专利名称：液晶装置、液晶装置的驱动方法及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶装置、液晶装置的驱动方法及电子设备。本申请对2010年3月四日申请的日本专利申请第2010-074993号和2010年3 月30日申请的日本专利申请第2010-077500号主张优先权，其内容引用于此。
背景技术：
传统以来，已知在像素电极和对置电极之间配置液晶层的液晶装置。像素电极与薄膜晶体管(以下称为TFT)等的开关元件电连接。开关元件由来自扫描线的扫描信号的输入而控制导通截止。开关元件为导通状态时对像素电极施加来自数据线的电压。通过该电压，在像素电极和对置电极之间施加电场，由该电场驱动液晶层。通常的液晶装置中，例如，采用使对各像素电极施加的驱动电压的极性按逐个扫描线或者数据线，或逐个图像信号中的帧而反相的反相驱动(交流驱动)。即，液晶层被交流驱动。为了交流驱动液晶层，例如，将对置电极保持在规定的对置电极电位，在连续的2 帧期间将像素电极的电位在相对于对置电极电位的高电位(正极性)和低电位(负极性) 之间切换。这样，对液晶层的施加电场的方向反相，因此可减少液晶层的电荷的不平衡(不均勻)。若减少电荷的不平衡，则可以减少因电荷的不平衡对液晶层施加的直流电压分量，抑制显示缺陷的发生。即，抑制正负极性的电量的平衡因直流电压分量而崩溃，使在正负极性的期间由液晶装置的透过率变化而引起的显示图像的闪烁(flicker)难以发生。另外，难以产生由直流电压分量对液晶层恒定地施加电场而导致的恒定的图形的显示(余像)。但是，在单纯进行反相驱动中，直流电压分量的施加不能完全解决，依然发生显示缺陷。但是，已知若使对置电极电位和高电位的电位差与对置电极电位和低电位的电位差相同，驱动液晶装置，则会发生直流电压分量。该直流电压分量认为是由下记2个现象导致发生的。第1现象是开关元件从导通状态向截止状态切换时，通过分配沟道区域的电荷而对像素电极充电，像素电极的电位发生变动的现象(也称为场穿透(field through)或下推(push down)、穿通)。具体地说，在寄生电容和蓄积电容蓄积的电荷在开关元件的截止的定时，由再分配造成的像素电极的电压降低现象。第2现象是由于液晶层的像素电极侧和对置电极侧中电气特性为非对称而产生电荷的不平衡的现象。对于第1现象造成的直流电压分量的发生，若预先测定或者推定开关元件的寄生电容导致的像素电极的电位的变动量，以抵消由该变动量引起的正负极性的电量的变动的方式设定对置电极电位，则可以消除。作为消除第2现象造成的直流电压分量的发生的技术，有日本特开2007-219356 号公报公开的技术。
日本特开2007-219356号公报的液晶装置，具备在第1无机取向膜和第2无机取向膜间夹持的倾斜垂直取向模式的液晶及电压施加部件。第2无机取向膜的厚度比第1无机取向膜的厚度厚。电压施加部件施加使第1无机取向膜侧为第1电位，第2无机取向膜侧为比第1电位低的第2电位的规定电压。日本特开2007-219356号公报的技术中，通过使第1无机取向膜侧和第2无机取向膜侧中的电位不同，期待有能够缓和第1无机取向膜侧和第2无机取向膜侧的厚度差异造成的电荷不平衡的效果。但是，认为产生电荷的不平衡的主要原因还在第1无机取向膜侧和第2无机取向膜侧的厚度的差异以外，因此，从根据液晶装置的构成而有效减少直流电压分量的观点看，日本国特开2007-219356号公报的技术还有改善的余地。另外，提出了针对上述2个现象的液晶装置的驱动方法。例如，日本特开 2002-189460号公报中，公开了使反相驱动中成为极性反相的基准的对置电极电位预先以校正第1现象(场穿透)及第2现象(元件基板和对置基板的电气特性差造成的电压变动)的影响的方式而变动的技术。具体地说，日本特开2002-189460号公报中，通过规定的计测条件计测初始阶段中第1现象造成的电压变动量和第2现象造成的电压变动量，将它们相加的值作为一定的校正电压，增加到对置电极的设定电位(Vcom)。日本特开2002-189460号公报的技术中，认为通过向对置电极电位增加将第1现象及第2现象造成的电压变动量相加的校正电压，可以抑制直流电压分量的发生导致的显示品质的降低。但是，相对于第1现象的校正电压，第2现象的校正电压大到某程度时，对置电极电位向正负的一方显著变动。即，若对第2现象的校正电压大，则驱动电压的正负中的振幅差变大。因而，有发生闪烁等的显示缺陷的情况。
发明内容
本发明鉴于这样的问题而提出，目的是提供可抑制闪烁等的显示缺陷的发生，并提高显示品质的液晶装置、液晶装置的驱动方法及电子设备。本发明中，为了达成上述目的，采用以下的手段。本发明的第1液晶装置具备像素电极；开关元件，其与上述像素电极电连接；对置电极，其与上述像素电极对置配置并被施加对置电极电位；液晶层，其设置在上述像素电极和上述对置电极之间；第1取向膜，其设置在上述液晶层和上述像素电极之间；以及第2 取向膜，其设置在上述液晶层和上述对置电极之间。上述液晶层的指向矢(director)与上述液晶层的厚度方向形成的预倾角在上述对置电极侧比在上述像素电极侧大。经由上述开关元件对上述像素电极交替施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位。将使上述高电位和上述低电位的平均电位变动一定量的电位作为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位高，上述一定量为对上述像素电极施加上述高电位时的上述开关元件的寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时的上述寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量。这样，液晶层的指向矢与液晶层的厚度方向形成的预倾角在对置电极侧比在像素电极侧大的构成中，容易在像素电极侧蓄积电荷。本发明的第1液晶装置中，由于对置电极电位比基准电位高，因此与向对置电极施加基准电位的场合比较，向像素电极施加高电位时的像素电极相对于对置电极电位的电位差的绝对值变低。同样，向像素电极施加低电位时的像素电极相对于对置电极电位的电位差的绝对值变高。从而，可以使从液晶层的对置电极侧向像素电极侧移动的电荷减少，并使从液晶层的像素电极侧向对置电极侧移动的电荷增加。因此，可以以抵消在对置电极侧和像素电极侧中预倾角不同造成的电荷的不平衡的方式使电荷移动，可以减少该电荷的不平衡(即不均勻，日语为“偏”)。基准电位是使平均电位变动了施加高电位时的开关元件的寄生电容造成的像素电极的电位的变化量和施加低电位时的寄生电容造成的像素电极的电位的变化量的平均值的量的电位。从而，若向对置电极施加基准电位，则可以避免场穿透造成的电荷的不平衡。对于这样的基准电位，由于如上述地设定了对置电极电位，因此，场穿透造成的电荷的不平衡以及对置电极侧和像素电极侧中预倾角不同造成的电荷的不平衡都可减少。这样， 本发明的液晶装置中，电荷的不平衡降低，因此可抑制闪烁、余像的发生。本发明的第2液晶装置具备像素电极；开关元件，其与上述像素电极电连接；对置电极，其与上述像素电极对置配置并被施加对置电极电位；液晶层，其设置在上述像素电极和上述对置电极之间；第1取向膜，其设置在上述液晶层和上述像素电极之间；以及第2 取向膜，其设置在上述液晶层和上述对置电极之间。上述液晶层的指向矢与上述液晶层的厚度方向形成的预倾角在上述像素电极侧比在上述对置电极侧大。经由上述开关元件对上述像素电极交替施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位。