有容易发生涂布不均的倾向。(b)成分向二氧化硅系覆膜形成用组合物中的配合方法没有特别限制。作为其配合方法，可举出例如用作调制(a)成分时的溶剂的方法、调制U)成分后进行添加的方法、进行溶剂交换的方法、通过溶剂蒸馏等提取出(a)成分后加入(b)成分的方法等。总量)的配合比例，优选二氧化硅系覆膜形成用组合物中的(a)成分(硅氧烷树脂)的浓度为530质量％这样的量，更优选为1030质量％这样的量，进一步优选为13~30质量％这样的量，特别优选为1530质量％这样的量，尤其优选为15~25质量％这样的量。溶剂量过多，(a)成分的浓度小于5质量％时，难以形成具有期望膜厚的二氧化硅系覆膜。另外，溶剂量过少，U)成分的浓度超过30质量％时，二氧化硅系覆膜的成膜性等会恶化，而且组合物自身的稳定性会降低。〈(C)成分〉(c)成分为固化促进催化剂。该固化促进催化剂是在溶液中不显示催化作用、在涂布后的涂膜中显示活性的特异的物质。固化促进催化剂只要是具有固化促进催化能力的物质就没有特别限制。以下14表示调查固化促进催化剂的固化促进催化能力的方法。1.首先，准备包括(a)成分和(c)成分的组合物。2.接着，在硅晶片上涂布准备好的组合物，使得烘焙(烧成)后的膜厚为l.O士O.lpm。接着，以规定温度对涂布后的组合物烘焙30秒钟后，测定得到的覆膜的膜厚。此时，该膜厚成为l.O士O.liim即可。3.接着，将层叠了覆膜的硅晶片在23士2。C的2.38质量％四曱基氢氧化铵(TMAH)水溶液中浸渍30秒钟，进而进行水洗和干燥，再次测定覆膜的膜厚。此时，将TMAH水溶液浸渍前后的覆膜的膜厚变化相对于浸渍前的膜厚为20%以内的烘焙时的最低温度设定为不溶解温度。4.接着，在上述包括(a)成分和(c)成分的组合物中，以相对于(a)成分的总量为0.01质量％添加想确认是否有固化促进催化能力的化合物，得到新的组合物。针对得到的组合物实施与上述2和3同样的处理，求出新的组合物的不溶解温度。其结果是，通过添加想确认是否有固化促进催化能力的化合物，如果组合物的不溶解温度降低，则判断该化合物具有固化促进催化能力。作为(c)成分的固化促进催化剂，可举出例如氢氧化钠、氯化钠、氢氧化钾、氯化钾等具有固化促进催化能力的碱金属类、錄盐等。这些物质可以单独使用1种或组合使用2种以上。其中，从能够提高得到的二氧化硅系覆膜的电特性和机械强度，进而能够提高组合物的稳定性的角度考虑，优选为具有固化促进催化能力的鐵盐，更优选为具有固化促进催化能力的季铵盐。作为鐺盐之一，例如可举出由含氮化合物以及选自含阴离子性基团化合物和面原子中的至少一种形成的盐。与上述含氮化合物的氮结合的原子优选为选自由H原子、F原子、B原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子、Ti原子和C原子形成的组中的至少一种原子。另外，作为上述阴离子性基团，可举出例如羟基、硝酸基、硫酸基、羰基、羧基、碳酸酯基和苯氧基等。作为鐵盐，可举出例如氢氧化铵、氟化铵、氯化铵、溴化铵、碘化铵、磷酸铵、贿S吏铵、硼酸铵、硫酸铵、甲酸铵、马来酸铵、富马酸铵、酞酸铵、丙二酸铵、琥珀酸铵、酒石酸铵、苹果酸铵、乳酸铵、柠檬酸铵、醋酸铵、丙酸铵、丁酸铵、戊酸铵、己酸铵、庚酸铵、辛酸铵、壬酸铵、癸S臾铵、草酸铵、己二酸铵、癸二酸铵、丁酸铵、油酸铵、硬脂酸铵、亚油酸铵、亚麻酸铵、水杨酸铵、苯磺酸铵、苯曱酸铵、对氨基苯甲酸铵、对甲苯磺酸铵、曱烷磺酸铵、三氟曱烷磺酸铵及三氟乙烷磺酸铵等铵盐。另外，还可举出上述铵盐中的铵离子被甲基铵离子、二甲基铵离子、三曱基铵离子、四曱基铵离子、乙基铵离子、二乙基铵离子、三乙基铵离子、四乙基铵离子、丙基铵离子、二丙基铵离子、三丙基铵离子、四丙基铵离子、丁基铵离子、二丁基铵离子、三丁基铵离子、四丁基铵离子、乙醇铵离子、二乙醇铵离子、三乙醇铵离子等取代的铵盐等。这些鏠盐中，从二氧化硅系覆膜的固化促进的角度考虑，优选铵盐，更优选从由硝酸四曱基铵、醋酸四曱基铵、丙酸四曱基铵、马来酸四曱基铵和^L酸四曱基铵形成的组中选择的1种以上的铵盐。这些铵盐可以单独使用1种或组合使用2种以上。相对于二氧化硅系覆膜形成用组合物中的(a)成分100质量份，(c)成分的配合比例优选为0.00101.0重量份，更优选为0.00501.0质量份，特别优选为0.00500.50质量份。该配合比例小于0.0010质量份时，有固化性降低的倾向，并且，用于显示器用途等时，防反射膜的折射率有上升的倾向。