专利名称：阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板和液晶显不器。
背景技术：
高级超维场开关技术(Advanced-SuperDimensional Switching，AD-SDS)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)等优点。如图1所示是现有技术中的AD-SDS模式的液晶显示面板的结构示意图，液晶显示面板包括彩膜基板100、阵列基板200以及填充在两者之间的液晶300，其中，阵列基板又包括玻璃基板201、公共电极202、绝缘层203和像素电极204。如图2所示是阵列基板的电极的排列结构示意图，公共电极202和像素电极204重叠设置，像素电极204由多个条形电极组成，公共电极202呈面状，在加电后，公共电极202和像素电极204之间能够形成多维电场，在多维电场的作用下，液晶分子在平行于阵列基板的平面上偏转。AD-SDS技术虽然具有宽视角等优势，但是在显示快速运动的画面或者3D显示方面时，其仍然存在液晶响应速度慢，难以保证画面的稳定的问题。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型提供一种阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器，能够有效提高液晶的响应速度，保证液晶显示器画面的稳定性。为解决上述问题，本实用新型提供一种阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的公共电极、绝缘层和像素电极，所述绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间，所述公共电极和所述像素电极均由多个平行排列的条形电极组成。优选地，所述公共电极和所述像素电极平行重叠设置。优选地，所述公共电极和所述像素电极以预设角度交叉重叠设置。优选地，所述预设角度是90度角。本实用新型还提供一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶，所述阵列基板包括基板以及形成在所述基板上的公共电极、绝缘层和像素电极，所述绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间，所述公共电极和所述像素电极均由多个平行排列的条形电极组成。 优选地，所述公共电极和所述像素电极平行重叠设置。优选地，所述公共电极和所述像素电极以预设角度交叉重叠设置。优选地，所述预设角度是90度角。[0014]本实用新型还提供一种液晶显示器，包括一液晶显示面板，所述液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶，所述阵列基板包括基板以及形成在所述基板上的公共电极、绝缘层和像素电极，所述绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间，所述公共电极和所述像素电极均由多个平行排列的条形电极组成。本实用新型具有以下有益效果减少公共电极和像素电极的重叠面积，以减小公共电极和像素电极之间的电容， 提高公共电极和像素电极之间的电压，从而提高液晶的响应速度，保证液晶显示器画面的稳定性，适用于显示快速运动的画面或3D显示方面，另外制作工艺简单，实现成本较低。
图1为现有技术中的AD-SDS模式液晶显示面板的结构示意图；图2为现有技术中的AD-SDS模式的阵列基板的电极的排列结构示意图；图3为本实用新型的阵列基板的立体结构示意图；图4为本实用新型的阵列基板的电极的一排列结构示意图；图5为本实用新型的阵列基板的电极的另一排列结构示意图；图6为本实用新型的阵列基板的电极的又一排列结构示意图。
具体实施方式
下面对本实用新型的原理进行简单说明。液晶的响应速度与公共电极和像素电极之间的电压相关，电压越大，液晶的响应速度越快，因此可以通过提高公共电极和像素电极之间的电压，以提高液晶的响应速度。公共电极和像素电极之间的电压与公共电极和像素电极之间的存储电容满足以下公式Qx-^-=vPixeiVoi其中，Q为公共电极和像素电极上的电量，Cst为公共电极和像素电极之间的存储电容，Vpixel Vol为公共电极和像素电极之间的电压。由上述公式可以看出，在电量一定的情况下，存储电容Cst越小，电压Vpixel V()1越大， 因此可以通过减小公共电极和像素电极之间的存储电容，来提高两者之间的电压。此外，公共电极和像素电极之间的存储电容与两者之间的重叠面积成正比。基于以上分析，本实用新型实施例中，通过减少公共电极和像素电极之间的重叠面积，来减小两者之间的存储电容，提高两者之间的电压，从而提高液晶的响应速度。