将使上述高电位和上述低电位的平均电位变动一定量的电位作为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位低，上述一定量为对上述像素电极施加上述高电位时的上述开关元件的寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时的上述寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量。这样，液晶层的指向矢与液晶层的厚度方向形成的预倾角在像素电极侧比在对置电极侧大的构成中，容易在对置电极侧蓄积电荷。本发明的第2液晶装置中，由于对置电极电位比基准电位低，因此与向对置电极施加基准电位的场合比较，向像素电极施加高电位时的像素电极相对于对置电极电位的电位差的绝对值变高。同样，向像素电极施加低电位时的像素电极相对于对置电极电位的电位差的绝对值变低。从而，可以使从液晶层的对置电极侧向像素电极侧移动的电荷增加，并使从液晶层的像素电极侧向对置电极侧移动的电荷减少。因此，可以以抵消在对置电极侧和像素电极侧中预倾角不同造成的电荷的不平衡的方式使电荷移动，可以减少该电荷的不平衡。另外，若如上述地向基准电位设定对置电极电位，则基于与第1液晶装置同样的理由，场穿透造成的电荷的不平衡及对置电极侧和像素电极侧中预倾角不同造成的电荷的不平衡都可减少。这样，本发明的液晶装置中，电荷的不平衡降低，因此可抑制闪烁、余像的发生。本发明的第3液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；对置基板，其与上述元件基板对置配置并具备对置电极；液晶层，其被夹持在上述元件基板和上述对置基板之间； 第1取向膜，其设置在上述元件基板的上述液晶层的侧；以及第2取向膜，其设置在上述对置基板的上述液晶层的侧。上述第1取向膜中的第1预倾角被设定为比上述第2取向膜中的第2预倾角小。对上述对置电极施加为降低上述开关元件的寄生电容引起的闪烁而设定的对置电极电位。以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性，低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在包括施加上述正极性的电压的第1期间和施加上述负极性的电压的第2期间的规定的期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度短。根据第3液晶装置，由于对置电极电位预先变动地设定以降低开关元件的寄生电容造成的闪烁，因此包括了对第1现象的校正。另外，规定的期间中第1期间的长度设定为比第2期间的长度短，因此，也包括了对第2现象的校正。该校正是基于本发明者发现的如下情况通过将第1取向膜中的第1预倾角设定为比第2取向膜中的第2预倾角小(第1 预倾角设定为比第2预倾角更接近垂直取向)，可使有效电压波形向电位的负方向变动。该点也可以根据本发明者进行的实验结果推断。即，通过将元件基板侧的第1取向膜中的第1 预倾角设定为比对置基板侧的第2取向膜中的第2预倾角小，与第1预倾角及第2预倾角相同的场合比，可明确Vcom向负方向变动(变动后的对置电极电位从变动前的对置电极电位向负方向偏移)。这样，由于预先确定了 Vcom变动的偏移方向，因此与传统的技术那样偏移方向不确定的场合比，可以可靠进行Vcom变动的校正。从而，可以抑制闪烁等的显示缺陷的发生，提供可提高显示品质的液晶装置。本发明的第4液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；对置基板，其与上述元件基板对置配置并具备对置电极；液晶层，其被夹持在上述元件基板和上述对置基板之间； 第1取向膜，其设置在上述元件基板的上述液晶层的侧；以及第2取向膜，其设置在上述对置基板的上述液晶层的侧。上述第1取向膜中的第1预倾角被设定为比上述第2取向膜中的第2预倾角大。对上述对置电极施加为降低上述开关元件的寄生电容引起的闪烁而设定的对置电极电位。以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性，低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在包括施加上述正极性的电压的第1期间和施加上述负极性的电压的第2期间的规定的期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度长。根据第4液晶装置，由于对置电极电位预先变动地设定以降低开关元件的寄生电容造成的闪烁，因此包括了对第1现象的校正。另外，规定的期间中第1期间的长度设定为比第2期间的长度长，因此，也包括了对第2现象的校正。该校正是基于本发明者发现的如下情况通过将第1取向膜中的第1预倾角设定为比第2取向膜中的第2预倾角大(第2 预倾角设定为比第1预倾角更接近垂直取向)，可使有效电压波形向电位的正方向变动。该点也可以根据本发明者进行的实验结果推断。即，通过将元件基板侧的第1取向膜中的第1 预倾角设定为比对置基板侧的第2取向膜中的第2预倾角大，与第1预倾角及第2预倾角相同的场合比，可明确Vcom向正方向变动(变动后的对置电极电位从变动前的对置电极电位向正方向偏移)。这样，由于预先确定了 Vcom变动的偏移方向，因此与传统的技术那样偏移方向不确定的场合比，可以可靠进行Vcom变动的校正。从而，可以抑制闪烁等的显示缺陷的发生，提供可提高显示品质的液晶装置。本发明的第1、第2、第3、第4液晶装置中，上述像素电极包括铝，上述对置电极包括铟锡氧化物。这样，可构成反射型的液晶装置，可提高像素的开口率、实现液晶装置的薄型化寸。另外，根据该液晶装置，与像素电极和对置电极包括相同材料(例如ΙΤ0)的场合相比，可明确Vcom向正方向或者负方向变动，元件基板和对置基板的特性的非对称性变得显著。该点也可以根据本发明者进行的实验结果确认。因而，与像素电极及对置电极包括例如ITO的场合相比，夹持液晶层的元件基板和对置基板的特性差造成的直流电压分量显著地发生。从而，可抑制闪烁等的显示缺陷的发生，提高显示品质。本发明的第1液晶装置中，在第2取向膜的附近的上述预倾角比第1取向膜的附近的上述预倾角大6°时，上述对置电极电位和上述低电位的电位差的绝对值对上述对置电极电位和上述高电位的电位差的绝对值的比率被设定为49/51以上52/48以下的范围。这样，可以有效减少电介质层造成的电荷的不平衡。本发明的第1液晶装置的驱动方法，其特征在于，上述液晶装置具备像素电极； 与上述像素电极电连接的开关元件；与上述像素电极对置配置并被施加对置电极电位的对置电极；在上述像素电极和上述对置电极之间设置的液晶层；在上述液晶层和上述像素电极之间设置的第1取向膜；以及在上述液晶层和上述对置电极之间设置的第2取向膜，上述液晶层的指向矢与上述液晶层的厚度方向形成的预倾角在上述对置电极侧比在上述像素电极侧大。上述驱动方法经由上述开关元件对上述像素电极交替施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位，将使上述高电位和上述低电位的平均电位变动一定量的电位作为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位低，上述一定量为对上述像素电极施加上述高电位时的上述开关元件的寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时的上述寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量。