Tft-lcd像素结构和液晶显示器修复断线的方法

专利名称：Tft-lcd像素结构和液晶显示器修复断线的方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器，特别是一种TFT-LCD像素结构、 一种 TFT-LCD像素结构的制造方法以及一种液晶显示器修复断线的方法。
背景技术：
液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)具有体积小、功耗低、无辐 射等特点，现已占据了平面显示领域的主导地位。液晶显示器的主体结构包 括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有 提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极。液晶显示器的制备工艺主要包括制备阵列基板和彩膜基板的阵列工艺、 将阵列基板和彩膜基板对盒并滴注液晶的成盒工艺以及后续的模组工艺，在 上述制备工艺中，断线是一种常见的不良，而且相比像素点不良，断线不良 发生的比率非常高。当断线不良在成盒工艺之前发现时，现有技术一般采用 化学气相沉积修复(CVD Repair)方法进行搭桥修复，而对于成盒工艺之后 的断线不良，现有技术未给出切实可行的解决方案。由于发生断线的结构比较复杂，如断线位于数据线与栅线的交叉部位(栅 线断或数据线断)，或断线位于数据线与公共电极线的交叉部位(公共电极 线断或数据线断)，因此在成盒工艺之前即使采用化学气相沉积搭桥修复， 修复的难度仍然很大，修复成功率不高。基于目前的像素结构，在成盒工艺 之后出现断线不良时，现有技术只能做不合格(NG)处理，废弃成本较高。现有技术提出了一种在像素结构的外围区域设置修复线的技术方案，但 实际使用表明，由于少量长距离的修复线设置在外围区域，不仅只能修复1~ 2条数据线断线，而且修复断线的效果差，修复成功率低。发明内容本发明的目的是提供一种TFT-LCD像素结构、 一种TFT-LCD像素结构的 制造方法以及一种液晶显示器修复断线的方法，通过在相邻的像素区域之间 设置交叠条，可将断线不良修复为像素点不良，降低了废弃成本。为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD像素结构，包括由栅线和 数据线限定的数个像素区域，每个像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，相 邻的像素区域之间形成有至少二个交叠条，所述交叠条的一端与一个像素区 域中的像素电极重叠，另一端与另一个像素区域中的像素电极重叠，中部与 栅线和/或数据线重叠。所述至少二个交叠条可以为至少一个第一交叠条和至少一个第二交叠 条，所述至少一个第一交叠条形成在同一像素行中相邻的像素区域之间，所 述至少一个第二交叠条形成在同一像素列中相邻的像素区域之间。所述至少二个交叠条也可以为至少二个第一交叠条，所述至少二个第一 交叠条分别形成在同 一像素行中相邻的像素区域之间。所述至少二个交叠条还可以为至少二个第二交叠条，所述至少二个第二 交叠条分别形成在同一像素列中相邻的像素区域之间。所述第 一交叠条与所述栅线同层，且与所述栅线在同 一次构图工艺中形 成。所述第二交叠条与所述数据线同层，且与所述数据线在同一次构图工艺 中形成。所述交叠条的宽度大于5nm。为实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD像素结构的制造方法， 包括步骤1、在基板上形成包括栅线和数据线的图形，同时在相邻的像素区 域之间形成至少二个交叠条图形，所述交叠条的一端位于一个像素区域内， 另一端位于另一个像素区域内，中部与栅线和/或数据线重叠；步骤2、在完成前述步骤的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极 位置形成钝化层过孔；步骤3、在完成前述步骤的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成 包括像素电极的图形，使像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，且像素电 极与所述至少二个交叠条的端部重叠。为实现上述目的，本发明进一步提供了 一种液晶显示器修复断线的方法， 包括步骤IOO、确定栅线断点或数据线断点的位置；步骤110、采用激光焊接方法，将所述栅线断点两侧的栅线或数据线断 点两侧的数据线通过交叠条和像素电极连接起来，采用激光切割方法，使所 述像素电极所对应的TFT失效。本发明提供了一种TFT-LCD像素结构及其制造方法，通过在相邻像素区 域之间设置作为修复连接层的交叠条，当液晶显示器制备工艺中出现断线不 良时，无论是栅线断线不良还是数据线断线不良，均可以利用本发明交叠条 进行断线修复。本发明还提供了一种液晶显示器修复断线的方法，不同于现 有技术的化学气相沉积搭桥技术，是一种利用交叠条和像素电极作为导电层、 激光焊接和激光切割相结合的修复栅线断线或数据线断线方案，通过作为导 电层的交叠条建立栅线或数据线与像素电极的连接，通过作为导电层的像素 电极建立交叠条之间的连接，将栅线断线不良修复为像素点不良，即将亮线 缺陷修复为亮点或暗点缺陷。本发明断线修复既可以在阵列工程末端进行， 也可以在釆用传统化学气相沉积搭桥修复失败后进行，还可以在成盒工艺之 后进行，通过将断线不良修复为像素点不良，提升了有缺陷的液晶显示器的 等级，最大限度地降低了液晶显示器制备工艺中因断线不良造成的废弃成本。 与现有技术化学气相沉积搭桥修复中进行激光熔接和镀膜的工艺相比，本发 明断线修复只进行激光熔接，因此断线修复方式简单，修复成功率高，还适 用于复杂断线情况的^^复，具有广泛的应用前景。下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。


