专利名称：盐，光致抗蚀剂组合物，以及用于制备光致抗蚀剂图案的方法
技术领域：
本发明涉及ー种可用于酸生成剂的盐，光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。
背景技术：
光致抗蚀剂组合物用于采用光刻エ艺的半导体微制造，所述光致抗蚀剂组合物含有包含盐的酸生成剂。US 2008/0081925A1公开了由下式表示的盐
权利要求
1.一种由式⑴表不的盐
2.根据权利要求I所述的盐，其中L1表示*-C0-0-，其中*表示与-C(Qi)(Q2)-的结合位置。
3.根据权利要求I或2所述的盐，其中L2是羰基。
4.根据权利要求I或2所述的盐，其中L3是单键或亚甲基。
5.一种酸生成剂，所述酸生成剂包含根据权利要求I或2所述的盐。
6.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含根据权利要求5所述的酸生成剂和具有酸不稳定基团的树脂，所述树脂不溶或难溶于碱性水溶液，但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液。
7.根据权利要求6所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。
8.一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括以下步骤(I)至(5) (1)将根据权利要求6或7所述的光致抗蚀剂组合物涂敷在基板上的步骤， (2)通过进行干燥而形成光致抗蚀剂膜的步骤， (3)将所述光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤， (4)将曝光过的光致抗蚀剂膜烘焙的步骤，以及 (5)将烘焙过的光致抗蚀剂膜用碱性显影液显影，从而形成光致抗蚀剂图案的步骤。
全文摘要
本发明提供一种盐、光致抗蚀剂组合物，以及用于制备光致抗蚀剂图案的方法。所述盐由式(I)表示，其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，L1表示其中的亚甲基可以被氧原子或羰基代替的C1-C17二价饱和烃基，L2和L3各自表示单键或其中的亚甲基可以被氧原子或羰基代替的C1-C6二价饱和烷基，环W1和环W2各自表示C3-C36烃环，R1和R2各自表示氢原子或C1-C6烷基，R3表示C1-C6烷基，t表示0至2的整数，并且Z+表示有机抗衡离子。
文档编号G03F7/00GK102731346SQ20121010357
公开日2012年10月17日 申请日期2012年4月10日 优先权日2011年4月13日
发明者吉田勋, 山下裕子, 市川幸司 申请人:住友化学株式会社