专利名称：光刻胶剥离液的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种清洗剂，尤其是一种应用于集成电路(IC)、超大规模集成电路(ULSI)制造工艺中，用以剥离经刻蚀工艺后的光刻胶的剥离液。
背景技术：
在集成电路(IC)、超大规模集成电路(ULSI)的制造工艺中，使用光刻胶在晶圆上形成导电层是非常重要的一道工序。一般是用光刻胶均匀涂抹在绝缘膜或金属膜上，经曝光、显影后在光刻胶上形成导电层图像，然后通过蚀刻工艺把导电层图像转移到晶圆的表层。晶圆表面导电层形成之后，需要去除作为刻蚀阻挡层的光刻胶。目前通常采用湿法工艺去除光刻胶，其湿法工艺中的清洗液主要为SPM溶液和APM溶液，但存在着如下缺点 1.清洗液易腐蚀晶圆基料及金属配线，导致栅结构破坏； 2.清洗后残留金属离子的数量超出标准要求，易引起晶圆表面金属离子污染； 3.主要成分为强酸、过氧化氢和氟化物，均是危险的化学试剂，在清洗操作过程中，不但危害操作人员的身体，且排放的废液对环境污染严重。
发明内容
本发明是为了解决现有技术所存在的上述问题，提供一种制备方法简单、成本低、对衬底材料及金属配线腐蚀率低、对环境无污染的光刻胶灰化残留物清洗剂。
本发明的技术解决方案是一种光刻胶剥离液，其特征在于含有原料及重量百分比如下 表面活性剂1％～15％ 有机胺5％～40％ 有机溶剂 5％～30％ 螯合剂0.1％～5％ 缓蚀剂0.01％～5％ 纯水余量 含有原料及重量百分比的最佳方案如下 表面活性剂5％ 有机胺10％ 有机溶剂 10％ 螯合剂2％ 缓蚀剂0.05％ 纯水 余量 所述的表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚，分子通式为RO(C2H4O)m(C3H6O)nH，其中R为C10-C18的烷基，m和n分别是环氧乙烷基和环氧丙烷的聚合数，聚合数为3～20。
所述的有机胺是二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺的至少一种。
所述的有机溶剂是乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单苯醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单甲醚、、二丙二醇单乙醚的至少一种。
所述的螯合剂是所述的螯合剂是乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二钠盐、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸或次氮基三乙酸中的至少一种。
所述的缓蚀剂是果糖、葡萄糖、半乳糖、山梨糖、山梨糖醇、木糖醇、乳酸、苹果酸、柠檬酸中的至少一种。
所述的纯水是经过离子交换树脂过滤的水，其电阻至少是18MΩ。
本发明同现有技术相比，具有以下优点 1.本发明含有的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚非离子表面活性剂，具有高效的脱脂能力，能均匀渗透到晶圆表面，快速剥离晶圆表面的光刻胶及其他残留物，并能有效控制晶圆表面的蚀刻速率； 2.本发明含有的螯合剂，可以捕获污染物中的金属离子并与其形成络离子，从而去除晶圆表面的金属离子污染； 3.本发明在清洗过程中不产生残留杂质微粒； 4.本发明的挥发性小，对衬底材料及金属配线的腐蚀率低，毒性低，对操作人员不造成健康危害，对环境无污染。
具体实施例方式 实施例1 由表面活性剂、有机胺，有机溶剂，螯合剂，缓蚀剂，纯水组成。
其原料重量百分比如下表面活性剂1％～15％、有机胺5％～40％、有机溶剂5％～30％、螯合剂0.1％～5％、缓蚀剂0.01％～5％、纯水余量。
所述的表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚，分子通式为RO(C2H4O)m(C3H6O)nH，其中R为C10-C18的烷基，m和n分别是环氧乙烷基和环氧丙烷的聚合数，聚合数为3～20。
所述的有机胺是二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺的至少一种。
所述的有机溶剂是乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单苯醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单甲醚、、二丙二醇单乙醚的至少一种。
所述的螯合剂是所述的螯合剂是乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二钠盐、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸或次氮基三乙酸中的至少一种。
所述的所述的缓蚀剂是果糖、葡萄糖、半乳糖、山梨糖、山梨糖醇、木糖醇、乳酸、苹果酸、柠檬酸中的至少一种。
所述的纯水是经过离子交换树脂过滤的水，其电阻至少是18MΩ。
各原料在其重量范围内选择，总重量为100％，将上述各原料混合均匀，即可。
具体清洗方法为室温至60℃下，将含有光刻胶的晶圆片浸入本发明实施例1中清洗5～20min，用超纯水漂洗3min，最后用高纯氮气干燥。
清洗效果评价用本发明提供的清洗剂能快速剥离晶圆片上的光刻胶及残留物，在晶圆表面没有残留，对衬底材料和金属配线的腐蚀率很小。
实施例2 原料及重量百分比如下表面活性剂5％、单乙醇胺10％、乙二醇单丁醚10％、乙二胺四乙酸2％、山梨糖醇0.5％、纯水。
清洗方法及清洗效果同实施例1。
权利要求
1.一种光刻胶剥离液，其特征在于含有原料及重量百分比如下
表面活性剂 1％～15％
有机胺 5％～40％
有机溶剂 5％～30％
螯合剂 0.1％～5％
缓蚀剂 0.01％～5％
纯水 余量
2.根据权利要求1所述的光刻胶剥离液，其特征在于含有原料及重量百分比如下
表面活性剂 5％
有机胺 10％
有机溶剂 10％
螯合剂 2％
缓蚀剂 0.05％
纯水 余量
3.根据权利要求1所述的光刻胶剥离液，其特征在于所述的表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚，分子通式为RO(C2H4O)m(C3H6O)nH，其中R为C10-C18的烷基，m和n分别是环氧乙烷基和环氧丙烷的聚合数，聚合数为3～20。
4.根据权利要求3所述的光刻胶剥离液，其特征在于所述的有机胺是二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺的至少一种。
5.根据权利要求4所述的光刻胶剥离液，其特征在于所述的有机溶剂是乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇单苯醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单甲醚、、二丙二醇单乙醚的至少一种。
6.根据权利要求5所述的光刻胶剥离液，其特征在于所述的螯合剂是乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二钠盐、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸或次氮基三乙酸中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的光刻胶剥离液，其特征在于所述的所述的缓蚀剂是果糖、葡萄糖，半乳糖、山梨糖、山梨糖醇、木糖醇、乳酸、苹果酸、柠檬酸中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的光刻胶剥离液，其特征在于所述的纯水是经过离子交换树脂过滤的水，其电阻至少是18MΩ。
全文摘要
本发明公开一种制备方法简单、成本低、对衬底材料及金属配线腐蚀率低、对环境无污染的光刻胶灰化残留物清洗剂。其原料及重量百分比如下表面活性剂1％～15％、有机胺5％～40％、有机溶剂5％～30％、螯合剂0.1％～5％、缓蚀剂0.01％～5％、纯水余量。
文档编号G03F7/42GK101295144SQ20081001190
公开日2008年10月29日 申请日期2008年6月19日 优先权日2008年6月19日
发明者军 侯, 冬 吕 申请人:大连三达奥克化学股份有限公司