显示装置制造方法

显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种可靠性得到提高的显示装置。或者，本发明提供一种边框的扩大得到抑制的显示装置。上述显示装置包括：对置的第一衬底及第二衬底；设置在第一衬底与第二衬底之间的具有显示元件的像素部；以围绕像素部的外周的方式设置的第一密封件；与第一衬底和第二衬底的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底与第二衬底之间的间隙中的第二密封件；以及隔着第二密封件与第一衬底和第二衬底的侧面的至少一方及第一密封件的侧面重叠的第三密封件。
【专利说明】显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]近年来，已在进行关于显示装置的高性能化诸如低耗电量化或高清晰化的技术开发。
[0003]作为上述显示装置，例如可以举出液晶显示装置或电致发光显示装置(也称为EL显示装置)等。
[0004]作为用来驱动上述显示装置所具有的显示元件(液晶元件、EL元件等)的晶体管的例子，可以举出将硅半导体用于沟道形成区的晶体管、将金属氧化物半导体用于沟道形成区的晶体管等。例如，专利文献I所示的显示装置是具有将金属氧化物半导体用于沟道形成区的晶体管以作为驱动显示元件的晶体管的显示装置的一个例子。
[0005][专利文献I]日本专利申请公开2011-44699号公报
[0006]但是，现有的显示装置有可靠性不够的问题。例如，在现有的显示装置中，在两个衬底之间设置显示元件，并且，以围绕该显示元件的方式在两个衬底之间设置密封件，贴合两个衬底，由此密封显示元件。然而，如果水等经由密封件从外部侵入到被密封的区域中，则显示元件或用来驱动该显示元件的晶体管的特性恶化，容易产生误动作。
[0007]另外，在显示装置中，在上述两个衬底重叠的区域中，包括与密封件重叠的区域的显示部之外的区域(也称为边框)优选为窄。如果边框宽，则例如显示部所占的面积变小。
[0008]再者，当作为显示元件使用EL元件时，有从外部侵入的水分或氧等杂质导致可靠性降低的问题。

【发明内容】

[0009]鉴于上述问题，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性得到提高的显示装置。或者，本发明的一个方式的目的之一是提供一种边框的扩大得到抑制的显示装置。本发明的一个方式解决上述课题中的至少一个。
[0010]根据本发明的一个方式的显示装置包括:对置的第一衬底及第二衬底；设置在第一衬底与第二衬底之间的具有显示元件的像素部；以围绕像素部的外周的方式设置的第一密封件；以及与第一衬底和第二衬底的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底与第二衬底之间的间隙中的第二密封件。
[0011]在上述结构中，优选的是，第二密封件的透湿性低于第一密封件的透湿性。
[0012]在上述结构中，优选的是，第一密封件为树脂层，第二密封件为金属层。
[0013]根据本发明的一个方式的显示装置包括:对置的第一衬底及第二衬底；设置在第一衬底与第二衬底之间的具有显示元件的像素部；以围绕像素部的外周的方式设置的第一密封件；与第一衬底和第二衬底的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底与第二衬底之间的间隙中的第二密封件；以及隔着第二密封件与第一衬底和第二衬底的侧面的至少一方及第一密封件的侧面重叠的第三密封件。
[0014]在上述结构中，优选的是，第三密封件的透湿性低于第一密封件及第二密封件的透湿性。另外，第三密封件优选为金属层或热可塑性树脂。
[0015]在上述结构中，显示元件优选为有机EL元件。
[0016]在上述结构中，优选的是，像素部具有晶体管，晶体管具有形成沟道的氧化物半导体层。
[0017]本发明的一个方式可以提供一种可靠性高的显示装置。另外，本发明的一个方式可以提供一种边框的扩大得到抑制的显示装置。
【专利附图】

【附图说明】
[0018]图1A和图1B是显示装置的俯视图及剖视图；
图2A和图2B是显示装置的俯视图及剖视图；
图3A至图3C是显示装置的剖视图；
图4A1和图4A2、图4B1和图4B2以及图4C1和图4C2是示出显示装置的制造工序的俯视图及剖视图；
图5A1和图5A2、图5B1和图5B2以及图5C1和图5C2是示出显示装置的制造工序的俯视图及剖视图；
图6A和图6B是发光显示装置的俯视图及剖视图；
图7A至图7C是示出EL层的图；
图8A至图8D是示出电子设备的图；
图9A至图9C是示出电子设备的图。
【具体实施方式】
[0019]下面，参照附图对实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，所属【技术领域】的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。另外，在以下说明的发明的结构中，在不同的附图之间共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。
[0020](实施方式I)
在本实施方式中，参照图1A至图3C对根据本发明的一个方式的显示装置进行说明。在本说明书等中，显示装置是指发光显示装置、液晶显示装置或使用电泳元件的显示装置。发光显示装置包括发光元件，液晶显示装置包括液晶元件。发光元件在其范畴内包括由电流或电压控制亮度的元件，具体而言包括无机EL元件、有机EL元件等。
[0021]图1A和图1B示出根据本发明的一个方式的显示装置。图1A是显示装置的俯视图，图1B是沿着图1A中的点划线A1-A2的剖视图。
[0022]如图1A所示，显示装置包括:设置在对置的第一衬底101与第二衬底104之间的具有显示元件的像素部102 ;驱动电路部103a、103b ;以围绕像素部102及驱动电路部103a、103b的外周的方式设置的第一密封件105 ;以及与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的第二密封件106。另外，也包括由第一衬底101、第二衬底104和第一密封件105围绕的空间110。
[0023]由于水等杂质的混入导致像素部102所具有的显示元件劣化。当作为显示元件使用有机EL元件时，由于水等混入到构成有机EL元件的有机化合物或金属材料中，有机EL元件的寿命大幅度地降低。这是因为用于有机EL元件的有机化合物或金属材料与水等杂质起反应而发生劣化的缘故。另外，在控制显示元件的晶体管或驱动电路部103a、103b所具有的晶体管中，有时也会由于杂质混入到半导体层中而导致电特性发生变动。例如，当作为形成晶体管的沟道的半导体层使用氧化物半导体层时，当杂质混入到该氧化物半导体层中时，有时会发生电特性的变动。这成为降低显示装置的可靠性的原因。
[0024]于是，如图1A和图1B所示，除了用来贴合第一衬底101和第二衬底104的第一密封件105之外，还设置与第一衬底101的侧面和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的第二密封件106。第一密封件105和第二密封件106中的至少一方的透湿性优选为低。另外，更优选的是，第二密封件106的透湿性低于第一密封件105的透湿性。通过将透湿性低的材料用于第一密封件105和第二密封件106中的至少一方，从而可以抑制作为杂质的物质(水等)通过第一密封件105及第二密封件106侵入到显示元件或晶体管中。由此，可以提高显示装置的可靠性。
[0025]在此，透湿性是指每一天透过单位面积(Im2)的薄膜等的材料的水的质量(单位为g/m2.天)。通过降低透湿性，从而可以防止或抑制来自外部的水或水分等杂质的侵入。
[0026]上述透湿性可以通过被称为MOCON法或杯法的透湿性测试算出。MOCON法是指利用红外线传感器测定透过作为测定对象的材料的水蒸气的方法。另外，杯法是指使杯中的吸湿剂吸收透过作为测定对象的材料的水蒸气，从所吸水的吸湿剂的重量变化测定透湿性的方法。
[0027]例如，在例如作为发光装置的用途在市场上出售的密封件中，厚度为100 μ m时的透湿性为16g/m2.天。另外，在将使用玻璃料(glass frit)形成的玻璃层用作密封件的情况下，透湿性为0.01g/m2.天以下。因此，通过使用根据本发明的密封结构，从而可以将显示装置的上述透湿性设定为上述透湿性以下。
[0028]另外，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置第二密封件106，从而与将第一密封件105及第二密封件106设置在第一衬底101与第二衬底104之间的情况相比，可以缩小边框。
[0029]注意，虽然在以下说明中示出以围绕第二衬底104的方式设置第二密封件106的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。例如，也可以采用在第一衬底101不与第二衬底104对置的偏置(offset)区中不形成第二密封件106的结构。
[0030]<第一结构例>
参照图1A和图1B对根据本发明的一个方式的显示装置的第一结构例进行说明。作为第一密封件105，例如使用玻璃层。该玻璃层可以使用玻璃料形成。通过使用玻璃层以作为第一密封件105，从而可以获得高密封效果，所以是优选的。
[0031]玻璃料例如包含镁、钙、硼、钒、锌、碲、铝、硅、铅、锡、磷、钌、铑、铁、铜、锰、钥、铌、
钛、钨、铋、锆、锂、锑等的元素中的任何一个或多个。[0032]另外，玻璃料包含玻璃材料作为玻璃料材料(frit material)，作为玻璃料材料，例如可以使用氧化镁、氧化钙、氧化硼、氧化钒、氧化锌、氧化碲、氧化铝、二氧化硅、氧化铅、氧化锡、氧化磷、氧化钌、氧化错、氧化铁、氧化铜、二氧化猛、氧化钥、氧化银、氧化钛、氧化钨、氧化铋、氧化锆、氧化锂、氧化锑等中的任何一个或多个。此外，作为玻璃料材料，例如可以使用硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃或硼硅酸盐玻璃等中的任何一个或多个。为了吸收红外光，玻璃料优选包含至少一种以上的过渡金属。
[0033]在作为第一密封件105形成玻璃层的情况下，在第一衬底101或第二衬底104上涂敷浆状的玻璃料(玻璃料浆料(frit paste))。玻璃料浆料包含上述玻璃料材料及使用有机溶剂稀释的树脂(也称为粘合剂)。玻璃料浆料可以使用已知的材料及结构。例如，作为有机溶剂可以使用萜品醇、η- 丁基卡必醇乙酸酯等，此外，作为树脂可以使用乙基纤维素等。另外，也可以使用在玻璃料材料中添加有吸收激光的波长的光的吸收剂的玻璃料浆料。
[0034]此时，优选的是，第一衬底101及第二衬底104的热膨胀率近于用于第一密封件105的玻璃层的热膨胀率。两者的热膨胀率越近，越可以抑制由于热应力在玻璃层或衬底中产生裂缝。