图1为本发明TFT-LCD像素结构第一实施例的结构示意图； 图2为图1中A-A向剖;魄图； 图3为图1中B-B向剖视图；图4为本发明TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图； 图5为本发明TFT-LCD像素结构第三实施例的结构示意图； 图6为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第一实施例的流程图； 图7为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第二实施例的流程图； 图8为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第三实施例的流程图； 图9为本发明液晶显示器修复断线的方法的流程图； 图IO为本发明液晶显示器修复断线的方法第一实施例的流程图； 图11为本发明液晶显示器修复断线的方法第一实施例的示意图； 图12为本发明液晶显示器修复断线的方法第二实施例的流程图； 图U为本发明液晶显示器修复断线的方法第二实施例的示意图； 图14为本发明液晶显示器修复断线的方法第三实施例的流程图； 图15为本发明液晶显示器修复断线的方法第三实施例的示意图； 图16为本发明液晶显示器修复断线的方法第四实施例的流程图； 图17为本发明液晶显示器修复断线的方法第四实施例的示意图。 附图标记说明1—栅线； 2—数据线； 3—像素电极；4—第一交叠条； 5—第二交叠条； 6—数据线断点；7—栅线断点。
具体实施方式
图1为本发明TFT-LCD像素结构第一实施例的结构示意图，图2为图1 中A-A向剖^L图，图3为图1中B-B向剖^L图。如图1、图2和图3所示，本实施例TFT-LCD像素结构包括栅线1、数据线2、像素电极3和薄膜晶体管 (TFT),相互交叉的栅线1和数据线2限定了数个像素区域，并在交叉处形成 TFT，像素电极3形成在像素区域内，并与栅线l形成存储电容，为一种存储 电容在栅线上(Cst On Gate)的像素结构。本实施例TFT结构与现有技术相栅电极与栅线l连接，源电极与数据线2连接，漏电极通过钝化层过孔与像 素电极3连接。本实施例中，同一像素行中二个相邻的像素电极3之间形成 有至少一个第一交叠条4,同一像素列中二个相邻的像素电极3之间形成有 至少一个第二交叠条5，第一交叠条4的一端与数据线2左側的像素电极3 重叠，另一端与数据线2右侧的像素电极3重叠，中部与数据线2重叠；第 二交叠条5的一端与栅线1上侧的像素电极3重叠，另一端与栅线1下侧的 像素电极3重叠，中部与栅线l重叠。本实施例上述4支术方案中， 一个像素区域内的第一交叠条4可以是一个、 二个或多个，第一交叠条4与栅线1同层，且二者在同一次构图工艺中形成。 优选地，第一交叠条4为与栅线1平行的水平交叠条，宽度大于5nm，形成 设置在左右二个相邻像素区域之间且i^i殳数据线3的桥状结构。具体地，第 一交叠条4形成在基板上，栅绝缘层11形成在第一交叠条4上并覆盖整个基 板，数据线2形成在栅绝缘层11上，钝化层12形成在数据线2上并覆盖整 个基板，二个像素电极3形成在钝化层12上并位于数据线2的两侧，如图2 所示。此外， 一个像素区域内的第二交叠条5可以是一个、二个或多个，第 二交叠条5与数据线2同层，且二者在同一次构图工艺中形成。优选地，第 二交叠条5为与数据线2平行的垂直交叠条，宽度大于5ium，形成设置在上 下二个相邻像素区域之间且跨设栅线1的桥状结构。具体地，栅线1形成在 基板上，4册绝缘层11形成在栅线1上并覆盖整个基板，第二交叠条5形成在 栅绝缘层11上并位于栅线1上方，钝化层12形成在第二交叠条5上并覆盖 整个基板，二个像素电极3形成在钝化层12上，其中一个位于栅线1的一侧，另一个位于栅线1的另一侧且与栅线1部分重叠，如图3所示。当液晶显示器制备工艺中出现数据线断线不良时，首先确定数据线的数 据线断点，然后通过激光焊接工艺将数据线断点上侧的第一交叠条与数据线 左侧(或右侧)的像素电极熔接，将数据线断点下側的第一交叠条与数据线 左側(或右侧)的像素电极熔接，将数据线左侧(或右側)的二个像素电极 通过设置其间的第二交叠条熔接，使数据线断点两側的数据线通过上侧的第 一交叠条、像素电极、第二交叠条、像素电极和下侧的第一交叠条重新连接 起来。当液晶显示器制备工艺中出现栅线断线不良时，首先确定栅线的栅线 断点，然后通过激光焊接工艺将栅线断点左侧的第二交叠条与栅线下侧(或 上側)的像素电极熔接，将断线点右侧的第二交叠条与栅线下侧(或上侧) 的像素电极熔接，将栅线下侧(或上侧)的二个像素电极通过设置其间的第 一交叠条熔接，使栅线断点两侧的栅线通过左侧的第二交叠条、像素电极、 第一交叠条上、像素电极和右侧的第二交叠条重新连接起来。虽然本实施例4又针对存储电容在栅线上(Cst On Gate)的像素结构进行 了说明，但实际使用中，本实施例上述技术方案对于存储电容在公共电极线 上(Cst On Common)的像素结构也同样适用。图4为本发明TFT-LCD像素结构第二实施例的结构示意图。如图4所示， 本实施例TFT-LCD像素结构的主体结构与第一实施例相同，不同之处在于， 本实施例同一像素行中二个相邻的像素电极3之间形成有至少二个第一交叠 条4， 一个像素区域内的每个第一交叠条4的一端与数据线2左侧的像素电 极3重叠，另一端与泰:据线2右侧的像素电极3重叠，中部与数据线2重叠。 本实施例技术方案中，每个第一交叠条4与栅线1同层，且二者在同一次构 图工艺中形成。优选地，第一交叠条4为与栅线1平行的水平交叠条，宽度 大于5 nm，形成设置在左右二个相邻像素区域之间且^i殳数据线3的桥状结 构，且至少二个第一交叠条4沿数据线3的延伸方向排列。每个第一交叠条 4的结构形式与第一实施例相同，不再赘述。现数据线断线不良时，首先确定数据线的数 据线断点，然后通过激光焊接工艺将数据线断点上侧的一个第一交叠条与数 据线左侧(或右侧)的像素电极熔接，将数据线断点下侧的另一个第一交叠 条与数据线左侧(或右侧)的像素电极熔接，使数据线断点两侧的数据线通 过上侧的第一交叠条、像素电极和下侧的第一交叠条重新连接起来。此外，第二实施例可以通过与第一实施例组合形成新的技术方案。例如， 同 一像素^f亍中二个相邻的像素电极之间形成有二个第 一交叠条，同 一像素列 中二个相邻的像素电极之间形成有一个第二交叠条。当液晶显示器制备工艺中出现数据线断线不良时，首先确定数据线断点位置，当数据线断点位于同 一个像素电极的二个第一交叠条之间时，采用前述第二实施例的修复方式，通过二个第一交叠条和一个像素电极使数据线重新连接起来；当数据线断点 位于相邻像素电极的二个第一交叠条之间时，采用前述第一实施例的修复方 式，通过一个像素电极的第一交叠条、二个像素电极之间的第二交叠条、另 一个像素电极的第 一交叠条使数据线重新连接起来。图5为本发明TFT-LCD像素结构第三实施例的结构示意图。如图5所示， 本实施例TFT-LCD像素结构的主体结构与第一实施例相同，不同之处在于， 本实施例中同一像素列中二个相邻的像素电极3之间形成有至少二个第二交 叠条5， 一个像素区域内的每个第二交叠条5的一端与栅线1上侧的像素电 极3重叠，另一端与栅线1下侧的像素电极3重叠，中部与栅线l重叠。