电泳显示装置及电子设备的制作方法

专利名称：电泳显示装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及电泳显示装置及电子设备。
背景技术：
作为有源矩阵型的电泳显示装置，已知有在像素内具备有开关用晶体
管和存储电路(SRAM: Static Random Access Memory,静态随机存储器) 的电泳显示装置(参照专利文献l)。进而，本申请的申请人，提出了除了 存储电路之外，在像素内还设置有开关电路的电泳显示装置(参照专利文 献2)。
专利文献1特开2003—84314号公报专利文献2特开2008—268853号公报
图16 (a)是具备专利文献2所记载的结构的电泳显示装置500中的 像素540的电路结构图，图16 ( b )是电泳显示装置500的显示部505的 概要剖面图。
如图16 (a)所示，像素540具备选择晶体管41、锁存电路70、开 关电路580、像素电极35、电泳元件32和共用电极37。此外，在像素540 上，连接有扫描线66、数据线68、高电位电源线50、低电位电源线49、 第l控制线91和第2控制线92。
如图16 (b)所示，在电泳显示装置500的显示部505中，配置有多 个像素电极35A、 35B,在像素电极35A、 35B双方与相对的共用电极37 之间，夹持着具有微嚢20的电泳元件32，微嚢20与像素电极35A、 35B， 经由粘接剂层33粘接。
此外，关于图16所示的电路元件、电极、电泳元件等的详情，在后面
4的实施方式中参照图2等详细地进行说明。
在专利文献2记载的电泳显示装置500中，是这样的结构利用保持 于锁存电路70中的电压对开关电路580进行控制，经由开关电路580将2 条控制线91、 92中的任意一条与像素电极35连接，从而向像素电极35 输入电位(Sl或S2)。根据这样的电泳显示装置500，通过对第1及第2 控制线91、 92的电位进行控制，可以进行中间灰度等级的显示、显示部的 部分改写等，并且具有能够减少像素间的泄漏电流的优点。
但是，从实现电泳显示装置的进一步高性能化、低功耗化方面看，在 专利文献2记载的电泳显示装置中还存在以下的(1) ~ (3)所表示的问 题。
(1) 在电泳显示装置500中，虽然能够清楚地显示白色显示的像素与 黑色显示的像素的边界，但是当显示在相对于像素的排列方向倾斜的方向 上延伸的直线、曲线等的情况下，却存在着会明显看出锯齿状图形(台阶 状的锯齿紋)的问题。该点，在电泳显示装置500中，因为如在后面的(3) 中所详述地，可以进行显示部的部分改写，所以可以通过在黑白的边界部 分设置中间灰度等级的显示区域来进行反锯齿处理。但是，在这样的驱动 方法中，因为需要将用于显示中间灰度等级的图像数据传送给像素，所以 存在着因驱动器的驱动而引起的消耗电流的增大、直至显示完毕为止的时
间变长等这样的问题。
(2) 并不限于电泳显示装置500，在微嚢方式的电泳显示装置中，因 像素间泄漏电流而引起的功耗的上升成为问题。具体地，如图16(b)所 示，若黑色显示的像素540A与白色显示的像素540B相邻地配置，则在为 高电平电位VH (例如15V)的#>素电极35A与为^f氐电平电位VL (例如 OV)的像素电极35B之间会形成横向方向(基板面方向)的电场E。通过 该电场E，由于粘接微嚢与像素电极的粘接剂层33的微量水分的影响会产 生像素间泄漏电流。而且，由于这样的像素间泄漏电流，会存在功耗变大 的问题。
并且，所谓由于微量水分等的影响会产生泄漏电流，表示在像素电极35与粘接剂层33之间发生电化学反应的可能性。即，有可能发生损害像 素电极35的可靠性的离子性迁移、腐蚀等。虽然如果将金、白金等贵金属 用作像素电极的形成材料则可靠性会提高，但是因为采用贵金属会引起成 本的增加、制造工序的复杂化，所以难以在提高可靠性的同时抑制制造成 本。
(3)在电泳显示装置500中进行部分改写驱动时，在未使显示发生变 化的像素540中将与像素电极35连接的第l控制线或第2控制线92设置 为高阻抗状态。
图17及图18是关于部分改写驱动的说明图。图17 (a)是表示由电 泳显示装置500所具备的显示部505的俯视结构的说明图，图17 ( b )是 表示图17 (a)的像素540A 540D的剖面结构的说明图。图18是表示图 17 (a)的像素540A、 540E、 540F的电路结构的说明图。
此外，关于图17及图18所示的各构成要素，在后面的实施方式中详 细地进行说明。并且，在符号中附加的"A" "F"附加字符，是为了将 多个像素540和它们的构成要素相互区别开而附加的，而并无其他含意。
在电泳显示装置500中，在仅改写1个像素540A的情况下，如图17 所示，使改写对象像素540A的像素电极35A与第1控制线91经由开关电 路580A电连接，并使维持显示的像素540B 540F的像素电极35B 35F与 第2控制线92，分别经由开关电路580B 580F电连接。并且，在第1控 制线91上提供高电平电位VH (例如15V)，另一方面，将第2控制线92 设置为高阻抗状态，在共用电极37上输入低电平电位VL (例如0V)。
于是，在像素540A中，利用高电平电位VH的像素电极35A与低电 平电位VL的共用电极37的电位差，驱动电泳元件32而成为黑色显示。 另一方面，在其他的像素540B 540F中，因为像素电极35B 35F为高阻 抗状态，所以在与共用电极37之间并不产生电位差，而维持显示。
在上述的部分改写驱动中，虽然像素电极35B 35F被设置为高阻抗状 态的像素540B 540F的显示应该不发生变化，但是实际上却存在着对比度 会下降的问题。如前面的(2)中所记载地，在微嚢方式的电泳显示装置中，会产生经 由粘接剂层33的像素间泄漏。因此，如图17及图18所示，在部分改写驱 动中，也会在改写对象像素540A的像素电极35A与相邻于像素电极35A 的像素电极35B、 35E之间产生像素间泄漏电流Lk。由此，会对维持显示 的像素540B、 540E的像素电极35B、 35E输入因泄漏而产生的电位。
因此，因为像素540B 540F的像素电极35B 35F经由第2控制线92 互相电连接，所以像素电极35B、 35E的电位，也被提供给与它们相邻的 其他像素电极35C、 35F等。而且，在这样在像素电极35B 35F上输入了 电位的状态下，若在共用电极37上输入例如低电平电位VL而进行图像显 示工作，则连像素540B 540F的显示也发生变化，从而显示部505整体的 对比度会下降。

发明内容
本发明就是鉴于上述以往技术的问题而提出的，其目的之一在于提供 可以进行平滑地表现轮廓的显示、优选地也能够抑制泄漏电流的产生的电 泳显示装置。
