显示装置和电子设备的制作方法

专利名称：显示装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有有机平坦化膜的显示装置以及使用该显示装置的电 子设备。
背景技术：
由于液晶显示装置具有诸如厚度小、电能损耗低等特点，因此已经 用于各种类型的电子设备。例如，作为使用液晶显示装置的电子设备， 可以提到的有笔记本电脑、用于汽车导航系统的显示装置、个人数字助 理(PDA， personal digital assistant)、移动电话、数码相机和摄像机等。
图1A 图1C是示出了普通液晶显示装置的结构的视图，图1A是该 装置结构的截面图，图1B是沿图1A中线I-I获取的薄膜晶体管(TFT， Thin Film Transistor)基板侧的平面图，图1C是沿图1A中线I-I获取的对
向基板侧的平面图。
液晶显示装置1包括阵列基板(其是上面形成有有源元件的基板)2、 被布置为面对阵列基板2的透明对向基板3以及布置在上述两个基板2 与3之间的液晶层4。
包括用于向液晶施加电压的透明电极(像素电极)21和用于选择透明 电极21的薄膜晶体管(TFT) 22的像素以矩阵形式布置在阵列基板2上， 从而形成了像素区域PXLA。
此外，为了降低在薄膜晶体管上形成的台阶，在阵列基板2上的薄 膜晶体管22与透明电极21之间设有平坦化膜23。在对向基板3上，形成有包括与阵列基板2上的各像素PXL对应的 黑(BK)、红(R)、绿(G)和蓝(B)等颜色的滤色部31，并且为了降低在滤色 部31上形成的台阶，在对向基板3上还形成有由有机膜构成的平坦化膜 32。
在面对液晶层4的平坦化膜32—侧上形成有用于向液晶施加电压的 透明电极33。
另外，为了固定阵列基板2和对向基板3并为了封闭它们之间的液 晶，形成有密封区域5，从而包围其中形成有各像素PXL的像素区域 PXLA。
如上所述，在普通液晶显示装置1中，在作为彼此面对的两个基板 之一的阵列基板2上，布置有诸如包括阵列驱动端的金属布线24、晶体 管22和透明电极(透明导电膜)21等构成元件。此外，在对向基板3上布 置有诸如用于显示颜色的滤色器等构成元件。
此外，因为由于上述构成元件的存在而在最靠近液晶层4的各个表 面上形成了台阶，所以液晶平面与上述两个基板之间的距离有所改变， 因此在像素之间和/或像素中出现的液晶光学性质的偏离会使例如对比 度等图像质量降低。
为了防止出现上述问题，在基板侧上设置由有机膜构成的平坦化膜， 从而平坦化由布线等引起的台阶。
另外，当有机膜向外延伸超过被形成为用于固定液晶显示装置的两 个基板并用于封闭液晶的密封区域时，可以提高液晶显示装置的光学性 质的面内均一性。
此外，为了保证液晶显示装置的宽视角，已经提出了使用边缘场切 换(以下称为"FFS")方法的各种液晶显示装置(见日本专利申请公开公报 No. 2002-229032和No. 2001-42366)。
在具有边缘场切换(FFS)结构的液晶显示装置中，对向透明电极不是 设置在对向基板侧上而是设置在阵列基板侧上。
具体地说，对向电极(公共电极)形成在阵列基板侧的由有机膜构成
6的平坦化膜上，在该对向电极上形成有像素绝缘膜(Si02或SiN等)，并 且在该像素绝缘膜上的液晶层界面侧处形成有例如由ITO (氧化铟锡)构 成的像素电极(透明电极)。
在FFS模式的液晶显示装置中，当使对向电极(公共电极)与像素电 极之间的绝缘膜形成图案时，在很多情况下都利用了干式蚀刻方法。
在这种情形下，通常，例如在感应耦合等离子体(ICP， inductively coupled plasma)装置、等离子体蚀刻(PE， plasma etching)装置或者化学干 式蚀刻(CDE， chemical dry etching)装置中进行干式蚀刻，并使用氟气作 为蚀刻气体。
图2A 图2D分别示出了在FFS模式液晶显示装置1A的有机膜上进 行干式蚀刻的状态。
图2A是平面图，图2B 图2D分别是沿图2A中线II-II获取的、示
出了干式蚀刻过程的步骤的截面图。
在图2A 图2D中，附图标记2A表示阵列基板，附图标记21A表示 透明电极(像素电极)，附图标记23A表示有机平坦化膜，附图标记24表 示对向电极(公共电极)，附图标记25表示绝缘膜(干式蚀刻膜)。
此时，如图2B所示，当在有机膜上进行干式蚀刻时，在干式蚀刻膜 25的端部处出现了有机膜的过蚀刻状况，并且如图中的符号X所示，形 成了倒锥形形状的截面。
