专利名称：反透过型阵列基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种阵列基板，特别涉及一种反透过型阵列基板。
背景技术：
液晶显示装置是现在使用最多的平板显示装置中的 一种，其主要由两个 基板结构和基板结构之间注入的液晶层组成，两个基板结构上设有可产生电 场的电极，电极产生电压后液晶层的液晶分子随电场移动，液晶分子在电场 的作用下按照一定方向旋转，使光线按照一定折射率穿过液晶层。
液晶显示装置根据其显示模式可分为透过型，反透过型和反射型。所谓 透过型是利用背光源显示画面的显示模式，反射型是利用从外部射入的光线 显示画面的显示模式，反透过型是介于透过型和反透过型之间的显示模式， 即反透过型既可以利用背光源也可以利用从外部射入的光线。
液晶显示装置根据其驱动液晶的电场方向分为垂直电场型液晶显示装 置和横向电场型液晶显示装置，其中垂直电场型液晶显示装置中包括扭曲 向列型(Twist Nematic,以下简称为"TN")结构和垂直取向型(Vertical Align,以下简称为"VA")结构等；横向电场型液晶显示装置中包括边缘 场切换型(Fringe Field Switch,以下简称为"FFS")结构和面内切换型 (InPlane Switch,以下简称为"IPS")结构等。垂直电场型液晶显示装置 是通过分别设置在阵列基板上的像素电极和设置在彩色滤光片基板上的公共 电极形成垂直电场；横向电场型液晶显示装置是通过设置在阵列基板上的像 素电极和公共电极以形成横向电场。现在垂直电场型和横向电场型液晶显示 装置为公知技术，并且相应的产品早已进入产品市场，因此在这里对其具体
结构不再进一步详细介绍。另外，TN型液晶显示装置其构造简单，被广泛应 用于小型平板显示装置中；FFS型液晶显示装置和IPS型液晶显示装置等则相 比其他模式具有更好的视角性能，因此广泛应用于高质量平板显示装置中。反透过型液晶显示装置需要用反射板反射从外部射入的光线，因此在结 构上比透过型液晶显示装置增加了用于形成反射板压花的树脂层和用于反射 光线的反射板结构。反透过型液晶显示装置在原来的透过型液晶显示装置中 相应增加了上述多层结构，因此半透射型液晶显示装置的阵列基板表面呈现 出极为不平整的表面，具体地说由于在像素区域内的透射区域和反射区域 结构不同，在像素区域呈现出不平整的表面，从而导致了设计液晶盒的过程 中增加了设定各项参数(树脂层的厚度、钝化层的厚度、液晶盒间隙等)的 难度。图1为现有反透过型阵列基板结构示意图。如图1所示，在玻璃基板1 表面依次形成了栅线(图中未画出)和栅电极2、栅绝缘层3、有源层4、源 漏电极5、数据线(图中未画出)、树脂层6、反射板7、钝化层8和像素电 极9,具体为玻璃基板1上设置栅线和栅电极2以及栅绝缘层3;有源层4 位于栅电极2上方，并且有源层4和栅电极2之间隔有栅绝缘层3;源漏电极 5位于有源层4上并设置隔离沟道，源漏电极5—端与数据线连结、另一端与 像素电极9连接；树脂层6位于栅绝缘层3上，其表面设有凹凸不平的压花； 反射板7位于树脂层6上，其表面同样形成有凹凸不平的压花，以提高反射 率；钝化层8位于源漏电极5和反射板7上；像素电极9位于钝化层8表面， 覆盖用于显示颜色的像素区域，通过钝化层8上的过孔81与源漏电极5的一 端连接。由于现有技术在像素区域的反射区域内通过树脂层形成压花，并在其上 设置反射板，导致原本应平整的像素区域变成了起伏的表面，使得像素区域 内液晶注入量不同，同时像素区域内的透射区域和反射区域具有不同的光传 播距离，因此设计液晶盒时增加了设定各项参数(树脂的厚度、钝化层的厚