[0035]在对接触于玻璃层的衬底或膜的粘合强度不够的情况下，使用玻璃料形成的玻璃层有时不能充分获得密封效果。在此情况下，水等杂质可能会从玻璃层与衬底或膜之间的界面侵入到像素部102或驱动电路部103a、103b中。
[0036]于是，以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的双方接触且填充第一衬底101与第二衬底104之间的间隙的方式设置第二密封件106。注意，虽然图1B示出第二密封件106与第一衬底101和第二衬底104的侧面的双方接触的例子，但是本发明的一个方式不局限于此，第二密封件106只要与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触，即可。
[0037]例如，作为第二密封件106，可以使用金属层或热可塑性树脂等。作为该金属层，例如可以使用包含铝、铅、镍等的金属材料或包含这些金属材料的合金材料。例如，也可以使用不锈钢材料。作为热可塑性树脂，例如可以使用聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚醋酸乙烯酯、聚四氟乙烯、ABS树脂、AS树脂、丙烯酸树脂等中的任何一个或多个的组合。通过使用金属层或热可塑性树脂以作为第二密封件106，从而可以提高机械强度。
[0038]例如，也可以通过利用焊接的方法或溅射法将该金属层直接形成在第一衬底101及第二衬底104的侧面或第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中。在作为金属层使用焊料的情况下，焊料的熔点优选低于第一密封件105的熔点。另外，也可以隔着具有粘合性的树脂层将箔状的金属、金属衬底、热可塑性树脂贴合在第一衬底101及第二衬底104的侧面。在此情况下，优选的是，以填充在第一衬底101及第二衬底104的侧面或第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置具有粘合性的树脂层。
[0039]另外，将第一密封件105及第二密封件106的宽度设定为Imm以下,优选设定为0.5mm以下。
[0040]如此，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置第二密封件106，从而可以在提高第一衬底101与第二衬底104之间的粘合强度的同时提高密封效果。另外，通过使用其透湿性低于第一密封件105的透湿性的材料以作为第二密封件106，从而可以抑制水等杂质混入到显示元件或晶体管中。由此，可以提高显示装置的可靠性。
[0041]另外，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置第二密封件106，与将第一密封件105及第二密封件106设置在第一衬底101与第二衬底104之间的情况相比，可以缩小边框。
[0042]<第二结构例>
下面，参照图1A和图1B对根据本发明的一个方式的显示装置的第二结构例进行说明。作为第一密封件105，例如使用树脂层。作为该树脂层，可以使用紫外线固化树脂等光固化树脂、热固化树脂、光热并用固化树脂等形成。作为光固化树脂，可以使用丙烯酸树脂、环氧树脂、胺树脂等。另外，作为光热并用固化树脂，可以使用将丙烯酸树脂和环氧树脂进行混合后的树脂。例如，通过使用光固化树脂，从而可以防止显示元件的劣化或施加使晶体管的特性变动的高温的热量，所以是优选的。通过使用树脂层以作为第一密封件105，从而可以加强粘合性或耐冲击性。
[0043]与玻璃层的密封性相比，树脂层的密封性难以防止水等杂质的侵入。在此情况下，水等杂质有可能会隔着树脂层侵入到像素部102或驱动电路部103a、103b中。
[0044]于是，以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置第二密封件106。例如，作为第二密封件106，可以使用上述玻璃层。
[0045]或者，作为第二密封件106，可以使用上述金属层或热可塑性树脂。通过使用金属层或热可塑性树脂以作为第二密封件106，从而可以提高机械强度。
[0046]另外，将第一密封件105及第二密封件106的宽度设定为Imm以下，优选设定为
0.5mm以下。
[0047]如此，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充第一衬底101与第二衬底104之间的间隙的方式设置第二密封件106，从而可以在提高第一衬底101与第二衬底104之间的粘合强度的同时提高密封效果。另外，通过使用其透湿性低于第一密封件105的透湿性的材料以作为第二密封件106，从而可以抑制水等杂质混入到显示元件或晶体管中。由此，可以提高显示装置的可靠性。
[0048]另外，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置第二密封件106，与将第一密封件105及第二密封件106设置在第一衬底101与第二衬底104之间的情况相比，可以缩小边框。
[0049]另外，在图1A和图1B中，在与第一衬底101上的由第一密封件105及第二密封件106围绕的区域不同的区域中安装有驱动电路部108。作为驱动电路部108，可以使用IC芯片或具有驱动电路的芯片等，该驱动电路中单晶半导体膜或多晶半导体膜形成在另行准备的衬底上。在图1A和图1B中，通过驱动电路部103a、103b和驱动电路部108，从FPC109提供给予像素部102的各种信号及电位。
[0050]虽然图1A和图1B示出使用第一密封件105及第二密封件106密封像素部102及驱动电路部103a、103b的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。既可以使用第一密封件105及第二密封件106仅密封像素部102，也可以使用第一密封件105及第二密封件106来密封像素部102、驱动电路部103a、103b、驱动电路部108。[0051]另外，虽然图1A和图1B示出另行形成驱动电路部108，将其安装在第一衬底101上的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。例如，既可以另行形成并安装驱动电路部103a、103b，也可以仅另行形成并安装驱动电路部103a、103b的一部分或驱动电路部108的一部分。
[0052]另外，如图2A和图2B所示，第二密封件106也可以具有两层结构。图2A和图2B示出第二密封件106具有两层结构的显示装置。图2A是显示装置的俯视图，图2B是沿着图2A的点划线B1-B2的剖视图。
[0053]如图2A所示，显示装置包括:设置在对置的第一衬底101与第二衬底104之间的具有显示元件的像素部102 ;驱动电路部103a、103b ;以围绕像素部102及驱动电路部103a、103b的外周的方式设置的第一密封件105 ;与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的第二密封件106a ;以及隔着第二密封件106a与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方及第一密封件105的侧面重叠的第二密封件106b (也称为第三密封件)。
[0054]第一密封件105、第二密封件106a和第二密封件106b中的至少一个的透湿性优选为低。另外，更优选的是，第二密封件106b的透湿性低于第一密封件105及第二密封件106a的透湿性。通过将透湿性低的材料用于第一密封件105、第二密封件106a和第二密封件106b中的至少一个，从而可以抑制作为杂质的物质(水等)通过第一密封件105及第二密封件106侵入到显示元件或晶体管中。由此，可以提高显示装置的可靠性。
[0055]<第三结构例>
下面，参照图2A和图2B对根据本发明的一个方式的显示装置的第三结构例进行说明。作为第一密封件105，例如可以使用上述玻璃层。另外，作为第二密封件106a，例如可以使用上述树脂层，作为第二密封件106b，例如可以使用上述金属层或热可塑性树脂。
[0056]〈第四结构例〉
下面，参照图2A和图2B对根据本发明的一个方式的显示装置的第四结构例进行说明。作为第一密封件105，例如可以使用上述树脂层。另外，作为第二密封件106a，例如可以使用上述玻璃层，作为第二密封件106b，例如可以使用上述金属层或热可塑性树脂。
[0057]如此，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充第一衬底101与第二衬底104之间的间隙的方式设置第二密封件106a，从而可以提高第一衬底101与第二衬底104之间的粘合强度。另外，通过使用其透湿性低于第一密封件105的透湿性的材料以作为第二密封件106b，可以抑制水等杂质混入到显示元件或晶体管中。由此，可以提高显示装置的可靠性。
[0058]另外，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置第二密封件106a，从而与将第一密封件105及第二密封件106a设置在第一衬底101与第二衬底104之间的情况相比，可以缩小边框。
[0059]下面，图3A示出其一部分与第三结构例不同的例子。
[0060]在作为第一密封件105形成玻璃层的情况下，如图3A所示，也可以在第一衬底101上形成成为虚设图案111的金属层。在该金属层上涂敷玻璃料浆料，通过激光的照射预焙烧玻璃料浆料，然后贴合第一衬底101和第二衬底104。接着，当从第二衬底104 —侧照射激光时，激光被吸收到虚设图案111，虚设图案111被加热。通过激光的照射和虚设图案111的热量，玻璃料浆料成为玻璃层。可以在形成像素部102所具有的晶体管或驱动电路部103a、103b所具有的晶体管的布线时，形成虚设图案111。另外，如图3A所示，第一密封件105只要与虚设图案111的至少一部分重叠即可。
[0061]作为用作虚设图案111的金属层，可以使用包含银、金、钼、镍、钨、铬、钥、铁、钴、铜、钯、铝、锰、钛、钽等金属元素的层或包含含有它们中的任何一个或多个元素的合金的层等。另外，用作虚设图案111的金属层只要是激光的透过率比第二衬底104低且包含金属元素的层即可，也可以应用上述金属元素的氧化物膜、氮化物膜或氧氮化物膜。此外，通过使用金属层和氧化硅膜的叠层膜以作为虚设图案111，从而可以提高玻璃料与氧化硅膜之间的密接性。
[0062]接着，图3B示出其一部分与第三结构例及第四结构例不同的结构例。