本 实施例技术方案中，每个第二交叠条5与数据线2同层，且二者在同一次构 图工艺中形成。优选地，第二交叠条5为与数据线2平行的垂直交叠条，宽 度大于5 ju m，形成设置在上下二个相邻像素区域之间且跨设栅线1的桥状结 构，且至少二个第二交叠条5沿栅线1的延伸方向排列。每个第二交叠条5 的结构形式与第一实施例相同，不再赘述。当液晶显示器制备工艺中出现栅线断线不良时，首先确定栅线的栅线断 点，然后通过激光焊接工艺将栅线断点左侧的第二交叠条与栅线下侧(或上侧)的像素电极熔接，将断线点右侧的第二交叠条与栅线下侧(或上侧)的 像素电极熔接，佳j册线断点两侧的栅线通过左侧的第二交叠条、像素电极和 右侧的第二交叠条重新连接起来。此外，第三实施例可以通过与第一实施例组合形成新的技术方案。例如， 同一像素列中二个相邻的像素电极之间形成有二个第二交叠条，同一像素行 中二个相邻的像素电极之间形成有一个第一交叠条。当液晶显示器制备工艺中出现栅线断线不良时，首先确定栅线断点位置，当栅线断点位于同一个像 素电极的二个第二交叠条之间时，采用前述第三实施例的修复方式，通过二个第二交叠条和一个像素电极使栅线重新连接起来；当栅线断点位于相邻像 素电极的二个第二交叠条之间时，采用前述第一实施例的修复方式，通过一 个像素电极的第二交叠条、二个像素电极之间的第一交叠条、另一个像素电 极的第二交叠条使栅线重新连接起来。需要说明的是，上述实施例中由于修复栅线断线或数据线断线时利用了 像素电极作为导电层，因此修复工艺中还包括使该像素区域的TFT失效等过 程。本发明由于设置有交叠条，虽在一定程度上降低了开口率，但是在大尺 寸液晶显示器中，由于开口率降低程度有限，对显示质量的影响较小，因此 本发明特别适用于大尺寸对开口率要求不高的液晶显示器。例如，对于尺寸 为150|xmx 300pni的像素电极，以一个像素区域内设置4个交叠条、每个交叠 条与像素电极的重叠面积约为5^un x 5^im计算，有效的像素电极面积为150拜 x 30(Vm-4 x 5jjfli x 5^11=449OOpjn2，像素电极面积仅减小0. 22%。本发明上述实施例提供了一种TFT-LCD像素结构，通过在相邻像素区域 之间设置用于修复连接的交叠条，当液晶显示器制备工艺中出现断线不良时， 无论是栅线断线不良还是数据线断线不良，均可以利用本发明交叠条进行断 线修复。断线修复既可以在阵列工程末端进行，也可以在采用传统化学气相 沉积搭桥修复失败后进行，还可以在成盒工艺之后进行，通过将断线不良修 复为像素点不良，本发明最大限度地降低了液晶显示器制备工艺中因断线不良造成的废弃成本。本发明TFT-LCD像素结构的制造方法包括步骤1、在基板上形成包括栅线和数据线的图形，同时在相邻的像素区 域之间形成至少二个交叠条图形，所述交叠条的一端位于一个像素区域内， 另一端位于另一个像素区域内，中部与栅线和/或数据线重叠；步骤2、在完成前述步骤的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极 位置形成钝化层过孔；步骤3、在完成前述步骤的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成 包括像素电极的图形，使像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，且像素电 极与所述至少二个交叠条的端部重叠。下面通过具体实施例进一步说明本发明技术方案。在以下说明中，本发 明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和剥离等工艺。图6为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第一实施例的流程图，具体 包括步骤ll、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图， 在基板上形成栅线和栅电极图形，同时在同一像素行中二个相邻的像素区域 之间形成至少一个第一交叠条图形，所述第一交叠条的一端与左侧的像素电 极重叠，另一端与右侧的像素电极重叠，中部与数据线重叠；步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂 半导体层，通过构图工艺对半导体层和掺杂半导体层进行构图，在栅电极上 形成有源层图形；步骤13、在完成步骤l2的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源 漏金属层进行构图，形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，同 时在同 一像素列中二个相邻的像素区域之间形成至少一个第二交叠条图形， 所述第二交叠条的一端与上侧的像素电极重叠，另一端与下侧的像素电极重 叠，中部与^f册线重叠；步骤14、在完成步骤13的基板上沉积钝化层，通过构图工艺对钝化层 进行构图，在漏电极位置形成钝化层过孔；步骤15、在完成步骤14的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺对透 明导电层进行构图形成像素电极，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。图7为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第二实施例的流程图，具体 包括步骤21、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图， 在基板上形成4册线和栅电极图形，同时在同一像素行中二个相邻的像素区域 之间形成至少二个第一交叠条图形，所述第一交叠条的一端与左侧的像素电 极重叠，另一端与右侧的像素电极重叠，中部与数据线重叠；步骤22、在完成步骤21的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂 半导体层，通过构图工艺对半导体层和掺杂半导体层进行构图，在栅电极上 形成有源层图形；步骤23、在完成步骤22的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源 漏金属层进^f亍构图，形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形；步骤24、在完成步骤23的基板上沉积钝化层，通过构图工艺对钝化层 进行构图，在漏电极位置形成钝化层过孔；步骤25、在完成步骤24的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺对透 明导电层进行构图形成像素电极，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。