这样，由于如上述地设定对置电极电位，因此场穿透造成的电荷的不平衡及对置电极侧和像素电极侧中预倾角不同造成的电荷的不平衡都可以减少。本发明的第2液晶装置的驱动方法，其特征在于，上述液晶装置具备元件基板， 其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板对置配置并具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的侧设置的第1取向膜；以及在上述对置基板的上述液晶层的侧设置的第2取向膜，上述第1取向膜中的第1预倾角被设定为比上述第2取向膜中的第2预倾角小。上述驱动方法对上述对置电极施加为降低上述开关元件的寄生电容引起的闪烁而设定的对置电极电位，以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性，低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在包括施加上述正极性的电压的第1期间和施加上述负极性的电压的第2期间的规定的期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度短。根据本发明的第2液晶装置的驱动方法，由于对置电极电位预先变动地设定以降低开关元件的寄生电容造成的闪烁，因此包括了对第1现象的校正。另外，规定的期间中第 1期间的长度设定为比第2期间的长度短，因此，也包括了对第2现象的校正。该校正是基于本发明者发现的如下情况通过将第1取向膜中的第1预倾角设定为比第2取向膜中的第2预倾角小，可使有效电压波形向电位的负方向变动。该点也可以根据本发明者进行的实验结果推断。从而，可以抑制闪烁等的显示缺陷的发生，提高显示品质。本发明的第3液晶装置的驱动方法，其特征在于，上述液晶装置具备元件基板， 其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板对置配置并具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的侧设置的第1取向膜；以及在上述对置基板的上述液晶层的侧设置的第2取向膜，上述第1取向膜中的第1预倾角被设定为比上述第2取向膜中的第2预倾角大。上述驱动方法对上述对置电极施加为降低上述开关元件的寄生电容引起的闪烁而设定的对置电极电位，以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性，低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在包括施加上述正极性的电压的第1期间和施加上述负极性的电压的第2期间的规定的期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度长。根据本发明的第3液晶装置的驱动方法，由于对置电极电位预先变动地设定以降低开关元件的寄生电容造成的闪烁，因此包括了对第1现象的校正。另外，规定的期间中第 1期间的长度设定为比第2期间的长度长，因此，也包括了对第2现象的校正。该校正是基于本发明者发现的如下情况通过将第1取向膜中的第1预倾角设定为比第2取向膜中的第2预倾角大，可使有效电压波形向电位的正方向变动。该点也可以根据本发明者进行的实验结果推断。从而，可以抑制闪烁等的显示缺陷的发生，提高显示品质。另外，上述第2液晶装置的驱动方法中，在上述第1预倾角被设定为比上述第2预倾角小6°时，将上述第1期间的长度和上述第2期间的长度的比设定为大于50. 0/50.0且 52. 0/48. 0以下的范围。根据该液晶装置的驱动方法，由于成为了与闪烁容限对应的最佳时间分配比率， 因此可有效进行对第2现象的校正。相对地，第1期间的长度和第2期间的长度的比若比 50. 0/50. 0小，则也有第1期间的长度过长而无法有效校正的情况。另外，第1期间的长度和第2期间的长度的比若比52. 0/48. 0大，则也有第1期间的长度过短而无法有效校正的情况。本发明的电子设备，其特征在于，具备上述液晶装置。根据该电子设备，由于具备上述液晶装置，因此，可提供可抑制闪烁等的显示缺陷的发生并提高显示品质的电子设备。
图1是本发明第1实施例的液晶装置的概略构成的方框图。图2是液晶面板的概略构成的平面图。图3是液晶面板的电路构成的示4是第1实施例的液晶面板的截面构造的放大示意图。图5A是液晶层的取向状态的说明图。图5B是预倾角的定义的说明图。图6A是驱动电压的说明图。图6B是对置电极电位的说明图。
图7是对置电极侧和像素电极侧的预倾角的差异对最佳基准电位的影响的曲线图。图8是对置电极电位的确定方法的说明图。图9是本发明的第3实施例的液晶装置的概略构成的方框图。图10是第3实施例的液晶面板的概略构成的示图。图11是像素的等效电路图。图12是从对置基板侧观察第3实施例的元件基板及其上形成的各构成要素的液晶面板的平面图。图13是第3实施例的液晶面板的概略构成的截面图。图14A是第3实施例的栅极电压及驱动电压波形的示图。图14B是液晶层的有效(实效)电压波形的示图。图14C是从图14B经过某程度的驱动时间后的液晶层的有效电压波形的示图。图15是第3实施例的时间经过和Vcom变动的关系的示图。图16是第3实施例的时间比率和Vcom变动的关系的示图。图17是指定值为「_1」时的扫描信号系统的时序图。图18是数据信号系统的第1场中的时序图。图19是数据信号系统的第2场中的时序图。图20是指定值为「_1」时各行的写入状态和连续帧的时间经过的示图。图21是第4实施例的液晶面板的概略构成的截面图。图22k是第4实施例的栅极电压及驱动电压波形的示图。图22B是液晶层的有效电压波形的示图。图22C是从图22B经过某程度的驱动时间后的液晶层的有效电压波形的示图。图23是时间比率和Vcom变动的关系示图。图M是指定值为「+1」时的扫描信号系统的时序图。图25是指定值为「+1」时各行的写入状态和连续帧的时间经过的示图。图沈是电子设备的一例即投影机的概略构成的示意图。
具体实施例方式以下，参照
本发明的实施例。说明采用的附图中，为了便于理解特征部分，附图中的构造的尺寸、比例有与实际的构造不同的情况。另外，实施例中同样的构成要素附上相同标号进行图示，其详细的说明可能省略。另外，本发明的技术范围不限于下记的实施例。在不脱离本发明的主旨的范围内可以有多种多样的变形。图1是本发明的液晶装置的概略构成的方框图，图2是液晶面板的概略构成的平面图，图3是液晶面板的电路构成的示图。图1所示液晶装置201具备液晶面板202、电压生成电路210及处理电路211。液晶面板202是例如有源矩阵驱动的反射型液晶面板，其详细构成将后述。电压生成电路210包含DC/DC变换器等。电压生成电路210由处理电路211控制， 如下动作。电压生成电路210生成由液晶装置201的各部使用的多个电平的直流电压。电压生成电路210生成向液晶面板202的对置电极施加的对置电极电位Vcom，供给液晶面板202。电压生成电路210生成上述各种电压所需要的电力从例如液晶装置201的内部或外部的电源供给。处理电路211由配合数据信号Vid的输出而控制液晶面板202的动作等的电路模块构成。处理电路211通过例如FPC(挠性印刷电路)基板与液晶面板202连接。处理电路211包含控制电路212、显示数据处理电路213、时钟发生电路214、帧存储器215及DA变换器216。定时信号发生电路217内置于控制电路212，时钟发生电路214 附属于定时信号发生电路217。控制电路212控制定时信号发生电路217、显示数据处理电路213及电压生成电路210。