在上述干式蚀刻过程以后，当利用溅射方法来形成电极膜(在FFS模 式的液晶显示装置中是指例如ITO等透明电极膜，或者在另一模式的液 晶显示装置中是指由A1、 Ag或其它类似物构成的金属薄膜)时，在初始 成膜阶段，如图2C所示，该膜在倒锥形位置处呈非连续状态。
在溅射时，由于基板直接暴露在等离子体中，带电离子和电子会对 膜进行轰击，并因此使得电极膜带电。
在图2C中，当所形成的结构使得"b"部被绝缘，而"a"部具有能使从 等离子体获得的电荷逃逸的结构时，在"a"部与"b"部之间产生了电势差。
当成膜过程进一步进行并且形成了图2D所示的状态时，"a"部和"b"部相互接触，并且出现放电从而使在"b"部处积累的电荷逃逸到"a"部。结 果，在图2D所示的"c"部处，由于该放电而使膜融解。
当在成膜过程以后利用蚀刻方法来进行形成图案的过程时，由于上 述融解部分再结晶，结晶度优于其它部分，从而使蚀刻速率明显降低。 结果，在形成图案时出现缺陷，因此导致显示装置不能进行显示。
为了防止由这种放电所引起的缺陷的形成，通过保证从放电发生位 置到有效显示区域有足够的距离来消除放电的影响。
然而，上述方法会使布局中的冗余增加，并且结果是，装置面积增 大，这是不利的。

发明内容
根据本发明，优选提供一种显示装置，其中，当利用干式蚀刻方法 来形成干式蚀刻膜时，能防止有机平坦化膜在干式蚀刻膜的端部处具有 倒锥形形状，并且还能防止由放电所引起的缺陷的形成。本发明还优选 提供一种使用上述显示装置的电子设备。
本发明第一实施例的显示装置包括具有像素区域的基体，像素以 矩阵形式布置在该像素区域中；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置 在基体上；干式蚀刻膜，其设置在有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法 形成；导电膜，其设置在干式蚀刻膜上；以及位于所述像素区域周边外 侧的有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中的有机平坦化膜被除去。 在上述显示装置中，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前形成的膜在 有机膜除去区域中终止。
优选地，有机膜除去区域是这样的区域在该有机膜除去区域中， 在像素区域周边的外侧处，有机平坦化膜在平行于基体主表面的方向上 被部分除去，并且在垂直于基体主表面的方向上被全部除去。
优选地，有机膜除去区域被连续地形成，从而沿像素区域的整个周 边包围该像素区域。
优选地，有机膜除去区域沿像素区域的周边间歇地设置着。
优选地，位于有机膜除去区域外侧的有机平坦化膜被全部除去。在形成干式蚀刻膜之前形成的膜优选含有选自下组中的一种元素 硅、铟、锡、锌、钛、铝、钼、钽、铬、钨及银。
基体优选包括含有选自下组中的一种元素的膜或者基板硅、铟、 锡、锌、钛、铝、钼、钽、铬、钨及银。
本发明第二实施例的显示装置包括具有像素区域的第一基板，像 素以矩阵形式布置在该像素区域中；第二基板，其布置成面对第一基板； 液晶层，其布置在第一基板与第二基板之间；有机平坦化膜，其由有机 膜构成并设置在第一基板上；对向电极，其设置在有机平坦化膜上；干 式蚀刻膜，其设置在对向电极及有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形
成；像素电极，其设置在干式蚀刻膜上；以及位于像素区域周边外侧的 有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中的有机平坦化膜被除去。在上 述显示装置中，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前形成的且与对向 电极处于同一层的膜在有机膜除去区域中终止。
本发明第三实施例的电子设备具有显示装置，其中该显示装置包括 具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在该像素区域中；有机平坦 化膜，其由有机膜构成并设置在基体上；干式蚀刻膜，其设置在有机平 坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在干式蚀刻膜上； 以及位于像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中 的有机平坦化膜被除去，并且，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前 形成的膜在有机膜除去区域中终止。