图8为本发明TFT-LCD像素结构的制造方法第三实施例的流程图，具体 包括步骤31、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图， 在基板上形成栅线和栅电极图形；步骤32、在完成步骤31的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂 半导体层，通过构图工艺对半导体层和掺杂半导体层进行构图，在栅电极上 形成有源层图形；步骤33、在完成步骤32的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源 漏金属层进行构图，形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，同 时在同一像素列中二个相邻的像素区域之间形成至少二个第二交叠条图形， 所述第二交叠条的一端与上侧的像素电极重叠，另一端与下侧的像素电极重 叠，中部与栅线重叠；步骤34、在完成步骤33的基板上沉积钝化层，通过构图工艺对钝化层 进行构图，在漏电极位置形成钝化层过孔；步骤35、在完成步骤34的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺对透 明导电层进行构图形成像素电极，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。本发明上述实施例仅仅是通过五次构图工艺对本发明技术方案的一种说 明，由于本实施例第一交叠条图形与栅线图形同时形成，第二交叠条图形与 数据线图形同时形成，因此在实际使用中，本发明技术方案对于四次甚至三 次构图工艺也完全适用。图9为本发明液晶显示器修复断线的方法的流程图，具体包括步骤IOO、确定^f册线断点或数据线断点的位置；步骤110、采用激光焊接方法，将所述栅线断点两侧的栅线或数据线断 点两侧的数据线通过交叠条和像素电极连接起来，采用激光切割方法，将所 迷像素电极对应的TFT失效。本发明液晶显示器修复断线的方法所对应的TFT-LCD像素结构包括栅 线、数据线、像素电极和薄膜晶体管(TFT)，相互交叉的栅线和数据线限定 了数个像素区域，并在交叉处形成TFT，像素电极形成在像素区域内，像素 结构可以是存储电容在栅线上(Cst On Gate)的结构，也可以是存储电容在 公共电^ L线上(Cst On Common)的结构。其中TFT结构与现有技术相同，至 少包括形成在基板上的栅电极以及位于栅电极上方的源电极和漏电极，栅电 极与栅线连接，源电极与数据线连接，漏电极通过钝化层过孔与像素电极连 接。此外，TFT-LCD像素结构的每个像素区域中还设置有交叠条，交叠条可以是跨设在数据线上的至少一个第一交叠条和ifti殳在栅线上的至少一个第二 交叠条，也可以是跨设在数据线上的至少二个第一交叠条，还可以是跨设在 栅线上的至少二个第二交叠条，每个第一交叠条或第二交叠条的一端与其一 侧的像素电极重叠，另一端与其另一侧的像素电极重叠。本发明所述激光焊 接方法是利用激光产生的高温，将上下两层金属薄膜熔化的同时，在上下两 层金属薄膜之间的绝缘层形成过孔，使两层熔化的金属薄膜通过该过孔连接。 下面通过修复断线的具体实施例进一步说明本发明的技术方案。
图10为本发明液晶显示器修复断线的方法第一实施例的流程图，具体包括: 步骤lll、确定数据线断点的位置；
步骤112、根据所述数据线断点的位置，选择同一像素列中二个相邻的 像素区域第一像素区域和第二像素区域，所述二个像素区域均位于所述数 据线的同一侧；
步骤113、采用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域内的像素电极 与第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与所述数据线断点一侧的数据线熔 接，建立数据线断点一侧的数据线与第 一像素区域内像素电极的连接；
步骤114、采用激光焊接方法，将位于所述第二像素区域内的像素电极 与第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与所述数据线断点另一侧的数据线 熔接，建立数据线断点另一侧的数据线与第二像素区域内像素电极的连接；
步骤115、采用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域内的像素电极 与第二交叠条熔接，将位于所述第二像素区域内的像素电极与同 一第二交叠 条熔接，建立二个像素区域内像素电极的连接；
步骤116、采用激光切割方法使所述第一像素区域和第二像素区域内的 TFT失效。
图11为本发明液晶显示器修复断线的方法第一实施例的.&意图。如图 11所示，本实施例中的像素结构与本发明TFT-LCD像素结构第一实施例相同。 当成盒工艺前或成盒工艺后的检测工艺发现数据线断线不良时，数据线断线不良使数据线出现亮线。首先进行数据线断点6的位置定位，之后根据数据 线断点6位置的在同一像素列中选择二个相邻的像素区域上像素区域(作 为第一像素区域)和下像素区域(作为第二像素区域)，该二个像素区域均 位于数据线的同一侧，如左侧。采用激光焊接方法，将位于上像素区域内的 第一交叠条41与数据线断点6上侧的数据线熔接，形成熔接点a，将第一交 叠条41与位于上像素区域内的像素电极31熔接，形成熔接点b,使数据线 断点6上侧的数据线通过熔接点a、第一交叠条41和熔接点b与像素电极31 连接起来。采用激光焊接方法，将位于下像素区域内的第一交叠条42与数据 线断点6下侧的凄t据线熔接，形成熔接点c,将第一交叠条42与位于下像素 区域内的像素电极32熔接，形成熔接点d，使数据线断点6下侧的数据线通 过熔接点c、第一交叠条42和熔接点d与像素电极32连接起来。采用激光 焊接方法，将位于上像素区域内的像素电极31与第二交叠条5的一端熔接， 形成熔接点e，将位于下像素区域内的像素电极32与第二交叠条5的另一端 熔接，形成炫接点f，使像素电极31和像素电极32通过熔接点e、第二交叠 条5和熔接点f连接起来。这样，数据线断点6两侧的数据线通过熔接点a、 第一交叠条41、炫接点b、像素电极31、熔接点e、第二交叠条5、熔接点f、 像素电极32、熔接点d、第一交叠条42和熔接点c重新连接起来，实现了数 据线断线的修复。最后采用激光切割方法使上像素区域和下像素区域内的TFT 失效，将亮线不良^"复成像素点不良。显然，本实施例中步骤113-步骤116 只是一种实施说明，实际使用中以任何次序执行均可。