另一方面，该配合比例超过l.O质量份时，二氧化硅系覆膜形成用组合物的保存稳定性有降低的倾向。錢l盐可以根据需要由水或溶剂进行溶解或稀释，然后添加到二氧化硅系覆膜形成用组合物中，调节成期望的浓度。另外，向二氧化硅系覆膜形成用组合物中添加鐵盐的时机没有特别限制。该时机例如可以是进行(a)成分的水解的时刻、水解中、反应结束时、蒸馏去除溶剂前后、添加酸产生剂的时刻等。进而，本实施方式的二氧化硅系覆膜形成用组合物根据需要也可以含有水，优选在不损害目标特性的范围内。〈(d)成分〉除了上述(a)(c)成分以外，本实施方式的二氧化硅系覆膜形成用组合物还可以含有(d)成分空隙形成剂。由此可以进一步降低防反射膜的折射率。作为空隙形成剂的具体例，可举出例如乙烯基醚系化合物、具有聚氧乙烯单元和/或聚氧丙烯单元等聚氧化烯单元的乙烯基系化合物或其聚合物等具有聚氧化蹄单元的化合物、乙烯基吡啶系化合物、苯乙烯系化合物、烷基酯乙烯基系化合物、(曱基)丙烯酸酯系化合物、聚酯、聚碳酸酯、聚酸酐等。其中，从聚合物的分解特性和膜的机械强度的角度考虑，优选具有聚氧化烯单元的聚合物，特别优选具有聚氧丙烯单元的聚合物。作为上述聚氧化烯单元，可举出例如聚氧乙烯单元、聚氧丙烯单元、聚氧四亚曱基单元和聚氧丁烯单元。作为具有聚氧化烯单元的化合物，更具体地可举出例如聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯固醇醚、聚氧乙烯羊毛脂衍生物、烷基苯酚曱醛缩合物的氧化乙烯衍生物、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物、聚氧丙烯烷基醚和聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚等醚型化合物，聚氧乙烯甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯脂肪酸烷醇酰胺硫酸盐等醚酯型化合物，聚乙二醇脂肪酸酯、乙二醇脂肪酸酯、脂肪酸单甘油酯、聚甘油脂肪酸酯、脱水山梨糖醇脂肪酸酯、丙二醇脂肪酸酯等酯型化合物，乙二醇、二甘醇、三甘醇、丙二醇、聚乙二醇和聚丙二醇等二醇型化合物等。作为(曱基)丙烯酸酯系化合物，可举出例如丙烯酸烷基酯、曱基丙烯酸烷基酯、丙烯酸烷氧基烷基酯、曱基丙烯酸烷基酯和甲基丙烯酸烷氧基烷基酯。作为丙烯酸烷基酯，可举出例如丙烯酸曱酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸戊酯和丙烯酸己酯等碳原子数16的丙烯酸烷基酯。作为曱基丙烯酸烷基酯，可举出例如甲基丙烯酸曱酯、曱基丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸正丙酯、曱基丙烯酸异丙酯、曱基丙烯酸正丁酯、曱基丙烯酸异丁酯、曱基丙烯酸戊酯和甲基丙烯酸己酯等碳原子数16的曱基丙烯酸烷基酯。作为丙烯酸烷氧基烷基酯，可举出例如丙烯酸曱氧基曱酯和丙烯酸乙氧基乙酯等。作为甲基丙烯酸烷氧基烷基酯，可举出曱基丙烯酸曱氧基甲酯和曱基丙烯酸乙氧基乙酯等。(甲基)丙烯酸酯系化合物也可以使用与具有羟基的化合物的共聚物。作为具有羟基的化合物，可举出例如丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸二甘醇酯、丙烯酸-2-幾基丙酯、丙烯酸二丙二醇酯、甲基丙烯酸、曱基丙烯酸-2-羟基乙酯、曱基丙烯酸二甘醇酯、曱基丙烯酸-2-羟基丙酯和曱基丙烯酸二丙二醇酯等。作为聚酯，可举出例如羟基羧酸的缩聚物、内酯的开环聚合物、脂肪族多元醇和脂肪族多元羧酸的缩聚物等。作为聚碳酸酯，可举出例如聚碳酸亚乙酯、聚碳酸亚丙酯、聚碳酸三亚曱基酯、聚碳酸四亚甲基酯、聚碳酸五亚甲基酯和聚碳酸六亚甲基酯等碳酸与烷二醇的缩聚物。作为聚酸肝，可举出聚丙二酰氧、聚己二酰氧、聚庚二酰氧、聚辛二酰氧、聚壬二酰氧和聚癸二酰氧等二羧酸的缩聚物等。另外，从对溶剂的溶解性、与硅氧烷树脂的相溶性、膜的机械特性、膜的成型性等方面考虑，空隙形成剂的重均分子量优选为20010000，更优选为300~5000,进一步优选为400~2000。在此，重均分子量为通过凝胶渗透色谱法(GPC)进行测定、使用标准聚苯乙烯的校准曲线而换算的值。以二氧化硅系覆膜形成用组合物的总重量为基准，(d)成分的配合比例优选为0.1~10质量％，更优选为1~5质量％。该配合比例小于0.1质量％时，有空隙形成不充分的倾向。另一方面，超过10质量％时，膜强度有时会降低。