专利名称：用于锗硅碳器件的光刻标记结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种用于锗硅碳器件的光刻标记结 构。
背景技术：
SiGe (锗硅)是继Si (硅)和GaAs (砷化镓)之后的一种重要的半导体材料。由 于SiGe具有优于纯Si的良好特性，且工艺上与Si工艺兼容，而其制作出的器件和电路性 能几乎可达到GaAs等化合物半导体器件和电路的水平，甚至在许多方面可代替化合物半 导体器件和电路器件的应用。在微电子器件和电路应用方面，SiGe不仅在频率和速度上可 以超越Si，而且在成本上可以超越GaAs。由于SiGe赝晶薄膜中存在压应变，为了增加SiGe外延的临界厚度，通常采用在 SiGe中引入适量的C(碳)原子，即为SiGeC(锗硅碳)外延；其生长后的SEM(扫描电子显 微镜)照片如图1所示。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于锗硅碳器件的光刻标记结构，使光刻标 记信号在锗硅碳外延生长后光刻对准和套刻时具有高信噪比。为解决上述技术问题，本发明的用于锗硅碳器件的光刻标记结构是采用如下技术 方案实现的所述光刻标记的垂直结构从下到上依次为硅基板；标记形成层一有源区和 场区；多晶硅层；锗硅碳外延层。图3给出了两种不同结构的光刻标记在尼康S204B光刻机上对准信号对比示意 图；其中，图3a是锗硅碳外延层不覆盖在多晶硅层上的光刻标记信号；图3b是锗硅碳外延 层覆盖在多晶硅层上的光刻标记信号。由于锗硅碳外延在多晶硅上的生长形貌要好于直接 在场区上的生长形貌，比较图3a和图3b能够明显的看到，采用本发明的光刻标记结构(参 见图3b)，能使光刻标记信号在锗硅碳外延生长后光刻对准和套刻时具有高信噪比。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1是SiGeC外延生长后的SEM照片；图2是应用于锗硅碳器件的光刻标记的垂直结构示意图；图3是两种不同结构的光刻标记信号对比图；图4是光刻标记中的对准标记和套刻标记水平结构的一种典型示意图。
具体实施例方式本发明中光刻标记的水平结构与传统的光刻标记没有区别，图4给出了一种对准 标记和套刻标记典型的水平结构。其中图4a是一种典型的对准标记的水平结构，图4b —种典型的套刻标记的水平结构。结合图2所示，在一实施例中所述的用于锗硅碳器件的光刻标记结构其垂直结构 从下到上依次为硅基板；有源区和场区(标记形成层)；二氧化硅薄膜层；多晶硅层；锗硅碳外延层。其中，所述二氧化硅薄膜层可以根据需要选择采用，即可以采用二氧化硅薄膜层， 也可以不采用二氧化硅薄膜层。当采用二氧化硅薄膜层时，其厚度为20埃至500埃。所述 锗硅碳外延层应覆盖在多晶硅层之上，多晶硅层的厚度为50埃至10000埃，锗硅碳外延层 的厚度为50埃至10000埃。本发明的光刻标记结构适用于锗硅碳器件的量产。以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限 制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应 视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种用于锗硅碳器件的光刻标记结构，其特征在于所述光刻标记的垂直结构从下 到上依次为硅基板；标记形成层---有源区和场区；多晶硅层；锗硅碳外延层。
2.如权利要求1所述的光刻标记结构，其特征在于在所述标记形成层和多晶硅层之 间还包括二氧化硅层，该二氧化硅层的厚度为20埃至500埃。
3.如权利要求1所述的光刻标记结构，其特征在于所述锗硅碳外延层应覆盖在多晶 硅层之上。
4.如权利要求1所述的光刻标记结构，其特征在于所述多晶硅层的厚度为50埃至 10000埃，锗硅碳外延层的厚度为50埃至10000埃。
全文摘要
本发明公开了一种用于锗硅碳器件的光刻标记结构，所述光刻标记垂直结构从下到上依次为硅基板；标记形成层---有源区和场区；多晶硅层；锗硅碳外延层。本发明能使光刻标记信号在锗硅碳外延生长后光刻对准和套刻时仍具有优良的信噪比表现，适用于锗硅碳器件的量产。
文档编号G03F7/20GK102129178SQ20101002728
公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月18日 优先权日2010年1月18日
发明者吴鹏, 王雷, 阚欢 申请人:上海华虹Nec电子有限公司