图12为本发明液晶显示器修复断线的方法第二实施例的流程图，具体包括:
步骤121、确定栅线断点的位置；
步骤122、根据所述栅线断点的位置，选择同一像素行中二个相邻的像 素区域第一像素区域和第二像素区域，所述二个像素区域均位于所述^f线 的同一侧；
步骤123、采用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域内的像素电极与第二交叠条熔接，且将所述第二交叠条与所述栅线断点一侧的栅线熔接，
建立栅线断点一侧的栅线与第 一像素区域内像素电极的连接；
步骤124、采用激光焊接方法，将位于所述第二像素区域内的像素电极
与第二交叠条熔接，且将所述第二交叠条与所述栅线断点另一侧的栅线熔接，
建立栅线断点另 一侧的栅线与第二像素区域内像素电极的连接；
步骤125、釆用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域内的像素电极
与第一交叠条熔接，将位于所述第二像素区域内的像素电极与同一第一交叠
条熔接，建立二个像素区域内像素电极的连接；
步骤126、采用激光切割方法使所述第一像素区域和第二像素区域内的
TFT失效。
图13为本发明液晶显示器修复断线的方法第二实施例的示意图。如图 13所示，本实施例中的像素结构，与本发明TFT-LCD^象素结构第一实施例相 同。当成盒工艺前或成盒工艺后的检测工艺发现栅线断线不良时，栅线断线 不良使栅线出现亮线。首先进行栅线断点7的位置定位，之后根据栅线位置 的在同一像素行中选择二个相邻的像素区域左像素区域(作为第一像素区 域)和右像素区域(作为第二像素区域)，该二个像素区域均位于栅线的同一 侧，如下侧。采用激光焊接方法，将位于左像素区域内的第二交叠条51与栅 线断点7左侧的栅线熔接，形成熔接点a，将第二交叠条51与位于左像素区 域内的像素电极31熔接，形成熔接点b，使栅线断点7左侧的栅线通过熔接 点a、第二交叠条51和熔接点b与像素电极31连接起来。采用激光焊接方 法，将位于右像素区域内的第二交叠条52与栅线断点7右侧的栅线熔接，形 成熔接点c，将第二交叠条52与位于右像素区域内的像素电极32熔接，形 成熔接点d，使栅线断点7右側的栅线通过熔接点c、第二交叠条52和熔接 点d与像素电极32连接起来。采用激光焊接方法，将位于左像素区域内的像 素电极31与第一交叠条4的一端熔接，形成熔接点e,将位于右像素区域内 的像素电极32与第一交叠条4的另一端熔接， 成熔接点f，使像素电极31和像素电极32通过熔接点e、第一交叠条4和熔接点f连接起来。这样，栅 线断点7两侧的栅线通过熔接点a、第二交叠条51、熔接点b、像素电极31、 熔接点e、第一交叠条4、熔接点f、像素电极32、熔接点d、第二交叠条52 和熔接点c重新连接起来，实现了栅线断线的修复。最后采用激光切割方法 使左像素区域和右像素区域内的TFT失效，将亮线不良修复成像素点不良。 显然，本实施例中步骤123~步骤126只是一种实施说明，实际使用中以任 何次序扭j于均可。
图14为本发明液晶显示器修复断线的方法第三实施例的流程图，具体包括 步骤131、确定数据线断点的位置；
步骤132、根据所述数据线断点的位置，选择数据线断点所在的断点像 素区域；
步骤133、采用激光焊接方法，将所述数据线断点一侧的数据线与位于 该侧的第一交叠条炫接，且将所述第一交叠条与位于所述断点像素区域内的 像素电极熔接；采用激光焊接方法，将所述数据线断点另一侧的数据线与位 于该侧的第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与位于所述断点像素区域内 的像素电极熔接；建立起数据线断点两侧的数据线与同一像素电极的连接； 步骤134、采用激光切割方法使所述断点像素区域内的TFT失效。 图15为本发明液晶显示器修复断线的方法第三实施例的示意图。如图 15所示，本实施例中的像素结构与本发明TFT-LCD像素结构第二实施例相同。 首先进行数据线断点6的位置定位，之后根据数据线断点6位置确定断点像 素区域，该断点像素区域位于数据线的一侧，如左侧。采用激光焊接方法， 将位于断点像素区域内的第一交叠条41与数据线断点6上侧的数据线熔接， 形成熔接点a，将第一交叠条41与位于断点像素区域内的像素电极3熔接， 形成熔接点b,使数据线断点6上侧的数据线通过熔接点a、第一交叠条41 和熔接点b与像素电极3连接起来。采用激光焊接方法，将位于断点像素区 域内的第一交叠条42与数据线断点6下侧的数据线熔接，形成熔接点c，将第一交叠条42与位于断点像素区域内的像素电极3熔接，形成熔接点d，使 数据线断点6下侧的数据线通过熔接点c、第一交叠条42和熔接点d与像素 电极32连接起来。这样，数据线断点6两侧的数据线通过熔接点a、第一交 叠条41、熔接点b、像素电极3、熔接点d、第一交叠条42和熔接点c重新 连接起来，实现了数据线断线的修复。最后采用激光切割方法使断点像素区 域的TFT失效，将亮线不良修复成像素点不良。显然，本实施例中步骤133、 步骤134只是一种实施说明，实际使用中以任何次序执行均可。
图16为本发明液晶显示器修复断线的方法第四实施例的流程图，具体包括:
步骤141、确定4册线断点的位置；
步骤142、根据所述栅线断点的位置，选择栅线断点所在的断点像素区域;
步骤143、采用激光焊接方法，将所述栅线断点一侧的栅线与位于该侧 的第二交叠条熔接，且将所述第二交叠条与位于所述断点像素区域内的像素 电极熔接；采用激光焊接方法，将所述栅线断点另一侧的栅线与位于该侧的 第二交叠条熔接，且将所述第二交叠条与位于所述断点像素区域内的像素电 极熔接；建立起栅线断点两侧的栅线与同一像素电极的连接；
步骤144、采用激光切割方法使所述断点像素区域内的TFT失效。
图17为本发明液晶显示器修复断线的方法第四实施例的示意图。如图 17所示，本实施例中的像素结构与本发明TFT-LCD像素结构第三实施例相同。
