专利名称：显示面板及显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术：
由于平板电脑、智能手机市场的快速增长，对广视角的液晶显示面板需求持续增力口。两种最常用广视角液晶显示面板包括平面转换(IPS，In-PlaneSwitching)模式液晶显不面板及高级超维场转换(AD-SDS, ADvanced SuperDimension Switch,简称ADS)模式液晶显示面板。IPS模式液晶显示面板以液晶分子4平面切换的方式来改善视角，利用空间厚度、摩擦强度并有效利用横向电场驱动的改变让液晶分子4作最大的平面旋转角度来增加视角；也就是说，传统液晶显示面板的液晶分子4是以垂直、水平角度切换作为背光通过的方式，IPS模式液晶显示面板则是将液晶分子4改为水平选转切换作为背光通过方式。这样，不需要额外加补偿膜即可使显示视觉达180度左右。图1为IPS模式液晶显示面板显示原理示意图，如图1所示，IPS模式液晶显示面板中，像素电极I和共用电极2交替排列，A为正性液晶初始取向方向。ADS模式液晶显示面板通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。图2为ADS模式液晶显示面板显示原理示意图，如图2所示，ADS模式液晶显示面板中像素电极I (即狭缝电极)和共用电极2(即板状电极)采用分层排列方式。高级超维场转换技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。IPS模式和ADS模式各自都存在一些缺陷，导致了单一模式的液晶显示面板的显示效果不佳。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种显示面板及显示装置，能更好的结合和利用ADS技术及IPS技术的优点，更进一步的提高显示质量。为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是这样实现的:本实用新型提供了一种显示面板，包括液晶层，所述显示面板包括有多个像素单元，所述像素单元包括有至少两个电极单元，所述电极单元包括有平面转换模式电极单元和高级超维场转换模式电极单元，所述平面转换模式电极单元的电极角与所述高级超维场转换模式电极单元的电极角不同。可选的，所述液晶层中的液晶为正性液晶时，所述平面转换模式电极单元的电极角比所述高级超维场转换模式电极单元的电极角大。可选的，所述平面转换模式电极单元的电极角的范围在10度至20度，所述高级超维场转换模式电极单元的电极角的范围在5度至15度。可选的，所述液晶层中的液晶为负性液晶时，所述平面转换模式电极单元的电极角比高级超维场转换模式电极单元的电极角小。可选的，所述平面转换模式电极单元的电极角的范围在70度至80度，所述高级超维场转换模式电极单元的电极角的范围在75度至85度。可选的，所述液晶层中的液晶为正性液晶时，所述电极单元在液晶初始取向方向上包括依次连接的平面转换模式电极单元、高级超维场转换模式电极单元和平面转换模式电极单元。可选的，所述液晶层中的液晶为负性液晶时，所述电极单元在与液晶初始取向垂直的方向上包括依次连接的平面转换模式电极单元、高级超维场转换模式电极单元和平面转换模式电极单元。可选的，所述平面转换模式电极单元由交替排列的条形像素电极和条形共用电极构成。可选的，所述平面转换模式电极单元的像素电极和共用电极呈V型结构，且V型结构的尖端区域具有突起部。可选的，所述高级超维场转换模式电极单元由分层的排列的像素电极和共用电极构成，所述像素电极和所述共用电极之一包括多个条形电极，所述像素电极和所述共用电极之另一为整层覆盖的电极。本实用新型还提供了 一种显示装置，包括上述任一种显示面板。通过本实用新型的显示面板，能够使显示面板的ADS区域及IPS区域的电极角分别达到最佳，从而能使IPS模式电极单元及ADS模式电极单元保持自身的优点，能保证显示面板的显示效果达到更好的水平。应用了本实用新型的显示装置如液晶显示器等的显示效果也更佳。
图1为IPS模式液晶显示面板显示原理示意图；图2为ADS模式液晶显示面板显示原理示意图；图3为本实用新型实施例一的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图；图4为本实用新型实施例二的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图；图5为本实用新型实施例三的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图；图6为本实用新型实施例四的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图；图7为本实用新型实施例五的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图；图8为本实用新型实施例五的混合模式液晶显示面板的单个像素单元的连接关系不意图。附图中主要元件符号说明:1:像素电极；2:共用电极，3:突起，4:液晶分子，5:1PS模式电极单元，6:ADS模式电极单元，7:数据线，8:像素连接孔，9:共用连接孔，10:栅线，11:薄膜晶体管(TFT)，12:共用电极线，A:液晶初始取向方向。
具体实施方式