〈其他成分〉在不损害本发明的目的和效果的范围内，本实施方式的二氧化硅系覆膜形成用组合物还可以添加表面活性剂、硅烷偶联剂、增粘剂、无机填充剂等。并且，也可以对作为(a)成分的硅氧烷树脂赋予空隙形成能力。另外，二氧化硅系覆膜形成用组合物中还可以含有光致酸产生剂或光致碱产生剂。为了调节二氧化硅系覆膜的膜厚，例如可以调节上述的二氧化硅系覆膜形成用组合物中的(a)成分的浓度。另外，使用旋转涂布法时，可以通过调节转速和涂布次数来调节膜厚。调节(a)成分的浓度来控制膜厚的情况下，可以通过例如增加膜厚时提高(a)成分的浓度、减小膜厚时降低(a)成分的浓度来进行控制。另外，采用旋转涂布法来调节膜厚的情况下，例如增加膜厚时可以降低转速，或者增加涂布次数。减小膜厚时，可以增加转速，或者减少涂布次数。在溶剂除去工序中溶剂除去(干燥)温度只要是能够除去溶剂的温度就没有特别限制，根据溶剂的种类而不同。该溶剂除去温度优选为5035(TC，更优选为100300°C。该温度小于50。C时，有难以充分地除去涂膜中的溶剂的倾向；超过35(TC时，膜厚容易变得不均匀。溶剂的除去例如可以通过在热板上放置形成了涂膜的玻璃体或者在加热炉中放入形成了涂膜的玻璃体，以规定温度加热来进行。但是，溶剂的除去方法并不限于这些。另外，根据后述的烧结强化工序中的各条件也可以省略溶剂除去工序。[烧结强化工序]在烧结强化工序中，至少同时进行由溶剂除去工序得到的涂膜的烧结处理和上述玻璃体的强化处理。以下对采用玻璃板作为玻璃体的情况的一个实施方式进行说明。首先，在适当板厚的玻璃板的主面上涂布上述二氧化石圭系覆膜形成用组合物而得到涂膜，根据需要准备除去了涂膜中的溶剂的层叠体。接着，将该层叠体放入加热炉中进行加热。该加热处理不仅是涂膜的烧结处理，同时也是对玻璃板进行强化的一个工序。加热温度优选为30080(TC左右，更优选为400800。C左右，进一步优选为40070(TC左右，特别优选为450650。C左右，尤其优选为500600。C左右。加热温度低于300。C时，没有达到玻璃的应变点，难以对玻璃进行强化。加热温度超过80(TC时，得到的防反射膜容易成为大量有机基团脱离的状态。因此，该防反射膜通过例如85°C、85。/。RH条件下的恒温恒湿试验等可靠性试验容易发生劣化。为了抑制烧结强化工序后的层叠体产生翘曲，可以缩短烧结强化工序时的加热时间，或者降低加热温度。另外，为了进一步强化玻璃板，优选在比玻璃板材料的JISR3103-1所规定的软化点低15(TC的温度至比该软化点高15(TC的温度范围设定加热温度。进而，该加热温度更优选为比上述软化点低iocrc的温度至比该软化点高IO(TC的温度范围，进一步优选为比上述软化点低70。C的温度至比该软化点高7crc的温度范围，特别优选为比上述软化点低5crc的温度至比该软化点高5(TC的温度范围。另外，在不需要玻璃体(玻璃板)的强化，而特别发挥防反射效果时，上述加热温度可以为300500°C。加热处理后的层叠体从加热炉取出，立刻对其表面吹空气来进行冷却。玻璃板的强化基于玻璃板的表面和内部间的应力差异来进行。该玻璃板的强化例如通过重复玻璃板的加热处理-冷却处理的循环来进行。涂布有本实施方式的二氧化硅系覆膜形成用组合物的面与玻璃板内部相比，热膨胀率会存在特别大的差异。因此，利用通常的玻璃板的强化处理，玻璃板自身可能会发生翘曲。从而，这种情况下，通过在涂布有二氧化硅系覆膜形成用组合物的面和未涂布的面上改变对玻璃板表面吹送的空气的量、改变各面的冷却速度，可以避免翘曲等变形。更具体而言，首先，一边将应烧结处理和强化处理的层叠体用搬运辊水平地搬运到辊底炉式加热炉内，一边加热至以用于加热玻璃板的充分温度例如500600°C。随后，从辊底炉式加热炉取出的层叠体被移送至在冷却炉内上下对向配置的风吸出口间。接着，从这些风吸出口对层叠体表面吹风(例如空气流)，冷却至玻璃板的温度达到应变点以下(通常的钠钙玻璃的情况为520°C以下、优选480。C以下)。吹送的空气流的温度例如可以为2540(TC,空气流的吹送压力可以为0.110kgf/cm2。风吹出口或冷却炉壁优选采用进行了镜面加工的SUS304等材质而使辐射率为0.1以下。由此，可以抑制福射引起的玻璃板的冷却，从而更容易通过空气流控制玻璃板表面的冷却热传递率。与通常相比可以增加玻璃板表面的冷却热传递率来进行冷却的话，可以在200900秒钟左右的时间进行加热处理-冷却处理这样1个循环。