本发明的电泳显示装置，为了解决上述问题，是具有以下部件的电泳 显示装置夹持包括电泳微粒的电泳元件而相对的第1基板及第2基板； 具备有多个包括前述电泳元件的像素的显示部；形成于前述笫2基板的前
述电泳元件侧的共用电极；以及形成于前述第1基板及第2基板中的任意 一个上的第l控制线及第2控制线，其中，前述像素，具备像素开关元件、 连接到前述像素开关元件的存储电路、连接到前述存储电路的开关电路和 连接到前述开关电路并与前述共用电极相对地配置的第1像素电极及第2 像素电极；前述开关电路，包括第1开关和第2开关，第l开关利用前述 存储电路的输出信号控制前述第1控制线与前述第1像素电极的导通，第 2开关利用前述存储电路的输出信号控制前述第2控制线与前述第2像素 电极的导通。
如果采用该结构，则在图像显示工作中，能够将经由第l开关连接到 第l控制线的第l像素电极的电位和经由第2开关连接到第2控制线的第2像素电极的电位的至少一方，设定为由第1或第2开关电断开的高阻抗 状态。
在像素电极被设定为高阻抗状态的像素内的区域中，虽然理论上电泳 元件不会被驱动，但是实际上，因为会产生像素间泄漏，所以在与被输入 了电位的像素电极之间会产生电荷的移动。这样，被设定为高阻抗状态的 第1或第2像素电极的电位，成为与存在于其周围的、被输入了电位的第 1或笫2像素电极的电位相应的电位。
例如，如果在高阻抗状态的像素电极的周围较多地配置有高电平电位 的像素电极，则该高阻抗状态的像素电极的电位会成为接近于高电平电位 的中间电位(高电平电位的50~100%)。相反，如果在周围较多地配置有 低电平电位的像素电极，则该高阻抗状态的像素电极的电位会成为接近于 低电平电位的中间电位(高电平电位的0~50%)。
而且，如上所述地高阻抗状态的像素电极的电位成为高电平电位与低 电平电位的中间电位的结果，这样的像素电极上的电泳元件，会以与像素 电极的电位相应的中间灰度等级进行显示。例如，像素电极的电位如果是 高电平电位的80%左右，则该<象素电极上的区域成为深灰色的中间灰度等 级显示，如果是20%左右，则该像素电极上的区域成为戌灰色的中间灰度 等级显示。
从而，在本发明的电泳显示装置中，因为在由灰度等级不同的像素构 成的区域的边界处，会形成上述的中间灰度等级显示的区域，所以可显示 自然与被实施了反锯齿处理的图像。因而，如果采用本发明，则能够得到 轮廊得以被平滑地表现的显示。
优选地，在前述像素中，分别设置有多个前述第l及第2像素电极。
通过形成为这样的结构，因为像素被分割成更多的子像素，所以像素 的轮廓处的分辨率实质性地提高，从而能够得到更高品质的显示。并且， 通过增加分割数，因为第1像素电极与第2像素电极的边界线长度缩短， 并且电位不同的像素电极彼此之间的距离变长，所以能够减少泄漏电流。
优选地，在前述像素中，设置有相同数量的多个前述第l及第2像素 电极。通过形成为这样的结构，因为能够容易地将第l像素电极的总计面积
与第2像素电极的总计面积设定得相同，所以能够防止由于二者的面积差 异而使反射率按每一像素变得不同的情况。
优选地，在相邻的2个前述像素的边界部分， 一个前述像素的1个前 述第1像素电极与另一个前述像素的1个前述第2像素电极相邻配置。
如果采用这样的结构，则因为在灰度等级不同的像素的边界处相邻地 配置电位不同的第l像素电极和第2像素电极，所以能够防止在图像的轮 廓为直线状的部分处轮廓变得模糊的情况。
优选地，在相邻的2个前述像素的边界部分， 一个前述像素的l个前 述第1像素电极与另一个前述像素的1个前述第1像素电极相邻配置。
通过形成为这样的结构，能够更加平滑地表现图像的轮廓。并且，能 够形成为也不会产生部分改写驱动中的对比度下降的问题的电泳显示装 置。
优选地，在前述像素中，分别设置有前述第1及第2像素电极各2个； 前述第l像素电极与前述第2像素电极，在前述像素内被互不相同地平面 配置。
通过形成为这样的结构，能够防止各个像素中的显示的偏差，并且， 对于高阻抗状态的像素电极的电荷流入也变得均匀。
本发明的电泳显示装置，在图像显示工作时，构成同一前述像素的前 述第l及第2像素电极之中至少一个电极，被设定为高阻抗状态。利用这 样的结构，也能够确定本发明的电泳显示装置。
接下来，本发明的电子设备，具备有上迷的电泳显示装置。
如果采用该结构，则能够提供具备有可以进行轮廓平滑的高品质显示 的显示单元的电子设备。


图l是实施方式的电泳显示装置的概要结构图； 图2是像素的电路结构图3是表示像素电极等的俯视配置(第l像素配置)的说明图；图4是沿着图3中所示的A—A，线的局部剖面图； 图5是表示显示部的俯视结构的作用说明图6是与像素电路一起表示沿着图5中所示的B—B，线的剖面结构 的i兌明图7是表示图像数据、像素的电位状态和显示图像的对应关系的说明
图8是表示第2像素配置的俯视图9是表示图像数据、像素的电位状态和显示图像的对应关系的说明
图IO是泄漏电流的说明图ll是表示部分改写驱动时的显示部的电位状态的说明图12是关于对比度下降的抑制的作用说明图13是表示作为电子设备的一例的手表的图14是表示作为电子设备的一例的电子紙张的图15是表示作为电子设备的一例的电子笔记本的图16是表示以往的电泳显示装置的图17是以往的电泳显示装置中的部分改写驱动的说明图；以及
图18是关于以往的电泳显示装置中的对比度下降的说明图。
符号说明
100 电泳显示装置，20微嚢，30元件基板(第l基板)，31对 置基板(第2基板)，32 电泳元件，33 粘接剂层，37共用电极，40、 40A、 40B、 40C、 40D、 40a、 40b、 40c、楊、40e、 40f 像素，41 选 择晶体管(像素开关元件)，49低电位电源线，50高电位电源线，55共 用电极布线，61扫描线驱动电路，62数据线驱动电路，63控制器， 64 共用电源调制电路，66 扫描线，68 数据线，70、 70C、 70D 锁存 电路(存储电路)，91 第l控制线，92 第2控制线，351、 351a、 351b、 351aC、 351aD、 351bC、 351bD 第1像素电极，352、 352a、 352b、 352aC、 352aD、 352bC、 352bD 第2像素电极，TG1、 TG1C、 TG1D、 TGla、 TGlb、 TGlc 第l传输门(第l开关)，TG2、 TG2C、 TG2D、 TG2a、TG2b、 TG2c 第2传输门(第2开关)。
具体实施例方式
以下，利用

作为本发明的一种实施方式的有源矩阵方式的电 泳显示装置。
此外，本实施方式，表示本发明的一种方式，而并非对该发明进行限 定，可以在本发明的技术思想的范围内任意地进行变形。并且，在以下的 附图中，为了使各结构容易理解，存在使比例尺、数量等与实际的结构有 所不同而进行显示的情况。
