专利名称：液晶显示面板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种液晶显示面板，尤其涉及一种能改善配向层台阶处漏光现象的液晶显示面板。
背景技术：
液晶显示装置一般包括有第一基板、第二基板及填充在第一基板和第二基板之间的液晶层；第二基板上的显示区域包含多个子像素区域，每个子像素区域一般为两条栅极线(gate line,又称扫描线)与两条数据线(data line)交叉所定义的矩形或者其他形状区域，其内设置有薄膜晶体管(TFT)以及像素电极，薄膜晶体管充当开关元件；第一基板上形成有公共电极(IPS液晶显示模式除外)，在上下基板的电极上形成有配向层，使液晶分子在不加电状态下保持一定取向。第二基板的像素电极与第一基板的公共电极之间形成电场，电场强度的变化可以对液晶分子的取向进行调制，从而使背光源实现透过率的变化，形成图案显示。第一基板还包括具有遮光效果的黑矩阵(BM)和具有透光效果的色阻层。
目前应用于电脑显示器和小尺寸电视方面的液晶显示模式主要是TN(TwistedNematic;扭曲向列型)模式。图1为为现有的TN型液晶显示模式的像素结构示意图。相邻两条栅极线123、 124与相邻两条数据线121、 122交叉限定的区域125为像素电极，该像素电极125与公共电极126及其遮光线127形成储存电容，用来保持像素电压，黑矩阵111设置在第一基板上，用来遮蔽多个薄膜晶体管128及多条栅极线、数据线与公共电极。
图2为沿图1中1A-1A'线的剖面示意图。液晶显示面板包括相对设置的第一基板110、第二基板120及填充在第一基板IIO和第二基板120之间的液晶层130，第一基板IIO上设置有黑矩阵111，定义出多个子像素区，用于阻止光线进入非像素区域内，并分割接续制作的色阻层112，以增加色彩对比性，子像素内设置有R、G、 B色阻层；第二基板120的显示区域包括多个子像素区，子像素内设置有遮光线127a、 127b及像素电极125。在第一基板110的公共电极113上和第二基板120的像素电极125上设置有 配向层114和129，经过摩擦处理后对液晶进行配向，因为基板上数据线、遮光线 等的存在而形成的段差，从而使得配向层上形成有台阶，在台阶处液晶的倾斜角 度和其他地方不同。请参考图2，在像素电极125上的配向层129具有多个台阶部 分129a、 129b，该台阶部分具有预定的台阶差，像素区域中的台阶部分会导致这 些区域附近液晶的不一致配向。
如果液晶处于常黑模式，则在未施加电压时显示黑色。然而，当未施加选通 电压时，由于台阶区域129a、 129b液晶的不一致配向，则会产生漏光。
另外，假设摩擦方向如图中所示，则逆台阶区域的液晶129b将具有比顺台阶 区域129a的液晶更大的预倾角，逆台阶区域12%更容易形成漏光。中国专利 CN200710161754. 5针对IPS模式液晶显示装置台阶区域漏光的问题，提出从连接 端朝向开口端的方向实施摩擦处理。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板，可以改善像素电极 上的配向层台阶处的漏光现象。
本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种液晶显示面 板，包括
一彩膜基板包括第一基板，所述第一基板上形成有黑矩阵和配向层； 一阵列基板包括第二基板，所述第二基板上形成有呈矩阵状分布的像素电极，
所述像素电极上形成有配向层，所述像素电极上的配向层沿着摩擦处理方向形成有多
个顺台阶区域和逆台阶区域；
其中，所述逆台阶区域所对应的黑矩阵具有比所述顺台阶区域所对应的黑矩阵更
大的遮光面积。
上述的液晶显示面板，其中，所述逆台阶区域的液晶分子比所述顺台阶区域的 液晶分子具有更大的预倾角。
本实用新型对比现有技术有如下的有益效果本实用新型提供的液晶显示面板， 由于对逆台阶区域使用更大的黑矩阵遮光面积，可以改善像素电极上的配向层台阶处 的漏光现象。
图1为现有的TN型液晶显示模式的像素结构示意图。 图2为沿图1中1A-1A'线的剖面示意图。 图3为本实用新型的像素的结构示意图。 图4为沿图3中2A-2A'线的剖面示意图。
图中
110第一基板111， llla， lllb黑矩阵112色阻层
113公共电极114配向层120第二基板
121，122数据线123， 124栅极线125像素电极
126公共电极127， 127a， 127b遮光线128薄膜晶体管