上述烧结强化工序中涂膜的烧结处理和玻璃板的强化处理利用了辊底炉式加热炉来进行，但烧结处理和强化处理并不限于上述方法。例如也可以是利用燃气炉式加热炉，一边水平地搬运层叠体一边进行加热，在层叠体从燃气炉式加热炉的出口出去后立刻冷却层叠体的方法。或者，也可以采用一边用吊臂吊住层叠体进行拍3:运一边在加热炉内加热，在层叠体从该加热炉的出口出去后立刻冷却层叠体的方法。玻璃板内部的中心部的拉伸应力和玻璃板表面的压缩应力依赖于玻璃板内部的中心部温度经过玻璃的固化温度(通常的钠钙玻璃的情况为560570。C)而变化时的玻璃板表面和中心部的温度差(温度分布)。从而，玻璃板的强化处理时的各条件(加热温度、加热时间等)可根据期望的玻璃板的强化度、即上述#>伸应力和压缩应力来确定。本实施方式中，由于主要以上述的二氧化硅系覆膜形成用组合物为防反射膜原料，可以形成折射率为1.3左右的防反射膜。另外，本实施方式中针对玻璃体为板状的玻璃板的情况进行了说明，但玻璃体的形状并不限于板状。玻璃体的形状只要是适于光学部件、透镜、棱镜、光盘、照相机镜头、眼镜、液晶屏、等离子显示器、布劳恩管、显示器、机器仪表罩、太阳能电池、太阳能电池板(太阳能电池组件)、太阳光收集器、窗玻璃、车辆用玻璃及展览窗玻璃等用途的形状即可。因此，例如可以是透镜状、圆筒状等。本发明的防反射膜特别适宜用作在太阳能电池组件的覆盖玻璃上、建材用玻璃上、汽车用玻璃上、显示器用玻璃上形成的防反射膜。接着，参照附图针对将本实施方式的防反射膜及其形成方法应用于制造太阳能电池组件的情况进行说明。图1为表示在白板强化玻璃上形成本实施方式的防反射膜而得到的层叠体的截面示意图。图1所示的层叠体100具备白板强化玻璃57和在其表面上形成的防反射膜(二氧化硅系覆膜)60。该层叠体100通过采用白板玻璃作为上述的防反射膜形成方法中的玻璃板来制作。该层叠体用作后述的太阳能电池组件的表面透明部件。图3为主要表示本实施方式的硅太阳能电池(以下简称为"太阳能电池")的表面侧(a)和背面侧(b)的电极配置的平面示意图。在太阳能电池的表面侧(a)设置有防反射膜4,用于抑制光反射，尽可能多地在p型硅衬底1上釆入太阳光。另外，在表面侧(a)配置了用于收集在硅衬底1中局部产生的电能的表面银电极(栅电极)7以及用于向外部取出收集的电能的表面银电极(汇流电极)IO。为了遮挡入射的太阳光，在提高发电效率的方面优选尽可能减小表面电极的电极总面积。从而，在太阳能电池的表面侧(a)，表面银电极(栅电极)7如图所示优选为梳子形，表面银电极(汇流电极)IO如图所示优选为带状。另外，从成本和性能的角度考虑，表面电极材料优选以银为主成分。在太阳能电池的背面侧(b),为了减少在背面侧产生的电阻抗引起的损失，在整个背面设置了背面铝电极8，并配置了背面4艮电极(汇流电极)ll用于集电。如后面所述，背面铝电极8形成在电极烧结时改善发电能力的BSF(背面区域，BackSurfaceField)层即p+层9(在图3中未图示)。图4为表示本实施方式的硅太阳能电池的制造工序(a)(g)的工艺截面图。(f)所示的截面相当于图3(a)所示的A-A线处的截面的一部分。另外，现在产量最多的太阳能电池多为采用多晶硅衬底或单晶硅衬底的结晶系太阳能电池，多数采用厚度几百微米厚的p型硅衬底。下述说明以p型结晶系太阳能电池为例进行说明。图4的(a)工序中准备p型硅衬底1。在(b)工序中，例如采用数质量％20质量°/。浓度的氢氧化钠、碳酸钠，将由铸锭进行切割时产生的硅衬底1表面的损伤层除去1020|im厚的程度。随后，以向同样的碱低浓度溶液添加了IPA(异丙醇)的溶液进行各向异性蚀刻，形成紋理面2使得硅结晶的(111)面露出于表面。接着，在(c)工序中，例如在氧氯化磷(POCl3)、氮和氧的混合气体氛围中、在800卯0。C进行数十分钟的加热处理。这样，在硅衬底l表面侧的紋理面2上形成具有均一厚度的n型层3。在紋理面2上同样形成的n型层3的片电阻为3080Q/□范围时，可以得到良好的太阳能电池的电特性，因此优选。此时，n型层形成于硅衬底1的整个面后，仅保留表面侧的n型层3，选择性地除去形成于背面侧和侧面的n型层。在除去这些n型层时，为了不连表面侧的n型层3都被除去，首先，例如用丝网印刷法在表面侧的n型层3上附着高分子抗蚀剂浆料，使其干燥得到抗蚀剂膜。随后，将形成有n型层和抗蚀剂膜的硅衬底1在20质量％氢氧化钾溶液中浸渍几分钟。这样，可以除去形成于背面侧和侧面的n型层，接着用有机溶剂除去抗蚀剂膜。接着，在(d)工序中，在n型层3表面以同样厚度形成包括硅氧化膜、硅氮化膜或氧化钛膜的防反射膜4。