专利名称：像素结构及其驱动方法
技术领域：
本发明是有关于一种液晶显示面板(liquid crystal display panel)的像素 (pixel)结构，且特别是有关于一种多域垂直配向式(multi-domain vertical alignment, MVA)液晶显示面板的像素结构。
背景技术：
现有的液晶显示器多朝向高亮度、高对比、大面积显示与广视角的趋势发 展，其中为了改善液晶显示器的视角，已有多种广视角技术被提出。目前较常 见的广视龟液晶显示器例如有多域垂直配向式液晶显示器、共平面转换式 (in-plane switching, IPS)液晶显示器以及边缘电场转换式(fringe field switching, FFS)液晶显示器等等。图1为现有的一种应用于多域垂直配向式液晶显示器的像素结构的俯视示 意图。请参照图1，像素结构IOO配置于一薄膜晶体管阵列基板上，此像素结 构IOO包括一扫描线110、 一数据线120、 一薄膜晶体管130、 一像素电极140 与一配向构件150。其中薄膜晶体管130包括栅极132、半导体层134、源极 136a、漏极136b以及接触窗138。栅极132与扫描线110电性连接，而半导体 层134配置于栅极132上方。源极136a与漏极136b配置于半导体层134上， 其中源极136a与数据线120电性连接。像素电极140透过接触窗138而与漏极136b电性连接。此外，为了达到 液晶分子能够产生多域垂直配向，配向构件150配置于像素电极140上，而在 相对的彩色滤光基板(未绘示)上配置多个配向构件(未绘示)。因此，借由配向构 件150与配向构件的搭配，可以使得配置于薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基 板之间的液晶分子呈现多方向的倾倒，进而达到广视角显示的效果。虽然上述的多域垂直配向式液晶显示器可以增加视角范围，但是，当视角 由O度往卯度变化时，此多域垂直配向式液晶显示器的光穿透率(transmission)相对于灰阶(gray level)的迦玛曲线(gamma curve)将有所不同。简单而言， 随着视角的改变，此多域垂直配向式液晶显示器所提供的画面的色调及亮度分 布失真的程度将越明显。发明内容有鉴于此，本发明的目的就是提供一种像素结构，以降低显示品质随着视 角改变的程度。为达上述目的，本发明提出一种像素结构，包括一基板、 一扫描线、 一数 据线、 一第一薄膜晶体管、 一第一像素电极、 一第二像素电极、 一第二薄膜晶 体管以及一第三像素电极。其中，扫描线、数据线、第一薄膜晶体管、第一像 素电极、第二像素电极、第二薄膜晶体管以及第三像素电极皆配置于基板上。 第一薄膜晶体管电性连接至扫描线与数据线，且具有一第一漏极，而第一像素 电极电性连接至第一漏极。第二像素电极设置于第一漏极上方，并与第一漏极 耦接。第二薄膜晶体管电性连接至扫描线与数据线，且具有一第二漏极，而第 三像素电极设置于第二漏极上方，并与第二漏极耦接。在本发明的像素结构中，像素结构更进一步包括一第四像素电极，配置于 基板上，并电性连接至第二漏极，而第四像素电极与部分第二共用配线重叠， 且配向构件还配置于第四像素电极上。在本发明的像素结构中，第一像素电极位于第二像素电极与扫描线之间。 在本发明的像素结构中，第四像素电极位于第三像素电极与扫描线之间。 在本发明的像素结构中，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管具有一共用源极。在本发明的像素结构中，第一像素电极与第二像素电极位于扫描线的一 侧，而第三像素电极位于扫描线的另一侧。本发明的像素结构中，第一像素电极与第二像素电极位于扫描线的一侧， 而第三像素电极与第四像素电极位于扫描线的另一侧。本发明的像素结构中，像素结构还包括一第一共用配线，配置于基板上， 且第一像素电极与第二像素电极分别与部分第一共用配线重叠。本发明的像素结构中，像素结构还包括一第二共用配线，配置于基板上，且第三像素电极与部分第二共用配线重叠。本发明的像素结构中，像素结构还包括多个配向构件，配置于第一像素电 极、第二像素电极与第三像素电极上，而上述配向构件包括凸起物或狭缝。为达上述目的，本发明提出一种像素结构的驱动方法，其适于驱动上述的 像素结构。此驱动方法包括下列步骤。首先，先经由扫描线开启第一薄膜晶体 管与第二薄膜晶体管。接着，经由数据线将一数据电压输入至第一像素电极， 此时，第二像素电极经由第一漏极产生感应电压，第三像素电极则经由第二漏 极产生感应电压。在本发明的像素结构的驱动方法中，第一共用配线与第二共用配线的电压 不相同。在本发明的像素结构的驱动方法中，第一共用配线与第二共用配线的电压 为反相。本发明提出另一种像素结构的驱动方法，其适于驱动上述的像素结构。此 驱动方法包括下列步骤。首先，经由扫描线开启第一薄膜晶体管与第二薄膜晶 体管。再经由数据线将一数据电压输入至第一像素电极与第四像素电极。此时， 第二像素电极经由第一漏极产生感应电压，第三像素电极则经由第二漏极产生 感应电压，第一共用配线与第二共用配线的电压不相同。在本发明的像素结构的驱动方法中，第一共用配线与第二共用配线的电压 为反相。基于上述，由于本发明的像素结构在采用上述的驱动方法后能使各像素电 极达到不同的电位，以使位于各像素电极上方的液晶分子的倾倒角度不同，而 降低多域垂直配向式液晶显示面板的光穿透率相对于灰阶的迦玛曲线随着视 角改变的程度。