本发明第四实施例的电子设备具有显示装置，该显示装置包括具 有像素区域的第一基板，像素以矩阵形式布置在该像素区域中；第二基 板，其布置成面对第一基板；液晶层，其布置在第一基板与第二基板之 间；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在第一基板上；对向电极， 其设置在有机平坦化膜上；干式蚀刻膜，其设置在对向电极及有机平坦 化膜上并利用干式蚀刻方法形成；像素电极，其设置在干式蚀刻膜上； 以及位于像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中 的有机平坦化膜被除去，并且，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前
形成的且与对向电极处于同一层的膜在有机膜除去区域中终止。根据本发明，当利用干式蚀刻方法来形成干式蚀刻膜时，能够防止 有机平坦化膜在干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥形形状，这样就能够防 止由放电所引起的缺陷的形成。


图1A 图1C是分别示出了普通液晶显示装置的结构的视图2A 图2D是分别示出了对FFS模式液晶显示装置1A的有机膜进 行干式蚀刻的状态的视图3是示出了本发明第一实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结构 的示意性截面图4是示出了第一实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结构的平面
图5是沿图4所示的线V-V获取的示意性截面图6是示出了本发明第二实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结构 的示意性截面图7是示出了第二实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结构的平面
图8是沿图7所示的线vm-vni获取的示意性截面图9是示出了本发明第三实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结构 的平面图IO是沿图9所示的线X-X获取的示意性截面图11是示出了本发明第四实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结 构的平面图12A和图12B分别是沿图11所示的线XIIA-XIIA和线XIIB-XIIB
获取的示意性截面图13是示出了本发明第五实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结 构的平面图14是沿图13所示的线XIV-XIV获取的示意性截面图；图15是示出了平面型模块形状的示例的示意图16是示出了使用上述各实施例之一的显示装置的电视机的立体
图17A和图17B是分别示出了使用上述各实施例之一的显示装置的 数码相机的立体图18是示出了使用上述各实施例之一的显示装置的笔记本电脑的 立体图19是示出了使用上述各实施例之一的显示装置的摄像机的立体 图；以及
图20A 图20G是分别示出了使用上述各实施例之一的显示装置的 例如移动电话等便携式终端设备的视图。
具体实施例方式
下面参照附图来说明本发明的实施例。
第一实施例
图3是示出了本发明第一实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结构 的示意性截面图。图4是示出了第一实施例的有源矩阵型液晶显示装置 的结构的平面图。图5是沿图4所示的线V-V获取的示意性截面图。
如图3所示，本实施例的液晶显示装置(LCD) IO包括用作具有高 的抗干式蚀刻性的基体(第一基板)的阵列基板(其是上面形成有有源元件 的基板)ll;用作被布置成与阵列基板11面对的第二基板的对向基板12; 以及布置在阵列基板11与对向基板12之间的液晶层13。
此外，为了保证宽视角，本实施例的液晶显示装置IO被形成为具有 边缘场切换(FFS)结构的液晶显示装置。