这里，该防反射膜4可以是本发明的防反射膜，但在此以采用以往公知的防反射膜的情况进行说明。例如防反射膜4为以往公知的硅氧化膜时，通过等离子CVD法、以SiH4气体和NH3气体为原料、30(TC以上、减压条件下进行成膜。此时，折射率为2.02.2左右，最佳防反射膜厚度为7090nm。另外，应当注意的是这样形成的防反射膜为绝缘体，仅仅在其上简单地形成表面电极时，并不能作为太阳能电池来发挥作用。接着，在(e)工序中，以丝网印刷法对形成表面侧的栅电极7和汇流电极10用的表面电极用银浆料5进行附着干燥。此时，表面电极用银浆料5形成于防反射膜4上。接着，也在背面侧与表面侧同样地印刷、干燥用于形成背面铝电极8和背面银电极11用的背面电极用铝浆料6。进而，虽然未进行图示，但还印刷、干燥用于形成背面侧汇流电极的银浆料。随后，在(f)工序中，在600900。C同时对上述各浆料进行几分钟烧成。这样，在表面侧由于在银浆料5中包含的玻璃材料的作用，防反射膜4熔融的期间，银材料与硅接触并再次凝固。由此可以确保栅电极7和n型层3的导通。这里，将这种工艺称为烧穿法(firethroughmethod)。背面电^1用铝浆料6通过上述烧成不仅形成背面铝电极8，而且与硅衬底1反应而在背面铝电极8的硅衬底1侧形成p+层9。由此得到太阳能电池51。另外，为了提高银电极的耐湿性，也存在将太阳能电池51在200250°C的铅.锡共晶焊料熔融槽中进行浸渍处理，在汇流电极10上被覆铅焊料的情况。图5为简要说明对多个太阳能电池彼此进行布线连接的方式的示意图。(a)表示单独的太阳能电池的表面侧，(b)表示单独的太阳能电池的背面侧，(c)表示对多个太阳能电池彼此进行布线连接时的正面。为了相互连接如上所述得到的多个太阳能电池51,首先，在表面、背面的汇流电极IO、11上分别通过焊接形成片状电极52a、52b。在表面侧(a),通过焊接，在表面银电极(汇流电极)10上的整个面形成表面侧用片状电极52a。此时，片状电极52a呈现应与相邻的太阳能电池连接的部分从太阳能电池的端部向侧方突出的状态。在背面侧(b),通过焊接，在背面银电极(汇流电极)11上的整个面形成背面用片状电极52b。在背面侧(b)与表面侧(a)不同，片状电极52b不从太阳能电池的端部向侧方突出。相互连接多个太阳能电池的片状电极可以采用一般公知的电极，例如可以使用在铜箔上涂布焊料的电极。另外，片状电极中的铜箔的厚度为0.10.2mm左右，电极宽度为1.05.0mm左右，焊料涂层的厚度为2040pm左右。接着，如正面(c)所示，将从太阳能电池51的端部向侧方突出的表面侧用片状电极52a焊接到相邻的太阳能电池51的背面侧用片状电极52b上，相互连接多个太阳能电池51。考虑到太阳能电池51的厚度，表面侧用片状电极52a的突出部分如(c)所示可以弯成曲柄状。此时，表面侧用片状电极52a的曲柄状加工优选在向表面银电极(汇流电极)IO焊接前进行。图6表示对采用图5所示的多个太阳能电池51制作的太阳能电池组件进行透视的斜视示意图。另外，图7为表示图6的B-B线处的截面中太阳能电池的一片的截面的截面示意图。对于太阳能电池组件600中多个太阳能电池51的相互连接为，太阳能电池51的受光面侧(表面侧)成为负电极，背面侧成为正电极。从而，将组件600内的全部太阳能电池串联连接时，最终形成将正电极的正输出电极接片55和负电极的负输出电极接片56引出到组件外部的结构。图6中以图5的正面(c)所示的连接方式连接4片太阳能电池，进而该4片太阳能电池通过横向片状布线54连接。这里，将多个太阳能电池彼此连接的图6这样的连接状态称为阵列。由于太阳能电池组件600需要长期可靠性，如图6和图7所示，在太阳能电池阵列的表面侧配置可透过太阳光并且具有防止雨水侵入、吸收落下物等的冲击的功能的表面透明基材即白板强化玻璃57。进而，在其上形成上述的本实施方式的防反射膜60。这些白板强化玻璃57和防反射膜60构成上述的层叠体100。在背面侧形成配置了耐水性优异的背片53的结构。作为背片53,可以适宜采用具有由常见的PVF(聚氟乙烯)树脂夹持Al膜等金属箔的层叠结构的薄膜。在太阳能电池51和白板强化玻璃57、背片53间的间隙中填充有太阳能电池密封材料58。太阳能电池密封材料58采用例如称为EVA(乙烯-醋酸乙烯酯共聚物)这样的光透过性高的热固化型树脂。该太阳能电池密封材料58在填充间隙的同时具有相互粘接白板强化玻璃57(层叠体100)、太阳能电池51和背片53的功能。