专利名称：锗硅异质结三极管的版图结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种三极管的版图设计，具体涉及一种锗硅异质结三极管的版图结构 设计。
背景技术：
传统的锗硅异质结三级管制备工艺中，是利用埋层和外延层作为异质结三极管的 集电极连接，以降低集电极电阻。其三极管阵列的版图结构设计为集电极-基极-发射 极-基极-发射极(中间为基极和发射极的单元重复排列)一集电极的结构来实现的，即 仅在一长串版图两端设置集电极，三极管阵列是通过埋层和外延层来实现集电极共接，再 由金属层引出。而低成本的异质结三极管结构直接采用埋层作为集电极连接来实现。由于 没有使用外延层，所以当采用传统的阵列排列时，会增大集电极的串联电阻，扩大阵列中集 电极串联电阻的不均勻性，降低了三级管的射频性能(Ft)。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是基于低成本的锗硅异质结三极管结构，提供了一种 三极管的阵列版图结构，它可以降低版图中集电极的串联电阻，并使集电极的串联电阻均 勻分布。为解决上述技术问题，本发明的锗硅异质结三极管的版图结构的技术解决方案 为该锗硅异质结三极管版图以集电极、基极、发射极、基极和集电极为单元进行重复排列。本发明的版图结构中，将集电极-基极-发射极-基极-集电极为一个单元重复 排列，使集电极的串联电阻减小并均勻分布，由此提高异质结三极管的射频性能。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1是本发明的版图结构示意图；图2是采用本发明的版图结构制备的三极管单体的剖面图；图3是现有的三极管阵列的等效电路图；图4是采用本发明的版图结构制备的三极管阵列的等效电路图。
具体实施例方式如图1所示，为本发明的锗硅异质结三极管的版图结构，以集电极、基极、发射极、 基极和集电极为单元进行重复排列。版图结构中相邻的单元可设为共用集电极。本发明的 版图结构可用于仅以埋层作为集电极连接的锗硅异质结三极管制备中。图2为采用这种版 图结构所制备的锗硅异质结三极管的单体剖面图，其中集电极10通过打在集电区2埋层1 上的通孔51引出来实现，图中1为埋层，2为集电区；3为由外延锗硅构成的基区，由通孔5 和金属6引出形成基极20 ；4为由多晶硅构成的发射区，由通孔5和金属6引出形成发射极30。所有的发射极共接，所有的基极共接，所有的极电极共接，共接可通过后道的金属化工 艺完成。 采用本发明的版图结构制备的锗硅异质三极管阵列结构，等效的电路图如图4所 示，每个三级管的集电极均相当于串联了 R阻值的电阻。而采用原有的版图结构制备的低 成本锗硅异质结三极管的阵列结构的等效电路中(见图3)，所有的三极管集电极端的串联 电阻并不相同，两边为相当于R阻值的电阻，向里依次增大，到中间阻值最大，为R*(η/2)阻 值。因此，本发明的版图结构设计，插入多个集电极引出端降低了集电极的串联电阻，并使 之均勻分布，由此提高了低成本锗硅异质结三极管的射频性能。
权利要求
1.一种锗硅异质结三极管的版图结构，其特征在于所述锗硅异质结三极管版图以集 电极、基极、发射极、基极和集电极为单元进行重复排列。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述相邻的单元共用集电极。
3.如权利要求1或2所述的版图结构，其特征在于所述版图结构用于以埋层作为集 电极连接的锗硅异质结三极管制备中。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于所述版图结构中的所有发射极共接，所 有基极共接，所有集电极共接。
全文摘要
本发明公开了一种低成本锗硅异质结三极管的版图结构，该异质结三极管版图以集电极、基极、发射极、基极和集电极为单元进行重复排列，相邻的单元共用集电极。通过这种阵列结构使集电极的串联电阻较原来的阵列结构大大减小，由此提高异质结三极管的射频性能。
文档编号H01L21/8222GK102130122SQ20101002733
公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月20日 优先权日2010年1月20日
发明者刘梅, 苗彬彬 申请人:上海华虹Nec电子有限公司