当该显示装置是透射型显示装置时，阵列基板11例如由石英形成， 当该显示装置是反射型显示装置时，阵列基板ll例如由硅材料形成。对 向基板12例如由玻璃或石英形成。
本发明上述实施例的基体被形成为阵列基板11，并且例如由含有从下组中选择的一种元素的膜或者基板形成硅、铟、锡、锌、钛、铝、 钼、钜、铬、钨及银，该膜或者基板具有高的抗干式蚀刻性，即，难以 被干式蚀刻。
在阵列基板11上，形成有用于向液晶施加电压的透明电极(像素电 极，透明导电膜)111，并且以矩阵形式布置有包括用于选择透明电极111 的薄膜晶体管(TFT) 112的像素PXL，从而形成了像素区域PXLAIO。
此外，为了降低在薄膜晶体管112上形成的台阶，在设于阵列基板 11上的薄膜晶体管112与透明电极111之间形成有由第一有机膜构成的 有机平坦化膜113。
由于液晶显示装置10具有FFS结构，因此对向透明电极不是设置在 对向基板12侧上而是设置在阵列基板11侧上。
具体地说，在阵列基板ll侧上，对向电极114被形成在由第一有机 膜构成的有机平坦化膜113上，像素绝缘膜115被形成在对向电极114 上作为干式蚀刻膜，像素电极(在透射型的情况下为透明电极)111被形成 在像素绝缘膜115上且位于与液晶层13的界面侧处。
像素绝缘膜115例如由SiN形成。
如上所述，液晶显示装置10包括从底侧依次设置的阵列基板11、 对向电极(公共电极)114、像素绝缘膜115和像素电极111，并且液晶显 示装置IO具有如下的像素结构，在该像素结构中，液晶由大致平行于阵 列基板11的主表面lla的电场来驱动。
在对向基板12上，形成有包括与设置在阵列基板11上的各像素PXL 对应的黑(BK)、红(R)、绿(G)和蓝(B)等颜色的滤色部121，并且形成有 由第二有机膜构成的有机平坦化膜122,以降低在滤色部121上形成的台 阶。
此外，为了固定上述两个基板，即阵列基板11和对向基板12，并 封闭它们之间的液晶，用预定的密封材料形成了密封区域14，该密封区 域包围其中形成有各像素PXL的像素区域PXLAIO。
透明电极lll和对向电极114都由例如氧化铟锡(ITO)膜等透明导电薄膜形成。
通过上述的各构成元件，形成了LCD面板20。
因此，本实施例的液晶显示装置10的特征在于设置在阵列基板
11上且由有机膜构成的有机平坦化膜的形状，以及作为干式蚀刻膜的像
素绝缘膜115的端部。
在该第一实施例中，如图3和图5所示，在从密封区域14的最外端 部TOS到像素区域PXLA10的周边端部TOP的区域中，用于形成设置 在阵列基板11侧上的有机平坦化膜113的第一有机膜沿平行于阵列基板 11的主表面lla的方向(图3所示XY坐标的X方向)被部分地除去，并 且沿垂直于X方向的方向被全部除去，从而形成有机膜除去区域(或者凹 槽)1131。
在第一实施例中，如图4所示，有机膜除去区域1131被连续地形成， 从而包围像素区域PXLA10的整个周边。
在有机膜除去区域(或者凹槽)1131中，有机膜被除去从而使阵列基 板11的表面(主表面lla)露出。
如上所述，由此露出的凹槽底部，即阵列基板ll的表面，由含有从 下组中选择的一种元素的膜或者基板形成硅、铟、锡、锌、钛、铝、 钼、钽、铬、钩及银，该膜或者基板具有高的抗干式蚀刻性，即难以被 干式蚀刻。
此外，作为干式蚀刻膜的像素绝缘膜115在有机膜除去区域(或者凹 槽)1131中终止。
如上所述，在液晶显示装置10中，作为干式蚀刻膜的像素绝缘膜 115在有机膜除去区域(或者凹槽)1131中终止，在形成这种液晶显示装 置10的过程中，当对像素绝缘膜115进行干式蚀刻从而形成上述干式蚀 刻膜时，可防止有机平坦化膜113在该干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥 形形状。
因此，根据本实施例的液晶显示装置，即使在作为干式蚀刻膜的像 素绝缘膜115上形成电极膜时，该电极膜也不会呈现出在有机平坦化膜113的倒锥形部处的非连续状态，因此能够防止由放电所引起的缺陷的形 成。
此外，为了防止由放电所引起的缺陷的形成，根据现有技术的结构， 可通过保证从放电发生位置到有效显示区域有足够的距离来消除放电的 影响；然而，上述方法会使布局中的冗余增加，并且结果是，位于显示 区域外侧的图片边框面积增大，这是不利的。
然而，根据本实施例的结构，可以减小位于图像区域(显示区域)外 侧的图片边框面积，并因此能实现电子设备的尺寸和重量的减小。
第二实施例