时钟发生电路214生成成为各部的控制动作的基准的时钟信号，向定时信号发生电路217输出。定时信号发生电路217与从外部装置(图示省略)供给的垂直同步信号 Vs、水平同步信号Hs及点时钟信号Dclk同步地生成用于控制液晶面板202的各种控制信号。定时信号发生电路217将作为上述控制信号生成的控制信号Ctrl-x、触发信号Dy、时钟信号Cly输入液晶面板202。帧存储器215及DA变换器216附属于显示数据处理电路213。显示数据处理电路213由控制电路212控制，如下动作。显示数据处理电路213在帧存储器215存储从外部装置供给的显示数据Video。显示数据处理电路213与液晶面板202的驱动同步地从帧存储器215读出显示数据Video，并且由DA变换器216将显示数据Video变换为模拟的数据信号Vid(驱动电压)。另外，显示数据Video规定液晶面板202中的像素的灰度，以垂直同步信号Vs的供给定时为契机，供给1帧的量，并且以水平同步信号Hs的供给定时为契机，供给1行的量。本实施例中的垂直同步信号Vs设为频率120Hz (周期8. 33毫秒)，但是本发明的适用范围不限定垂直同步信号Vs的频率。对于点时钟信号Dclk，在显示数据Video中，设为规定供给1像素量的期间。即，控制电路212与显示数据Video的供给同步地控制各部。如图2所示，液晶面板202具有元件基板220、与其对置配置的对置基板221以及在其之间夹持的液晶层228。液晶面板202的中央部成为显示区域202A。显示区域202A的周边部成为黑显示区域202B。多个像素以正方格子状排列在显示区域202A。这里，说明了在显示区域202A排列1920X1080个像素，但是本发明的适用范围不限定液晶面板202的像素数。以下的说明中，有将1920个像素排列的方向称为水平扫描方向，1080个像素排列的方向称为垂直扫描方向的情况。在元件基板220设置有与水平扫描方向大致平行的多个扫描线222。在元件基板 220设置了与垂直扫描方向大致平行的多个数据线223。扫描线222和数据线223在元件基板220中设置在不同的层，不相互导通。扫描线222和数据线223所包围的各区域成为一个像素。这里的像素是调制光的调制要素的最小单位，通过2以上的基本色的加法混色显示彩色图像时，也称为子像素。在扫描线222和数据线223的各交叉点附近，设置有与各像素一一对应的开关元件。开关元件包括TFT。黑显示区域202B的周边部，以包围黑显示区域202B的方式设置有第1密封材料 224及第2密封材料225。对置基板221与元件基板220通过第1密封材料2M贴合。第 1密封材料2M具有开口，第2密封材料225设置为堵塞该开口。元件基板220和对置基板221之间的第1密封材料2M包围的区域被注入图示省略的液晶层。该区域注入液晶层后，第1密封材料224的开口由第2密封材料225堵塞，从而将液晶层在元件基板220和对置基板221之间密封。显示区域202A的外侧中，在元件基板220和对置基板221重合的区域，这里是在对置基板221的4个角附近设置了基板间导通端子部沈。电压生成电路210生成的对置电极电位Vcom供给元件基板220，经由基板间导通端子部2 供给对置基板221。显示区域202A的外侧，设置了后述的扫描线驱动电路(图示省略)及数据线驱动电路(图示省略)。多个扫描线222与扫描线驱动电路电连接。多个数据线223与数据线驱动电路电连接。在元件基板220的周缘部，设置了连接端子部227。在连接端子部227， 设置了图示省略的多个连接端子。各连接端子的一端通过引绕布线等与扫描线驱动电路或数据线驱动电路电连接。各连接端子的另一端经由上述FPC基板与处理电路211电连接。 扫描线驱动电路及数据线驱动电路被安装到设置于元件基板220的安装端子部。上述定时信号发生电路217生成的触发信号Dy及时钟信号Cly被输入图3所示的扫描线驱动电路231。触发信号Dy是规定各帧的开始定时的信号。时钟信号Cly是在各帧的期间中规定向各扫描线供给扫描信号的定时的信号。扫描线驱动电路231根据触发信号Dy及时钟信号Cly按线依次向多个扫描线222供给扫描信号Gl G1080。扫描线222 被供给扫描信号后，与该扫描线222连接的开关元件234导通。数据线驱动电路232由采样信号输出电路233和与数据线223分别对应设置的η 沟道型的TFT构成。数据线驱动电路232向与选择的扫描线222连接的像素供给规定该像素的灰度的灰度数据。数据信号Vid作为包含例如与1根扫描线222连接的各像素用的灰度数据的串行数据，被输入数据线驱动电路232。定时信号发生电路217生成的控制信号Ctrl-x被输入采样信号输出电路233。采样信号输出电路233按照控制信号Ctrl-x，将构成上述串行数据的各像素用的灰度数据作为并行数据在由控制信号Ctrl-x规定的定时供给数据线223。例如，为了向i行j列的像素写入灰度数据，在向第i行的扫描线222供给扫描信号的定时，数据线驱动电路232在第 j列的数据线223上，向i行j列的像素供给灰度数据。附属于i行j列的像素的开关元件 234接受扫描信号而导通，经由开关元件234将灰度数据写入像素电极235。图4是液晶面板的截面构造的放大示意图。图4为了便于说明，在一个截面图上示意图示了液晶面板中的像素开口部、像素TFT部、扫描线引出部、基板间导通端子部及安装端子部的各部的截面构造。另外，图4 一起图示了包含开关元件的沟道长度方向的截面构造和与沟道长度方向正交的截面构造，作为像素TFT部。图4所示液晶面板202具备在元件基板220和对置基板221夹持液晶层228的构造。本实施例中，从光源等出射的光通过对置基板221入射液晶层228，在元件基板220的表层反射，从液晶面板202的光入射侧的同侧出射。以下的液晶面板202的截面构造的说明中，各种构成要素的厚度是液晶层228的厚度方向的尺寸。液晶层228的厚度方向是与包含像素的排列方向(水平扫描方向及垂直扫描方向)的像素排列面(显示区域202A)大致正交的方向。典型的说，后述的元件基板本体240和对置基板本体280成为互相平行，液晶层228的厚度方向是与这些基板的基板面大致正交的方向。元件基板220是以元件基板本体240为基体，在元件基板本体240上层叠包含扫描线222、数据线223、电容线259等的各种布线的多个布线层，包含开关元件234的元件层以及包含像素电极235的电极层等的层叠构造。元件基板本体240包括玻璃基板、蓝宝石基板、硅基板等。元件基板本体240上设置了扫描线222。扫描线222包括例如硅化钨(WSi)。扫描线222的厚度在例如ISOnm以上220nm以下。扫描线222具有遮光性，从液晶层228的厚度方向俯视时，设置在与开关元件234的大致全体重叠的区域。从而，光难以从扫描线222侧入射到开关元件234。在包含扫描线222上的元件基板本体MO的大致整个面，设置包括例如氧化硅的第1层间绝缘膜对1。第1层间绝缘膜241通过例如在原料气体采用了四乙氧基硅烷(以下称为TE0S)的CVD法等形成。第1层间绝缘膜241的厚度为例如380nm以上420nm以下。在第1层间绝缘膜241上的像素TFT部，设置了开关元件234。开关元件2；34包含半导体层M2、栅极绝缘膜243及栅极电极M4。半导体层242包括例如多晶硅，包含高浓度杂质区域、低浓度杂质区域及沟道区域。高浓度杂质区域设置在沟道长度方向的沟道区域的两侧，高浓度杂质区域的一方是源极区域，另一方是漏极区域。半导体层242是在开关元件234的导通状态下电子成为载流子的N沟道型的半导体层。半导体层242的厚度为例如40nm程度。栅极绝缘膜243设置在半导体层242上。栅极绝缘膜243包括例如氧化硅，通过热氧化法等形成。