本实用新型的显示面板包括液晶层，所述显示面板包括有多个像素单元，所述像素单元包括有至少两个电极单元，所述电极单元包括有平面转换(IPS)模式电极单元和高级超维场转换(ADS)模式电极单元，所述IPS模式电极单元的电极角与所述ADS模式电极单元的电极角不同，其中电极角是指像素电极或共用电极的倾斜方向与液晶初始取向方向所夹的锐角。具体的，液晶层中的液晶为正性液晶时，所述平面转换模式电极单元的电极角比所述高级超维场转换模式电极单元的电极角大。所述平面转换模式电极单元的电极角的范围在10度至20度，所述高级超维场转换模式电极单元的电极角的范围在5度至15度。所述液晶层中的液晶为负性液晶时，所述平面转换模式电极单元的电极角比高级超维场转换模式电极单元的电极角小。所述平面转换模式电极单元的电极角的范围在70度至80度，所述高级超维场转换模式电极单元的电极角的范围在75度至85度。以下结合具体示例，进一步阐明本实用新型显示面板中各像素的构成结构。图3为本实用新型实施例一的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图，如图3所示,本示例的混合模式液晶显示面板中，构成像素单元的电极单元包括在正性液晶4的液晶初始取向方向A上依次连接的IPS模式电极单元5、ADS模式电极单元6、IPS模式电极单元5。IPS模式电极单元和ADS模式电极单元具有不同的电极角。如图3所示，本示例的IPS模式电极单元5是由交替排列的条形像素电极I和条形共用电极2构成；ADS模式电极单元6由分层的排列的像素电极I和共用电极2构成，其中像素电极2为条形电极，共用电极2为整层覆盖的电极。需要说明的是在ADS模式电极单元中，像素电极也可以为整层覆盖的电极，此时共用电极为条形电极。具体的，包含图3中所示的像素单元的显示面板的液晶层中的液晶为正性液晶时，IPS模式电极单兀5的电极角比ADS模式电极单兀6的电极角大。一般而言，IPS模式电极单元5的电极角的范围在10度至20度，ADS模式电极单元6的电极角的范围在5度至15度。优选地，IPS模式电极单元5的电极角为15度，ADS模式电极单元6的电极角的范围为7度至11度。包含图3中所示的像素单元的显示面板的液晶层中的液晶为负性液晶时，则负性液晶的初始取向方向与图3所示的方向A垂直，这样，负性液晶构成的像素中的电极角与正性液晶构成的像素的电极角互为余角。这样，当像素中液晶为负性液晶时，IPS模式电极单元5的电极角比ADS模式电极单元6的电极角要小。此时，IPS模式电极单元5的电极角为70度至80度，ADS模式电极单元6的电极角为75度至85度。优选地，IPS模式电极单元5的电极角为75度，ADS模式电极单元6的电极角的范围为79度至83度。关于IPS模式电极单元5的电极角以及ADS模式电极单元6的电极角，下述实施方式与图3所示的IPS模式电极单元5的电极角以及ADS模式电极单元6的电极角完全相同，以下不再一一赘述。在本实用新型的电极单元中，IPS模式电极单元和ADS电极单元的面积比例可以根据实际情况进行不同的设计。由于单一的IPS像素单元的像素电容要比单一的ADS像素单元的像素电容小，因此可以通过调整本实用新型中的同一个像素单元里的IPS模式电极单元和ADS模式电极单元的面积比例设计使整个像素单元的像素电容达到最佳，满足实际引用需要，从而进一步提高显示质量。本实用新型中采用IPS模式电极单元5、ADS模式电极单元6、IPS模式电极单元5形成像素单元，由于IPS模式电极单元5及ADS模式电极单元6各自的电极角分别均能达到最佳，因此能更佳地提升像素的显示效果。需要说明的是本实用新型的像素单元的结构并不限于图3所示的排列方式，也可以是在液晶初始取向方向上依次连接ADS模式电极单元，IPS模式电极单元和ADS模式电极单元的情况。图4为本实用新型实施例二的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图。本示例的混合模式液晶显示面板中，构成像素单元的电极单元主要是由图3中的电极结构的对称连接而成，其中是以垂直于正性液晶4的液晶初始取向A的方向作为对称轴，如图4所示，具体的像素结构包括在正性液晶4的液晶初始取向方向A上依次连接的IPS模式电极单元5、ADS模式电极单元6、IPS模式电极单元5。这样的像素结构，更能在结构上细化像素的显示效果。图5为本实用新型实施例三的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图，如图5所示，本示例中，构成像素单元的电极单元中的IPS模式电极单元5和ADS模式电极单元6的分布与图3所示的实施例一的电极单元分布是相同的，但是实施例三中的ADS模式电极单元中的像素电极I排列方式与图3中的ADS模式电极单元的像素电极I的排列方式不同，具体的，如图5所示在ADS模式电极单元6的上下边缘，像素电极I通过弓形方式连接在一起。这样的像素结构也可以进一步提闻显不质量。本领域技术人员应当理解，本实用新型的像素结构也可以由两个以上的图5所示的电极单元在正性液晶取向方向上连接而成。图6为本实用新型实施例四的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图，如图6所示,本示例中，构成像素单元的电极单元包括在正性液晶取向方向依次连接的IPS模式电极单元5、ADS模式电极单元6和IPS模式电极单元5。与前述图4、图5所示的电极单元相比，本示例的电极单元中的像素电极I及共用电极2排列方式与前述图4、图5中的像素电极及共用电极排列的区别在于，在本实施例的IPS模式电极单元5中，像素电极I及共用电极2分层分布，且像素电极I及共用电极2呈V型结构，且V型结构的尖端区域在在与正性液晶初始取向方向A垂直的方向具有突起部3，如图6所示。在ADS模式电极单元6中，像素电极I以斜弓形相互连接。这种像素结构，所设置的突起部3可以使对应突起区域的液晶分子在电场作用下具有更稳定的取向，保证显示面板具有较高的显示质量。图7为本实用新型实施例五的混合模式显示面板的像素单元的结构示意图。本示例中，像素单元由图6所示的像素单元的电极结构在正性液晶初始取向方向A上再依次连接一个ADS模式电极单元6和一个IPS模式电极单元5而构成的，如图7所示，具体的像素结构包括在正性液晶初始取向方向A上依次连接的IPS模式电极单元5、ADS模式电极单元