依次说明这种太阳能电池组件的制作工序。首先，在与如上所述得到的层叠体100的防反射膜60相反的一侧放置片状的太阳能电池密封材料58。进而，在其上依次层叠相互连接成阵列状的太阳能电池51、片状的太阳能电池密封材料58及背片53。将该层叠后的层叠体加热至150。C左右，通过进一步进行作为脱泡工序的层压，太阳能电池密封材料58几乎完全地填充间隙，得到图6和7所示结构的太阳能电池组件600。以上说明了本发明的适宜的实施方式，但本发明并不限于该实施方式。实施例(制造例1)首先，将515.5g四乙氧基硅烷和402.0g甲基三乙氧基硅烷溶解到1854.5g二甘醇二曱醚中，向溶解后的溶液中添加1.3g的2.38%硝酸四曱基铵水溶液(pH二3.6)。接着，在搅拌下用30分钟滴加271.7g调节为0.644质量％的硝酸。滴加结束后反应3小时，然后在减压下、温水浴中蒸馏除去生成的乙醇和二甘醇二曱醚的一部分，得到1681.9g浓缩的聚硅氧烷溶液。向1681.9g该聚硅氧烷溶液中添加128.7g二甘醇二曱醚、88.1g聚丙二醇(7WKU:y于社制造、商品名"PPG725")和100.0g乙醇，在室温(25°C)搅拌溶解30分钟，得到作为二氧化硅系覆膜形成用组合物的聚硅氧烷溶液。通过GPC法测定该聚硅氧烷的重均分子量，为870。(制造例2)首先，加入137.5g四乙氧基硅烷和107.2g甲基三乙氧基硅烷，再向其中添加483.9g二甘醇二甲醚，在常温下以200转的速度边搅拌边溶解。在搅拌下用30分钟向其中滴加将0.47g的60%硝酸溶解到71.98g水中后的水溶液。滴加结束后反应3小时，得到聚硅氧烷溶液。将该聚硅氧烷溶液在减压下放入7585。C的温水浴中，从该聚硅氧烷溶液中蒸馏除去生成的乙醇和溶剂二甘醇二曱醚的一部分，得到530.1g浓缩的聚硅氧烷溶液。通过GPC法测定该聚硅氧烷的重均分子量，为1110。这里，用作空隙形成材料的聚丙二醇在35(TC的重量减少率为99.9%。接着，添加464.4g浓缩的聚硅氧烷溶液、还有20.34g作为空隙形成剂的聚丙二醇(7少K]J、乂于社制造、商品名"PPG725")、396.1g二甘醇二曱醚、14.6g的2.38%硝酸四曱基铵水溶液(pH=3.6)以及4.5g稀释至1Q/。的马来酸水溶液，在室温(25°C)搅拌溶解30分钟，制作二氧化硅系覆膜形成用组合物。这里，用作空隙形成材料的聚丙二醇在350'C的重量减少率为99.9%。(制造例3)首先，向将154.6g四乙氧基硅烷和120.6g曱基三乙氧基硅烷溶解到543.3g环己酮的溶液中，在搅拌下用30分钟滴加溶解了0.525g的70%硝酸的80.98g水。滴加结束后反应5小时，然后在减压下、温水浴中蒸馏除去生成的乙醇和环己酮的一部分，得到583.7g浓缩的聚硅氧烷溶液。通过GPC法测定该聚硅氧烷的重均分子量，为1350。接着，向553.9g浓缩的聚硅氧烷溶液中添加24.86g作为空隙形成材料的聚丙二醇(7WKU、乂于社制造、商品名"PPG725")、498.7g环己酮、17.89g的2.38。/。硝酸四曱基铵水溶液(pH二3.6)以及5.5g稀释至1%的马来酸水溶液，在室温(25°C)搅拌溶解30分钟，制作二氧化硅系覆膜形成用组合物。这里，用作空隙形成材料的聚丙二醇在35(TC的重量减少率为99.9%。(实施例13)对制造例1~3中得到的各二氧化硅系覆膜形成用组合物调节浓度，使得其涂膜厚度在固化后为175±10nm。接着，在硅晶片和白板玻璃上分别喷涂二氧化硅系覆膜形成用组合物，得到在硅晶片或白板玻璃上形成有涂膜的层叠体。用热板在250。C对得到的层叠体加热3分钟，除去涂膜中的溶剂后，投入事先调节至630。C的石英管炉中，在炉内静置30分钟。接着，从石英管炉中取出层叠体，吹送室温的压缩空气进行冷却。由此得到在硅晶片或白板强化玻璃上形成有防反射膜的层叠体。这里，对应于制造例13的二氧化硅系覆膜形成用组合物分别形成实施例13的层叠体或防反射膜。针对在硅晶片上形成的防反射膜，使用椭圓偏振仪测定在63化m的折射率。结果示于表l中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>另夕卜，针对与图1的层叠体100的情况同样形成于白板强化玻璃上的实施例1的防反射膜，通过椭圆偏振仪测定从与层叠体100的防反射膜60侧相同的侧照射光时反射率的波长依务性。结果示于表2中。虚线a表示层叠体100的反射率，实线b表示仅白板强化玻璃57的反射率。