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发 明的具体实施方式
作详细说明，其中图1是现有的一种应用于多域垂直配向式液晶显示器的像素结构的俯视示 意图。图2是第一实施例的一种像素结构的俯视示意图。图3是图2所示的像素结构的等效电路图。图4是图2所示的像素结构经由第一实施例所述的驱动方法后，各像素电 极的驱动波形。图5是第二实施例的一种像素结构的俯视示意图。 图6是图5所示的像素结构的等效电路图。图7是图5所示的像素结构经由第二实施例所述的驱动方法后，各像素电 极的驱动波形。
具体实施方式
第一实施例图2为本发明第一实施例的一种像素结构200的俯视示意图。请参照图2， 此像素结构200包括一基板210、 一扫描线220、 一数据线230、 一第一薄膜晶 体管240、 一第一像素电极260、 一第二像素电极262、 一第二薄膜晶体管250 以及一第三像素电极264。其中，扫描线220、数据线230、第一薄膜晶体管 240、第一像素电极260、第二像素电极262、第二薄膜晶体管250以及第三像 素电极264皆配置于基板上。具体而言，第一薄膜晶体管240电性连接至扫描线220与数据线230，且 第一薄膜晶体管240具有连接至第一像素电极260的第一漏极240a。更详细地 说，第一漏极240a透过一第一接触窗290与第一像素电极260连接。第二像素 电极262浮置于部分第一漏极240a上方并与第一漏极240a的延伸部作耦接。 更详细地说，第一漏极240a沿着平行数据线230的方向往第二像素电极262 作延伸，而延伸至第二像素电极262下方之后，此延伸部会与浮置在上方的第 二像素电极262产生耦合(Coupling)。第二薄膜晶体管250电性连接至扫描 线220与数据线230，且第二薄膜晶体管250具有一第二漏极250a。第三像素 电极264浮置于部分第二漏极250a上方，并与第二漏极250a耦接。另外，在 本实施例中，像素结构200还包括第一共用配线270与第二共用配线272。其 中，第一像素电极260与第二像素电极262分别与部分第一共用配线270重叠， 而第三像素电极264与部分第二共用配线272重叠，但本发明并不对第一共用配线270与第二共用配线272作限定。此外，当像素结构200为多域垂直配向 式(multi-domain vertical alignment, MVA)时，像素结构200还包括多个配向 构件280，如图2所示，多个配向构件280配置于第一像素电极260、第二像 素电极262与第三像素电极264上。然而当像素结构200属于传统型扭转向列 模式(TwistedNematic，TN)时，可以不包括多个配向构件280，本发明并不对多 个配向构件280作限定。在本实施例中，配向构件280为凸起物，然而在另一 实施例中，配向构件280也可以是狭缝。在像素结构200中，第一薄膜晶体管240与第二薄膜晶体管250具有一共 用源极246。在其他实施例中，第一薄膜晶体管240与第二薄膜晶体管250也 可以分别具有独立的源极。换言之，本发明并不限定薄膜晶体管的型态与种类 为图2所揭示的内容。举例而言，在本实施例中，薄膜晶体管的通道呈直线状， 且薄膜晶体管直接配置在扫描线上。然而薄膜晶体管的通道也可以是呈U状， 并且薄膜晶体管也可以是配置在扫描线所延伸出来的凸起物上。 ，此外，第一像素电极260位于第二像素电极262与扫描线220之间，且第 一像素电极260与第二像素电极262皆位于扫描线220之一侧，而第三像素电 极264位于扫描线220的另一侧。然而，本发明仅以上述三像素电极的配置位 置作说明，但不限定三像素电极仅此一种配置方式。图3绘示为此像素结构200的等效电路图。像素结构包括扫描线220，第 一共用配线270、第二共用配线272， 一数据线230与邻近像素结构的另一数 据线232，第一薄膜晶体管240、第二薄膜晶体管250。请同时参照图2和图3， C^代表由第一像素电极260与对向基板上的共用电极(未绘示)所形成的第 一液晶电容(liquid crystal capacitance)、 C^代表由第一像素电极260与共用配 线270、第二像素电极262与共用配线270所形成的储存电容(storage c叩acitance) 的总合、C^代表由第二像素电极262与对向基板上的共用电极(未绘示)所 形成的第二液晶电容。另外，由于像素结构200中的第二像素电极262浮置于 部分第一漏极240a上方，故第二像素电极262会与下方第一漏极240a的延伸 部耦接于第一漏极240a。