以下结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细描述。如图3所示为本实用新型的阵列基板的一立体结构示意图，所述阵列基板是 AD-SDS模式的阵列基板，应用于一液晶显示面板中，所述阵列基板包括基板401以及形成在所述基板401上的公共电极402、绝缘层403和像素电极404，所述绝缘层403位于所述公共电极402和所述像素电极404之间，所述公共电极402由多个平行排列的条形电极组成，所述像素电极404也是由多个平行排列的条形电极组成。[0033]从上述结构可以看出，本实用新型的阵列基板的公共电极402是条形结构，与现有技术中的面状结构的公共电极相比，减少了面积，从而减少了与像素电极的重叠面积，进一步减少了两者之间的存储电容，提高了两者之间的电压，使得液晶的响应速度变快，保证了液晶显示器的画面的稳定性，此外，制作工艺简单，实现成本较低。所述基板401为玻璃或其他材质制成，所述公共电极402、绝缘层403和像素电极 404均由透明材质制成，以增加显示面板的透光率。所述公共电极402和所述像素电极404可以是多种排列方式，如图4所示，所述公共电极402和所述像素电极404可以是平行重叠设置，或者，如图5所述，所述公共电极402 和所述像素电极404还可以以预设角度交叉重叠设置，优选地，如图6所示，所述公共电极 402和所述像素电极404以90度角交叉重叠设置，即两者垂直交叉重叠设置，该种情况下， 所述公共电极402和所述像素电极404的重叠面积最小，两者之间的存储电容最小。本实用新型还提供一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶，所述阵列基板包括基板以及形成在所述基板上的公共电极、绝缘层和像素电极，所述绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间，所述公共电极和所述像素电极均由多个平行排列的条形电极组成。从上述结构可以看出，本实用新型的阵列基板的公共电极是条形结构，与现有技术中的面状结构的公共电极相比，减少了面积，从而减少了与像素电极的重叠面积，进一步减少了两者之间的存储电容，提高了两者之间的电压，使得液晶的响应速度变快，保证了液晶显示器的画面的稳定性，此外，制作工艺简单，实现成本较低。所述基板为玻璃或其他材质制成，所述公共电极、绝缘层和像素电极均由透明材质制成，以增加显示面板的透光率。所述公共电极和所述像素电极可以是多种排列方式，例如，所述公共电极和所述像素电极可以是平行重叠设置，或者，以预设角度交叉重叠设置，优选地，所述公共电极和所述像素电极以90度角交叉重叠设置，即两者垂直交叉重叠设置，该种情况下，所述公共电极和所述像素电极的重叠面积最小，也就是说，两者之间的存储电容最小。本实用新型还提供一种液晶显示器，所述液晶显示器包括一液晶显示面板，所述液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶，所述阵列基板包括基板以及形成在所述基板上的公共电极、绝缘层和像素电极，所述绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间，所述公共电极和所述像素电极均由多个平行排列的条形电极组成。所述液晶显示面板与上述实施例中的液晶显示面板的结构相同，在此不再赘述。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板以及形成在所述基板上的公共电极、绝缘层和像素电极，所述绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间，所述公共电极和所述像素电极均由多个平行排列的条形电极组成。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极平行重叠设置。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极以预设角度交叉重叠设置。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述预设角度是90度角。
5.一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶，其特征在于，所述阵列基板包括基板以及形成在所述基板上的公共电极、绝缘层和像素电极，所述绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间，所述公共电极和所述像素电极均由多个平行排列的条形电极组成。
6.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极平行重叠设置。
7.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极以预设角度交叉重叠设置。
8.如权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，所述预设角度是90度角。
9.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求5至8任一项所述的液晶显示面板。
专利摘要本实用新型提供一种阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器，所述阵列基板包括基板以及形成在所述基板上的公共电极、绝缘层和像素电极，所述绝缘层位于所述公共电极和所述像素电极之间，所述公共电极和所述像素电极均由多个平行排列的条形电极组成。本实用新型能够有效提高液晶的响应速度，从而保证液晶显示器画面的稳定性。
文档编号G02F1/1343GK202145252SQ201120253888
公开日2012年2月15日 申请日期2011年7月18日 优先权日2011年7月18日
发明者张培林, 柳在健, 谷新 申请人:京东方科技集团股份有限公司