根据该图2,在硅系太阳能电池具有灵壽文度的整个波长区域，与仅有白板强化玻璃57的情况相比，在白板强化玻璃57上形成有防反射膜60的情况反射率低1%左右。使用实施例1的层叠体(防反射膜/白板强化玻璃)，与上述同样地制作与图7所示结构相同的太阳能电池组件。另外，作为比较例1的太阳能电池组件，除了替代层叠体(防反射膜/白板强化玻璃)而仅采用白板强化玻璃(旭硝子抹式会社制造、太阳能电池覆盖玻璃)以外，与实施例1同样地制作太阳能电池组件。针对这些太阳能电池组件，测定了释放电压(Voc)、电流密度(Jsc)、曲线因子(FF)和转换效率(Eff)。结果示于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>通过形成本发明的防反射膜(二氧化硅系覆膜)，与没有形成防反射膜的情况相比，电流密度增加约0.65mA/cm2，转换效率(Eff)以绝对评价计提高0.3%。这与图2所示的评价结果的倾向一致。(实施例4)在白板玻璃上滴加制造例2中得到的二氧化硅系覆膜形成用组合物后，以下述条件通过旋转涂布器进行旋转涂布，从而在白板玻璃上形成涂膜，得到层叠体。旋转条件设定为预旋转1000rpm旋转10秒钟、本旋转2000rpm旋转30秒钟的条件。用热板在250。C对得到的层叠体加热5分钟，除去涂膜中的溶剂。随后，将除去溶剂后的层叠体分别投入事先将炉内温度调节到50crc、6oo°c、7oo°c的半导体制造用纵型扩散炉(光洋廿一乇、>7亍厶乂、社制造、商品名>-TF，，)中，在炉内静置3分钟。接着，从半导体制造用纵型扩散炉取出静置后的层叠体，吹送室温的压缩空气进行冷却。由此得到在白板强化玻璃上形成有防反射膜的层叠体。这里，扩散炉的加热如下进行。首先，使兼具炉盖功能的可动平台上升，形成炉关闭的状态。接着，在关闭状态下加热炉到规定温度。另夕卜，作为准备工作，在石英制的固定器中装填半导体用硅晶片，在其上放置上述层叠体。炉达到规定温度后，下降可动平台，在可动平台上迅速放置准备好的石英固定器。随后，再次上升可动平台，形成炉关闭的状态。该状态下保持3分钟后，下降可动平台，将层叠体取出到炉外。针对通过在各炉内温度下加热而在白板强化玻璃上形成有防反射膜的层叠体，通过椭圓偏振仪测定从该防反射膜侧照射光时反射率的波长依存性。结果示于图8中。图中(xl)、(x2)、(x3)分别表示在500。C、600°C、700。C的炉内温度下加热的情况。另外，(x4)表示仅有白板强化玻璃(旭硝子抹式会社制造、太阳能电池覆盖玻璃)的情况。根据该图8可以知道，在硅系太阳能电池具有灵敏度的整个波长区域，与仅有白板强化玻璃的情况相比，在白板强化玻璃上形成有防反射膜的情况反射率低。(实施例5)在白板玻璃上滴加制造例2中得到的二氧化硅系覆膜形成用组合物后，以下述条件通过旋转涂布器进行旋转涂布，从而在白板玻璃上形成涂膜，得到层叠体。旋转条件设定为预旋转1000rpm旋转10秒钟、本旋转2000rpm旋转30秒钟的条件。用热板在25(TC对得到的层叠体加热5分钟，除去涂膜中的溶剂。随后，将除去溶剂后的层叠体投入炉内为室温的上述半导体制造用纵型扩散炉，升温至规定温度(300。C、40(TC、50(TC或60(TC)，于该温度在炉内静置10分钟。接着，从半导体制造用纵型扩散炉取出静置后的层叠体，吹送室温的压缩空气进行冷却。由此得到在白板强化玻璃上形成有防反射膜的层叠体。这里，如下进行加热。在石英制的固定器中装填半导体用硅晶片，在其上放置上述层叠体。接着，将石英固定器连同层叠体一起放置在兼具炉盖功能的可动平台上。接着，上升可动平台，形成炉关闭的状态。接着，用20分钟将炉内温度从室温升至规定温度，在该温度保持10分钟后，用20分钟将炉内温度降至200。C左右。随后，下降可动平台，将层叠体取出到炉外。针对通过在各炉内温度下加热而在白板强化玻璃上形成有防反射膜的层叠体，通过椭圆偏振仪测定从该防反射膜侧照射光时反射率的波长依存性。结果示于图9中。图中(yl)、(y2)、(y3)、(y4)分别表示在300°C、400°C、500°C、60(TC的炉内温度下加热的情况。另外，(y5)表示仅有白板强化玻璃(旭硝子抹式会社制造、太阳能电池覆盖玻璃)的情况。根据该图9可以知道，在硅系太阳能电池具有灵敏度的整个波长区域，与仅有白板强化玻璃的情况相比，在白板强化玻璃上形成有防反射膜的情况反射率低。(实施例6)在白板玻璃上滴加制造例3中得到的二氧化硅系覆膜形成用组合物后，以下述条件通过旋转涂布器进行旋转涂布，从而在白板玻璃上形成涂膜，得到层叠体。