图1是实施方式的电泳显示装置100的概要结构图。 电泳显示装置100，具备多个像素40矩阵状地排列而成的显示部5。 在显示部5的周边，配置有扫描线驱动电路61、数据线驱动电路62、控制 器(控制部)63及共用电源调制电路64。扫描线驱动电路61、数据线驱 动电路62及共用电源调制电路64，分别与控制器63相连接。控制器63， 根据从上级装置提供的图像数据、同步信号等，综合性地对上述电路进行 控制。
在显示部5中，形成有从扫描线驱动电路61延伸的多条扫描线66、 从数据线驱动电路62延伸的多条数据线68，并且与它们的交叉位置对应 地设置像素40。
扫描线驱动电路61，经由m条扫描线66 (Yl、 Y2.....Ym )连接
到各个像素40，并且在控制器63的控制之下，依次选择第1行到第m行 的扫描线66。扫描线驱动电路61，经由所选择的扫描线66，向设置于像 素40中的选择晶体管41 (参照图2)提供规定导通定时的选择信号。
数据线驱动电路62,经由n条数据线68 (Xl、 X2.....Xn )连接到
各个像素40，并且在控制器63的控制之下，将规定与像素40的各个对应 的1位像素数据的图像信号提供给像素40。
并且，在本实施方式中，在规定像素数据"O"的情况下，将低电平(L) 的图像信号提供给像素40，在规定像素数据"1"的情况下，将高电平(H) 的图像信号提供给像素40。在显示部5中，还设置有从共用电源调制电路64延伸的5条全局布线 (低电位电源线49、高电位电源线50、共用电极布线55、第1控制线91 及第2控制线92)，各条布线与像素40相连接。共用电源调制电路64，在 控制器63的控制之下，生成应当提供给上述布线的各个的各种信号，另一 方面，进行这些各布线的电连接及断开(高阻抗化)。 图2是像素40的电路结构图。
在像素40中，设置有选择晶体管(像素开关元件)41、锁存电路(存 储电路)70、开关电路80、电泳元件32、第1像素电极351、第2像素电 极352和作为对置电极的共用电极37。以包围这些元件的方式，配置扫描 线66、数据线68、低电位电源线49、高电位电源线50、第1控制线91 及第2控制线92。像素40，是利用锁存电路70将图像信号作为电位进行 保持的SRAM ( Static Random Access Memory,静态随机存储器)方式的 结构。
上述元件之中，也将由选择晶体管41、锁存电路70、开关电路80、 第l及第2像素电极351、 352构成的部分称为像素电路。该像素电路及共 用电极37和包括第l控制线91、第2控制线92的全局布线，由扫描线驱 动电路61、数据线驱动电路62及共用电源调制电路64所驱动。
选择晶体管41 ，是包括N-MOS( Negative Metal Oxide Semiconductor, 负金属氧化物半导体)晶体管的像素开关元件。选择晶体管41的栅端子连 接到扫描线66，源端子连接到数据线68，漏端子连接到锁存电路70的数 据输入端子N1。
锁存电路70，具备传送反相器70t和反馈反相器70f。传送反相器70t 及反馈反相器70f均是C-MOS反相器。传送反相器70t和反馈反相器70f, 形成为在相互的输入端子上连接有另一方的输出端子的环结构，并且对各 个反相器，从经由高电位电源端子PH连接的高电位电源线50供给高电位 的电源电压，从经由低电位电源端子PL连接的低电位电源线49供给低电 位的电源电压。
传送反相器70t，具有P-MOS ( Positive Metal Oxide Semiconductor,
正金属氧化物半导体)晶体管71和N-MOS晶体管72， P-MOS晶体管71和N-MOS晶体管72其各自的漏端子连接到数据输出端子N2。 P-MOS晶 体管71的源端子连接到高电位电源端子PH， N-MOS晶体管72的源端子 连接到低电位电源端子PL。 P-MOS晶体管71及N-MOS晶体管72的栅 端子(传送反相器70t的输入端子)，与数据输入端子m (反馈反相器70f 的输出端子)相连接。
反馈反相器70f'，具有P-MOS晶体管73和N-MOS晶体管74， P-MOS 晶体管73和N-MOS晶体管74其各自的漏端子连接到数据输入端子Nl。 P-MOS晶体管73及N-MOS晶体管74的栅端子(反馈反相器70f的输入 端子)，与数据输出端子N2 (传送反相器70t的输出端子)相连接。
在上述结构的锁存电路70中，若存储高电平(H)的图像信号(像素 数据'T，)，则从锁存电路70的数据输出端子N2输出低电平(L)的信号。 另 一方面，若在锁存电路70中存储低电平(L )的图像信号(像素数据"0")， 则从数据输出端子N2输出高电平(H)的信号。
锁存电路70的数据输入端子Nl及数据输出端子N2，与开关电路80 相连接。进而，开关电路80，分别连接到第1及第2像素电极351、 352 和第1及第2控制线91、 92。开关电路80，具备第1传输门TG1 (第1 开关)和第2传输门TG2 (第2开关)而构成。
第1传输门TG1，包括P-MOS晶体管81和N-MOS晶体管82。P-MOS 晶体管81及N-MOS晶体管82的源端子连接到第1控制线91， P-MOS 晶体管81及N-MOS晶体管82的漏端子连接到第1像素电极351。P-MOS 晶体管81的栅端子连接到锁存电路70的数据输入端子Nl, N-MOS晶体 管82的栅端子连接到锁存电路70的数据输出端子N2。
笫2传输门TG2，包括P-MOS晶体管83与N-MOS晶体管84。P-MOS 晶体管83及N-MOS晶体管84的源端子连接到第2控制线92， P-MOS 晶体管83及N-MOS晶体管84的漏端子连接到第2像素电极352。P-MOS 晶体管83的栅端子连接到锁存电路70的数据输出端子N2, N-MOS晶体 管84的栅端子连接到锁存电路70的数据输入端子Nl。
在此，当在锁存电路70中存储低电平(L)的图像信号(像素数据"O")、 从数据输出端子N2输出高电平(H)的信号的情况下，第1传输门TG1成为导通状态从而第1控制线91与第1像素电极351电连接，从而第1 控制线91的电位S1被输入到第l像素电极351。此时，因为第2传输门 TG2因锁存电路70的输出信号而被设定为关断状态，所以第2像素电极 352成为高阻抗状态。
另一方面，当在锁存电路70中存储高电平(H)的图像信号(像素数 据"r，)、从数据输出端子N2输出低电平(L)的信号的情况下，第2传 输门TG2成为导通状态，从而第2控制线92的电位S2被输入到第2像素 电极352。此时，第l传输门TG1为关断状态，从而第1像素电极351成 为高阻抗状态。
这样，在像素40中，基于由锁存电路70所存储的图像信号，第l传 输门TG1和第2传输门TG2排他性地进行工作，使第1像素电极351和 第2像素电极352之中仅一方的像素电极与对应的控制线相连接，而另一 方的像素电极则被设定为高阻抗状态。