故在第二像素电极262与第一漏极240a之间会产生 一第二耦合电容(couple capacitance) Ccp2。请继续参照图3， C,e3代表由第三像素电极264与对向基板上的共用电极(未绘示)所形成的第三液晶电容，Cs3代表由第三像素电极264与共用配线 272所形成的储存电容。另外，由于像素结构200中的第三像素电极264耦接 于第二漏极250a，故在第三像素电极264与第二漏极250a之间会产生一第三耦合电容Ccp3。以下将针对此像素结构200的驱动方法作说明。请同时参照图2及图3， 此像素结构200的驱动方法包括下列步骤。首先，先经由扫描线220开启第一 薄膜晶体管240与第二薄膜晶体管250。接着，经由数据线230将一数据电压 Va输入至第一像素电极260，此时，第二像素电极262经由第一漏极240a产 生感应电压Vb2，第三像素电极264则经由第二漏极250a产生感应电压Vb3。更具体地说，本发明利用第一共用配线270、第二共用配线272信号调配及耦合电容Cep2、 Cep3的影响，使得三像素电极达到不同的电位。图4绘示为像素结构200经由上述的驱动方法后的各像素电极的驱动波形，第一像素电极 260的驱动波形为Vap第二像素电极262的驱动波形为Vb2以及第三像素电极 264的驱动波形为Vb3。在本实施例中，第一共用配线270与第二共用配线272 的所输入的电压为反相，但不限定二者的输入电压仅此反相的关系，在其他实 施例中，第一共用配线270与第二共用配线272的所输入的电压也可以是二者 有一电压差即可。由图4中可以明显地看出的信号波形V^、Vb2及Vb3的差异。 换言之，此像素结构200在采用上述的驱动方法后，能使像素结构200中的三 像素电极达到不同的电位，以使位于三像素电极上方的液晶分子的倾倒角度不 同，而降低多域垂直配向式液晶显示面板的光穿透率相对于灰阶的迦玛曲线随 着视角改变的程度。第二实施例图5为本发明另一实施例的一种像素结构300的俯视示意图。请参照图5， 本实施例的像素结构300与第一实施例的像素结构200类似，二者主要的差异 在于本实施例的像素结构300在第三像素电极264与扫描线220之间还配置 一第四像素电极266。在本实施例中，第四像素电极266电性连接至第二漏极 250a并与部分第二共用配线272重叠。更详细地说，第一漏极透过一第一接触 窗290与第一像素电极260作连接，而第二漏极透过一第二接触窗292与第四像素电极266作连接。更具体地说，在本实施例的像素结构300中，第一像素 电极260与第二像素电极262位于扫描线220的一侧，而第三像素电极264与 第四像素电极266位于扫描线220的另一侧。图6绘示为像素结构300的等效电路图。请同时参照图6和图7，本实施 例的像素结构300的等效电路图与第一实施例的等效电路图类似，二者主要的 差异在于本实施例较第一实施例多出第四像素电极266与对向基板上的共用 电极(未绘示)所产生的第四液晶电容Cle4，还有第四像素电极266与共用配 线272所形成的储存电容Cs4。在图6中，以C^2代表第三储存电容Q3与第四 储存电容C^的总合。以下将针对像素结构300的驱动方法作说明。请同时参照图5及图6，像 素结构300的驱动方法包括下列步骤。首先，经由扫描线220开启第一薄膜晶 体管240与第二薄膜晶体管250。再经由数据线230将一数据电压Va输入至第 一像素电极260与第四像素电极266。此时，第二像素电极262经由第一漏极 240a产生感应电压Vb2，第三像素电极264则经由第二漏极250a产生感应电压 Vb3。更具体地说，本发明利用第一共用配线270、第二共用272的信号与耦合 电容Cep2、 Cep3，使得四像素电极达到不同的电位。图7绘示为像素结构300 经由上述的驱动方法后的各像素电极的驱动波形，第一像素电极260的驱动波 形为Vai、第二像素电极262的驱动波形为Vb2、第三像素电极264的驱动波 形为Vb3以及第四像素电极266的驱动波形为Va4。在本实施例中，第一共用 配线270与第二共用配线272的电压选择使用反相电压作说明，但不限定二者 的输入电压仅此反相的关系。在其他实施例中，第一共用配线270与第二共用 配线272的所输入的电压也可以是二者有一电压差即可。由图7中可以明显地 看出四像素电极的信号波形Vai、 Vb2、 Vb3及Va4的差异。综上所述，本发明的二实施例的像素结构200与像素结构300在分别使用 上述驱动方法之后，能使像素结构200或像素结构300中的各像素电极达到不 同的电位，以使位于各像素电极上方的液晶分子的倾倒角度不同，而降低多域 垂直配向式液晶显示面板的光穿透率相对于灰阶的迦玛曲线随着视角改变的 程度。虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本 领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰， FR , 女B昍的/S 眾闺当I ， I 禾l I亜步龙听H_ *的*港
权利要求