旋转条件设定为预旋转1000rpm旋转10秒钟、本旋转2000rpm旋转30秒钟的条件。用热板在25(TC对得到的层叠体加热5分钟，除去涂膜中的溶剂。随后，将除去溶剂后的层叠体分别投入事先将炉内温度调节到500°C、60(TC、700°C的半导体制造用纵型扩散炉(光洋寸一乇^7亍厶X社制造、商品名TF")中，在炉内静置3分钟。接着，从半导体制造用纵型扩散炉取出静置后的层叠体，吹送室温的压缩空气进行冷却。由此得到在白板强化玻璃上形成有防反射膜的层叠体。这里，扩散炉的加热如下进行。首先，使兼具炉盖功能的可动平台上升，形成炉关闭的状态。接着，在关闭状态下加热炉到规定温度。另外，作为准备工作，在石英制的固定器中装填半导体用硅晶片，在其上放置上述层叠体。炉达到规定温度后，下降可动平台，在可动平台上迅速放置准备好的石英固定器。随后，再次上升可动平台，形成炉关闭的状态。该状态下保持3分钟后，下降可动平台，将层叠体取出到炉外。针对通过在各炉内温度下加热而在白板强化玻璃上形成有防反射膜的层果示于图10中。图中(zl)、(z2)、(z3)分别表示在500°C、600°C、70(TC的炉内温度下加热的情况。另外，(z4)表示仅有白板强化玻璃(旭硝子株式会社制造、太阳能电池覆盖玻璃)的情况。根据该图IO可以知道，在硅系太阳能电池具有灵敏度的整个波长区域，与仅有白板强化玻璃的情况相比，在白板强化玻璃上形成有防反射膜的情况反射率低。(实施例7)在白板玻璃上滴加制造例3中得到的二氧化硅系覆膜形成用组合物后，以下述条件通过旋转涂布器进行旋转涂布，从而在白板玻璃上形成涂膜，得到层叠体。旋转条件设定为预旋转1000rpm旋转10秒钟、本旋转2000rpm旋转30秒钟的条件。用热板在250。C对得到的层叠体加热5分钟，除去涂膜中的溶剂。随后，将除去溶剂后的层叠体投入炉内为室温的上述半导体制造用纵型扩散炉，升温至规定温度(300。C、400°C、500。C或60(TC)，于该温度在炉内静置10分钟。接着，从半导体制造用纵型扩散炉取出静置后的层叠体，吹送室温的压缩空气进行冷却。由此得到在白板强化玻璃上形成有防反射膜的层叠体。这里，如下进行加热。在石英制的固定器中装填半导体用硅晶片，在其上放置上述层叠体。接着，将石英固定器连同层叠体一起放置在兼具炉盖功能的可动平台上。接着，上升可动平台，形成炉关闭的状态。接着，用加分钟将炉内温度从室温升至规定温度，于该温度保持10分钟后，用20分钟将炉内温度降至200。C左右。随后，下降可动平台，将层叠体取出到炉外。针对通过在各炉内温度下加热而在白板强化玻璃上形成有防反射膜的层叠体，通过椭圆偏振仪测定从该防反射膜侧照射光时反射率的波长依存性。结果示于图11中。图中(wl)、(w2)、(w3)、(w4)分别表示在300。C、400°C、5(XTC、600。C的炉内温度下加热的情况。另外，(w5)表示仅有白板强化玻璃(旭硝子抹式会社制造、太阳能电池覆盖玻璃)的情况。根据该图11可以知道，在硅系太阳能电池具有灵敏度的整个波长区域，与仅有白板强化玻璃的情况相比，在白板强化玻璃上形成有防反射膜的情况反射率低。产业上利用的可能性根据本发明，可以提供以充分低的成本形成防反射膜的防反射膜形成方法。权利要求1.一种防反射膜的形成方法，具有同时进行在玻璃体表面上形成的包含防反射膜前体的涂膜的烧结处理和所述玻璃体的强化处理的工序。2.根据权利要求1所述的防反射膜的形成方法，其中，所述烧结处理和所述强化处理在30080(TC进行。3.根据权利要求1或2所述的防反射膜的形成方法，其中，所述防反射膜为二氧化硅系覆膜。4.根据权利要求1或2所述的防反射膜的形成方法，其中，所述防反射膜为多孔质的二氧化硅系覆膜。5.根据权利要求3或4所述的防反射膜的形成方法，其中，所述防反射膜通过将二氧化硅系覆膜形成用组合物涂布到所述玻璃体的表面上并干燥而得到，所述二氧化硅系覆膜形成用组合物含有(a)成分硅氧烷树脂、(b)成分可溶解(a)成分的溶剂和(c)成分固化促进催化剂。全文摘要本发明提供一种防反射膜的形成方法，其具有同时进行在玻璃体表面上形成的包含防反射膜前体的涂膜的烧结处理和所述玻璃体的强化处理的工序。由此，能够以充分低的成本形成防反射膜。文档编号G02B1/11GK101194187SQ20068002039公开日2008年6月4日申请日期2006年6月9日优先权日2005年6月9日发明者冈庭香,森川浩昭,樱井治彰,阿部浩一申请人:日立化成工业株式会社;三菱电机株式会社