首先进行栅线断点7的位置定位，之后根据栅线断点7位置确定断点像 素区域，该断点像素区域位于栅线的一侧，如下侧。采用激光焊接方法，将 位于断点像素区域内的第二交叠条51与栅线断点7左侧的栅线熔接，形成熔 接点a，将第二交叠条51与位于断点像素区域内的像素电极3熔接，形成熔 接点b,使栅线断点7左側的栅线通过熔接点a、第二交叠条51和熔接点b 与像素电极3连接起来。采用激光焊接方法，将位于断点像素区域内的第二 交叠条52与栅线断点7右侧的栅线熔接，形成熔接点c,将第二交叠条52 与位于断点像素区域内的像素电极3熔接，形成熔接点d,使栅线断点7右侧的栅线通过熔接点c、第二交叠条52和熔接点d与像素电极32连接起来。 这样，栅线断点7两侧的栅线通过熔接点a、第二交叠条51、熔接点b、像 素电极3、熔接点d、第二交叠条52和熔接点c重新连接起来，实现了栅线 断线的修复。最后采用激光切割方法使断点像素区域的TFT失效，将亮线不 良修复成《象素点不良。显然，本实施例中步骤143、步骤144只是一种实施 说明，实际使用中以任何次序执行均可。
本发明液晶显示器修复断线的方法第五实施例的流程具体包括
步骤151、确定数据线断点的位置；
步骤152、判断数据线断点的位置是否位于同一个像素电极的二个第一 交叠条之间，是则执行步骤153，否则执行步骤154;
步骤153、根据所述数据线断点的位置，选择数据线断点所在的断点像 素区域；采用激光焊接方法，将所述数据线断点一侧的数据线与位于该侧的 第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与位于所述断点像素区域内的像素电 极溶接；采用激光焊接方法，将所述数据线断点另一侧的数据线与位于该侧 的第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与位于所述断点像素区域内的像素 电极熔接；建立起数据线断点两侧的数据线与同一像素电极的连接；采用激 光切割方法使所述断点像素区域内的TFT失效，结束断线修复；
步骤154、根据所述数据线断点的位置，选择同一像素列中二个相邻的 像素区域第一〗象素区域和第二像素区域，所迷二个像素区域均位于所述数 据线的同一侧；采用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域内的像素电极 与第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与所述数据线断点一侧的数据线熔 接，建立数据线断点一侧的数据线与第一像素区域内像素电极的连接；采用 激光焊接方法，将位于所述第二像素区域内的像素电极与第一交叠条熔接， 且将所述第一交叠条与所述数据线断点另一侧的数据线熔接，建立数据线断 点另一侧的数据线与第二像素区域内像素电极的连接；采用激光焊接方法， 将位于所述第一像素区域内的像素电极与第二交叠条熔接，将位于所述第二像素区域内的像素电极与同 一第二交叠条熔接，建立二个像素区域内像素电
极的连接；采用激光切割方法使所述第一像素区域和第二像素区域内的TFT 失效，结束断线修复。
本实施例是本发明液晶显示器修复断线的方法第一实施例和第三实施例 组合形成的技术方案，其像素结构的特点是同一像素行中二个相邻的像素电 极之间形成有二个第一交叠条，同一像素列中二个相邻的像素电极之间形成 有一个第二交叠条。当液晶显示器制备工艺中出现数据线断线不良时，首先 确定数据线断点位置，然后对数据线断点位置进行判断，当数据线断点位于 同一个像素电极的二个第一交叠条之间时，采用前述本发明液晶显示器修复 断线的方法第三实施例的^f奮复方式处理，通过断点像素区域内的像素电极以 及该区域的二个第一交叠条使数据线重新连接起来；当数据线断点位于同一 个像素电才及的二个第一交叠条之外时，采用前述本发明液晶显示器修复断线 的方法第一实施例的修复方式处理，通过第一像素区域内的像素电极以及该 区域的第一交叠条、第一像素区域和第二像素区域之间的第二交叠条、第二 像素区域内的像素电极以及该区域的第一交叠条使数据线重新连接起来。
本发明液晶显示器修复断线的方法第六实施例的流程具体包括
步骤161、确定栅线断点的位置；
步骤162、判断栅线断点的位置是否位于同一个像素电极的二个第二交 叠条之间，是则执行步骤163,否则执行步骤164;
步骤163、根据所述栅线断点的位置，选择栅线断点所在的断点像素区 域；采用、激光焊接方法，将所述栅线断点一侧的栅线与位于该侧的第二交叠 条熔接，且将所述第二交叠条与位于所述断点像素区域内的像素电极熔接； 采用激光焊接方法，将所述栅线断点另一侧的^^线与位于该侧的第二交叠条 熔接，且将所述第二交叠条与位于所述断点像素区域内的像素电极熔接；建 立起栅线断点两侧的栅线与同 一像素电极的连接；采用激光切割方法使所述 断点像素区域内的TFT失效，结束断线修复；步骤164、根据所述^"线断点的位置，选择同一像素行中二个相邻的像 素区域第一像素区域和第二像素区域，所述二个像素区域均位于所述栅线 的同一侧；釆用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域内的像素电极与第 二交叠条熔接，且将所述第二交叠条与所述栅线断点一侧的栅线熔接，建立 栅线断点一侧的栅线与第一像素区域内像素电极的连接；采用激光焊接方法， 将位于所述第二像素区域内的像素电极与第二交叠条熔接，且将所述第二交 叠条与所述栅线断点另一侧的栅线熔接，建立栅线断点另一侧的栅线与第二 像素区域内像素电极的连接；采用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域 内的像素电极与第一交叠条熔接，将位于所述第二像素区域内的像素电极与 同一第一交叠条熔接，建立二个像素区域内像素电极的连接；采用激光切割 方法4吏所述第一像素区域和第二像素区域内的TFT失效，结束断线修复。
本实施例是本发明液晶显示器修复断线的方法第二实施例和第四实施例 组合形成的技术方案，其像素结构的特点是同一像素列中二个相邻的像素电 极之间形成有二个第二交叠条，同一像素行中二个相邻的像素电极之间形成 有一个第一交叠条。
当液晶显示器制备工艺中出现栅线断线不良时，首先确定栅线断点位置， 然后对栅线断点位置进行判断，当栅线断点位于同一个像素电极的二个第二 交叠条之间时，采用前述本发明液晶显示器修复断线的方法第四实施例的修 复方式处理，通过断点像素区域内的像素电极以及该区域的二个第二交叠条 使栅线重新连接起来；当栅线断点位于位于同一个像素电极的二个第二交叠 条之外时，采用前述本发明液晶显示器修复断线的方法第二实施例的修复方 式处理，通过第一像素区域内的像素电极以及该区域的第二交叠条、第一像 素区域和第二像素区域之间的第一交叠条、第二像素区域内的像素电极以及 该区域的第二交叠条使栅线重新连接起来。