[0063]如图3B所示，还可以以与驱动电路部103a、103b重叠的方式设置密封件112。在以与驱动电路部103a、103b接触的方式设置密封件112的情况下，优选的是，在形成密封件112时，以不对驱动电路部103a、103b或像素部102施加热的方式来形成密封件112。因此，作为密封件112，优选使用光固化树脂。在以与驱动电路部103a、103b接触的方式设置密封件112的情况下，也可以不设置第一密封件105。另外，如图3B所示，密封件112既可以与驱动电路部103a的至少一部分重叠，也可以覆盖驱动电路部103a整体。密封件112既可以与驱动电路部103b的至少一部分重叠，也可以覆盖驱动电路部103b整体。
[0064]下面，图3C示出其一部分与第三结构例及第四结构例不同的结构例。
[0065]如图3C所示，以覆盖第二密封件106a的边缘且与第一衬底101及第二衬底104接触的方式设置第二密封件106b。通过采用这种结构，可以抑制水等杂质从第二密封件106a露出的部位混入到像素部102或驱动电路部103a、103b中。另外，虽然图3C示出第二密封件106与第一衬底101及第二衬底104的双方接触的例子，但是本发明的一个方式不局限于此，只要采用第二密封件106与第一衬底101和第二衬底104中的至少一方接触的结构即可。
[0066]如上所述，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充第一衬底101与第二衬底104之间的间隙的方式设置第二密封件106，从而可以提高第一衬底101与第二衬底104之间的粘合强度。另外，通过使用其透湿性低于第一密封件105的透湿性的材料以作为第二密封件106，从而可以抑制水等杂质混入到显示元件或晶体管中。由此，可以提高显示装置的可靠性。
[0067]另外，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置第二密封件106，从而与将第一密封件105及第二密封件106设置在第一衬底101与第二衬底104之间的情况相比，可以缩小边框。
[0068](实施方式2)
在本实施方式中，参照图4A1至图5C2对根据本发明的一个方式的显示装置的制造方法进行说明。尤其是，以图2A和图2B所示的显示装置为例子进行说明。
[0069]<第三结构例的制造方法>
首先，参照图4A1至图5C2对图2A和图2B所示的显示装置中的结构例3的制造方法进行说明。首先，在第一衬底101上形成像素部102、驱动电路部103a、103b (参照图4A1和图4A2)。具体而言，形成包括在像素部102中的显示元件、包括在驱动电路部103a、103b中的晶体管诸如控制显示元件的晶体管等。
[0070]接着，在第二衬底104上形成第一密封件105(参照图4B1和图4B2)。第一密封件105以当与第一衬底101对置地设置第二衬底104时围绕像素部102及驱动电路部103a、103b的方式设置。第一密封件105优选在惰性气氛(例如，稀有气体气氛或氮气氛)下或者在减压下形成。当在大气中等包含较多的水等杂质的环境下形成第一密封件105时，优选在形成后进行加热处理以作为脱水处理。在本制造方法中，第一密封件105使用光固化树脂形成。
[0071]接着，进行第一衬底101和第二衬底104的贴合(参照图4C1和图4C2)。以与第一密封件105密接的方式贴合第一衬底101和第二衬底104。
[0072]上述贴合工序在惰性气氛(例如，稀有气体气氛或氮气氛)下或者在减压下进行。通过在上述气氛下进行上述贴合工序，从而水等杂质不容易包含在空间110内。另外，优选在施加外压的同时进行上述贴合工序。在本制造方法中，在减压下进行上述贴合工序。
[0073]然后，通过对光固化树脂照射光而使光固化树脂固化，从而形成树脂层。光照射既可以从第一衬底101 —侧进行，也可以从第二衬底104—侧进行。另外，为了防止对像素部102等照射紫外光，优选使用遮蔽板。
[0074]接着，形成与第一衬底101及第二衬底104的侧面接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的第二密封件106a以及隔着第二密封件106a与第一衬底101和第二衬底104的侧面及第一密封件105的侧面重叠的第二密封件106b (参照图5A1和图5A2)。
[0075]在本制造方法中，使用玻璃料以作为第二密封件106a。通过将该玻璃料形成为浆状，利用分配法将玻璃料浆料滴落在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中，由此可以形成第二密封件106a。由于毛细现象，玻璃料浆料填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中。
[0076]在此，对玻璃料浆料进行加热(预焙烧)。此时，优选将加热温度设定为接近于所使用的玻璃料的玻璃化转变点的温度。例如，将其设定为300°C至400°C左右即可。
[0077]另外，作为第二密封件106b，使用金属层。作为第二密封件106b的形成方法，既可以将箔状的金属材料贴合在第二密封件106a上形成，又可以通过溅射法将金属材料形成在第二密封件106a上成膜，也可以通过焊接将金属材料涂敷在第二密封件106a上形成。在本制造方法中，通过焊接将金属材料涂敷在第二密封件106a上来形成第二密封件106b。
[0078]接着，对第二密封件106a、106b进行激光的照射(参照图5B1和图5B2)。在本实施方式中，通过从第一衬底101及第二衬底104的侧面一侧对第二密封件106a、106b照射激光，从而对玻璃料浆料进行加热(主焙烧)形成玻璃层以作为第二密封件106a。在此，为了抑制由于激光的照射对第一密封件105造成的热损伤(抑制用作第一密封件105的树脂层的劣化)，优选的是，第一密封件105不与第二密封件106a接触。
[0079]接着，使用各向异性导电层将连接有驱动电路部108的FPC109贴合在端子部(参照图5C1和图5C2)。
[0080]通过上述工序，可以制造显示装置。[0081 ]〈第四结构例的制造方法>
下面，参照图4A1至图5C2对图2A和图2B所示的显示装置中的第四结构例的制造方法进行说明。首先，与第三结构例同样，在第一衬底101上形成像素部102、驱动电路部103a、103b(参照图4A1和图4A2)。具体而言，形成包括在像素部102中的显示元件、包括在驱动电路部103a、103b中的晶体管诸如控制显不兀件的晶体管等。
[0082]接着，在第二衬底104上形成第一密封件105(参照图4B1和图4B2)。第一密封件105以当与第一衬底101对置地设置第二衬底104时围绕像素部102及驱动电路部103a、103b的方式设置。在本制造方法中，作为第一密封件105使用玻璃料。通过利用丝网印刷等印刷法或分配法等将浆状的玻璃料涂敷在第二衬底104上，来形成第一密封件105。
[0083]在此，对玻璃料浆料进行加热(预焙烧)。此时，优选将加热温度设定为接近于所使用的玻璃料的玻璃化转变点的温度。例如，将其设定为300°C至400°C左右即可。
[0084]当作为第一密封件105使用玻璃层时，优选对该玻璃层的上表面进行平坦化。通过对玻璃层的上表面进行平坦化，从而可以提高与第二衬底104之间的密接性。为了对玻璃层的上表面进行平坦化，也可以进行加压处理等。可以在预焙烧之前或在预焙烧之后进行该加压处理。
[0085]接着，进行第一衬底101和第二衬底104的贴合(参照图4C1和图4C2)。以与第一密封件105密接的方式贴合第一衬底101和第二衬底104。
[0086]接着，通过对第一密封件105照射激光(未图示)。通过对第一密封件105照射激光，对玻璃料浆料进行加热(主焙烧)，形成玻璃层以作为第一密封件105。另外，既可以从与第一衬底101或第二衬底104垂直的方向照射激光，也可以从与第一衬底101或第二衬底104平行的方向(衬底的侧面一侧)照射激光。
[0087]此外，在从与第一衬底101及第二衬底104平行的方向照射激光的情况下，也可以从以第一衬底101为基准面的10度至45度的角度照射激光。此时，通过将反射激光的光的膜设置在驱动电路部103a、103b上，从而可以高效地对玻璃料照射激光。另外，通过反射激光的光，从而可以减轻对设置在像素部102中的显示元件或晶体管造成的损伤。
[0088]接着，形成与第一衬底101及第二衬底104的侧面接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的第二密封件106a以及隔着第二密封件106a与第一衬底101和第二衬底104的侧面及第一密封件105的侧面重叠的第二密封件106b (参照图5A1和图5A2)。
[0089]在本制造方法中，作为第二密封件106a使用树脂层。通过利用分配法将液状树脂滴落在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙，由此可以形成第二密封件106b。由于毛细现象，液状树脂填充到第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中。
[0090]当作为树脂使用光固化树脂时，通过对光固化树脂照射光而使光固化树脂固化，从而形成树脂层。另外，当使用热固化树脂时，通过对热固化树脂进行加热而使其固化，从而形成树脂层。
[0091]另外，作为第二密封件106b，使用金属层。作为第二密封件106b的形成方法，既可以将箔状的金属材料贴合在第二密封件106a上形成，又可以通过溅射法将金属材料形成在第二密封件106a上成膜，也可以通过焊接将金属材料涂敷在第二密封件106a上形成。在本制造方法中，将箔状的金属材料贴合在第二密封件106a上来形成第二密封件106b。[0092]接着，使用各向异性导电层将连接有驱动电路部108的FPC109贴合在端子部(参照图5C1和图5C2)。
[0093]通过上述工序，可以制造显示装置。
[0094]通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置第二密封件106，从而可以提高第一衬底101与第二衬底104之间的粘合强度。另外，通过作为第二密封件106使用其透湿性低于第一密封件105的透湿性的材料，从而可以抑制水等杂质混入到显示元件或晶体管中。由此，可以提高显示装置的可靠性。
[0095]另外，通过以与第一衬底101和第二衬底104的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底101与第二衬底104之间的间隙中的方式设置第二密封件106，与将第一密封件105及第二密封件106设置在第一衬底101与第二衬底104之间的情况相比，可以缩小边框。
[0096](实施方式3)
在本实施方式中，参照图6A和图6B对根据本发明的一个方式的发光显示装置进行说明。
[0097]图6A和图6B示出根据本发明的一个方式的发光显示装置。图6A是发光显示装置的俯视图，图6B是沿着图6A中的点划线B1-B2的剖视图。