图3是表示显示部5中的第1及第2像素电极351、 352和扫描线66 及数据线68的俯视配置的图。图4是电泳显示装置IOO的沿着图3中所示 的A—A'线的位置处的局部剖面图。
如图3所示，在显示部5中，多个像素40排列成矩阵状，扫描线66 及数据线68延伸于相邻的像素40的边界区域。在各个像素40中，2个第 l像素电极351 (351a、 351b)和2个第2像素电极352 (352a、 352b), 相互交错地正方形配置。即，在大致正方形形状的像素40的俯视区域，大 致正方形形状的第l像素电极351a与第l像素电极351b配置在对角位置 上，第2像素电极352a与第2像素电极352b配置于另一对角位置上。本 实施方式的情况下，在显示部5中的相邻像素40彼此间，以相同种类的像 素电极彼此(第1像素电极351彼此、第2像素电极352彼此)不相邻的 方式规则性地排列。
配置于像素40内的第1像素电极351a、 351b,都连接到图2中所示 的第1传输门TG1。并且，第2像素电极352a、 352b，都连接到第2传输 门TG2。
即，像素40，具有分别与配置于一个对角线方向上的2个第l像素电极351a、 351b对应的2个第1子像素和分别与配置于另 一对角线方向上 的2个第2像素电极352a、 352b对应的2个第2子像素。
如图4所示，电泳显示装置100，具备以下的结构在元件基板30(第 1基板)与对置M 31 (第2基板)之间，夹持有排列多个微囊20而形成 的电泳元件32。在显示部5中，在元件^i^30的电泳元件32侧，第l像 素电极351a (351)与笫2像素电极352b (352)交替地排列，电泳元件 32经由粘接剂层33与第1像素电极351及第2像素电极352粘接。
元件基板30，是由玻璃、塑料等构成的基板，并且因为配置于与图像 显示面相反的一侧，所以也可以不透明。在元件基板30之上，形成有包括 图1、图2等中所示的扫描线66、数据线68、选择晶体管41、锁存电路 70、开关电路80等的电路层34，在电路层34之上，形成第1及第2像素 电极351、 352。第l及第2像素电极351、 352,由在Cu箔上将镀镍与镀 金以该顺序进行叠层而得到的物质或Al、 ITO (氧化铟锡)等形成。
另一方面，对置基板31是由玻璃、塑料等构成的基板，并且因为配置 于图像显示侧，所以形成为透明基板。在对置基板31的电泳元件32侧， 形成有与多个像素电极351、 352相对的平面形状的共用电极(对置电极) 37，在共用电极37之上设置电泳元件32。共用电极37,是由MgAg、 ITO、 IZO (氧化铟锌)等形成的透明电极。
此外，电泳元件32， 一般预先形成于对置;i^31侧，并被处理作为 包括直至粘接剂层33为止的电泳片。在制造工序中，电泳片以在粘接剂层 33的表面贴附有保护用的剥离片的状态被进行处理。而且，通过对于另行 制造的元件基板30(形成有第l及第2像素电极351、 352、各种电路等)， 贴附揭去了剥离片的该电泳片，来形成显示部5。因此，粘接剂层33仅存 在于第l及第2像素电极351、 352侧。
微嚢20，例如具有50|Lim左右的粒径，且其是在内部封入有分散介 质21、多个白色微粒(电泳微粒)27和多个黑色微粒(电泳微粒)26的 球状体。微嚢20，如图4所示，被共用电极37、第l及笫2像素电极351、 352所夹持。既可以在1个像素40内包括多个微嚢20，也可以在1个微嚢 20的俯视区域内包括多个像素40。微嚢20的外壳部(壁膜)，采用聚曱基丙烯酸曱酯、聚曱基丙烯酸乙 酯等丙烯酸树脂、尿素树脂、阿拉伯胶等具有透光性的高分子树脂等形成。
分散介质21是使白色微粒27和黑色微粒26分散在微嚢20内的液体。 作为分散介质21，能够例示水、醇类溶剂(曱醇、乙醇、异丙醇、丁醇、 辛醇、曱基溶纤剂等)、酯类(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)、酮类(丙酮、甲 乙酮、甲基异丁基酮等)、脂肪族烃(戊烷、己烷、辛烷等)、脂环式烃(环 己烷、甲基环己烷等)、芳香族烃(苯、甲苯、具有长链烷基的苯类(二甲 苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基 苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))、卣代烃(二氯曱烷、氯仿、四氯化碳、 1，2-二氯乙烷等)、羧酸盐等，也可以是其他的油类。这些物质能够单独或 作为混合物使用，也可以进而混合表面活性剂等。
白色微粒27，例如是由二氧化钛、锌华、三氧化锑等白色颜料构成的 微粒(高分子或者胶体)，其例如带负电而使用。黑色微粒26，例如是由 苯胺黑、炭黑等黑色颜料构成的微粒(高分子或者胶体)，其例如带正电而 使用。
在这些颜料中，根据需要，能够添加由电解质、表面活性剂、金属皂、 树脂、橡胶、油、清漆、化合物等的微粒构成的电荷控制剂，钛类偶联剂， 铝类偶联剂，硅烷类偶联剂等分散剂，润滑剂，稳定剂等。
并且，也可以代替黑色微粒26及白色微粒27，而采用例如红色、绿 色、蓝色等的颜料。如果采用这样的结构，则能够在显示部5上显示红色、 绿色、蓝色等。
接下来，图5是表示显示部5的俯视结构的作用说明图。图6是与像 素电路一起表示沿着图5中所示的B—B，线的位置处的剖面结构的说明 图。
此外，在图5及图6中，各部分的符号的附加字符"A"、 "B"、 "C"、 "D",是为了明确地区别这些构成要素属于像素40A-40D中的哪一个而 附加的。
在图5中，示出了在显示部5中排列的像素40之中、配置在2行2列上的4个像素40A 40D。像素40A 40D之中，3个像素40A 40C进行 黑色显示，像素40D进行白色显示。
在此，关于像素40中的图像显示工作，参照图6进行说明。
为了得到图5中所示的显示状态，首先，使图像信号(图像数椐)存 储到像素40的锁存电路70中(图像信号输入步骤)。在图6中所示的像素 40C、 40D的情况下，在像素40C的锁存电路70C中，经由选择晶体管41C 从数据线68输入低电平(L)的图像信号，作为电位进行存储。在像素40D 的锁存电路70D中，输入高电平(H)的图像信号，作为电位进行存储。
此外，在图像信号输入步骤中，只要以能够在锁存电路70C、 70D中 写入、保持图像信号的电压使像素电路工作即可。从而，例如，将图像信 号输入步骤中的图像信号的高电平电位设定为2 5V、将低电平电位设定为 0V，并将高电位电源线50的电位Vdd设定为2 5V，将低电位电源线49 的电位Vssi殳定为0V。
如果对锁存电路70C、 70D写入了图像信号，则驱动电泳元件32而执 行使图像显示的工作(图像显示步骤)。