图6是示出了本发明第二实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结构 的示意性截面图。图7是示出了第二实施例的有源矩阵型液晶显示装置 的结构的平面图。图8是沿图7所示的线VIII-VIII获取的示意性截面图。
第二实施例的液晶显示装置10A与第一实施例的液晶显示装置10 的区别在于在有机膜除去区域(或者凹槽)1131中终止的膜不是作为干 式蚀刻膜的像素绝缘膜115，而是在形成像素绝缘膜115之前形成的膜 (以下称为"保护膜"，且在本实施例中是用于形成对向电极(公共电极) 114的膜)116;并且，作为干式蚀刻膜的像素绝缘膜115在从对向电极 U4延伸的保护膜116上终止。
该保护膜由含有选自下组中的元素的膜形成硅、铟、锡、锌、钛、 铝、钼、钽、铬、钨及银。
根据第二实施例，能够获得与上述第一实施例类似的效果。
第三实施例
图9是示出了本发明第三实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结构 的平面图。图IO是沿图9所示的线X-X获取的示意性截面图。
第三实施例的液晶显示装置IOB与第二实施例的液晶显示装置10A 的区别在于尽管在第二实施例中，在形成作为干式蚀刻膜的像素绝缘 膜115之前形成了对向电极114，且通过简单延伸上述对向电极114而形 成的保护膜在有机膜除去区域(或者凹槽)1131中终止，但在第三实施例中，与对向电极114处于同一层的膜116B是从位于有机膜上的位置到位 于有机膜除去区域(或者凹槽)1131中的位置形成的，并在这两个位置处 终止。
换句话说，保护膜116B由与对向电极114相同的层形成，但被设置 为与对向电极114隔开预定距离的间隔。
根据第三实施例，能够获得与上述第一实施例或者第二实施树类似 的效果。
第四实施例
图11是示出了本发明第四实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结 构的平面图。图12A是沿图11所示的线XIIA-XIIA获取的示意性截面 图，图12B是沿图11所示的线XIIB-XIIB获取的示意性截面图。
第四实施例的液晶显示装置10C与第一实施例的液晶显示装置10 的区别在于没有连续地形成有机膜除去区域(或者凹槽)1131以包围像 素区域PXLA10的整个周边，而是在多个位置处间歇地设置有机膜除去 区域(或者凹槽)1131。
在这种情况下，如图12B所示，在没有形成有机膜除去区域(或者凹 槽)1131的位置处，很可能会在有机平坦化膜113中形成倒锥形形状； 然而，如图12A所示，在形成有有机膜除去区域(或者凹槽)1131的位置 处，不会形成由于过蚀刻而导致的倒锥形形状。因此，在后续的利用溅 射方法的成膜过程中，膜不会分开。
此外，为了通过保持利用溅射方法所形成的电极膜的良好接触来防 止放电，有机膜除去区域(或者凹槽)1131沿像素区域(显示区域)周边的 总长度必须至少是像素区域周边长度的三分之一。
第五实施例
图13是示出了本发明第五实施例的有源矩阵型液晶显示装置的结 构的平面图。图14是沿图13所示的线XIV-XIV获取的示意性截面图。
第五实施例的液晶显示装置IOD与上述第一实施例的液晶显示装置 10的区别在于位于有机膜除去区域(或者凹槽)1131外侧的有机平坦化膜被全部除去。
即使当位于有机膜除去区域(或者凹槽)1131外侧的有机平坦化膜被 全部除去时，也能获得与上述各实施例类似的效果。
如上所述，根据本实施例，当利用干式蚀刻方法来形成干式蚀刻膜 时，能够防止有机平坦化膜在干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥形形状， 因此能够防止由放电所引起的缺陷的形成。
此外，由于不必要保证从放电发生位置到有效显示区域有足够的距 离以防止由放电所引起的缺陷的形成，因此可以减小在像素区域(显示区 域)外侧的图片边框面积，这样就可以实现电子设备的尺寸和重量的减 小。
因此，即使当本发明应用于旋光模式、双折射模式等模式的任何类
型的液晶显示装置，例如简单矩阵型、TFT有源矩阵型和TFD(薄膜二极 管，ThinFilmDiode)有源矩阵型液晶显示装置时，也可以获得上述效果。
此外，本发明还可以应用于有机电致发光(EL)显示器等以及液晶显 示装置。
本实施例的显示装置还包括具有图15所示的平面型模块形状的显 示装置。