度、液晶盒间隙等)的难度。另外，设有压花的树脂层和反射板结构给其他 各项参数之间的稳定性产生诸多不利影响，因此即使产品下线之后对其稳定 工作产生一些潜在的不利影响。发明内容本发明的目的是提供一种反透过型阵列基板，有效解决现有的反透过型 阵列基板各项参数设定难度过大的缺陷。为实现上述目的，本发明提供了一种反透过型阵列基板，包括玻璃基 板和阵列主体，玻璃基板包括相对的第一面和第二面，玻璃基板设有透射区 域河反射区域，在玻璃基板第一面的反射区域形成有压花，在压花上设置反 射板；在玻璃基板第二面设置阵列主体。其中，阵列主体为扭曲向列型结构主体、垂直取向型结构主体、边缘场 切换型结构主体或面内切换型结构主体。其中，压花为点阵形。其中，反射板的材料为铝、钼、钛、铝合金或钛合金。 其中，在玻璃基板第一面上还设置保护膜。 其中，保护膜的材料为硅的氮化物或树脂。本发明提出的反透过型阵列基板，通过在玻璃基板的一面上形成压花， 并且在压花上设置反射板，可以使原本位于阵列主体内的反射板与阵列主体 分离，使得像素区域内的液晶盒间隙趋于均匀，同时使得像素电极表面形成 没有起伏的结构，这样像素电极产生电场强度均匀的电场时，均匀的液晶分 子在均匀电场的作用下整齐地排列，提高液晶显示装置的质量。另外，反射 板与阵列主体分离的反透过型阵列基板结构，对像素区域的表面高低不产生 任何影响，因此不需要考虑现有技术中树脂层和反射板引起的高低问题、液 晶注入量问题和光传播路径问题等，还避免了导致上述问题的各项参数之间 相互影响，不利于液晶显示装置稳定工作的问题，不仅提高了液晶显示装置
的质量，而且还简化了液晶显示装置的制造工程。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1为现有反透过型阵列基板结构示意图； 图2为本发明第一实施例的结构示意图； 图3为本发明第二实施例的结构示意图； 图4为本发明第三实施例的结构示意图。 附图标记说明
1—玻璃基板； 2—栅电极；
4—有源层； 5 —源漏电极；
7—反射板； 8—钝化层； IO—公共电极； 11—保护膜；
3—栅绝缘层; 6—树脂层； 9一像素电极; 81—过孔。
具体实施例方式
本发明反透过型阵列基板，包括玻璃基板和阵列主体，玻璃基板包括 相对的第一面和第二面，玻璃基板设有透射区域和反射区域，在玻璃基板第 一面的反射区域形成有压花，在压花上设置反射板；在玻璃基板第二面设置 阵列主体。
本发明第一实施例
图2为本发明第一实施例的结构示意图。如图2所示，反透过型阵列基 板包括玻璃基板l和阵列主体，其中玻璃基板l设有透射区域和反射区域， 在对应反射区域的玻璃基板1的第一面形成有压花，压花为向玻璃基板1的 第二面凹进的结构，在玻璃基板1第一面的压花上设置厚度均匀的反射板7， 反射板7的形状与压花形状相同；与玻璃基板1的第一面相对的玻璃基板1 的第二面上设置阵列主体，其中阵列主体包括了栅线(图中未画出)、栅电
极2、栅绝缘层3、有源层4、源漏电极5、数据线(图中未画出)、钝化层8 和像素电极9;阵列主体结构具体为在玻璃基板l第二面设置栅线和栅电极 2;在栅线和栅电极2上方覆盖栅绝缘层3，使栅线和栅电极2与其他层相互 绝缘；在栅绝缘层3的表面，位于栅电极2的正上方设置有源层4;在有源层 4的上部设置源漏电极5和数据线，并且源漏电极5设有隔离沟道，源漏电极 5的一端与数据线连接、另一端与像素电极9连接，因此栅电极2提供电平信 号时源漏电极5的两端通过有源层4相互电连接；在源漏电极5表面设置钝 化层8,使钝化层8可以起到保护源漏电极5的作用；在钝化层8表面设置像 素电极9,像素电极9对应像素区域，并且通过钝化层8上的过孔81与源漏 电极5的一端电连接，使得像素电极9接收从源漏电极5的另一端发送的数 据信号。本实施例提出的反透过型阵列基板，通过在玻璃基板第 一面形成压花， 并且在压花上设置反射板，可以使原本位于阵列主体内的反射板与阵列主体 分离，使得像素区域内的液晶盒间隙趋于均匀，同时使得像素电极表面形成 没有起伏的结构，这样像素电极产生电场强度均匀的电场时，均匀的液晶分 子在均匀电场的作用下整齐地排列，提高液晶显示装置的质量。另外，反射 板与阵列主体分离的反透过型阵列基板结构，对像素区域的表面高低不产生 任何影响，因此不需要考虑现有技术中树脂层和反射板引起的高低问题、液 晶注入量问题和光传播路径问题等，进一步地还避免了导致上述问题的各项 参数之间相互影响，不利于液晶显示装置稳定工作的问题，不仅提高了液晶 显示装置的质量，而且还简化了液晶显示装置的制造工程。