6、IPS模式电极单元5、ADS模式电极单元6、IPS模式电极单元5。本示例中，像素单元由五个电极单元构成，更能在结构上细化像素的显示效果。需要说明的是本实用新型的像素单元的结构并不限于上述实施例中的结构，像素单元结构也可以是上述实施例中的两个以上相同像素结构的重复组合或者是不同像素结构的组合，或者是其他形式的简单组合或者变形均应理解为属于本实用新型的保护范围。以下仅以上述图7所示的显示面板的像素结构为例，说明本实用新型的显示面板的像素中像素电极及共用电极的连接关系。图8为本实用新型实施例五的混合模式液晶显示面板的单个像素单元的连接关系示意图，如图8所示，像素中的像素电极I通过像素连接孔8连接于共用电极线12，像素中的共用电极2通过共用连接孔9连接于共用电极线12 ;像素单元位于数据线7和栅线10所形成的矩阵区域，共用电极线12与栅线10平行设置，栅线10上设置有作为开关的薄膜晶体管11。由于像素各种电极的连接方式与现有像素的电极连接方式完全相同，这里不再赘述其细节。本实用新型还记载了一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板，所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。本实用新型中，构成像素单元的IPS模式电极单元及ADS模式电极单元的电极结构并不限于前述实施例中提到的，本领域技术人员应当理解，一个像素单元结构中只要包含IPS模式电极单元和ADS模式电极单元，不管像素单元中IPS模式电极单元和ADS模式电极单元的数量，并且构成像素单元的IPS模式电极单元及ADS模式电极单元的电极角度有差异，均应理解为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种显示面板，包括液晶层，所述显示面板包括有多个像素单元，其特征在于，所述像素单元包括有至少两个电极单元，所述电极单元包括有平面转换模式电极单元和高级超维场转换模式电极单元，所述平面转换模式电极单元的电极角与所述高级超维场转换模式电极单元的电极角不同。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述液晶层中的液晶为正性液晶时，所述平面转换模式电极单元的电极角比所述高级超维场转换模式电极单元的电极角大。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述平面转换模式电极单元的电极角的范围在10度至20度，所述高级超维场转换模式电极单元的电极角的范围在5度至15度。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述液晶层中的液晶为负性液晶时，所述平面转换模式电极单元的电极角比高级超维场转换模式电极单元的电极角小。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述平面转换模式电极单元的电极角的范围在70度至80度，所述高级超维场转换模式电极单元的电极角的范围在75度至85度。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述液晶层中的液晶为正性液晶时，所述电极单元在液晶初始取向方向上包括依次连接的平面转换模式电极单元、高级超维场转换模式电极单元和平面转换模式电极单元。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述液晶层中的液晶为负性液晶时，所述电极单元在与液晶初始取向垂直的方向上包括依次连接的平面转换模式电极单元、高级超维场转换模式电极单元和平面转换模式电极单元。
8.根据权利要求6 或7所述的显示面板，其特征在于，所述平面转换模式电极单元由交替排列的条形像素电极和条形共用电极构成。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述平面转换模式电极单元的像素电极和共用电极呈V型结构，且V型结构的尖端区域具有突起部。
10.根据权利要求6或7所述的显示面板，其特征在于，所述高级超维场转换模式电极单元由分层的排列的像素电极和共用电极构成，所述像素电极和所述共用电极之一包括多个条形电极，所述像素电极和所述共用电极之另一为整层覆盖的电极。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10任一项所述的显示面板。
专利摘要本实用新型公开了一种显示面板，包括液晶层，显示面板包括有多个像素单元，像素单元包括有至少两个电极单元，电极单元包括有平面转换模式电极单元和高级超维场转换模式电极单元，平面转换模式电极单元的电极角与高级超维场转换模式电极单元的电极角不同。本实用新型同时公开了一种显示装置。本实用新型的显示面板，显示面板的ADS区域及IPS区域的电极角分别达到最佳，从而能使IPS模式电极单元及ADS模式电极单元保持自身的优点，能保证显示面板及显示装置的显示效果达到较佳水平，从而使本实用新型的显示面板兼具ADS技术及IPS技术的优点。应用了本实用新型的显示装置如液晶显示器等的显示效果也更佳。
文档编号G02F1/1343GK203084386SQ20122052775
公开日2013年7月24日 申请日期2012年10月15日 优先权日2012年10月15日
发明者铃木照晃 申请人:京东方科技集团股份有限公司