在该步骤中，在第1控制线91、第2控制线92和共用电极37上，供 给图像显示用的电位。具体地，将第l控制线91的电位S1设定为高电平 电位VH (例如10~15V)，将第2控制线92的电位S2设定为低电平电位 VL(例如OV)。在共用电极37上，输入以预定周期重复高电平电位VH 和低电平电位VL的矩形波状的脉冲。
并且，为了在第l及第2像素电极351、 352上供给图像显示用的电位 VH、 VL，使锁存电路70C、 70D的电源电压升高。即，使高电位电源线 50的电位Vdd上升为高电平电位VH，将低电位电源线49的电位Vss设 定为低电平电位VL。
从保持有低电平(L)的图像信号的锁存电路70C的数据输出端子N2 输出高电平(H)的电位(Vdd)，从数据输入端子N1输出低电平(L)的 电位(Vss)。由此，在像素40C中，第1传输门TG1C变成导通状态从而 在第l像素电极351aC (及351bC)上输入第1控制线91的电位S1 (高电平电位VH)。并且，因为第2传输门TG2C为关断状态，所以第2像素 电极352aC (及352bC)变成高阻抗状态。
于是，在共用电极37的电位Vcom为低电平电位VL的期间，在第1 像素电极351aC、 351bC与共用电极37之间形成电场，由这样的电场驱动 电泳元件32。由此，如图5(a)所示，与第l像素电极351aC、 351bC对 应的第1子像素进行黑色显示。并且，由于像素40A、 40B也进行与上述 同样的工作，所以与第1像素电极351对应的第l子像素进行黑色显示。
另一方面，在像素40D中，从保持有高电平(H)的图像信号的锁存 电路70D的数据输出端子N2输出低电平(L)的电位(Vss)，从数据输 入端子N1输出高电平(H)的电位(Vdd)。由此，第2传输门TG2D变 成导通状态从而在第2像素电极352aD (及352bD )上输入第2控制线92 的电位S2 (低电平电位VL)。并且，因为第l传输门TG1D为关断状态， 所以第l像素电极351aD (及351bD)变成高阻抗状态。
于是，在共用电极37的电位Vcom为高电平电位VH的期间，在第2 像素电极352aD、 352bD与共用电极37之间形成电场，由这样的电场驱动 电泳元件32。由此，如图5(a)所示，与第2像素电极352aD、 352bD对 应的第2子像素进行白色显示。
通过以上的工作，如图5 (a)所示，能够使像素40A 40D的一部分 子像素进行黑色显示或白色显示。
在此，在各个像素40A-40D中，存在被输入了电位的第1像素电极 351或第2像素电极352、高阻抗状态的第1像素电极351或第2像素电极 352。而且，对于将微嚢20与第l及第2像素电极351、 352粘接起来的粘 接剂层33，为了减少施加在微嚢20上的电压的损失，使用电阻不那么高 的粘接剂。因此，如图5(a)所示，在被输入了电位的第l像素电极351 或第2像素电极352与高阻抗状态的第1像素电极351或第2像素电极352 之间，会产生像素间泄漏电流Lk。
具体地，像素40C的第2像素电极352aC，由被输入了电位S1(高电 平电位VH)的第1像素电极351 (351bA、 351aC、 351bC)在三面包围，从它们的第l像素电极351流入电荷。因此，高阻抗状态的第2像素电极 352aC，也变成接近于高电平电位VH的高电位。并且，第2像素电极 352bC，也同样地由于像素间泄漏而变成接近于高电平电位VH的高电位。 由此，在与第2像素电极352aC、 352bC对应的第2子像素中也驱动电泳 元件32，从而如图5(b)所示，与对应于第1像素电极351aC、 351bC 的第1子像素同样地进行黑色显示。从而，构成像素40C的第1及第2子 像素都进行黑色显示。
另一方面，在像素40D中，因为第2像素电极352aD、 352bD为低电 平电位VL，所以从高阻抗状态的第1像素电极351aD、 351bD向相邻的 笫2像素电极352aD、 352bD流入泄漏电流。因此，笫l像素电极351aD、 351bD，变成接近于低电平电位VL的低电位。由此，在对应于第l像素 电极351aD、 351bD的第1子像素中也驱动电泳元件32,从而如图5(b) 所示，与对应于第2像素电极352aD、 352bD的第2子像素同样地进行白 色显示。从而，构成像素40D的第l及第2子像素都进行白色显示。
此外，高阻抗状态的笫l及第2像素电极351、 352的电位，相应于与 它们相邻的第1及笫2像素电极351、352的电位而成为不同的电位。例如， 在像素40C中，仅由高电平电位VH的第l像素电极351aC、 351bC所包 围的第2像素电极352bC，变成与高电平电位VH基本相等的电位。并且， 在像素40D中，仅与低电平电位VL的第2像素电极352aD、 352bD相邻 的第l像素电极351bD的电位，变成与低电平电位VL基本相等的电位。
从而，在黑色显示的像素40连续的区域，第l子像素与第2子像素成 为基本相等的反射率的黑色显示；在白色显示的像素40连续的区域，第l 子像素与第2子像素成为基本相等的反射率的白色显示。
另一方面，在像素40C的第l像素电极351aC、第2像素电极352aC 及像素40D的第l像素电极351aD、第2像素电极352aD所属的行(从上 数第3行)中，高阻抗状态的第2像素电极352aC和第l像素电极351aD， 配置于高电平电位VH的第l像素电极351aC与低电平电位VL的第2像 素电极352aD之间。在此情况下，第2像素电极352aC和第1像素电极351aD的电位，变成高电平电位VH与低电平电位VL的中间的电位。
具体地，与高电平电位VH的第l像素电极351aC相邻的笫2像素电 极352aC变成比较高的中间电位，与低电平电位VL的第2像素电极352aD 相邻的第l像素电极351aD变成比较低的中间电位。从而，与第2^象素电 极352aC对应的第2子像素成为深灰的中间灰度等级显示，与第1像素电 极351aD对应的第l子像素成为浅灰的中间灰度等级显示。
接下来，图7是表示图像数据、像素的电位状态和显示图像的对应关 系的说明图。
图7 ( a )是用与显示部5对应的矩阵状的排列(9行6列)概念性地 表示传送给显示部5的图像数据D的图。在该图中，配置成矩阵状的正方 形形状的格栅，对应于输入到各个像素40的像素数据。对应于黑色显示的 像素数据Dp "0"(低电平的图像信号)表示为涂黑的格栅，对应于白色 显示的像素数据Dp "1"(高电平的图像信号)表示为涂白的格栅。
若采用图7(a)中所示的图像数据D而执行上述的图像显示工作，则 排列在显示部5中的第l及第2像素电极351、352的电位，成为如图7(b) 所示的状态。在图7 (b)中，以对应于图7 (a)的方式(9行6列)排列 像素40。在各个像素40中，2个笫1像素电极351与2个第2像素电极 352，配置得互不相同。