在本发明上述^^术方案中，采用激光切割方法使TFT失效 以采用将栅 电极断开形成栅电极断开点方式，截断栅电极与栅线的连接(如图ll所示的栅电极断开点Kl)，也可以采用将源电极断开形成源电极断开点方式，截断 源电极与数据线的连接(如图12所示的源电极断开点K2 ),还可以采用将漏 电极断开形成漏电极断开点方式，截断漏电极与像素电极的连接(如图13所 示的漏电极断开点K3),均可以起到使该像素点的TFT不能工作的目的。本 发明断开4册电极、源电极或漏电极是由于本发明利用像素电极作为导电层实 现了断开点的重新连接，该像素电极不能再参与显示，因此通过断开相应电 极方式使该像素点在常白模式下呈现为亮点，在常黑模式下呈现为暗点。
本发明液晶显示器修复断线的方法不同于现有技术的化学气相沉积搭桥 技术，提出了一种利用交叠条和像素电极作为导电层、激光焊接和激光切割 相结合的^奮复4册线断线或数据线断线方案，通过作为导电层的交叠条建立栅 线或数据线与像素电极的连接，通过作为导电层的像素电极建立交叠条之间 的连接，将^^线断线不良修复为像素点不良，即将亮线缺陷修复为亮点或暗 点缺陷。本发明断线^"复既可以在阵列工程末端进行，也可以在采用传统化 学气相沉积4荅桥修复失败后进行，还可以在成盒工艺之后进行，通过将断线 不良修复为像素点不良，提升了有缺陷的液晶显示器的等级，最大限度地降 低了液晶显示器制备工艺中因断线不良造成的废弃成本。从本发明上述实施 例可以看出，与现有技术化学气相沉积搭桥修复中进行激光熔接和镀膜的工 艺相比，本发明断线修复只进行激光熔接，因此断线修复方式简单，修复成 功率高，还适用于复杂断线情况的修复，具有广泛的应用前景。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进 行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技 术人员应当理解其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换， 而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的 精神和范围。
权利要求
1、一种TFT-LCD像素结构，包括由栅线和数据线限定的数个像素区域，每个像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，相邻的像素区域之间形成有至少二个交叠条，所述交叠条的一端与一个像素区域中的像素电极重叠，另一端与另一个像素区域中的像素电极重叠，中部与栅线和/或数据线重叠。
2、 根据权利要求1所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述交叠条 为至少一个第一交叠条和至少一个第二交叠条，所述至少一个第一交叠条形 成在同一像素行中相邻的像素区域之间，所述至少一个第二交叠条形成在同 一像素列中相邻的像素区域之间。
3、 才艮据权利要求1所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述至少二个交叠条为至少二个第一交叠条，所述至少二个第一交叠条分别形成在同一 像素行中相邻的像素区域之间。
4、 根据权利要求l所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述至少二个交叠条为至少二个第二交叠条，所述至少二个第二交叠条分别形成在同一 像素列中相邻的像素区域之间。
5、 根据权利要求2或3所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述第 一交叠条与所述栅线同层，且与所述栅线在同一次构图工艺中形成。
6、 根据权利要求2或4所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述第 二交叠条与所述数据线同层，且与所述数据线在同 一次构图工艺中形成。
7、 根据权利要求l所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所述交叠条 的宽度大于5pm。
8、 一种TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于，包括步骤1、在基^1上形成包括栅线和数据线的图形，同时在相邻的像素区 域之间形成至少二个交叠条图形，所述交叠条的一端位于一个像素区域内， 另 一端位于另 一个像素区域内，中部与栅线和/或数据线重叠；步骤2、在完成前述步骤的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极 位置形成钝化层过孔；步骤3、在完成前述步骤的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺形成 包括像素电极的图形，使像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，且像素电 极与所述至少二个交叠条的端部重叠。
9、 根据权利要求8所述的TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于， 所述步骤1具体包括步骤ll、在基4反上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图， 在基板上形成栅线和栅电极图形，同时在同一像素行中二个相邻的像素区域 之间形成至少一个第一交叠条图形，所述第一交叠条的一端与左侧的像素电 极重叠，另一端与右侧的像素电极重叠，中部与数据线重叠；步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂 半导体层，通过构图工艺对半导体层和掺杂半导体层进行构图，在栅电极上 形成有源层图形；步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源 漏金属层进行构图，形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，同 时在同一像素列中二个相邻的像素区域之间形成至少一个第二交叠条图形， 所述第二交叠条的一端与上侧的像素电极重叠，另一端与下侧的像素电极重 叠，中部与栅线重叠。