本实施例中，通过压花掩模工艺形成压花，具体为在玻璃基板表面涂 布光刻胶，使光刻胶均匀地覆盖玻璃基板表面；使用设有点阵图案的掩模版 曝光光刻胶，去掉被曝光的光刻胶；使用化学腐蚀剂蚀刻没有被光刻胶覆盖 玻璃基板表面，形成向下凹进的压花；最后剥离剩余的光刻胶，结束压花掩 模工艺。通过反射板掩模工艺形成反射板，具体为在形成有压花的玻璃基 板上沉积反射板材料；涂布光刻胶，使光刻胶均匀地覆盖反射材料表面；使 用设有反射区域图案的掩模版曝光光刻胶，去掉被曝光的光刻胶；使用化学 腐蚀剂蚀刻没有被光刻胶覆盖的反射材料，留下反射区域的反射材料；最后 剥离剩余光刻胶，结束反射板掩模工艺。
另外，本实施例中通过调整钝化层的厚度把反射区域光传播路径简单地 变化为A、入/2、入/4、 A/8，因此大大改善了以往将光传播路径只能设置 为入或入/2的不足。其中，入为光波波长。
本实施例提出的阵列主体为TN型结构，因此产生垂直电场的前提下，阵 列主体内部各个层间结构和各个电子元件的图形可以任意变化，并且关于形 成垂直电场的TN型阵列主体的技术内容为公知技术，因此在这里本发明结构 如何应用在各种TN型阵列主体的实施例不再——进行赘述。并且，在本实施 例中玻璃基板第 一面为正对背光源的 一面；玻璃基板第二面为正对液晶盒的 一面。
进一步的，在本实施例中压花为点阵形，这样可以最大化反射效率。另 外，本实施例中所使用的反射板材料为铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、 铝合金或钛合金等。
本发明第二实施例
图3为本发明第二实施例的结构示意图。如图3所示，反透过型阵列基 板包括玻璃基板l和阵列主体，其中玻璃基板l设有透射区域和反射区域， 在对应反射区域的玻璃基板l的第一面形成有压花，压花为向玻璃基板1的 第二面凹进的结构，在玻璃基板1第一面的压花上设置厚度均匀的反射板7， 反射板7的形状与压花形状相同，在反射板7上设置保护膜11，保护膜11均 匀地覆盖在玻璃基板1的第一面；与玻璃基板1的第一面相对的玻璃基板1 的第二面设置阵列主体，其中阵列主体包括了栅线(图中未画出)、栅电极2、 栅绝缘层3、有源层4、源漏电极5、数据线(图中未画出)、钝化层8和像 素电极9;阵列主体结构具体为在玻璃基板1第二面设置栅线和栅电极2;
在栅线和栅电极2上方覆盖栅绝缘层3，使栅线和栅电极2与其他层相互绝缘; 在栅绝缘层3的表面，位于栅电极2的正上方设置有源层4;在有源层4的上 部设置源漏电极5和数据线，并且源漏电极5设有隔离沟道，源漏电极5的 一端与数据线连接、另一端与像素电极9连接，因此栅电极2提供电平信号 时源漏电极5的两端通过有源层4相互电连接；在源漏电极5表面设置钝化 层8，使钝化层8可以起到保护源漏电极5的作用；在钝化层8表面设置像素 电极9,像素电极9对应像素区域，并且通过钝化层8上的过孔81与源漏电 极5的一端电连接，使得像素电极9接收从源漏电极5的另一端发送的数据 信号。
本实施例提出的反透过型阵列基板，通过在玻璃基板第 一面形成压花， 在压花上设置反射板，并且在反射板上设置保护膜，防止已形成的反射板结 构在后续的阵列主体制造过程中受到物理损伤或化学腐蚀，有效保证了已形 成的反射板结构的稳定性。
更进一步的，保护膜可以为硅的氮化物(SiNx)或者为树脂。
本发明第三实施例
图4为本发明第三实施例的结构示意图。如图4所示，反透过型阵列基 板包括玻璃基板l和阵列主体，其中玻璃基板l设有透射区域和反射区域， 在对应反射区域的玻璃基板l的第一面形成有压花，压花为向玻璃基板1的 第二面凹进的结构，在玻璃基板1第一面的压花上设置厚度均勻的反射板7, 反射板7的形状与压花形状相同；与玻璃基板1的第一面相对的玻璃基板1 的第二面上设置阵列主体，其中阵列主体包括了栅线(图中未画出)、栅电 极2、栅绝缘层3、有源层4、源漏电极5、数据线(图中未画出)、钝化层8、 像素电极9和公共电极10;阵列主体结构具体为在玻璃基板l的第二面设 置栅线、栅电极2和公共电极10，公共电极10位于像素区域内，用于提供常 值电压并且与栅线和栅电极2相互绝缘设置；在栅线、栅电极2和公共电极 10上方覆盖栅绝缘层3，使栅线、栅电极2和公共电极10与其他层相互绝缘；