1. 一种像素结构，其特征在于，包括一基板；一扫描线，配置于所述基板上；一数据线，配置于所述基板上；一第一薄膜晶体管，配置于所述基板上，并电性连接至所述扫描线与所述数据线，且所述第一薄膜晶体管具有一第一漏极；一第一像素电极，配置于所述基板上，并电性连接至所述第一漏极；一第二像素电极，配置于所述基板上，且所述第二像素电极设置于所述第一漏极上方，并与所述第一漏极耦接；一第二薄膜晶体管，配置于所述基板上，并电性连接至所述扫描线与所述数据线，且所述第二薄膜晶体管具有一第二漏极；一第三像素电极，配置于所述基板上，且所述第三像素电极设置于所述第二漏极上方，并与所述第二漏极耦接；
2. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一第四像素电极， 配置于所述基板上，并电性连接至所述第二漏极，而所述第四像素电极与部分 所述第二共用配线重叠，且所述配向构件还配置于第四像素电极上。
3. 如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一像素电极与所述 第二像素电极位于所述扫描线的一侧，而所述第三像素电极与所述第四像素电 极位于所述扫描线的另一侧。
4. 如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第四像素电极位于所 述第三像素电极与所述扫描线之间。
5. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管与所 述第二薄膜晶体管具有一共用源极。
6. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一像素电极与所述 第二像素电极位于所述扫描线的一侧，而所述第三像素电极位于所述扫描线的
7. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一像素电极位于所述第二像素电极与所述扫描线之间。
8. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一第一共用配线， 配置于所述基板上，且所述第一像素电极与所述第二像素电极分别与部分第一 共用配线重叠。
9. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一第二共用配线， 配置于所述基板上，且所述第三像素电极与部分第二共用配线重叠。
10. 如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括多个配向构件， 配置于所述第一像素电极、所述第二像素电极与所述第三像素电极上。
11. 如权利要求IO所述的像素结构，其特征在于，所述配向构件包括凸起 物或狭缝。
12.—种像素结构的驱动方法，适于驱动如权利要求l所述的像素结构，所述像素结构的驱动方法包括经由所述扫描线开启所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管；以及 经由所述数据线将一数据电压输入至所述第一像素电极，所述第二像素电极经由所述第一漏极产生感应电压，所述第三像素电极经由所述第二漏极产生感应电压。
13. 如权利要求12所述的像素结构的驱动方法，其特征在于，所述第一共 用配线与所述第二共用配线的电压不相同。
14. 如权利要求13所述的像素结构的驱动方法，其特征在于，所述第一共 用配线与所述第二共用配线的电压为反相。
15. —种像素结构的驱动方法，适于驱动如权利要求2所述的像素结构，所述像素结构的驱动方法包括经由所述扫描线开启所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管；以及 经由所述数据线将一数据电压输入至所述第一像素电极与所述第四像素电极，所述第二像素电极经由所述第一漏极产生感应电压，所述第三像素电极经由所述第二漏极产生感应电压，且所述第一共用配线与所述第二共用配线的电压不相同。
16. 如权利要求15所述的像素结构的驱动方法，其特征在于，所述第一共 用配线与所述第二共用配线的电压为反相。
全文摘要
本发明公开了一种像素结构，包括一扫描线、一数据线、一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一第一像素电极、一第二像素电极与一第三像素电极。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管电性连接至扫描线与数据线，且分别具有一第一漏极与一第二漏极。第一像素电极电性连接至第一漏极。第二像素电极设置于第一漏极上方并与其耦接，而第三像素电极设置于第二漏极上方并与其耦接。因此，此像素结构能够降低显示品质随着视角改变的程度。
文档编号G02F1/1362GK101281311SQ200710096818
公开日2008年10月8日 申请日期2007年4月4日 优先权日2007年4月4日
发明者王贤军, 许庭彰, 黄子建 申请人:中华映管股份有限公司