栅极绝缘膜M3的厚度为例如43nm以上56nm以下。栅极电极244包括例如导电性的多晶硅，形成与从液晶层2 的厚度方向俯视的沟道区域重叠的区域。栅极电极M4的厚度为例如15nm以上105nm以下。设置了贯通第1层间绝缘膜241及栅极绝缘膜243而通到扫描线222的第1接触孔Mfe M5c。栅极电极M4的一部分埋入第1接触孔Mfe、245b的内侧，与扫描线222 电连接。第1接触孔M5c设置在扫描线引出部，在第1接触孔M5c的内侧，埋入了用于将扫描线222与扫描线驱动电路231连接的导电部M6。在包含开关元件234上的元件基板本体240上的大致整个面，设置第2层间绝缘膜对7。第2层间绝缘膜247与第1层间绝缘膜241同样包括例如氧化硅，通过CVD法等形成。第2层间绝缘膜M7的厚度为例如^Onm以上320nm以下。形成贯通第2层间绝缘膜247而通到半导体层242的高浓度杂质区域的第2接触孔M8a、248b。在像素TFT部的第2层间绝缘膜247上，设置蓄积电容M9。蓄积电容249 包含电容下部电极250、电容绝缘膜251及电容上部电极252。电容下部电极250的一部分埋入第2接触孔MSa的内侧，与半导体层242的高浓度杂质区域(漏极区域)电连接。另外，电容下部电极250的一部分与像素电极235电连接。电容下部电极250包括例如导电性的多晶硅，其厚度为例如95nm以上105nm以下。电容上部电极252与电容下部电极250夹着电容绝缘膜251而对置配置。电容上部电极252包括例如从下层顺序层叠氮化钛层(例如厚度为47nm以上53nm以下)、铝层 (例如厚度为142nm以上158nm以下)、氮化钛层(例如厚度为97nm以上103nm以下)的3 层构造的膜而构成。电容上部电极252的电位在驱动液晶层2 时，例如保持对置电极电位 Vcom。电容上部电极252具有遮光性，设置在从液晶层2 的厚度方向俯视时，与开关元件234的大致全体重叠的区域。从而，光难以从液晶层228向开关元件234入射。对像素电极235施加驱动电压时，蓄积电容249也与像素电极235—起被充电。从而，开关元件234的泄漏造成的电量的减少量占像素电极235保持的电量的比例低，因此可以减少泄漏的影响。电容绝缘膜251包括例如氧化硅，通过热氧化法等形成。电容绝缘膜251的厚度在例如3nm以上5nm以下。从增大蓄积电容249的电容量的观点看，在可确保膜的可靠性的范围内优选将电容绝缘膜251的厚度设定得薄。在包含蓄积电容249上的元件基板本体240上的大致整个面，设置第3层间绝缘膜253。第3层间绝缘膜253由通过在原料气体采用TEOS的等离子CVD法形成的氧化硅膜 (以下称为P-TEOS膜)构成。第3层间绝缘膜253的厚度为例如380nm以上420nm以下。在第3层间绝缘膜253上，设置数据线223、像素电极用的中继电极254、基板间导通端子用的中继电极255及安装端子用的中继电极256。本实施例的数据线223由从下层顺序层叠钛层(例如厚度19nm以上21nm以下)、氮化钛层(例如厚度47nm以上53nm以下)、铝层(例如厚度332nm以上368以下)、氮化钛层(例如厚度142nm以上158nm以下) 的4层构造的膜构成。上述第2接触孔MSb贯通第3层间绝缘膜253。数据线223的一部分埋入第2接触孔MSb的内侧，与半导体层242的高浓度杂质区域的一方(源极区域) 电连接。数据线223根据需要，可在第3层间绝缘膜253上引绕，与安装端子用的中继电极 256电连接。设置有贯通第3层间绝缘膜253而通到电容下部电极250的第3接触孔257。像素电极用的中继电极254的一部分埋入第3接触孔257的内侧，与电容下部电极250电连接。上述第1接触孔M5c贯通第2层间绝缘膜247及第3层间绝缘膜253。埋入第1 接触孔M5c内的导电部246根据需要，在第3层间绝缘膜253上引绕布线，与安装端子用的中继电极电连接。导电部246及与数据线223电连接的中继电极256连接到其他中继电极。基板间导通端子用的中继电极255设置在例如第3层间绝缘膜253上的基板间导通端子部。导电部对6、中继电极2M 256及数据线223在上述4层构造的膜形成后，通过将该膜图形化而一次形成。在包含数据线223上及中继电极2M 256上的元件基板本体240上的大致整个面，设置第4层间绝缘膜258。第4层间绝缘膜258包括例如P-TEOS膜而构成。第4层间绝缘膜258上，通过CMP法等平坦化。第4层间绝缘膜258以可使该膜平坦化的厚度形成。 第4层间绝缘膜258的厚度根据底层的凹凸而各异，最薄部为600nm程度，最厚部为2500nm程度。在第4层间绝缘膜258上，设置电容线259、像素电极用的第2中继电极沈0、基板间导通端子用的第2中继电极261及安装端子用的第2中继电极沈2。电容线259在第4层间绝缘膜258上引绕，与基板间导通端子用的第2中继电极沈1电连接。另外，电容线259 通过图示省略的多层布线与蓄积电容249的电容上部电极252电连接。电容线259包括例如从下层顺序层叠铝层(例如厚度315nm以上385nm以下)和氮化钛层(例如厚度135nm 以上165nm以下)的2层构造的膜而构成。形成贯通第4层间绝缘膜258的第4接触孔 ^3c。第4接触孔通到像素电极用的中继电极254。像素电极用的第2中继电极沈0的一部分埋入第4接触孔的内侧，与像素电极用的中继电极254电连接。第4接触孔沈北通到基板间导通端子用的中继电极255。基板间导通端子用的第2中继电极的一部分埋入第4接触孔沈北的内侧，与基板间导通端子用的中继电极 255电连接。第4接触孔通到安装端子用的中继电极256。安装端子用的第2中继电极 262的一部分埋入第4接触孔的内侧，与安装端子用的中继电极256电连接。电容线 259、第2中继电极260 262在上述2层构造的膜形成后，通过将该膜图形化而一次形成。在包含电容线259上及第2中继电极260 262上的元件基板本体240上的大致整个面，设置第5层间绝缘膜沈4。第5层间绝缘膜264包括例如从下层开始层叠P-TEOS膜 265和硼硅酸盐玻璃膜沈6的2层构造的膜而构成。也可以替代硼硅酸盐玻璃膜266而采用NSG (无掺杂硅酸盐玻璃)、PSG (磷硅酸盐玻璃)、BPSG (硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃膜。P-TEOS膜265与第4层间绝缘膜258同样，以可使该膜平坦化的厚度形成。P-TEOS 膜沈5的厚度根据底层的凹凸而各异，最薄部为600nm程度，最厚部为IlOOnm程度。硼硅酸盐玻璃膜的厚度为例如^nm以上95nm以下。在第5层间绝缘膜264上，设置像素电极235。像素电极235为岛状，逐个像素地设置。像素电极235包括例如铝，其厚度例如在ISOnm以上220nm以下。形成贯通第5层间绝缘膜沈4的第5接触孔 ^7c。第5接触孔通到像素电极用的第2中继电极沈0。像素电极235的一部分埋入第5接触孔的内侧，与像素电极用的第2中继电极沈0电连接。在像素电极235的周边部设置平坦化膜沈8。显示区域202A中，平坦化膜沈8以埋入多个像素电极235间的方式形成。平坦化膜268例如由P-TEOS膜构成，其厚度例如在 180nm以上220nm以下。在显示区域202A中的像素电极235上和平坦化膜268上，设置增反射膜沈9。增反射膜269由例如从下层顺序层叠P-TEOS膜和通过等离子CVD法形成的氮化硅膜的2层构造的膜而构成。P-TEOS膜的厚度在例如厚度67nm以上83nm以下，氮化硅膜的厚度在例如58nm以上72nm以下。在增反射膜269上，形成电介质层270。电介质层270厚度比液晶层2 薄，其厚度在例如60nm以上90nm以下。