图7(b)中，涂黑的格栅，是与被输入了高电平电位VH的第l像素 电极351对应的第1子像素(进行黑色显示的子像素)。并且，涂白的格栅， 是与被输入了低电平电位VL的第2像素电极352对应的第2子像素(进 行白色显示的子像素)。进而，写入有数值的格栅，是与高阻抗状态的第l 像及第2素电极351、 352对应的子像素。并且，写入到格栅的数值，表示 与该子像素对应的第1及第2像素电极351、 352的电位电平，"100"对应 于高电平电位VH， "0"对应于低电平电位VL。
如图7(b)所示，在显示部5中排列的第l及第2像素电极351、 352， 与所输入的图像数据D (像素数据Dp "0"、 Dp 'T，)的分布相应地，成 为低电平电位VL、高电平电位VH或者低电平电位VL与高电平电位VH 之间的电位。例如，在三面被黑色显示的第1子像素所包围的高阻抗状态的第2子像素中，其第2像素电极352的电位成为高电平电位VH的80% 左右。反之，在三面被白色显示的第2子像素所包围的高阻抗状态的第1 子像素中，其第l像素电极351的电位成为高电平电位VH的20。/。左右。 图7 (c)是表示与图7 (a)、 (b)对应的显示部5的显示状态的图。 如图7 (c)所示，在连续地配置有黑色显示的像素40的图示左上侧 的区域，尽管仅在第l像素电极351上输入了第l控制线91的电位S1， 但是第1及第2子像素都进行黑色显示。并且，在连续地配置有白色显示 的像素40的图示右下侧的区域，尽管仅在第2像素电极352上输入了第2 控制线92的电位S2,但是第1及第2子像素都进行白色显示。
而且，在进行黑色显示的像素40与进行白色显示的像素40相邻的区 域，如图7(b)所示，因为高阻抗状态的第1及第2像素电极351、 352 的电位成为低电平电位VL与高电平电位VH之间的电位，所以成为与像 素电极的电位相应的深浅的灰色显示。由此，如果对图7 (a)与图7 (b) 进行比较则明显地，由黑色显示的像素40构成的区域与由白色显示的像素 40构成的区域的、在倾斜方向上延伸的边界被进^f亍了反锯齿处理，成为锯 齿状图形(台阶状的锯齿紋)得到緩和的平滑的显示。 (第2像素配置)
虽然在上述实施方式中，如图3所示，说明了第1及第2像素电极351、 352以同一方式配置而成的像素40规则性地排列的情况(第1像素配置)， 但是在本发明的电泳显示装置中，也能够应用其他的像素配置。图8是表 示电泳显示装置100中的第2像素配置的俯视图。
在图8中，抽取在显示部5中排列的像素40之中的4个像素40a 40d 而示出。像素40a 40d，在都互不相同地配置有2个第l像素电极351a、 351b (第1子像素)、2个第2像素电极352a、 352b (第2子像素)这一 点上相同。但是，在像素40a、 40d与像素40b、 40c中，像素内的第l像 素电极351a、 351b及第2像素电极352a、 352b的配置不同。
具体地，在像素40a、 40d中，在沿着连接图示的左上方与右下方的 方向的对角位置上配置第l像素电极351a、 351b,相对于此，在像素40b、 40c中，则在沿着连接图示的右上方与左下方的方向的对角位置上配置第1像素电极351a、 351b。
由此，相邻的像素40a与像素40b,成为在Y象素边界重复的配置，从 而配置为在像素间的边界处相同种类的像素电极彼此相邻。也就是说， 像素40a的第2像素电极352a与像素40b的第2像素电极352a相邻地配 置，像素40a的第l像素电极351b与像素40b的第l像素电极351b相邻 地配置。
进而，在图示上下方向上相邻的像素40a与像素40c也成为同样的配 置关系。即，像素40a的第2像素电极352b与像素40c的第2像素电极 352b相邻地配置，像素40a的第1像素电极351b与像素40c的第1像素 电极351b相邻地配置。
图9是表示采用图8中所示的像素配置的情况下的图像数据、像素的 电位状态和显示图像的对应关系的说明图，是与前面的图7对应的图。
在图9(a)中，示出了与图7(a)同样的图像数据D。若采用图9 ( a ) 中所示的图像数据D而执行图像显示工作，则排列在显示部5中的第l及 第2像素电极351、 352的电位，成为如图9 (b)所示的状态。
图9 (b)中的显示方法，与图7 (b)相同。
在图8所示的像素配置中，因为在像素40彼此的边界部分，相同种类 的子像素相邻地配置，所以在图9 (b)中，在像素数据Dp "0"连续的区 域，与第1像素电极351对应的黑色显示的第l子像素(涂黑的格栅)彼 此相邻地配置；在像素数据Dp "1"连续的区域，与第2像素电极352对 应的白色显示的第2子像素(涂白的子像素)彼此相邻地配置。
而且，在黑色显示的像素40与白色显示的像素40相邻的区域，黑色 显示的第1子像素与白色显示的第2子像素并非相邻地配置，而是在它们 之间，介有像素电极为高阻抗状态的第l或第2子像素。
图9 (c)是表示与图9 (a)、 (b)对应的显示部5的显示状态的图。
如图9 (c)所示，连续地配置有黑色显示的像素40的图示左上侧的 区域，尽管仅在第1像素电极351上输入了第l控制线91的电位S1，但 是第l及第2子像素均进行黑色显示。并且，在连续地配置有白色显示的 像素40的图示右下侧的区域，尽管仅在第2像素电极352上输入了笫2控制线92的电位S2，但是第1及第2子像素均进行白色显示。
而且，在进行黑色显示的像素40与进行白色显示的像素40相邻的区 域，如图9(b)所示，因为高阻抗状态的第1及第2像素电极351、 352 的电位成为低电平电位VL与高电平电位VH之间的电位，所以成为与像 素电极的电位相应的深浅的灰色显示。由此，由黑色显示的像素40构成的 区域与由白色显示的像素40构成的区域的、在倾斜方向上延伸的边界被进 行了反锯齿处理，成为锯齿状图形(台阶状的锯齿紋)得到缓和的平滑的 显示。
在以上说明的第2像素配置的情况下，如前面所记载地，在黑色显示 的第l子像素与白色显示的第2子像素之间， 一定介有像素电极为高阻抗 状态的笫1或第2子像素。因此，在黑色显示与白色显示的边界区域，必 定配置有中间灰度等级(灰色显示)的第l或第2子像素。从而，即使与 采用了第l像素配置的情况相比较，也能够得到锯齿状图形不明显的平滑 的显示。
此外，虽然在第2像素配置中，因为在黑色显示与白色显示的边界必 定配置有灰色显示的子像素，所以在相对于像素排列倾斜的方向上延伸的 轮廓的显示品质有所提高，但是另一方面，在沿着像素排列的方向(行方 向及列方向)上延伸的图像的轮廓却变得模糊。因为该轮廓的模糊通过使 显示部5高清晰化会变得不明显，所以可以在显示部5为低分辨率的情况 下，采用可比较明确地显示图像的轮廓的第l像素配置，而在为高分辨率 的情况下采用第2像素配置。
这样， 如果釆用本实施方式的电泳显示装置100,则无需执行向显示 部5的中间灰度等级的图像数据的传送，仅进行通常的图像显示工作，就 能够得到轮廊被进行了反锯齿处理的显示。
