专利名称：用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法
技术领域：
本发明涉及半导体工艺光刻技术领域，尤其涉及一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法。
背景技术：
半导体器件制造技术是上世纪中期发展起来的一门新技术。在半导体器件制造中平面工艺是最普遍采用的，光刻是平面工艺中的一种技术。光刻是一种复印图像同化学腐蚀相结合的综合性技术。它先采用照像复印的方法，将光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的半导体外延层或金属蒸发层上，然后利用光刻胶的保护作用，对外延层或金属层进行选择性化学腐蚀，从而在外延层或金属层上得到与光刻版相应的图形。目前光刻方法有接触式曝光法、投影曝光法和电子束曝光法。接触式曝光法与其他两种方法比较，因其设备价格低，操作简易，是最普遍采用的光刻方法。但因其需要将半导体材料与光刻版紧密接触，必然需要一定的压力和真空度，对半导体材料的厚度和尺寸大小有一定的要求，难以对小片子、超薄片进行光刻，特别是难以对衬底减薄后要求背面出光且需要解理为小管芯的激光器背面进行光刻。在制作半导体激光器的过程中，为了使器件更有效的散热，往往需要进行倒装焊接。面发射的半导体激光器同样如此，倒装焊接可以显著提高器件性能，这就要求器件必须从背面出光。同时为了减小外延片衬底带来的载流子吸收损耗和提高电注入效率，必须进行衬底减薄，因此背面的光刻工艺显得尤为重要。那么，如何对超薄片进行背面光刻是当前急需解决的问题。
发明内容
为了克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，特别适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。为达到上述目的，本发明提供一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤:步骤1:取一半导体芯片；步骤2:取一半导体衬片；步骤3:用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4:将基片进行甩胶处理；步骤5:将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明的有益效果是:该方法简单易行，适用于超薄半导体芯片接触式曝光，特别适用于半导体激光器芯片背面接触式曝光。
为进一步说明本发明的内容及特点，以下结合实施例及附图对本发明作一详细的描述，其中:图1是本发明制备方法的流程图；图2是半导体芯和半导体衬片粘接后的剖面图；图3是图2的俯视图。
具体实施例方式请参阅图1、图2图3及所示，本发明提供一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤:步骤1:取一半导体芯片I，该半导体芯片I的材料为GaAs或InP，半导体芯片I的厚度为80-200 μ m ；步骤2:取一半导体衬片3，所述半导体衬片3的材料为单晶的GaAs或InP，所述半导体衬片3的厚度为350-450 μ m，所述半导体衬片3的解理为尺寸大于半导体芯片I的尺寸；步骤3:用粘结剂2将该半导体芯片I和该半导体衬片3粘接，形成基片，所述粘结剂2是热熔胶，所述热熔胶的厚度小于10 μ m，该热熔胶是均匀涂覆在半导体衬片3的表面，所述热熔胶溶于丙酮；步骤4:将基片进行甩胶处理；步骤5:将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。完成后，即可腐蚀外延层或金属层得到与光刻版相应的图形。用于超薄半导体芯片接触式曝光，特别适用于需要半导体激光器芯片背面出光的激光器接触式曝光。还可用于其他减薄后需要进行器件工艺的半导体芯片。实施例请参阅图1、图2图3及所示，本发明提供一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤:步骤1:取一半导体芯片丨，该半导体芯片i的材料为GaAs，半导体芯片I的厚度为 100 μ m ；步骤2:取一半导体衬片3，所述半导体衬片3的材料为单晶的GaAs，半导体衬片3的厚度为400 μ m,所述半导体衬片3的解理为尺寸大于半导体芯片I的尺寸；步骤3:用粘结剂2将半导体芯片I和半导体衬片3粘接，形成基片，所述粘结剂2是热熔胶，所述热熔胶的为8 μ m，该热熔胶是均匀涂覆在半导体衬片3的表面，所述热熔胶溶于丙酮；步骤4:将基片进行甩胶处理；步骤5:将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，非因此即局限本发明的专利范围，凡是运用本发明说明书及附图内容所为的等效结构变化，均理同包含于本发明的权利要求范围内。
权利要求
1.一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤: 步骤1:取一半导体芯片； 步骤2:取一半导体衬片； 步骤3:用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片； 步骤4:将基片进行甩胶处理； 步骤5:将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。
2.根据权利要求1所述的用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，其中半导体芯片的材料为GaAs或InP，该半导体芯片的厚度为80-200 μ m。
3.根据权利要求1所述的用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，其中半导体衬片的材料为单晶的GaAs或InP，该半导体衬片的厚度为350-450 μ m。
4.根据权利要求1所述的用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，其中所述半导体衬片的解理为尺寸大于半导体芯片的尺寸。
5.根据权利要求1所述的用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，其中所述粘结剂是热熔胶。
6.根据权利要求5所述的用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，其中所述热熔胶的厚度小于10 μ m。
7.根据权利要求6所述的用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，其中所述热熔胶溶于丙酮。
全文摘要
一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤步骤1取一半导体芯片；步骤2取一半导体衬片；步骤3用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4将基片进行甩胶处理；步骤5将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。
文档编号G03F7/20GK103197507SQ201310057280
公开日2013年7月10日 申请日期2013年2月22日 优先权日2013年2月22日
发明者梁平, 胡颖, 刘俊岐, 刘峰奇, 王利军, 张锦川, 王涛, 姚丹阳, 王占国 申请人:中国科学院半导体研究所