电介质层270包括比电阻比液晶层2 高的材质即氧化硅。 电介质层270的厚度比液晶层2 薄，且比电阻比液晶层2 高，因此，对液晶层2 施加的电场难以妨碍电介质层270。本实施例的电介质层270由厚度大致75nm的P-TEOS膜构成，形成比下述的第1取向膜271致密的膜质。在第1电介质层270上，设置第1取向膜271。第1取向膜271限制未施加电场状态下的液晶层228的取向状态。第1取向膜271包括实施取向处理的膜。本实施例的第1 取向膜271包括氧化硅，例如通过倾斜蒸镀法、倾斜溅射法形成。第1取向膜271的厚度在例如40nm以上80nm以下。在基板间导通端子部中的平坦化膜268上，设置基板间导通端子272。基板间导通端子272包括例如铟锡氧化物(ITO)，其厚度在例如135nm以上165nm以下。上述第5接触孔贯通电介质层270、增反射膜269及平坦化膜沈8，通到基板间导通端子用的第2中继电极沈1。基板间导通端子272的一部分埋入第5接触孔的内侧，与基板间导通端子用的第2中继电极沈1电连接。在安装端子部中的电介质层上，设置安装端子273。安装端子273与扫描线驱动电路231或数据线驱动电路232的端子电连接。安装端子273包括例如铟锡氧化物膜，其厚度在例如135nm以上165nm以下。上述第5接触孔贯通平坦化膜沈8，通到安装端子用的第2中继电极沈2。安装端子273的一部分埋入第5接触孔的内侧，与安装端子用的第2中继电极沈2电连接。对置基板221以具有透光性的对置基板本体280作为基体而构成。对置基板本体 280上，设置遮光膜观1。遮光膜281设置在与从液晶层228的厚度方向俯视的开关元件 234的大致全体重叠的区域。在包含遮光膜281上的对置基板本体280上的大致整个面，设置对置电极观2。对置电极282包括例如铟锡氧化物等的透明导电材料。对置电极282的厚度在例如120nm以上ieOnm以下。对置电极282在基板间导通端子部中经由图示省略的导电部件，与基板间导通端子272电连接。在对置电极282上，与对置电极282直接接触(抵接)地设置第2取向膜观3。第 2取向膜283与第1取向膜271 —起，限定未施加电场状态下的液晶层2 的取向状态。本实施例的第1取向膜271及第2取向膜283是垂直取向膜。第2取向膜283与第1取向膜 271同样，包括氧化硅，例如通过倾斜蒸镀法、倾斜溅射法形成。第2取向膜283的厚度在例如40nm以上80nm以下。图5A、5B是液晶层的取向状态的说明图，图5A是第1取向膜、第2取向膜、液晶分子的放大示意图，图5B是预倾角的定义的说明图。本实施例的液晶层2 是包括例如介质各向异性为负的液晶材料的VA模式的液晶层。液晶层2 的厚度在例如1600nm以上2000nm以下。液晶层2 包含液晶分子2^a， 液晶分子228a通过第1取向膜271、第2取向膜观3的取向限定力取向。液晶分子228a的指向矢(director)与液晶层228的厚度方向形成的预倾角θ在像素电极235侧(元件基板220侧)和在对置电极282侧(对置基板221侧)不同。详细地说，本实施例的第1取向膜271及第2取向膜283包含以与液晶层228的厚度方向交叉的方向为轴向的多个柱状构造。柱状构造的轴向与液晶层228的厚度方向形成的角度越大，则液晶分子228a的液晶指向矢接近与基板面平行的方向的取向限定力越作用于液晶分子228a。第1取向膜271的柱状构造的轴向与液晶层2 的厚度方向形成的角度比第2取向膜观3的柱状构造的轴向与液晶层228的厚度方向形成的角度小。从而， 液晶层228的预倾角θ在第1取向膜271的附近的平均值比在第2取向膜观3的附近的平均值小。换言之，液晶层2 在第1取向膜271侧比在第2取向膜283侧成为更接近垂直取向的取向状态。本实施例的液晶层2 的预倾角在像素电极235侧大约为1.2°，在对置电极282侧大约为7.2°。接着，参照图6A、图6B，说明对像素电极235施加的电位(驱动电压)及对对置电极282施加的电位(对置电极电位)。另外，根据上述液晶装置201的构成，配合说明本发明的液晶装置的驱动方法。图6A是栅极电压及驱动电压的示图，图6B是有效电压的示图。另外，图6A、图6B 中，横轴表示从驱动开始的时间经过，纵轴表示电位。图6B图示了减少了泄漏的影响的有
18效电压的波形。如图6A所示，显示规定的灰度时对像素电极235施加的驱动电压Vd与栅极电压 Vg的上升同步，在高电位Vh(例如12V)和低电位Vl(例如2V)之间交替切换。高电位Vh和低电位\例如逐帧切换。如图6B所示，栅极电压Ve上升后，开关元件234导通，像素电极235被充电。像素电极235的电位即对液晶层2 施加的有效电压Vef大约上升到高电位VH。开关元件234截止后，由于称为场穿透的现象(第1现象)，有效电压Vef降低。详细地说，开关元件234的栅极电极244和沟道区域等的寄生电容蓄积的电荷向源极区域、漏极区域分配，流向像素电极235，从而产生电压降义。实际上，开关元件234为截止状态期间，也可能产生泄漏造成的电压降。接着，栅极电压Ve上升后，驱动电压Vd成为低电位\，像素电极235放电，有效电压Vef降到低电位八。然后，开关元件234截止后，产生场穿透造成的电压降V2。实际上，开关元件234为截止状态期间，也可能产生由泄漏造成的电压上升。通常的液晶装置中，对置电极保持在规定电位，液晶层2 被交流驱动。该规定电位以考虑场穿透和/或泄漏造成的有效电压Vef的变动而取得相对于有效电压Vef的规定电位的正极性(高电位)侧和负极性(低电位)侧的平衡的方式预先设定。考虑了场穿透的上述规定电位成为，使高电位Vh和低电位\的平均电位Vm变动了施加高电位Vh时的有效电压Vef的变化量的绝对值(电压降V1)和施加低电位\时的有效电压Vef的变化量的绝对值(电压降V2)的平均值的量的电位(基准电位VST)。基准电位 Vst由下式⑴表示。典型地说，电压降V2与电压降V1大致相同，基准电位Vst成为比平均电位Vm低电压降V1的电位。Vm-Vst = (VA)/2···式⑴为了求出这样的基准电位Vst，例如，测定跨过多个帧连续地显示规定的灰度时的有效电压VEF。然后，通过探索使1帧期间的正极性电位的时间平均值V+等于1帧期间的负极性电位的时间平均值V—的基准电位而求出。正极性的电位的时间平均值V+由下式(2) 表示，负极性的电位的时间平均值V—由下式(3)表示。式O)、式(3)中的T表示1帧期间的长度。F+ =『fypp—V^Ydt…式 O)
OI /V—=『(rv,it…式⑶若将对置电极电位设定为这样的基准电位Vst，则认为可以取得正负极性的电平衡，但是实际上，由于元件基板220和对置基板221的构造的差异，导致在液晶层2 残留电荷的不平衡。本发明中，在液晶层228的预倾角θ在第1取向膜271侧比在第2取向膜 283侧小的场合，将对置电极电位Vcom设定为比上述的基准电位Vst高。从而，可抵消液晶层228的预倾角在第1取向膜271侧和第2取向膜283侧的不同造成的电气特性的非对称性，减少电荷的不平衡。图7是像素电极侧和对置电极侧的预倾角的差异造成的对最佳基准电位的影响的曲线图。图7的曲线图绘制了实验例1的数据及实验例2的数据。实验例1是液晶装置201的数据，实验例2是比较用液晶装置的数据。比较用液晶装置除了液晶层的预倾角在像素电极侧和对置电极侧都为大约1. 2°外，是与第1液晶装置1同样的构成。实验时，各液晶装置中将对置电极电位设定成基准电位(以下，称为初始基准电位Vsta)，在各液晶装置连续显示规定的灰度。然后，计测各液晶装置的有效电压Vef的时间变化，用该计测结果求出在各时刻优化正负极性的电平衡时的基准电位(以下，称为最佳基准电位Vstb)。