[0098]在根据本发明的一个方式的主动矩阵型发光显示装置中，在第一衬底201与第二衬底204之间设置有像素部202、扫描线驱动电路部203a、203b。另外，以围绕像素部202、扫描线驱动电路部203a、203b的外周的方式设置有第一密封件205。此外,在第一衬底201与第二衬底204之间的间隙填充第二密封件206a，该第二密封件206a与第一衬底201及第二衬底204的侧面接触。另外，第二密封件206b (也称为第三密封件)隔着第二密封件206a与第一衬底201和第二衬底204的侧面及第一密封件205的侧面重叠。此外，具有由第一衬底201、第二衬底204和第一密封件205围绕的空间210。
[0099]关于第一密封件205、第二密封件206a、206b，可以参照实施方式I及2所示的第一密封件105、第二密封件106a、106b的记载，因此省略详细说明。
[0100]另外，在图6A和图6B中，在与第一衬底201上的由第一密封件205至第三密封件206b围绕的区域不同的区域中安装有信号线驱动电路部208。作为信号线驱动电路部208，可以使用IC芯片或具有驱动电路的芯片等，该驱动电路中单晶半导体膜或多晶半导体膜形成在另行准备的衬底上。在图6A和图6B中，通过扫描线驱动电路部203a、203b和信号线驱动电路部208，从FPC209提供给予像素部202的各种信号及电位。
[0101]虽然图6A和图6B示出使用第一密封件205至第三密封件206b密封像素部202及扫描线驱动电路部203a、203b的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。既可以使用第一密封件205至第三密封件206b只密封像素部202，也可以使用第一密封件205至第三密封件206b密封像素部202、扫描线驱动电路部203a、203b、信号线驱动电路部208。
[0102]另外，虽然图6A和图6B示出另行形成信号线驱动电路部208，将其安装在第一衬底201上的例子，但是本发明的一个方式不局限于此。例如，既可以另行形成并安装扫描线驱动电路部，也可以仅另行形成并安装信号线驱动电路部的一部分或扫描线驱动电路部的一部分。
[0103]作为第一衬底201及第二衬底204，例如可以使用玻璃衬底等。[0104]像素部202由发光单元构成，该发光单元包括开关用晶体管140a、电流控制用晶体管140b以及与电流控制用晶体管140b的布线(源电极或漏电极)电连接的第一电极118。另外，以覆盖第一电极118的端部的方式设置有绝缘层124。
[0105]发光元件130包括第一电极118、含有发光性有机化合物的层(EL层)120及第二电极122。
[0106]扫描线驱动电路部203a、203b具有多个晶体管。图6A和图6B示出晶体管152、晶体管153。
[0107]对根据本发明的一个方式的发光显示装置中设置的晶体管的结构没有特别的限定，例如可以使用顶栅结构或者底栅结构的交错型和平面型等。另外，晶体管既可以具有形成有一个沟道形成区的单栅极结构，也可以具有形成有两个沟道形成区的双栅极结构或形成有三个沟道形成区的三栅极结构等多栅极结构。此外，还可以采用在形成沟道的半导体层的上下隔着栅极绝缘膜设置有两个栅电极层的双栅(dual gate )结构。在本实施方式中，作为用于像素部202的晶体管140a、140b，示出底栅结构的晶体管的例子，作为用于扫描线驱动电路部203a的晶体管152、153，示出双栅结构的晶体管的例子。
[0108]在此，对晶体管140a、晶体管140b、晶体管152和晶体管153的结构进行说明。
[0109]栅电极例如可以通过利用等离子体CVD法或溅射法等，并使用钥、钛、铬、钽、钨、铝、铜、钕、钪等金属材料或含有上述元素的合金材料，以单层或叠层方式来形成。
[0110]栅极绝缘层115、绝缘层114优选具有抑制杂质扩散到构成晶体管的半导体中的效果，例如可以利用等离子体CVD法或溅射法等，并使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝、氮氧化铝或氧化铪等无机绝缘膜。另外，作为绝缘层116，也可以使用氧化物层。作为上述氧化物层，例如可以使用其原子比为In:Ga =Zn=I:3:2的氧化物的层等。栅极绝缘层115及绝缘层114可以使用上述材料以单层结构或叠层结构形成。
[0111]另外，当作为半导体层使用氧化物半导体时，为了使氧化物半导体层处于氧过饱和的状态，优选的是，接触于氧化物半导体层的绝缘层(栅极绝缘层115及绝缘层114)包含过剩的氧。
[0112]作为包含过剩的氧的绝缘层，使用适当地设定利用等离子体CVD法或溅射法等的成膜条件而使膜中包含较多的氧的氧化硅膜、氧氮化硅膜。另外，也可以通过离子注入法、离子掺杂法或等离子体处理添加氧。
[0113]再者，优选的是，以配置在包含过剩的氧的绝缘层的外侧的方式设置抑制氧化物半导体层的氧的释放的阻挡层。
[0114]通过由包含过剩的氧的绝缘层或阻挡层覆盖氧化物半导体层，可以实现如下状态:在氧化物半导体层中氧的量与化学计量组成大致一致的状态或氧比化学计量组成多的过饱和的状态。
[0115]作为半导体层，可以使用氧化物半导体。
[0116]作为上述氧化物半导体，例如可以使用In类金属氧化物、Zn类金属氧化物、In-Zn类金属氧化物或In-Ga-Zn类金属氧化物等。此外，也可以使用包含其他金属元素代替包含在上述In-Ga-Zn类金属氧化物中的Ga的一部分或全部的金属氧化物。
[0117]此外，上述氧化物半导体也可以具有结晶。例如，上述氧化物半导体也可以是多晶或单晶。此外，上述氧化物半导体也可以是非晶。[0118]作为上述其他金属元素，例如可以使用与镓相比能够结合于更多的氧原子的金属元素诸如钛、锆、铪、锗和锡中的任何一种或多种元素。另外，作为上述其他金属元素，可以使用镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钦、铒、铥、镱和镥中的任何一种或多种元素。这些金属元素具有稳定剂的功能。这些金属元素的添加量是能使该金属氧化物用作半导体的添加量。通过使用与镓相比能够结合于更多的氧原子的金属元素且对金属氧化物中供应氧，从而可以减少金属氧化物中的氧缺陷。
[0119]而且，例如也可以使用原子比为In:Ga:Zn= 1:1:1的第一氧化物半导体层、原子比为In:Ga:Zn = 3:1:2的第二氧化物半导体层和原子比为In:Ga:Zn = 1:1:1的第三氧化物半导体层的叠层来构成半导体层。通过使用上述叠层来构成半导体层，从而例如可以提闻晶体管的场效应迁移率。
[0120]在上述包括氧化物半导体的晶体管中，因为带隙宽所以起因于热激发的泄漏电流少。而且，空穴的有效质量重，为10以上，隧道势垒的高度高，为2.SeV以上。由此，隧道电流少。而且，半导体层中的载流子极少。因此，可以降低关态电流(off-state current)ο例如，在室温(25°C)下，每沟道宽度Iym的关态电流为1X10_19A (IOOzA)以下。优选的是，为IXlO-22A (IOOyA)以下。虽然晶体管的关态电流越低越好，但是晶体管的关态电流的下限值可以被估计为I X IO-30A/ μ m。
[0121]此外，并不局限于上述氧化物半导体层，作为半导体层可以使用包含14族(硅等)元素的半导体层。例如，作为包含硅的半导体层，可以使用单晶硅层、多晶硅层或非晶硅层等。
[0122]例如，通过尽量去除氢或水等杂质且供应氧来尽量减少氧缺陷，从而可以制造上述包括氧化物半导体的晶体管。此时，在沟道形成区中，将被称为施主杂质的氢的量降低到当使用二次离子质谱分析法(也称为SIMS:Secondary 1n Mass Spectrometry)时的测量值为I X IO1Vcm3以下，优选为I X IO1Vcm3以下。
[0123]通过将被高纯度化的氧化物半导体层用于场效应晶体管，从而可以将氧化物半导体层的载流子密度设定为低于I X IO1Vcm3,优选为低于I X IO1Vcm3,更优选为低于I X IO11/cm3。如此，通过减少载流子密度，从而可以将每沟道宽度Iym的场效应晶体管的关态电流抑制为IXlO-19A (IOOzA)以下，优选为IXlO-22A (IOOyA)以下。场效应晶体管的关态电流越低越好，但是，场效应晶体管的关态电流的下限值被估计大约为I X IO-30A/ μ m。
[0124]下面，说明氧化物半导体层的结构。
[0125]氧化物半导体层大致分为非单晶氧化物半导体层和单晶氧化物半导体层。非单晶氧化物半导体层包括 CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor:c 轴取向结晶氧化物半导体)层、多晶氧化物半导体层、微晶氧化物半导体层及非晶氧化物半导体层等。
[0126]首先，对CAAC-OS层进行说明。
[0127]CAAC-OS层是包括多个c轴取向的结晶部的氧化物半导体层之一。
[0128]在通过透射电子显微镜(TEM!Transmission Electron Microscope)观察CAAC-0S层时，观察不到结晶部与结晶部之间的明确的边界，即晶界(grain boundary)。因此,在CAAC-OS层中，不容易发生起因于晶界的电子迁移率的降低。
[0129]在利用TEM从大致平行于样品面的方向观察CAAC-OS层(观察截面TEM)时，可知在结晶部中金属原子排列为层状。各金属原子层具有反映形成CAAC-OS层的面(也称为被形成面)或CAAC-OS层的上表面的凸凹的形状并以平行于CAAC-OS层的被形成面或上表面的方式排列。
[0130]注意，在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下来进行配置的状态。因此也包括角度为-5°以上且5°以下的情况。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下来进行配置的状态，因此也包括角度为85°以上且95°以下的情况。
[0131]在本说明书中，在结晶为三方晶系或菱方晶系的情况下，表示为六方晶系。
[0132]另一方面，在利用TEM从大致垂直于样品面的方向观察CAAC-OS层(观察平面TEM)时，可知在结晶部中金属原子排列为三角形状或六角形状。但是，在不同的结晶部之间金属原子的排列没有规律性。
[0133]通过观察截面TEM及平面TEM可知，CAAC-OS层的结晶部具有取向性。
[0134]注意，CAAC-OS层所包含的结晶部几乎都是可以收容在一个边长小于IOOnm的立方体内的尺寸。因此，有时包括在CAAC-OS层中的结晶部为能够收容在一个边长小于10nm、小于5nm或小于3nm的立方体内的尺寸。但是，有时包括在CAAC-OS层中的多个结晶部联结，从而形成一个大结晶区。例如，在平面TEM图像中有时会观察到2500nm2以上、5 μ m2以上或1000 μ m2以上的结晶区。