接下来，关于电泳显示装置100中的泄漏电流，参照图10进行说明。
图10 (a)是采用了图3中所示的第1像素配置的情况下的泄漏电流 的说明图。图10 (b)是采用了图8中所示的第2像素配置的情况下的泄 漏电流的说明图。图10 (c)是图17中所示的以往的电泳显示装置500中 的泄漏电流的说明图。首先，在图10(c)中所示的以往的电泳显示装置的情况、黑色显示 的像素540a与白色显示的像素540b相邻的情况下，如在前面说明了地， 产生从像素540a的像素电极35a朝向像素540b的像素电极35b的像素间 泄漏电流Lk (泄漏电流)。在该情况下，像素间泄漏电流Lk的路径是1 个，能够将粘接像素电极35a、 35b与微嚢20的粘接剂层33看作电阻Ro。
相对于此，在图10 (a)中所示的采用了笫l像素配置的电泳显示装 置100中，像素40a及像素40b,分别被分割为4个子像素。在像素40a 中，仅在第l像素电极351a、 351b上输入了第1控制线91的电位Sl (高 电平电位VH)。在像素40b中，仅在第2像素电极352a、 352b上输入了 第2控制线92的电位S2 (低电平电位VL)。
图10 (a)中所示的像素40a与像素40b的^f象素间泄漏，因为各个像 素被分割为子像素，所以成为经由以下的多条路径的泄漏电流。
(1 )从像素40a的第1像素电极351b向像素40b的第2像素电极352a 的像素间泄漏
(2) 从像素40a的第l像素电极351b，经由像素40a的第2像素电 极352b和像素40b的第1像素电极351a,到达l象素40b的第2像素电极 352a的像素间泄漏
(3) 从像素40a的第l像素电极351b，经由像素40a的第2像素电 极352b和像素40b的第1像素电极351a，到达像素40b的第2像素电极 352b的4象素间泄漏
(4) 从像素40a的第1像素电极351a,经由像素40a的第2像素电 极352b和像素40b的第l像素电极351a,到达^^素40b的第2像素电极 352a的4象素间泄漏
(5) 从像素40a的第1像素电极351a,经由像素40a的第2像素电 极352b和像素40b的第1像素电极351a,到达像素40b的第2像素电极 352b的像素间泄漏
首先，关于泄漏路径(l),虽然电位不同的像素电极彼此相邻，但是 像素40a的第l像素电极351a (高电平电位VH)与像素40b的第2像素 电极352a(低电平电位VL)的边界的长度，是图10 ( c )的像素电极35a、35b的边界的长度的一半或以下。由此，泄漏电流的路径变窄，从而泄漏 电流减少相应的量。
接下来，在泄漏路径(2) ~ (5)中，在从为高电平电位VH的像素 40a的第l像素电极351a、 351b，到达为低电平电位VL的像素40b的第 2像素电极352a、 352b之间，经由为高阻抗状态的像素40a的第2像素电 极352b和像素40b的第l像素电极351a。这样，因为每次通过〗象素电极 的边界都负载粘接剂层33的电阻R，所以泄漏路径整体上的电阻变大，流 到为低电平电位VL的像素40b的第2像素电极352a、352b的泄漏电流减 少。
这样，在本发明的电泳显示装置100中，伴随着将像素40分割成多个 子像素，像素间泄漏电流Lk的路径增加。但是另一方面，因为每一条路 径的电流量大幅度减少，所以作为整体的泄漏电流量，比图10(c)中所 示的以往的结构减少，减少至以往的80。/。左右。从而，如果釆用本实施方 式的电泳显示装置100,则能够抑制显示部5中的功耗。
接下来，在图10 (b)中所示的第2像素配置的情况下，成为以下的 泄漏路径。
(1) 从像素40a的第1像素电极351b，经由像素40b的第1像素电 极351b到达像素40b的第2像素电极352a的4象素间泄漏
(2) 从像素40a的第l像素电极351b，经由像素40b的笫1像素电 极351 b到达像素40b的第2像素电极352b的像素间泄漏
(3) 从像素40a的第1像素电极351b，经由像素40a的第2像素电 极352b，到达像素40b的第2像素电极352b的像素间泄漏
(4) 从像素40a的第l像素电极351a，经由像素40a的第2像素电 极352b，到达像素40b的第2像素电极352b的像素间泄漏
这样，在采用了第2像素配置的电泳显示装置100中，泄漏路径的数 量本身比第l像素配置的情况减少。并且，在图10 (b)中所示的第2像 素配置中，为高电平电位VH的像素40a的第1像素电极351a、 351b与 为低电平电位VL的像素40b的第2像素电极352a、352b以不相邻的方式 配置。从而，泄漏路径(1) (4)，必定成为经由像素电极为高阻抗状态的子像素的高电阻的路径。
这样，如果采用第2像素配置，则能够比图10 (a)中所示的采用了 第l像素配置的情况进一步减少泄漏电流，能够减少至以往的70%左右。
并且，在本实施方式的电泳显示装置100中，还能够防止部分改写驱 动时的对比度下降。即，如上所述，在第l像素配置、第2像素配置的任 意一个中，都因为泄漏电流相比于以往的电泳显示装置500变少，所以能 够减少对于不使显示发生变化的像素40的电荷供给。从而，能够抑制画面 整体的对比度发生变化。
进而，在采用第2像素配置的情况下，能够更有效地防止部分改写驱 动时的对比度下降。以下，参照图11及图12详细地进行说明。
图11是表示部分改写驱动时的显示部5的电位状态的说明图。图12 是关于对比度下降的抑制的作用说明图。
在图11中，示出了显示部5的像素40之中、配置在3行2列上的6 个像素40a 40f。像素40a 40f之中，位于图示左上端的像素40a为改写对 象像素，其他的像素40b 40f为维持显示的像素。
如图11所示，在改写对象像素40a中，在第1像素电极351a、 351b 上输入第l控制线91的电位S1 (高电平电位VH)，第2像素电极352a、 352b双方则为高阻抗状态。另一方面，在维持显示的像素40b 40f中，第 l像素电极351a、 351b及第2像素电极352a、 352b双方为高阻抗状态。 而且，在这样的电位状态下，通过在共用电极37上输入低电平电位VL(或 者重复高电平电位VH和低电平电位VL的脉沖)，能够有选择地仅使像素 40a显示黑色。
在图11中所示的状态下，因为仅在像素40a的第l像素电极351a、 351b上输入了电位Sl (高电平电位VH)，所以《象素间泄漏电流Lk,在这 些第1像素电极351a、 351b与相邻于它们的第1或第2像素电极之间产 生。
在图11中所示的第2像素配置中，第1像素电极351彼此之间、第2 像素电极352彼此之间隔着像素40的边界地配置。这样，在第2像素配置 中，虽然不用说在改写对象像素40a之内，为高电平电位VH的第l像素电极351a、 351b与高阻抗状态的第2像素电极352a、 352b相邻，但是与 像素40a的第1像素电极351b相邻的像素40b的第1像素电极351b及像 素40c的第1〗象素电极351b也变成高阻抗状态。