例如，显示模块被形成为，在绝缘基板ll上设有像素阵列部，在该 像素阵列部中以矩阵的形式一体形成有包括薄膜晶体管和液晶等的像 素，提供粘接剂使其包围该像素阵列部(像素矩阵部)，并将由玻璃等材料 构成的对向基板粘接到绝缘基板11上。
不管何时需要，都可以如上述各实施例中所述的那样，为透明对向 基板12设置滤色器、保护膜和遮光膜等。还可以将柔性印刷电路(FPC， flexible printed circuit)设置在显示模块中作为用于从外界输入信号等或 者向外界输出信号等的连接件CNT。
上述各实施例的显示装置可以用于各个领域中的电子设备的显示装 置，在这些显示装置中，把输入到电子设备中或者在电子设备中产生的 视频信号显示为图像或者视频图片，并且作为上述显示装置，可以提到的例如有如图16~图20所示的电视机、数码相机、笔记本电脑、摄像机 以及诸如移动电话等便携式终端设备。
下面说明使用本发明各实施例的显示装置的电子设备的示例。
图16是示出了使用上述各实施例之一的显示装置的电视机的立体图。
该示例的电视机200具有包括前板220和滤色玻璃230的视频图像 显示屏部210等，并且是通过使用上述各实施例之一的显示装置作为视 频图像显示屏部210而形成的。
图17A和图17B是示出了使用上述各实施例之一的显示装置的数码 相机的立体图，图17A是从前侧看的立体图，图17B是从后侧看的立体图。
该示例的数码相机200A包括闪光部211、显示部212、菜单开关213 和快门按钮214等，并且是通过使用上述各实施例之一的显示装置作为 显示部212而形成的。
图18是示出了使用上述各实施例之一的显示装置的笔记本电脑的 立体图。
该示例的笔记本电脑200B包括主体221、在输入字符等信息时使用 的键盘222以及用于显示图像的显示部223等，并且是通过使用上述各 实施例之一的显示装置作为显示部223而形成的。
图19是示出了使用上述各实施例之一的显示装置的摄像机的立体图。
该示例的摄像机200C包括主体231、设置在朝着前侧的表面上的摄 像镜头232、用于摄像的开始/停止开关233以及显示部234等，并且是 通过使用上述各实施例之一的显示装置作为显示部234而形成的。
图20A 图20G是示出了使用上述各实施例之一的显示装置的例如 移动电话等便携式终端设备的视图，图20A是移动电话打开时的前视图， 图20B是移动电话打开时的侧视图，图20C是移动电话闭合时的前视图， 图20D是移动电话闭合时的左视图，图20E是移动电话闭合时的右视图，图20F是移动电话闭合时的俯视图，图20G是移动电话闭合时的仰视图。
该示例的移动电话200D包括上侧壳体241、下侧壳体242、连接部 (本例中为铰链部)243、显示部244、副显示部245、图片灯246和照相 机247等，并且是通过使用上述各实施例之一的显示装置作为显示部244 和副显示部245而形成的。
本领域技术人员应当理解，依据不同的设计要求和其他因素，可以 在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次
组合以及改变。
权利要求
1. 一种显示装置，其包括具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在所述像素区域中；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在所述基体上；干式蚀刻膜，其设置在所述有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在所述干式蚀刻膜上；以及位于所述像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在所述有机膜除去区域中的所述有机平坦化膜被除去，其中，所述干式蚀刻膜或者在形成所述干式蚀刻膜之前形成的膜在所述有机膜除去区域中终止。
2. 如权利要求l所述的显示装置，其中，所述有机膜除去区域是这 样的区域，在所述有机膜除去区域中，在所述像素区域周边的外侧处， 所述有机平坦化膜在平行于所述基体主表面的方向上被部分除去，并且 在垂直于所述基体主表面的方向上被全部除去。
3. 如权利要求2所述的显示装置，其中，所述有机膜除去区域被连 续地形成，从而沿所述像素区域的整个周边包围所述像素区域。
4. 如权利要求2所述的显示装置，其中，所述有机膜除去区域沿所 述像素区域的周边间歇地设置着。