[0135]在使用X射线衍射(XRD:X_Ray Diffraction)装置对CAAC-0S层进行结构分析时，例如，当利用平面外(out-of-plane)方法分析包括InGaZnO4的结晶的CAAC-OS层时,有时会在衍射角(2 Θ )为31°附近时出现峰值。由于该峰值来源于InGaZnO4结晶的(009)面，由此可知CAAC-OS层中的结晶具有c轴取向性，并且c轴朝向大致垂直于CAAC-OS层的被形成面或上表面的方向。
[0136]另一方面，当利用从大致垂直于c轴的方向使X线入射到样品的平面内(in-plane)方法分析CAAC-OS层时，有时会在2 Θ为56°附近时出现峰值。该峰值来源于InGaZnO4结晶的(110)面。在此，若该样品是InGaZnO4的单晶氧化物半导体层，则在将2Θ固定为56°附近并在以样品面的法线向量为轴(φ轴)旋转样品的条件下进行分析(φ扫描)时，出现六个峰值，该六个峰值来源于等价于(110)面的结晶面。另一方面，当该样品是CAAC-OS层时，即使在将2 Θ固定为56°附近的状态下进行Φ扫描，也不能观察到明确的峰值。
[0137]由上述结果可知，在CAAC-OS层中，虽然a轴及b轴的取向在不同结晶部之间不规贝U，但是具有c轴取向性，且c轴都朝向平行于被形成面或上表面的法线向量的方向。因此，在观察上述截面TEM时确认到的排列为层状的各金属原子层相当于与结晶的ab面平行的面。
[0138]注意，结晶部在形成CAAC-OS层时或进行加热处理等晶化处理时形成。如上所述，结晶的c轴朝向平行于CAAC-OS层的被形成面或上表面的法线向量的方向取向。由此，例如，当CAAC-OS层的形状因蚀刻等而发生改变时，结晶的c轴有时也会不平行于CAAC-OS层的被形成面或上表面的法线向量。
[0139]此外，CAAC-OS层中，c轴取向的结晶部的分布也可以不均匀。例如，在CAAC-0S层的结晶部通过从CAAC-OS层的上表面附近产生的结晶生长而形成的情况下，有时上表面附近的区域中，C轴取向的结晶部的比例会高于被形成面附近的区域。另外，在对CAAC-OS层添加杂质时，有时被添加杂质的区域会变质，而部分性地形成c轴取向的结晶部的比例不同的区域。
[0140]注意，当利用平面外(out-of-plane)方法分析包括InGaZnO4结晶的CAAC-0S层时，除了在2 Θ为31°附近的峰值之外，有时还在2 Θ为36°附近观察到峰值。2 Θ为36°附近的峰值意味着C A A C - O S层的一部分中含有不具有c轴取向性的结晶。优选的是，在CAAC-OS层中在2 Θ为31°附近时出现峰值而在2 Θ为36°附近时不出现峰值。
[0141]CAAC-OS层是杂质浓度低的氧化物半导体层。杂质是指氢、碳、硅以及过渡金属元素等氧化物半导体层的主要成分以外的元素。尤其是，与氧的键合力比构成氧化物半导体层的金属元素强的硅等元素会夺取氧化物半导体层中的氧，从而打乱氧化物半导体层的原子排列，导致结晶性下降。另外，由于铁或镍等的重金属、氩、二氧化碳等的原子半径(或分子半径)大，所以如果包含在氧化物半导体层内，则会打乱氧化物半导体层的原子排列，导致结晶性下降。此外，包含在氧化物半导体层中的杂质有时会成为载流子陷阱或载流子发生源。
[0142]另外，CAAC-OS层是缺陷能级密度低的氧化物半导体层。例如，氧化物半导体层中的氧缺陷有时会成为载流子陷阱，或因俘获氢而成为载流子发生源。
[0143]将杂质浓度低且缺陷能级密度低(氧缺陷的个数少)的状态称为“高纯度本征”或“实际高纯度本征”。在高纯度本征或实际高纯度本征的氧化物半导体层中载流子发生源少，所以可以降低载流子密度。因此，采用该氧化物半导体层的晶体管很少具有负阈值电压的电特性(也称为常导通特性)。此外，在高纯度本征或实际高纯度本征的氧化物半导体层中载流子陷阱少。因此，采用该氧化物半导体层的晶体管的电特性变动小，于是成为可靠性高的晶体管。注意，被氧化物半导体层的载流子陷阱俘获的电荷直到被释放所需要的时间长，有时会像固定电荷那样动作。所以，采用杂质浓度高且缺陷能级密度高的氧化物半导体层的晶体管有时电特性不稳定。
[0144]此外，在采用CAAC-OS层的晶体管中，由可见光或紫外光的照射导致的电特性变动小。
[0145]接下来，说明微晶氧化物半导体层。
[0146]在使用--Μ观察微晶氧化物半导体层时的图像中，有时无法明确地确认到结晶部。微晶氧化物半导体层中含有的结晶部的尺寸大多为1nm以上且1OOnm以下，或Inm以上且1Onm以下。尤其是，将具有尺寸为1nm以上且1Onm以下或1nm以上且3nm以下的微晶即纳米晶(nc:nanocrystal)的氧化物半导体层称为nc_0S (nanocrystalline OxideSemiconductor:纳米晶氧化物半导体)层。另外，例如在使用TEM观察nc_0S层时的图像中，有时无法明确地确认到晶粒界面。 [0147]nc-0S层在微小区域(例如Inm以上且1Onm以下的区域,特别是1nm以上且3nm以下的区域)中其原子排列具有周期性。另外，nc-OS层在不同的结晶部之间观察不到晶体取向的规律性。因此，在膜整体中观察不到取向性。所以，有时nc-OS层在某些分析方法中与非晶氧化物半导体层没有差别。例如，在利用使用直径比结晶部大的X射线的XRD装置对nc-OS层进行结构分析时，在利用out-of-plane法进行的分析中，检测不出表示结晶面的峰值。此外，在使用其探针的直径(例如，50nm以上)大于结晶部的电子束来对nc-OS层进行电子束衍射(也称为选区电子衍射)时，观察到类似光晕图案的衍射图像。另一方面，在使用其探针的直径接近于或小于结晶部的电子束(例如，Inm以上且30nm以下)来对nc_OS层进行电子束衍射(也称为纳米束电子衍射)时，观察到斑点。另外，在对于nc-OS层进行纳米束电子衍射时，有时观察到如圆圈那样的(环状的)亮度高的区域。而且，在对于nc-OS层进行纳米束电子衍射时，有时还观察到环状的区域内的多个斑点。
[0148]nc-OS层是规律性比非晶氧化物半导体层高的氧化物半导体层。因此，nc_0S层的缺陷能级密度比非晶氧化物半导体层低。但是，nc-OS层在不同的结晶部之间观察不到晶面取向的规律性。所以，nc-OS层的缺陷能级密度比CAAC-OS层高。
[0149]注意，氧化物半导体层例如也可以是包括非晶氧化物半导体层、微晶氧化物半导体层和CAAC-OS层中的两种以上的叠层膜。
[0150]例如，可以使用溅射法形成CAAC-OS的氧化物半导体层。此时，使用多晶的氧化物半导体溅射靶材进行溅射。当离子碰撞到该溅射靶材时，有时包含在溅射靶材中的结晶区域从a-b面劈开，即作为具有平行于a-b面的面的平板状或颗粒状的溅射粒子进行剥离。此时，由于上述溅射粒子保持结晶状态到达衬底，从而溅射靶材的结晶状态转印到衬底上。由此，可以形成CAAC-OS。
[0151]另外，为了形成CAAC-OS，优选采用如下条件。
[0152]例如，通过在降低杂质浓度的情况下形成CAAC-0S，从而可以抑制由杂质导致的氧化物半导体的结晶状态的破坏。例如，优选降低存在于成膜室内的杂质(氢、水、二氧化碳及氮等)。另外，优选降低成膜气体中的杂质。例如，优选使用露点为_80°C以下，进一步优选为-100°C以下的成膜气体。
[0153]此外，优选增高成膜时的衬底温度。通过增高上述衬底温度，从而当平板状的溅射粒子到达衬底时，发生溅射粒子的迁移，使溅射粒子朝向平坦面附着到衬底上。例如，通过将衬底加热温度设定为100°C以上且740°C以下，优选为200°C以上且500°C以下来形成氧化物半导体膜，从而形成氧化物半导体层。
[0154]此外，优选增高成膜气体中的氧的比例并使电力最优化来抑制成膜时的等离子体损伤。例如，将成膜气体中的氧的比例设定为30体积％以上，优选为100体积％。
[0155]作为源电极层及漏电极层，例如可以使用含有选自Al、Cr、Cu、Ta、T1、Mo、W中的元素的金属膜或者含有该元素的金属氮化物膜(氮化钛膜、氮化钥膜、氮化钨膜)等。此外，也可以采用在Al、Cu等金属膜的下侧或上侧中的一方或双方层叠T1、Mo、W等高熔点金属膜或这些元素的金属氮化物膜(氮化钛膜、氮化钥膜、氮化钨膜)的结构。另外，源电极层及漏电极层也可以使用导电金属氧化物形成。作为导电金属氧化物，例如可以使用氧化铟(In2O3等)、氧化锡(SnO2等)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ΙΤ0)、氧化铟氧化锌(In2O3-ZnO等)、或者使这些金属氧化物材料含有氧化硅的材料。
[0156]为了减少起因于晶体管的表面凹凸，作为绝缘层116优选选择具有平坦化功能的绝缘膜。例如，可以使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯类树脂等有机材料。此外，除了上述有机材料之外，还可以使用低介电常数材料(low-k材料)等。另外，也可以通过层叠多个由上述材料形成的绝缘膜来形成绝缘层116。
[0157]另外，晶体管152及晶体管153在绝缘层116上分别具有电极层。该电极层用作背栅电极层。例如，在η沟道型晶体管的情况下，也可以将上述背栅与源极之间的电压设为负电压。由此，可以使晶体管的阈值电压向正方向漂移。另外，也可以将上述背栅固定为恒定电位(例如，0V)。通过将背栅电极层设置在驱动电路部中的晶体管中，控制背栅电位，从而可以控制晶体管的阈值电压。另外，背栅电极层也可以在半导体层上隔着绝缘层114设置。
[0158]以覆盖第一电极118的端部的方式设置有绝缘层124。为了使形成在绝缘层124上层的第二电极122的覆盖性较好，优选在绝缘层124的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，优选的是，使绝缘层124的上端部或下端部包括具有曲率半径(0.2 μ m至3 μ m)的曲面。另外，作为绝缘层124的材料，可以使用诸如负性光敏树脂或正性光敏树脂等的有机化合物或诸如氧化硅、氧氮化硅等无机化合物。另外，在驱动电路部中，也可以去除绝缘层 124。
[0159]发光兀件130由第一电极118、EL层120、第二电极122构成。第一电极118设置在与取出光的一侧相反的一侧，并使用具有反射性的材料形成。作为具有反射性的材料，可以使用铝、金、钼、银、镍、钨、铬、钥、铁、钴、铜、或钯等金属材料。另外，也可以将镧、钕或锗包含在它们的金属材料或包含该金属材料的合金中。除此之外，也可以使用铝和钛的合金、铝和镍的合金、铝和钕的合金等含有铝的合金(铝合金)或者银和铜的合金等含有银的合金。银和铜的合金具有高耐热性，所以是优选的。
[0160]EL层120至少具有含有发光物质的层(发光层)。此外，可以构成适当地组合如下层的层叠结构:包含电子传输性高的物质的层；包含空穴传输性高的物质的层；包含电子注入性高的物质的层；包含空穴注入性高的物质的层；以及包含双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)的层等。在实施方式3中对EL层的构成例子进行详细说明。