10、 根据权利要求8所述的TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于， 所述步骤1具体包括步骤21、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图， 在基板上形成栅线和栅电极图形，同时在同一像素行中二个相邻的像素区域 之间形成至少二个第一交叠条图形，所述第一交叠条的一端与左侧的像素电 极重叠，另一端与右侧的像素电极重叠，中部与数据线重叠；步骤22、在完成步骤21的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过构图工艺对半导体层和摻杂半导体层进行构图，在栅电极上形成有源层图形；步骤23、在完成步骤22的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源 漏金属层进行构图，形成数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形。
11、 根据权利要求8所述的TFT-LCD像素结构的制造方法，其特征在于， 所述步骤1具体包括步骤31、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺对栅金属层进行构图， 在基板上形成栅线和栅电极图形；步骤32、在完成步骤31的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和摻杂 半导体层，通过构图工艺对半导体层和掺杂半导体层进行构图，在栅电极上 形成有源层图形；步骤33、在完成步骤32的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺对源 漏金属层进行构图，形成韵:据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形，同 时在同一像素列中二个相邻的像素区域之间形成至少二个第二交叠条图形， 所述第二交叠条的一端与上侧的像素电极重叠，另一端与下侧的像素电极重 叠，中部与栅线重叠。
12、 一种液晶显示器修复断线的方法，其特征在于，包括 步骤IOO、确定栅线断点或数据线断点的位置；步骤110、采用激光焊接方法，将所述栅线断点两侧的栅线或数据线断 点两侧的数据线通过交叠条和像素电极连接起来，采用激光切割方法，使所 述像素电极所对应的TFT失效。
13、 根据权利要求12所述的液晶显示器修复断线的方法，其特征在于， 所述步骤110具体包括根据所述数据线断点的位置，选择同一像素列中二 个相邻的像素区域第一像素区域和第二像素区域，所述二个像素区域均位 于所述翁:据线的同一侧；采用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域内的 像素电极与第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与所述数据线断点一侧的数据线熔接；采用激光焊接方法，将位于所述第二像素区域内的像素电极与 第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与所述数据线断点另一侧的数据线熔 接；采用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域内的像素电极与第二交叠 条熔接，将位于所述第二像素区域内的像素电极与同一第二交叠条熔接；采 用激光切割方法使所述第一像素区域和第二像素区域内的TFT失效。
14、 才艮据权利要求12所述的液晶显示器修复断线的方法，其特征在于， 所述步骤110具体包括根据所述栅线断点的位置，选择同一像素行中二个 相邻的像素区域第一像素区域和第二像素区域，所述二个像素区域均位于 所述栅线的同一側；采用激光焊接方法，将位于所述第一像素区域内的像素 电极与第二交叠条熔接，且将所述第二交叠条与所述栅线断点一侧的栅线熔 接；采用^t光焊接方法，将位于所述第二像素区域内的像素电极与第二交叠 条熔接，且将所述第二交叠条与所述栅线断点另一侧的栅线熔接；采用激光 焊接方法，将位于所述第一像素区域内的像素电极与第一交叠条熔接，将位 于所述第二像素区域内的像素电极与同一第一交叠条熔接；采用激光切割方 法使所述第一像素区域和第二像素区域内的TFT失效。
15、 才艮据权利要求12所述的液晶显示器修复断线的方法，其特征在于， 所述步骤110具体包括纟艮据所述数据线断点的位置，选择数据线断点所在 的断点像素区域；采用激光焊接方法，将所述数据线断点一侧的数据线与位 于该侧的第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与位于所述断点像素区域内 的像素电极熔接；采用激光焊接方法，将所述数据线断点另一侧的数据线与 位于该侧的第一交叠条熔接，且将所述第一交叠条与位于所述断点像素区域 内的像素电极熔接；采用激光切割方法使所述断点像素区域内的TFT失效。
16、 4艮据权利要求12所述的液晶显示器修复断线的方法，其特征在于， 所述步骤110具体包括根据所述栅线断点的位置，选择栅线断点所在的断 点像素区i戈；采用激光焊接方法，将所述栅线断点一侧的栅线与位于该侧的 第二交叠条熔接，且将所述第二交叠条与位于所述断点像素区域内的像素电极熔接；采用激光焊接方法，将所述栅线断点另一侧的4册线与位于该侧的第 二交叠条熔接，且将所述第二交叠条与位于所述断点像素区域内的像素电极 熔接；采用激光切割方法使所述断点像素区域内的TFT失效。
17、 根据权利要求12 ~ 16中任一权利要求所述的液晶显示器修复断线的 方法，其特征在于，所述采用激光切割方法使TFT失效具体包括采用激光 切割方法，将所述TFT的栅电极断开、将所述TFT的源电极断开或将所述TFT 的漏电4及断开。
18、 根据权利要求12 ~ 16中任一权利要求所述的液晶显示器修复断线的 方法，其特征在于，所述步骤100与步骤110之间还包括步骤判断数据线 断点的位置是否位于同一个像素电极的二个第一交叠条之间，或判断栅线断 点的位置是否位于同一个像素电极的二个第二交叠条之间。
全文摘要
本发明涉及一种TFT-LCD像素结构和液晶显示器修复断线的方法。TFT-LCD像素结构包括由栅线和数据线限定的数个像素区域，每个像素区域包括薄膜晶体管和像素电极，相邻的像素区域之间形成有至少二个交叠条，所述交叠条的一端与一个像素区域中的像素电极重叠，另一端与另一个像素区域中的像素电极重叠，中部与栅线和/或数据线重叠。液晶显示器修复断线的方法包括确定栅线断点或数据线断点的位置；采用激光焊接方法，将所述栅线断点两侧的栅线或数据线断点两侧的数据线通过交叠条和像素电极连接起来，采用激光切割方法，使所述像素电极所对应的TFT失效。本发明最大限度地降低了液晶显示器制备工艺的废弃成本。
文档编号G02F1/13GK101614916SQ20081011559
公开日2009年12月30日 申请日期2008年6月25日 优先权日2008年6月25日
发明者彭志龙 申请人:北京京东方光电科技有限公司