5. 如权利要求l所述的显示装置，其中，位于所述有机膜除去区域 外侧的所述有机平坦化膜被全部除去。
6. 如权利要求l所述的显示装置，其中，在形成所述干式蚀刻膜之 前形成的所述膜含有选自下组中的一种元素硅、铟、锡、锌、钛、铝、 钼、钽、铬、钨及银。
7. 如权利要求l所述的显示装置，其中，所述基体包括含有选自下 组中的一种元素的膜或者基板硅、铟、锡、锌、钛、铝、钼、钽、铬、 钨及银。
8. —种显示装置，其包括具有像素区域的第一基板，像素以矩阵形式布置在所述像素区域中；第二基板，其布置成面对所述第一基板；液晶层，其布置在所述第一基板与所述第二基板之间；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在所述第一基板上； 对向电极，其设置在所述有机平坦化膜上；干式蚀刻膜，其设置在所述对向电极及所述有机平坦化膜上并利用 干式蚀刻方法形成；像素电极，其设置在所述干式蚀刻膜上；以及位于所述像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在所述有机膜除去 区域中的所述有机平坦化膜被除去，其中，所述干式蚀刻膜或者在形成所述干式蚀刻膜之前形成的且与 所述对向电极处于同一层的膜在所述有机膜除去区域中终止。
9. 一种具有显示装置的电子设备，其中，所述显示装置包括 具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在所述像素区域中； 有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在所述基体上； 干式蚀刻膜，其设置在所述有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在所述干式蚀刻膜上；以及位于所述像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在所述有机膜除去 区域中的所述有机平坦化膜被除去，并且，所述干式蚀刻膜或者在形成所述干式蚀刻膜之前形成的膜在 所述有机膜除去区域中终止。
10. —种具有显示装置的电子设备，其中，所述显示装置包括 具有像素区域的第一基板，像素以矩阵形式布置在所述像素区域中；第二基板，其布置成面对所述第一基板；液晶层，其布置在所述第一基板与所述第二基板之间；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在所述第一基板上； 对向电极，其设置在所述有机平坦化膜上；干式蚀刻膜，其设置在所述对向电极及所述有机平坦化膜上并利用 干式蚀刻方法形成；像素电极，其设置在所述干式蚀刻膜上；以及位于所述像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在所述有机膜除去 区域中的所述有机平坦化膜被除去，并且，所述干式蚀刻膜或者在形成所述干式蚀刻膜之前形成的且与 所述对向电极处于同一层的膜在所述有机膜除去区域中终止。
全文摘要
本发明提供了显示装置和电子设备。该显示装置包括具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在该像素区域中；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在基体上；干式蚀刻膜，其设置在有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在干式蚀刻膜上；以及位于像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中的有机平坦化膜被除去。在上述显示装置中，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前形成的膜在有机膜除去区域中终止。根据本发明，当利用干式蚀刻方法来形成干式蚀刻膜时，能够防止有机平坦化膜在干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥形形状，这样就能够防止由放电所引起的缺陷的形成。
文档编号G02F1/1362GK101452172SQ200810178938
公开日2009年6月10日 申请日期2008年12月5日 优先权日2007年12月7日
发明者中嶋大贵, 八木圭一, 嶋田佑介, 金谷康弘 申请人:索尼株式会社