[0161]作为可以用于第二电极122的具有透光性的材料，可以使用氧化铟、ΙΤ0、氧化铟氧化锌、氧化锌、添加有镓的氧化锌等。
[0162]另外，作为第二电极122，可以使用金、钼、镍、钨、铬、钥、铁、钴、铜、钯、钛等金属材
料。或者，也可以使用这些金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。另外，也可以使用石墨烯。另外，当使用金属材料(或者其氮化物)时，将第二电极122形成得较薄以使其薄到具有透光性的程度即可。
[0163]在第二衬底204的与发光元件130重叠的位置设置有滤色片166。为了对来自发光元件130的发光颜色进行调色，设置滤色片166。例如，当使用白色发光的发光元件制造全彩色显示装置时，使用设置有不同颜色的滤色片的多个发光单元。此时，既可以使用红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的三种颜色，也可以使用上述三种颜色加上黄色(Y)的四种颜色。
[0164]另外，在彼此相邻的滤色片166之间设置有黑矩阵164。黑矩阵164遮挡来自相邻的发光单元的发光元件130的光，来抑制彼此相邻的发光单元之间的混色。在此，通过以与黑矩阵164重叠的方式设置滤色片166的端部，从而可以抑制光泄漏。作为黑矩阵164可以使用遮挡来自发光元件130的发光的材料，可以使用金属或有机树脂等材料来形成。另夕卜，黑矩阵164也可以设置在像素部202以外的区域中，诸如扫描线驱动电路部203a、203b
由T寸。
[0165]另外，还形成有覆盖滤色片166及黑矩阵164的保护层168。保护层168包括透过来自发光元件130的发光的材料，例如可以使用无机绝缘膜或有机绝缘膜。另外，若不需要，也可以不设置保护层168。[0166]如图6A和图6B所示，除了用来贴合第一衬底201和第二衬底204的第一密封件205之外，还设置与第一衬底201的侧面和第二衬底204的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底201与第二衬底204之间的间隙中的第二密封件206a、206b。第一密封件205和第二密封件206a、206b中的至少一方的透湿性优选为低。另外，更优选的是，第二密封件206a、206b的透湿性低于第一密封件205的透湿性。通过将透湿性低的材料用于第一密封件205和第二密封件206a、206b中的至少一方，从而可以抑制作为杂质的物质(水等)通过第一密封件205及第二密封件206侵入到显示元件或晶体管中。
[0167]通过采用上述结构，从而可以防止水等杂质混入到发光元件130中。由此，可以抑制包含在发光元件130中的有机化合物或金属材料与水等杂质起反应而劣化。另外，可以防止水混入到晶体管140a、140b、152、153所具有的氧化物半导体层中。由此，可以抑制使用氧化物半导体层的晶体管的电特性发生变动。因此，可以提高显示装置的可靠性。
[0168]另外，通过以与第一衬底201和第二衬底204的侧面的至少一方接触且填充在第一衬底201与第二衬底204之间的间隙中的方式设置第二密封件206，从而与将第一密封件205及第二密封件206设置在第一衬底201与第二衬底204之间的情况相比，可以缩小边框。
[0169]本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
[0170](实施方式4)
在本实施方式中，参照图7A至图7C对能够用于本发明的一个方式的发光显示装置的EL层的结构例进行说明。
[0171]作为EL层可以使用已知的物质，也可以使用低分子类化合物和高分子类化合物中的任一个。另外，形成EL层的物质不仅包括只由有机化合物构成的结构，而且包括其一部分含有无机化合物的结构。
[0172]在图7A中，在第一电极118和第二电极122之间设置有EL层120。图7A所示的EL层120从第一电极118 —侧依次层叠有空穴注入层701、空穴传输层702、发光层703、电子传输层704及电子注入层705。
[0173]如图7B所示的那样，在第一电极118和第二电极122之间也可以层叠有多个EL层。在该情况下，优选在层叠的第一EL层120a和第二 EL层120b之间设置电荷产生层709。具有这种结构的发光元件不容易产生能量的移动或猝灭等问题，并且，由于可以选择的材料的范围更广，因此容易得到兼有高发光效率和长寿命的发光元件。另外，也容易从一方的EL层得到磷光发光，并从另一方的EL层得到荧光发光。这种结构可以与上述EL层的结构组合而使用。
[0174]另外，通过使每个EL层的发光颜色互不相同，从而作为整个发光元件可以得到所希望的颜色的发光。例如，在具有两个EL层的发光元件中，通过使第一 EL层和第二 EL层的发光颜色成为互补色关系，从而作为整个发光元件也可以得到发射白色光的发光元件。另外，“互补色”是指在混合时成为无色的颜色之间的关系。即，通过将从发射互补色光的物质得到的光进行混合，可以得到白色发光。同样原理可以应用于具有三个以上的EL层的发光元件。
[0175]如图7C所示的那样，EL层120也可以在第一电极118与第二电极122之间具有空穴注入层701、空穴传输层702、发光层703、电子传输层704、电子注入缓冲层706、电子中继层(electron-relay layer) 707以及与第二电极122接触的复合材料层708。
[0176]通过设置与第二电极122接触的复合材料层708，从而特别是在利用溅射法形成第二电极122时，可以降低EL层120所受到的损伤，所以是优选的。
[0177]因为通过设置电子注入缓冲层706，可以缓和复合材料层708与电子传输层704之间的注入势垒，所以可以将在复合材料层708中产生的电子容易地注入到电子传输层704中。
[0178]优选在电子注入缓冲层706与复合材料层708之间形成电子中继层707。虽然不一定必须设置电子中继层707，但是通过设置电子传输性高的电子中继层707，可以将电子迅速地传送到电子注入缓冲层706。
[0179]在复合材料层708和电子注入缓冲层706之间夹持电子中继层707的结构是复合材料层708所包含的受主物质和电子注入缓冲层706所包含的施主物质彼此不容易相互作用，并且不容易互相影响各自的功能的结构。因而，可以抑制驱动电压的升高。
[0180]以下例示可以用于各层的材料。注意，各层不局限于单层，而也可以采用两层以上
的叠层。
[0181]空穴注入层701是包含具有高空穴注入性的物质的层。作为具有高空穴注入性的物质，例如可以使用金属氧化物，诸如氧化钥、氧化钛、氧化钒、氧化铼、氧化钌、氧化铬、氧化锆、氧化铪、氧化钽、氧化银、氧化钨和氧化锰等；或者酞菁类化合物等，诸如酞菁铜(II)(缩与:CuPc)等。
[0182]或者，可以使用如下低分子有机化合物的芳香胺化合物等，诸如4，4’，4” -三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(缩写:TDATA)、4，4’，4”_三[N_(3_甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(缩写=MTDATA)、4，4’ -双[N-(4- 二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(缩写:DPAB)、4，4’_双(N-{4-[N’-(3-甲基苯基)-N’-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯(缩写:DNTro)、I, 3，5-三[N- (4- 二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(缩写:DPA3B)、3- [N- (9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写:PCzPCAl)、3，6-双[N- (9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(缩写:PCzPCA2)、3- [N- (1-萘基)-N- (9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(缩写:PCzPCNl)等。
[0183]另外，可以使用高分子化合物。例如可以使用高分子化合物，诸如聚(N-乙烯基咔唑)(缩写:PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(缩写:PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N’ -苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](缩写:PTPDMA)、聚[N，N’ -双(4- 丁基苯基)-N，N’_双(苯基)联苯胺](缩写=Poly-TPD)等。此外，还可以使用添加有诸如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等酸的高分子化合物。
[0184]尤其是，作为空穴注入层701，优选使用使空穴传输性高的有机化合物包含受主物质的复合材料。通过使用使空穴传输性高的物质包含受主物质的复合材料，从而可以使从第一电极118注入空穴时的空穴注入性良好，可以降低发光元件的驱动电压。这些复合材料通过共蒸镀空穴传输性高的物质和受主物质来可以形成。通过使用该复合材料形成空穴注入层701，从而容易将空穴从第一电极118注入到EL层120。
[0185]作为用于复合材料的有机化合物，优选使用空穴迁移率为10_6cm2/Vs以上的物质。注意，只要是空穴传输性大于电子传输性的物质，则还可以使用上述物质之外的物质。下面，具体地例举可以用于复合材料的有机化合物。
[0186]作为可以用于复合材料的有机化合物，例如可以使用如下材料:芳香胺化合物，诸如 TDATA、MTDATA, DPAB, DNTPD, DPA3B、PCzPCAl、PCzPCA2、PCzPCNl、4, 4’ -双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(缩写:NPB或a-NPD)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-[I, I’ -联苯]_4，4’ - 二胺(缩写:TPD)、4_苯基-4，-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(缩写=BPAFLP)等；以及咔唑衍生物，诸如4，4’ - 二 (N-咔唑基)联苯(缩写:CBP)、I, 3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(缩写:TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(缩写:CzPA)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(缩写:PCzPA)、1，4-双[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。