129配向层129a顺台阶区域129b逆台阶区域
130液晶层
210第一基板211， 211a， 211b黑矩阵212色阻层
213公共电极214配向层220第二基板
221，222数据线223， 224栅极线225像素电极
226公共电极227， 227a， 227b遮光线228薄膜晶体管
229配向层229a顺台阶区域229b逆台阶区域
230液晶层
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。
图3为本实用新型的像素的结构示意图。
请参见图3，本实用新型的液晶显示面板包括多个由相邻两条栅极线223、 224 与相邻两条数据线221、 222交叉限定的区域225为像素电极，该像素电极225与公共 电极226及其遮光线227形成储存电容，用来保持像素电压，黑矩阵211设置在第一 基板上，用来遮蔽薄膜晶体管228、栅极线223， 224、数据线221， 222、公共电极 226以及遮光线227。图4为沿图3中2A-2A'线的剖面示意图。
请参见图4，本实用新型的液晶显示面板包括相对设置的第一基板210、第二基 板220及填充在第一基板210和第二基板220之间的液晶层230，第一基板210上设 置有黑矩阵211，定义出多个子像素区，用于阻止光线进入非像素区域内，并分割接 续制作的色阻层212，以增加色彩对比性，子像素内设置有R、 G、 B色阻层；第二基 板220的显示区域包括多个子像素区，子像素内设置有遮光线227a、 227b及像素电极 225。
在第一基板210的公共电极213上和第二基板220的像素电极225上形成有配向 层214和229，使液晶分子保持一定的预取向。其中，第二基板220上因为栅极线、 数据线、遮光线等的存在而形成有段差，从而使得配向层229上形成有台阶，在 台阶处液晶的倾斜角度和其他地方不同，在对所述配向层229实施摩擦处理时，所 述台阶区域沿着摩擦方向具有顺台阶区域229a和逆台阶区域22%。
逆台阶区域229b处的液晶分子相比顺台阶区域229a的液晶分子具有更大的预倾 角，因而逆台阶区域229b处更容易引起漏光。其中，第一基板210上对应顺台阶区域 229a和逆台阶区域229b区域分别有黑矩阵211a和211b遮盖，为了改善像逆台阶区 域229b处的漏光现象，黑矩阵211b相比黑矩阵211a具有更大的面积，具体来说， 所述逆台阶区域229b边缘到与之对应的黑矩阵21 lb边缘距离Wl大于所述顺台阶区域 229a边缘到与之对应的黑矩阵211a边缘距离W2。
本实用新型较之现有技术，由于对逆台阶区域229b采用了更大面积的黑矩阵211b 进行遮盖，因此可以更好地防止漏光，提高对比度。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何 本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的修改和完善， 因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
权利要求1、液晶显示面板，包括一彩膜基板包括第一基板，所述第一基板上形成有黑矩阵和配向层；一阵列基板包括第二基板，所述第二基板上形成有呈矩阵状分布的像素电极，所述像素电极上形成有配向层，所述像素电极上的配向层沿着摩擦处理方向形成有多个顺台阶区域和逆台阶区域；其特征在于，所述逆台阶区域所对应的黑矩阵具有比所述顺台阶区域所对应的黑矩阵更大的遮光面积。
2、 如权利要求l所述的液晶显示面板，其特征在于，所述逆台阶区域的液晶分 子比所述顺台阶区域的液晶分子具有更大的预倾角。
专利摘要本实用新型公开了一种液晶显示面板，包括一彩膜基板包括第一基板，所述第一基板上形成有黑矩阵和配向层；一阵列基板包括第二基板，所述第二基板上形成有呈矩阵状分布的像素电极，所述像素电极上形成有配向层，所述像素电极上的配向层沿着摩擦处理方向形成有多个顺台阶区域和逆台阶区域；其中，所述逆台阶区域所对应的黑矩阵具有比所述顺台阶区域所对应的黑矩阵更大的遮光面积。本实用新型提供的液晶显示面板可以改善像素电极上的配向层台阶处的漏光现象。
文档编号G02F1/1362GK201289562SQ200820155429
公开日2009年8月12日 申请日期2008年11月17日 优先权日2008年11月17日
发明者秦丹丹 申请人:上海广电光电子有限公司