专利名称：在硅片正面上镀银的方法
技术领域：
本发明涉及一种芯片封装中在硅片正面上镀银的方法。
背景技术：
在半导体集成电路中，典型的功率MOS晶体管封装技术所要求的芯片制造中，只 是需要在硅片背面减薄后镀银。而夹焊(CLIP Bonding)封装技术中的硅片不仅需要背面 镀银，正面也需要镀银，由于硅片的正面为器件工作区，还必须将所镀的银薄膜按照器件工 作区隔离开。但银薄膜无法通过像其他金属那样刻蚀形成图形。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种在硅片正面上镀银的方法，它可以在硅片 正面形成需要的银图形。为解决上述技术问题，本发明的在硅片正面上镀银的方法，包括如下步骤先在硅 片正面进行第一次光刻胶涂布，而后对所述硅片整片曝光；接着进行第二次光刻胶涂布，而 后采用光刻掩膜版进行第二次曝光；进行显影，使保留下来的光刻胶形成倒梯形图形；采 用蒸发镀膜技术在硅片上淀积银，银的厚度小于保留下来的光刻胶厚度；而后采用贴膜揭 膜技术，在硅片上贴膜并揭下，使位于光刻胶上的银被一起揭下；最后去除剩余的光刻胶。本发明的方法中，采用两次光刻胶涂布曝光，一次显影得到具有倒梯形结构的光 刻胶图形，使得后续蒸银在光阻图形界面处较易形成疏松的银膜断面，便于最终的揭膜；而 光刻胶与银薄膜存在一定的厚度差，使得在光刻胶和非光刻胶区域交界处的镀银薄膜不至 于黏连在一起，在贴膜揭膜后，光刻胶表层的银膜就会被剥离干净，从而实现银被选择性覆 盖在所需要的任何区域。本发明的方法中巧妙利用了典型功率MOS器件的贴膜揭膜工艺， 使得此套工艺除了用于晶片背面，还可以用于晶片正面蒸银工艺。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1至图8为与本发明的步骤相应的一具体实例的结构示意图；图9为本发明的方法流程图。
具体实施例方式图9为本发明的在硅片正面上镀银的方法，下面以本发明的方法在CLIP Bonding (夹焊)封装技术中的应用为例，进行具体说明。在完成所有制程的晶片表面，光阻涂两次曝光两次显影一次，形成倒梯形状的光 阻图形。具体为先进行一次光刻胶涂布，而后不采用光刻掩膜版，对硅片整片曝光(称盲 曝)；接着再次进行光刻胶涂布，而后采用光刻掩膜版进行第二次曝光；最后进行显影，使 保留下来的光刻胶图形呈倒梯形(见图1至图5，图5中的光刻胶包括光刻胶1和光刻胶2)。两次涂布的光刻胶的厚度可相同，两次曝光的条件可一致。显影的时间可为160秒至 185 秒。采用蒸发镀银技术在上述结构上镀银，所镀的银的厚度要小于光刻胶的厚度(见 图6)，以防止所镀银膜不会黏连在一起。采用常规的贴膜揭膜技术，在上述镀银后的结构上贴膜(见图7)，而后揭去，采用 典型的硅片背面研削中所采用的贴膜技术即可。在揭膜的过程中，因为光刻胶与前层铝膜 的粘附力弱，因此蒸发在光刻胶表面的银膜随贴的膜一起被撕掉，而不在光刻胶上的银膜 和下面的铝膜接触很好，不会被撕扯掉而保留下来。最后进行湿法清洗去除剩余的光刻胶，完成在硅片正面上镀银形成预定图形的目 的(见图8)。后续工艺以及在增加的光刻胶涂层之前的工艺与传统功率MOS晶体管器件制程
工艺完全一致。
权利要求
1.一种在硅片上正面镀银的方法，其特征在于，包括如下步骤 先在硅片正面上进行第一次光刻胶涂布，而后对所述硅片整片曝光； 接着进行第二次光刻胶涂布，而后采用光刻掩膜版进行第二次曝光； 进行显影，保留下来的光刻胶形成倒梯形图形；采用蒸发镀膜技术在所述硅片上淀积银，所淀积的银的厚度小于保留下来的光刻胶厚度；而后采用贴膜揭膜技术，在所述硅片上贴膜并揭下，其中位于所述光刻胶上的银被一 起揭下；最后去除剩余的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述两次涂布的光刻胶相同，两次曝光的 条件相同。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述显影的步骤中，显影的时间范围为 160秒到185秒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述光刻胶的去除采用湿法清洗工艺。
全文摘要
本发明公开了一种在硅片上正面镀银的方法，包括如下步骤先在硅片正面进行第一次光刻胶涂布，而后对硅片整片曝光；接着进行第二次光刻胶涂布，而后采用光刻掩膜版进行第二次曝光；进行显影，使保留下来的光刻胶形成倒梯形图形；采用蒸发镀膜技术在硅片上淀积银，所述银的厚度小于保留下来的光刻胶厚度；而后采用贴膜揭膜技术，在硅片上贴膜并揭下，使位于所述光刻胶上的银被一起揭下；最后去除剩余的光刻胶。
文档编号G03F7/26GK102130024SQ201010027320
公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月20日 优先权日2010年1月20日
发明者殷建斐, 陈冲, 魏炜 申请人:上海华虹Nec电子有限公司