[0187]此外，可以使用如下芳香烃化合物，诸如2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(缩写:t-BuDNA)、2_叔丁基-9，10- 二 (1-萘基)蒽、9，10-双(3，5- 二苯基苯基)蒽(缩写:DPPA)、2-叔丁基-9，10-双(4-苯基苯基)蒽(缩写:t_BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(缩写:DNA)、9，10- 二苯基惠(缩写:DPAnth)、2-叔丁基蒽(缩写:t_BuAnth)、9，10-双(4-甲基-1-萘基)蒽(缩写:DMNA)、9，10-双[2-(1-萘基)苯基)_2_叔丁基蒽、9，10-双[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽等。
[0188]或者，可以使用如下芳香烃化合物，诸如2，3，6，7-四甲基_9，10- 二(2_萘基)恩、9，9’ _联恩、10, 10’ - 二苯基_9，9’ _联恩、10, 10’ -双(2_苯基苯基)-9，9’ _联恩、10，10，-双[(2，3,4, 5，6-五苯基)苯基]_9，9’-联蒽、蒽、并四苯、红荧烯、茈、2，5,8, 11-四(叔丁基)茈、并五苯、晕苯、4，4’ -双(2，2- 二苯基乙烯基)联苯(缩写:DPVBi)、9，10-双[4-(2, 2- 二苯基乙烯基)苯基]蒽(缩写:DPVPA)等。
[0189]另外，可以使用高分子化合物例如PVK、PVTPA、PTPDMA或Poly-Tro等。
[0190]作为电子受体，可以举出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(缩写:F4-TCNQ)、氯醌等有机化合物或过渡金属氧化物。另外，还可以举出属于元素周期表第4族至第8族的金属的氧化物。具体而言,优选使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钥、氧化钨、氧化锰和氧化铼，因为这些它们具有高电子接受性。其中，尤其优选使用氧化钥，因为氧化钥在大气中也稳定，吸湿性低，容易处理。
[0191]空穴传输层702是包含空穴传输性高的物质的层。作为空穴传输性高的物质，例如可以使用芳香胺化合物，诸如NPB、TPD、BPAFLP.4, 4’ -双[N- (9，9- 二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(缩写:DFLDPBi)或4，4’ -双[N_(螺环-9，9’ -联芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(缩写:BSPB)等。在此所述的物质主要是其空穴迁移率为10-6cm2/Vs以上的物质。注意，只要是空穴传输性大于电子传输性的物质，则也可以使用上述物质之外的物质。
[0192]另外，作为空穴传输层702，也可以使用CBP、CzPA、PCzPA等咔唑衍生物、t-BuDNA、DNA、DPAnth等蒽衍生物或PVK、PVTPA, PTPDMA或Poly-TTO等高分子化合物。
[0193]发光层703例如可以使用发射突光的突光化合物或发射磷光的磷光化合物。
[0194]在可以用于发光层703的突光化合物中，例如作为发射蓝光的材料可以举出N，N’-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基联苯乙烯-4，4’- 二胺(缩写:YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(缩写:YGAPA)、4_ (10-苯基-9-蒽基)-4’-(9_苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(缩写:PCBAPA)等。另外，作为发射绿光的发光材料可以举出N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(缩写:2PCAPA)、N-[9，10-双(I, I’-联苯-2-基)-2-蒽基]-N, 9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(缩写:2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(缩写:2DPAPA)、N-[9，10-双(I, I，-联苯-2-基)_2_ 蒽基]-N，N，，N，-三苯基-1, 4-苯二胺(缩写:2DPABPhA)、N-[9，10-双(I, I，-联苯-2-基)]-N-[4_(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(缩写:2YGABPhA)、N, N, 9-三苯蒽~9~胺(缩写=DPhAPhA)等。作为发射黄光的发光材料可以举出红荧烯、5，12-双(1，1’-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(缩写:BPT)等。另外，作为发射红光的发光材料可以举出N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(缩写:p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)苊并(acenaphtho) [I, 2_a]突蒽-3，10- 二胺(缩写:pnPhAFD)等。
[0195] 另外，在可以用于发光层703的磷光化合物中，例如作为发射蓝光的发光材料可以举出四(1-吡唑基)硼酸双[2-(4’，6’_ 二氟苯基)吡啶_N，C2’]铱(III)(缩写:FIr6)、吡啶甲酸双[2-(4’，6’_ 二氟苯基)吡啶-N，C2’]铱(III)(缩写:FIrpic)、吡啶甲酸双{2-[3’，5’_ 双(三氟甲基)苯基]吡啶 _N，C2’}铱(III)(缩写:Ir(CF3ppy)2 (pic))、乙酰丙酮双[2_(4’，6’_ 二氟苯基)吡啶_N，C2’]铱(III)(缩写:FIr(acac))等。作为发射绿光的发光材料可以举出三(2-苯基吡啶-N，C2’)铱(111)(缩写:Ir(ppy)3)、乙酰丙酮双(2-苯基吡啶-N，C2’)铱(III)(缩写:lr(ppy)2(acac))、乙酰丙酮双(1，2-二苯基-1H-苯并咪唑)铱(III)(缩写:lr(pbi)2(acac))、乙酰丙酮双(苯并[h]喹啉)铱(III)(缩写:Ir (bzq)2 (acac))、三(苯并[h]喹啉)铱(III)(缩写:Ir (bzq) 3)等。另夕卜，作为发射黄光的发光材料可以举出乙酰丙酮双(2，4-二苯基-1，3-噁唑-N，C2’)铱(III)(缩写:lr(dp0)2(acac))、乙酰丙酮双[2_(4’-(全氟苯基苯基)吡啶]铱(III)(缩写:Ir(p-PF-ph)2(aCaC))、乙酰丙酮双(2-苯基苯并噻唑-N，C2’)铱(III)(缩写:Ir(bt)2(acac))、(乙酰丙酮)双[2，3_双(4_氟苯基)_5_甲基吡嗪]铱(III)(缩写=Ir(Fdppr-Me) 2 (acac))、(乙酰丙酮)双[2- (4_甲氧基苯基)_3，5_ 二甲苯卩比嗪]铱(III)(缩写:Ir (dmmoppr) 2 (acac))等。作为发射橙色光的发光材料可以举出三(2-苯基喹啉_N，C2’)铱(III)(缩写:Ir(pq)3)、乙酰丙酮双(2_苯基喹啉-N，C2’)铱(III)(缩写:Ir (pq)2(acac))、(乙酰丙酮)双(3，5-二甲基-2-苯基卩比嗪)铱(III)(缩写:Ir (mppr_Me)2(acac))、(乙酰丙酮)双(5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)铱(III)(缩写:Ir (mppr-1Pr)2 (acac))等。作为发射红光的发光材料可以举出有机金属配合物，诸如:乙酰丙酮双[2_(2’_ 苯并[4，5_α]噻吩基)吡啶 _N，C3’)铱(III)(缩写:Ir (btp) 2 (acac))、乙酰丙酮双(1-苯基异喹啉-N，C2’)铱(III)(缩写:Ir (piq)2 (acac)、(乙酰丙酮)双[2，3_双(4-氟苯基)喹喔啉]铱(III)(缩写:Ir (Fdpq)2 (acac))、(乙酰丙酮)双[2，3，5_三苯基吡嗪]铱(III)(缩写:lr(tppr)2(acac))、(二新戊酰甲烷)双(2，3，5-三苯基吡嗪)铱(III)(缩写:1r (tppr)2(dpm))和 2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H, 23H-卟啉钼(II)(缩写:PtOEP)等。另外，三(乙酰丙酮)(单菲咯啉)铽(III)(缩写:Tb (acac) 3 (Phen))、三(1，3_ 二苯基-1，3_ 丙二酮(propanedionato))(单菲咯啉)铕(III)(缩写:Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](单菲咯啉)铕(III)(缩写:Eu(TTA)3(Phen))等稀土金属配合物具有由稀土金属离子发射的发光(不同多重体之间的电子跃迁)，所以这类稀土金属配合物可以用作磷光化合物。[0196]另外，作为发光层703，可以采用将上述发光有机化合物(发光物质、客体材料)分散在其他物质(主体材料)中的结构。作为主体材料，可以使用各种物质，优选使用其最低空分子轨道能级(LUM0能级)高于客体材料的最低空分子轨道能级且其最高占据分子轨道能级(HOMO能级)低于客体材料的最高占据分子轨道能级的物质。
