盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法

文档序号:3520023阅读:272来源:国知局
专利名称:盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法
技术领域
本发明涉及一种盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法。
背景技术
待用于半导体的光致抗蚀剂组合物通常包含作为酸生成剂的盐。
US2007/0122750A提到由下式表示的盐作为酸生成剂。
权利要求
1.
2.根据权利要求1所述的盐,其中式(I)的C-OH部分由式(U-l)表示,
3.根据权利要求2所述的盐,其中X1表示-0-*1、-NR2-*1、-O-CO-*1、-0-CH2-*1 或-NR2-^-*1,其中V表示与W的结合位置。
4.根据权利要求1或2所述的盐,其中Z+是三芳基锍阳离子。
5.一种光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物包含根据权利要求1或2所述的盐 和树脂,所述树脂难溶或不溶于碱性水溶液但是通过酸的作用可溶于碱性水溶液。
6.根据权利要求5所述的光致抗蚀剂组合物,所述光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。
7.一种用于生产光致抗蚀剂图案的方法,所述方法包括下列步骤(I)至(5)(1)将根据权利要求5或6所述的光致抗蚀剂组合物涂敷在基材上的步骤,(2)通过进行干燥而形成光致抗蚀剂膜的步骤,(3)将所述光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤,(4)将曝光的光致抗蚀剂膜烘焙的步骤,和(5)将烘焙的光致抗蚀剂膜显影,由此形成光致抗蚀剂图案的步骤。
全文摘要
本发明提供盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法。所述盐由式(I)表示,其中Q1和Q2各自独立表示氟原子或C1-C6全氟烷基;L1表示C1-C20三价脂肪族饱和烃基,其中与脂肪族饱和烃链部分的亚甲基结合的氢原子可以被氟原子或羟基代替并且其中亚甲基可以被氧原子、-NR2-或羰基代替,其中R2表示氢原子或C1-C6烷基,L1-OH的羟基位于L1的脂肪族饱和烃链部分;W表示C3-C36脂环烃基,其中亚甲基可以被氧原子、硫原子、羰基或磺酰基代替,并且其中氢原子可以被羟基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C3-C18脂环烃基或C6-C14芳香族烃基代替;和Z+表示有机阳离子。
文档编号C07D333/46GK102924341SQ20121027452
公开日2013年2月13日 申请日期2012年8月3日 优先权日2011年8月8日
发明者市川幸司, 向井优一, 吉田勋 申请人:住友化学株式会社
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