然后，对各液晶装置，求出从驱动开始以下的各时刻中的初始基准电位 Vsta到最佳基准电位Vstb的电位变化量(V)。该电位变化量在以下的说明中称为Vot变动 (Vc。MShift)。Vcqm变动由下式(4)表示。Vcom 变动=Vsta-Vstb. ·· (4)图7的曲线图中，横轴表示驱动开始的时间经过，纵轴表示各时刻的Vot变动。从图7的曲线图可知，比较用液晶装置的Vot变动(实验例2)随着时间经过而增加，在7200 秒经过后收敛为大约0. 02V。液晶装置201的Vot变动(实验例1)与实验例1不同，随着时间经过而减少，在7200秒经过后收敛为大约-0. 03V。比较实验例1、2，可知由于对置电极282侧的预倾角比像素电极235侧的预倾角大，液晶装置201的Vcom变动相对于比较用的液晶装置的Vcom变动，向负方向变化。即，收敛后的最佳基准电位Vstb比初始基准电位 Vsta高，因此，通过将对置电极电位Vcom设定为比初始基准电位Vsta高，可使Vcom变动的值接近在像素电极侧和对置电极侧中预倾角大致相同的实验例2。该情况意味着可减少像素电极235侧和对置电极282侧的预倾角的差异对液晶层228的电荷的不平衡的影响。这样的知识在探索从减少电荷的不平衡的观点看的最佳对置电极电位Vot上非常有用。详细的说，为了确定最佳对置电极电位，如上述实验例1，在液晶装置201连续地显示规定的灰度，求出规定的驱动时间经过后的Vot变动的收敛值。然后，将对置电极电位变更为多个电平的同时，求出相对于各电平的对置电极电位的Vot变动的收敛值。从而，获得对置电极电位和Vot变动的对应关系，因此可以求出Vot变动的绝对值最小时的对置电极电位，作为最佳值。为了由该方法获得最佳对置电极电位，必须求出各对置电极电位的^ 变动的收敛值。对于一个条件，为了求出收敛值，必须将液晶装置驱动10分钟 数小时左右， 因此通常测定需要手续、时间。若采用上述知识，则如接着所说明的，可以减少求出上述νωΜ 变动的收敛值的次数，可以减少求出对置电极电位的最佳值的手续、时间。图8是对置电极电位的确定方法的一例的说明图。图8中，横轴表示对置电极电位和基准电位的差值(Vot-Vst),纵轴表示规定的驱动时间经过后的Vot变动的收敛值。图8中的符号Pl表示第1次的计测点，符号Ρ2表示第2次的计测点，符号Ρ3表示第3次的计测点，符号Ρ4表示第4次的计测点，符号Ρ5表示第5次的计测点。这里，说明了进行5次计测的例，但是测定次数没有特别限定。如图8所示，将第1次的计测点Pl设定在(Vot-Vst)为0以上的区域。根据上述知识，像素电极235侧的预倾角比对置电极282侧的预倾角小的构成中，在Vot比Vst高的区域，Vot变动成为最小，因此，可省略对(Vot-Vst)为负的区域的探索。一般，若(Vot-Vst)增加，则Vot变动也增加，因此，第1次的计测结果为负的场合， 可知在(Vot-Vst)比计测点Pl大的区域，Vot变动成为最小，可省略(Vot-Vst)比计测点Pl 小的范围的探索。另外，第1次的计测结果为正的场合，将第2次的测定点Ρ2设定在(Vot-Vst)比计
20测点Pl小的范围且(Vot-Vst)为正的区域内即可。这样，若采用上述知识，则根据第1次的测定结果，可确定使参数(Vot-Vst)变化的正负方向。从而，可以减少测定的次数，减少测定所需手续、时间。本例中，在计测点Pl的计测结果为负、(Vot-Vst)足够大的区域(预计Vot变动成为正的区域)，设定计测点P2。然后，采用计测点P1、计测点P2的测定结果，求出Vot变动对(Vot-Vst)的斜率。若采用该斜率，则可推SVot变动大约成为0的(Vcqm-Vst)的值。根据该推定结果，在计测点Ρ1、Ρ2间设定计测点Ρ3。以下，同样采用前次计测结果，可推定Vot变动大约成为0的(Vot-Vst)的值，并随着探索范围的缩小，可求出νωΜ变动大致成为0的(Vot-Vst)的值。对于基准电位Vst，可通过测定场穿透造成的有效电压的降低量等而求出，求出νωΜ变动大致成为0的对置电极电位Vot的最佳值。另外，对于对置电极电位Vot的最佳值，也可以根据Vot变动的测定值推定。设定对置电极电位VOT，使得基准电位Vst和对置电极电位Vot的差值(Vst-Vot)成为驱动电压Vd 的两振幅(Vh-VJ的x%。对液晶层2 施加电压时，单位时间在液晶层228内移动的电荷量与在液晶层2 流过的电流相当，因此，像素电极235的电位为正极性时，从对置基板221 侧向元件基板220侧移动的电荷量q+如下式( 表示。另外，像素电极235的电位为负极性时，从元件基板220侧向对置基板221侧移动的电荷量q-如下式(6)表示。式(5)、式 (6)中的R表示液晶层228的电阻值。
权利要求
1.一种液晶装置，其特征在于，具备 像素电极；开关元件，其与上述像素电极电连接；对置电极，其与上述像素电极对置配置并被施加对置电极电位； 液晶层，其设置在上述像素电极和上述对置电极之间； 第1取向膜，其设置在上述液晶层和上述像素电极之间；以及第2取向膜，其设置在上述液晶层和上述对置电极之间；上述液晶层的指向矢与上述液晶层的厚度方向形成的预倾角在上述对置电极侧比在上述像素电极侧大，经由上述开关元件对上述像素电极交替施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位，将使上述高电位和上述低电位的平均电位变动一定量的电位作为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位高，上述一定量为对上述像素电极施加上述高电位时的上述开关元件的寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时的上述寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量。
2.一种液晶装置，其特征在于，具备 像素电极；开关元件，其与上述像素电极电连接；对置电极，其与上述像素电极对置配置并被施加对置电极电位； 液晶层，其设置在上述像素电极和上述对置电极之间； 第1取向膜，其设置在上述液晶层和上述像素电极之间；以及第2取向膜，其设置在上述液晶层和上述对置电极之间；上述液晶层的指向矢与上述液晶层的厚度方向形成的预倾角在上述像素电极侧比在上述对置电极侧大，经由上述开关元件对上述像素电极交替施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位，将使上述高电位和上述低电位的平均电位变动一定量的电位作为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位低，上述一定量为对上述像素电极施加上述高电位时的上述开关元件的寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时的上述寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量。
3.一种液晶装置，其特征在于，具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；对置基板，其与上述元件基板对置配置并具备对置电极； 液晶层，其被夹持在上述元件基板和上述对置基板之间； 第1取向膜，其设置在上述元件基板的上述液晶层的侧；以及第2取向膜，其设置在上述对置基板的上述液晶层的侧； 上述第1取向膜中的第1预倾角被设定为比上述第2取向膜中的第2预倾角小， 对上述对置电极施加为降低上述开关元件的寄生电容引起的闪烁而设定的对置电极电位，以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性，低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在包括施加上述正极性的电压的第1期间和施加上述负极性的电压的第2期间的规定的期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度短。