在栅绝缘层3的表面，位于栅电极2的正上方设置有源层4;在有源层4的上 部设置源漏电极5和数据线，并且源漏电极5设有隔离沟道，源漏电极5的 一端与数据线连接、另一端与像素电极9连接，因此栅电极2提供电平信号 时源漏电极5的两端通过有源层4相互电连接；在源漏电极5表面设置钝化 层8，使钝化层8可以起到保护源漏电极5的作用；在钝化层8表面设置像素 电极9，像素电极9对应像素区域，像素电极9表面还设有缝隙用于产生横向 电场，并且通过钝化层8上的过孔81与源漏电极5的一端电连接，使得像素 电极9接收从源漏电极5的另 一端发送的数据信号。
本实施例提出的阵列主体为FFS型结构，因此产生横向电场的前提下， 阵列主体内部各个层间结构和各个电子元件的图形可以任意变化，并且关于 形成横向电场的FFS型阵列主体的技术内容为公知技术，因此在这里本发明 结构如何应用在各种FFS型阵列主体的实施例不再一一进行赘述。并且，在 本实施例中玻璃基板第 一面为正对背光源的 一面；玻璃基板第二面为正对液 晶盒的一面。
本发明第一实施例提出的TN型阵列主体为以垂直电场驱动液晶的一种方 式，另外VA型阵列主体也属于垂直电场驱动方式，并且VA型阵列主体的结 构对于所属技术领域人员来讲是公知技术，因此本发明结构如何应用于VA型 阵列主体的实施例不再进行赘述。同样本发明第三实施例中提出的FFS型阵 列主体为以横向电场驱动液晶的一种方式，另外IPS型阵列主体也属于横向 电场驱动方式，并且IPS型阵列主体的结构对于所属技术领域人员来讲是公 知技术，因此本发明结构如何应用于IPS型阵列主体的实施例也不再进行赘 述。
另外，本发明中阵列基板上的反射区域可位于像素区域的任何部位，不 限于实施例中给出的部位。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其 限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术
人员应当理解其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或 者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技
术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
权利要求
1、一种反透过型阵列基板，包括玻璃基板和阵列主体，所述玻璃基板包括相对的第一面和第二面，所述玻璃基板设有透射区域和反射区域，其特征在于在玻璃基板第一面的反射区域形成有压花，在所述压花上设置反射板；在玻璃基板第二面设置阵列主体。
2、 根据权利要求l所述的反透过型阵列基板，其特征在于所述阵列主 体为扭曲向列型结构主体、垂直取向型结构主体、边缘场切换型结构主体或 面内切换型结构主体。
3、 根据权利要求1所述的反透过型阵列基板，其特征在于所述压花为 点阵形。
4、 根据权利要求1所述的反透过型阵列基板，其特征在于所述反射板 的材料为铝、钼、钛、铝合金或钬合金。
5、 根据权利要求1-4任一权利要求所述的反透过型阵列基板，其特征 在于在所述玻璃基板第一面上还设置保护膜。
6、 根据权利要求5所属的反透过型阵列基板，其特征在于所述保护膜 的材料为硅的氮化物或树脂。
全文摘要
本发明涉及一种反透过型阵列基板，包括玻璃基板和阵列主体，玻璃基板包括相对的第一面和第二面，在玻璃基板第一面形成压花，在压花上设置反射板；在玻璃基板第二面设置阵列主体。本发明有效解决了现有的反透过型阵列基板在设计过程中树脂层厚度、钝化层厚度、液晶盒间隙等各参数设定困难的缺陷，并且提高了液晶显示装置的质量。
文档编号G02F1/137GK101398557SQ20071017520
公开日2009年4月1日 申请日期2007年9月27日 优先权日2007年9月27日
发明者刘圣烈, 崔莹石, 柳在一 申请人:北京京东方光电科技有限公司