在此，在图12中，与像素40a 40c的像素电路一同示出上述的像素间 泄漏电流Lk的路径。
如图12所示，像素间泄漏电流Lk,从像素40a的第1像素电极351b， 分别流向像素40b的第1像素电极351b、像素40c的第1像素电极351b。 但是，在像素40b及像素40c中，因为在各自的第1像素电极351b上连 接的第1传输门TGlb、 TGlc成为关断状态，所以流入到第1像素电极 351b的电荷由第1传输门TGlb、 TGlc所拦截，从而并不会流入到作为 全局布线的第1控制线91上。
这样，如果在电泳显示装置100中采用第2像素配置，则从改写对象 像素40a流向相邻的像素40b、 40c的泄漏电流，不会流入到作为全局布线 的第1控制线91或第2控制线92。从而，在部分改写驱动中维持显示的 像素40的对比度并不发生变化，从而能够得到高画质的显示。
此外，虽然在上述实施方式中，说明了将像素40分割成4个子像素的 结构，但是本发明的技术范围并不限定于该结构。例如，对像素40既可以 进行6分割(3个第1子像素和3个第2子像素)、也可以进行9分割(4 个或5个第1子像素和5个或4个第2子像素)。分割数越多，反锯齿处理 的效果越大，能够得到更加平滑的显示。
进而，在对像素40进行5个或以上的多分割的情况下，对于像素40 内的第1及第2子像素的排列，虽然优选在像素40内互不相同地进行配置， 但是并不限于此，而能够采用任意的排列。
并且，在对像素40进行多分割的情况下，当采用图3中所示的第1 像素配置或者图8中所示的第2像素配置时，仅着眼于相邻的像素40的、 面对边界部分的第1像素电极351和第2像素电极352的配置即可。即， 在采用第1像素配置的情况下，只要隔着相邻的像素40的边界配置第1 像素电极351和第2像素电极352即可；在采用笫2像素配置的情况下， 只要隔着相邻的像素40的边界配置第1像素电极351彼此、第2像素电极352彼此即可。对于不与像素40的边界相邻接的第1及笫2像素电极351、 352,能够任意地进行配置。 (电子设备)
接下来，说明将上述各实施方式的电泳显示装置100应用于电子i殳备 的情况。
图13是手表1000的正视图。手表1000，具备表壳1002和连接到表 壳1002的一对表带1003。
在表壳1002的正面，设置有包括上述实施方式的电泳显示装置100 的显示部1005、秒针1021、分针1022和时针1023。在表壳1002的侧面， 设置有作为操作元件的转柄1010和操作按钮1011。转柄1010连接到设置 于表壳内部的巻轴(图示省略)，与巻轴成为一体而按多级(例如2级)设 置得按拔自如且旋转自如。在显示部1005中，能够显示成为背景的图像、 曰期、时间等的字符串或者秒针、分针、时针等。
图14是表示电子紙张1100的结构的立体图。电子纸张UOO，在显示 区域1101具备上述实施方式的电泳显示装置100。电子纸张1100具有挠 性，且其具备由具有与现有的纸张同样的质感及柔软性的可改写的薄片构 成的主体1102而构成。
图15是表示电子笔记本1200的结构的立体图。电子笔记本1200,是 上述的电子紙张1100多张装订起来并被封面1201所夹持的结构。封面 1201，具备输入例如从外部的装置传送来的显示数据的图示省略的显示数 据输入单元。由此，与该显示数据相应地，电子纸张能够原状保持装订着 的状态，进行显示内容的改变、更新等。
根据以上的手表IOOO、电子纸张1100及电子笔记本1200,因为釆用 了本发明的电泳显示装置100,所以成为具备有可以进行轮廓平滑的高品 质的显示并且省电性也优异的显示部的电子i殳备。
此外，上述的电子设备，是例示本发明的电子设备的结构，而并非要 对本发明的技术范围进行限定。例如，对于移动电话机、便携用音频设备 等电子设备的显示部，本发明的电泳显示装置也能够适用。
权利要求
1.一种电泳显示装置，其具有夹持包括电泳微粒的电泳元件而相对的第1基板及第2基板；具备有多个包括前述电泳元件的像素的显示部；形成于前述第2基板的前述电泳元件侧的共用电极；以及形成于前述第1基板及第2基板中的任意一个上的第1控制线及第2控制线，其特征在于前述像素，具备像素开关元件、连接到前述像素开关元件的存储电路、连接到前述存储电路的开关电路和连接到前述开关电路并与前述共用电极相对地配置的第1像素电极及第2像素电极；前述开关电路，包括第1开关和第2开关，第1开关利用前述存储电路的输出信号控制前述第1控制线与前述第1像素电极的导通，第2开关利用前述存储电路的输出信号控制前述第2控制线与前述第2像素电极的导通。
2. 按照权利要求l所述的电泳显示装置，其特征在于 在前述像素中，分别设置有多个前述第1及第2像素电极。
3. 按照权利要求l所述的电泳显示装置，其特征在于 在前述像素中，设置有相同数量的多个前述第l及第2像素电极。
4. 按照权利要求3所述的电泳显示装置，其特征在于在相邻的2个前述像素的边界部分， 一个前述像素的1个前述第1像 素电极与另一个前述像素的1个前述第2像素电极相邻配置。
5. 按照权利要求3所述的电泳显示装置，其特征在于在相邻的2个前述像素的边界部分， 一个前述像素的1个前述第1像 素电极与另一个前述像素的1个前述第1像素电极相邻配置。
6. 按照权利要求3~5中的任意一项所述的电泳显示装置，其特征在于在前述像素中，分别设置有前述第1及第2像素电极各2个； 前述第1像素电极与前述第2像素电极，在前述像素内被互不相同地 平面配置。
7. 按照权利要求1~6中的任意一项所述的电泳显示装置，其特征在于在图像显示工作时，构成同一前述像素的前述第1及第2像素电极之 中至少一个电极，被设定为高阻抗状态。
8. —种电子设备，其特征在于具备权利要求1 7中的任意一项所述的电泳显示装置。
全文摘要
本发明涉及电泳显示装置及电子设备。提供一种可以进行平滑地表现轮廓的显示、优选地也能够抑制泄漏电流的产生的电泳显示装置。本发明的电泳显示装置，是以下的结构在像素(40)中，具备选择晶体管(41)、锁存电路(70)、开关电路(80)和与共用电极(37)相对地配置的第1像素电极(351)及第2像素电极(352)；开关电路(80)，包括利用锁存电路(70)的输出信号控制第1控制线(91)与第1像素电极(351)的导通的第1传输门(TG1)和利用锁存电路(70)的输出信号控制第2控制线(92)与第2像素电极(352)的导通的第2传输门(TG2)。
文档编号G02F1/167GK101620354SQ20091014257
公开日2010年1月6日 申请日期2009年7月1日 优先权日2008年7月2日
发明者下平泰裕, 前田浩, 村山哲朗 申请人:精工爱普生株式会社