4.一种液晶装置，其特征在于，具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；对置基板，其与上述元件基板对置配置并具备对置电极； 液晶层，其被夹持在上述元件基板和上述对置基板之间； 第1取向膜，其设置在上述元件基板的上述液晶层的侧；以及第2取向膜，其设置在上述对置基板的上述液晶层的侧； 上述第1取向膜中的第1预倾角被设定为比上述第2取向膜中的第2预倾角大， 对上述对置电极施加为降低上述开关元件的寄生电容引起的闪烁而设定的对置电极电位，以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性，低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在包括施加上述正极性的电压的第1期间和施加上述负极性的电压的第2期间的规定的期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度长。
5.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，上述像素电极包括铝，上述对置电极包括铟锡氧化物。
6.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，上述像素电极包括铝，上述对置电极包括铟锡氧化物。
7.如权利要求3所述的液晶装置，其特征在于，上述像素电极包括铝，上述对置电极包括铟锡氧化物。
8.如权利要求4所述的液晶装置，其特征在于，上述像素电极包括铝，上述对置电极包括铟锡氧化物。
9.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，在第2取向膜的附近的上述预倾角比第1取向膜的附近的上述预倾角大6°时，上述对置电极电位和上述低电位的电位差的绝对值对上述对置电极电位和上述高电位的电位差的绝对值的比率设定为49/51以上52/48以下的范围。
10.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，在第2取向膜的附近的上述预倾角比第1取向膜的附近的上述预倾角大6°时，上述对置电极电位和上述低电位的电位差的绝对值对上述对置电极电位和上述高电位的电位差的绝对值的比率设定为49/51以上52/48以下的范围。
11.一种液晶装置的驱动方法，其特征在于，上述液晶装置具备像素电极；与上述像素电极电连接的开关元件；与上述像素电极对置配置并被施加对置电极电位的对置电极；在上述像素电极和上述对置电极之间设置的液晶层；在上述液晶层和上述像素电极之间设置的第1取向膜；以及在上述液晶层和上述对置电极之间设置的第2取向膜，上述液晶层的指向矢与上述液晶层的厚度方向形成的预倾角在上述对置电极侧比在上述像素电极侧大，上述驱动方法经由上述开关元件对上述像素电极交替施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位，将使上述高电位和上述低电位的平均电位变动一定量的电位作为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位低，上述一定量为对上述像素电极施加上述高电位时的上述开关元件的寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时的上述寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量。
12.一种液晶装置的驱动方法，其特征在于，上述液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板对置配置并具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的侧设置的第1取向膜；以及在上述对置基板的上述液晶层的侧设置的第2取向膜，上述第1取向膜中的第1预倾角被设定为比上述第2取向膜中的第2预倾角小，上述驱动方法对上述对置电极施加为降低上述开关元件的寄生电容引起的闪烁而设定的对置电极电位，以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性，低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在包括施加上述正极性的电压的第1期间和施加上述负极性的电压的第2期间的规定的期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度短。
13.一种液晶装置的驱动方法，其特征在于，上述液晶装置具备元件基板，其具备多个扫描线和多个数据线以及与上述扫描线和上述数据线的交点对应设置的开关元件和像素电极；与上述元件基板对置配置并具备对置电极的对置基板；在上述元件基板和上述对置基板之间夹持的液晶层；在上述元件基板的上述液晶层的侧设置的第1取向膜；以及在上述对置基板的上述液晶层的侧设置的第2取向膜，上述第1取向膜中的第1预倾角被设定为比上述第2取向膜中的第2预倾角大，上述驱动方法对上述对置电极施加为降低上述开关元件的寄生电容引起的闪烁而设定的对置电极电位，以上述对置电极电位为基准将高位的电压设为正极性，低位的电压设为负极性时，对上述像素电极交替施加上述正极性的电压和上述负极性的电压，在包括施加上述正极性的电压的第1期间和施加上述负极性的电压的第2期间的规定的期间中，上述第1期间的长度被设定为比上述第2期间的长度长。
14.如权利要求12所述的液晶装置的驱动方法，其特征在于，在上述第1预倾角被设定为比上述第2预倾角小6°时，将上述第1期间的长度和上述第2期间的长度的比设定为大于50. 0/50. 0且52. 0/48. 0以下的范围。
15.一种电子设备，其特征在于，具备如权利要求1所述的液晶装置。
16.一种电子设备，其特征在于，具备 如权利要求2所述的液晶装置。
17.一种电子设备，其特征在于，具备 如权利要求3所述的液晶装置。
18.一种电子设备，其特征在于，具备 如权利要求4所述的液晶装置。
全文摘要
本发明提供了液晶装置、液晶装置的驱动方法及电子设备。液晶装置中，液晶层的指向矢与液晶层的厚度方向形成的预倾角在上述对置电极侧比在上述像素电极侧大，经由上述开关元件对像素电极交替施加相对于上述对置电极电位的高电位和低电位，将使上述高电位和上述低电位的平均电位变动一定量的电位作为基准电位时，上述对置电极电位比上述基准电位高，上述一定量为对上述像素电极施加上述高电位时的上述开关元件的寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量和对上述像素电极施加上述低电位时的上述寄生电容产生的上述像素电极的电位的变化量的平均值的量。
文档编号G02F1/1343GK102207643SQ201110077089
公开日2011年10月5日 申请日期2011年3月29日 优先权日2010年3月29日
发明者吉田升平, 增泽明德, 广田武德, 梅野智和, 西田雅一 申请人:精工爱普生株式会社