[0197]作为主体材料，具体而言，例如可以使用如下材料:金属配合物，诸如三(8-羟基喹啉)铝(III)(缩写:Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(缩写:Almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(II)(缩写=BeBq2)、双(2_甲基_8_羟基喹啉)(4_苯基苯酚(phenylphenolato))铝(III)(缩写:BAlq)、双(8_ 羟基喹啉)锌(II)(缩写:Znq)、双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚(phenolato)]锌(II)(缩写=ZnPBO)以及双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(缩写=ZnBTZ)等；杂环化合物，诸如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1, 3，4-噁二唑(缩写:PBD)、1，3-双[5-(对-叔丁基苯基)-1, 3，4-噁二唑-2-基]苯(缩写:0XD-7)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1, 2，4-三唑(缩写:TAZ)、2，2’，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(缩写:TPBI)、红菲绕啉(缩写:BPhen)以及浴铜灵(缩写:BCP)等；稠合芳香族化合物，诸如9_[4_ (10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(缩写:CzPA)、3, 6- 二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(缩写=DPCzPA),9, 10-双(3，5_ 二苯基苯基)蒽(缩写=DPPA),9, 10-二(2-萘基)蒽(缩写:DNA)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(缩写:t_BuDNA)、9，9’-联蒽(bianthryl)(缩写二菲(缩写:0卩吧)、9，9’-(芪-4，4’-二基)二菲(缩写:DPNS2)以及3，3’，3”-(苯-1,3，5-三基)三芘(缩写:TPB3)、9，10-二苯基蒽(缩写:DPAnth)>6, 12- 二甲氧基-5，11- 二苯基屈(diphenylchrysene)等；或者芳香胺化合物，诸如队^二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(缩写:CzAlPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(缩写:DPhPA)、N，9- 二苯基-N- [4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(缩写:PCAPA)、N, 9- 二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(缩写:PCAPBA)、N_(9, 10- 二苯基-2-蒽基)_N, 9- 二苯基-9H-咔唑-3-胺(缩写:2PCAPA)、NPB (或 a -NPD)、TPD、DFLDPB1、BSPB 等。
[0198]另外，可以使用多种主体材料。例如，为了抑制结晶化，还可以添加红荧烯等抑制结晶化的物质。此外，为了更有效地将能量移动到客体材料，还可以添加NPB或Alq等。
[0199]通过采用将客体材料分散到主体材料中的结构，从而可以抑制发光层703的结晶化。此外，还可以抑制因客体材料的浓度高而产生的浓度猝灭。
[0200]另外，作为发光层703，还可以使用高分子化合物。具体而言，作为发射蓝光的发光材料，可以举出聚(9，9- 二辛基荷-2, 7- 二基)(缩写:PF0)、聚[(9，9- 二辛基荷-2, 7- 二基)-co-(2，5-二甲氧基苯-1,4-二基)](缩写:PF-DM0P)、聚{(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-co-[N，N’-二-(对-丁基苯基)-1，4_ 二氨基苯]}(缩写=TAB-PFH)等。另外，作为发射绿光的发光材料，可以举出聚(对-亚苯基亚乙烯基)(缩写:PPV)、聚[(9，9- 二己基芴-2,7-二基)-alt-co-(苯并[2，1，3]噻二唑 _4，7-二基)](缩写:PFBT)、聚[(9，9- 二辛基-2，7- 二亚乙烯基亚荷基(divinylenefluorenylene)) -alt-co- (2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-亚苯基)等。另外，作为发射橙光至红光的发光材料，可以举出聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](缩写:MEH-PPV)、聚(3-丁基噻吩-2,5-二基)(缩写:R4-PA`T)、聚{[9，9-二己基-2，7-双(1_氰基亚乙烯基)亚芴基]-alt-co-[2，5-双(N，N’-二苯基氨基)-1,4-亚苯基]}、聚{[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-双(1-氰基亚乙烯基亚苯基)]-alt-co- [2，5-双(N，N’ - 二苯基氨基)-1，4-亚苯基]}(缩写:CN-PPV-DPD)等。[0201 ] 另外，通过设置多个发光层，使每个层的发光颜色互不相同，从而作为整个发光元件可以得到所希望的颜色的发光。例如，在具有两个发光层的发光元件中，通过使第一发光层的发光颜色和第二发光层的发光颜色成为互补色，从而作为整个发光元件也可以得到发射白色光的发光元件。另外，同样原理可以应用于具有三个以上的发光层的发光元件。
[0202]电子传输层704是包含电子传输性高的物质的层。作为电子传输性高的物质，例如可以举出具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物等，诸如Alq、Almq3、BeBq2或BAlq等。另外，也可以使用具有噁唑基或噻唑基配体的金属配合物等，诸如双[2-(2-羟基苯基)苯并恶唑]锌(缩写:Zn (BOX)2)、双[2- (2-羟基苯基)苯并噻唑]锌(缩写:Zn (BTZ)2)等。再者，除了金属配合物以外，还可以使用？80、(《0-7、了42、8?1^11、80?等。在此所述的物质主要是电子迁移率为10_6cm2/Vs以上的物质。
[0203]电子注入层705是包含电子注入性高的物质的层。电子注入层705可以使用碱金属、碱土金属或者它们的化合物，诸如锂、铯、钙、氟化锂、氟化铯、氟化钙或者氧化锂等。此外，可以使用氟化铒等稀土金属化合物。或者，也可以使用上述构成电子传输层704的物质。
[0204]另外，上述空穴注入层701、空穴传输层702、发光层703、电子传输层704、电子注入层705分别可以通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、喷墨法、涂覆法等方法形成。
[0205]图7B所示的电荷产生层709可以使用上述复合材料来形成。另外，电荷产生层709也可以是包括复合材料的层和包括其他材料的层的叠层结构。在该情况下，作为包括其他材料的层，可以使用包含具有电子给予性的物质和电子传输性高的物质的层或包括透明导电膜的层等。
[0206]作为图7C所示的复合材料层708，可以使用使上述空穴传输性高的有机化合物包含受主物质而形成的复合材料。
[0207]作为电子注入缓冲层706，可以使用如下电子注入性高的物质，诸如碱金属、碱土金属、稀土金属以及它们的化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)等。
[0208]另外，当电子注入缓冲层706包含电子传输性高的物质及施主物质而形成时，优选以相对于电子传输性高的物质的质量比为0.001以上且0.1以下的比率添加施主物质。另外，作为施主物质，可以使用如下物质:碱金属、碱土金属、稀土金属及它们的化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)，除此之外，也可以使用四硫萘并萘(tetrathianaphthacene)(缩写:TTN)、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。另外,作为电子传输性高的物质，可以使用与上述电子传输层704的材料相同的材料来形成。
[0209]电子中继层707包含电子传输性高的物质，并且将该电子传输性高的物质的LUMO能级设定为处于复合材料层708所包含的受主物质的LUMO能级与电子传输层704所包含的电子传输性高的物质的LUMO能级之间的值。另外，当电子中继层707包含施主物质时，将该施主物质的施主能级也设定为处于复合材料层708所包含的受主物质的LUMO能级与电子传输层704所包含的电子传输性高的物质的LUMO能级之间的值。关于能级的具体数值，优选将电子中继层707所包含的电子传输性高的物质的LUMO能级设定为-5.0eV以上，更优选设定为-5.0eV以上且-3.0eV以下。
[0210]作为电子中继层707所包含的电子传输性高的物质，优选使用酞菁类材料或具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物。
[0211]作为电子中继层707所包含的酞菁类材料，具体而言，优选使用CuPc、SnPc(Phthalocyanine tin (II) complex:酞菁锡(II)配合物)、ZnPc (Phthalocyanine zinccomplex:酞菁锋配合物)、CoPc (Cobalt (II) phthalocyanine, β-form:酞菁钴(II),β -型)、FePc (PhthalocyanineIron:酞菁铁)以及 PhO-VOPc (Vanadyl2, 9, 16, 23-tetraphenoxy-29H, 3ΙΗ-phthalocyanine:氧钥;2，9, 16, 23-四苯氧基-29H, 31H-酞菁)中的任一种。
[0212]作为电子中继层707所包含的具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物，优选使用具有金属-氧的双键的金属配合物。由于金属-氧的双键具有受主性(容易接受电子的性质)，因此电子的移动(授受)变得更加容易。
[0213]作为具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物，优选使用酞菁类材料。具体而言，VOPc (Vanadyl phthalocyanine:氧 f凡酞菁)、SnOPc (Phthalocyanine tin (IV)oxide complex:酞菁氧化锡(IV)配合物)以及 TiOPc (Phthalocyanine titanium oxidecomplex:酞菁氧化钛配合物)在分子结构方面上金属-氧的双键容易对其他分子起到作用且其受主性高，所以是优选的。
[0214]另外，作为上述酞菁类材料，优选使用具有苯氧基的材料。具体而言，优选使用PhO-VOPc等具有苯氧基的酞菁衍生物。具有苯氧基的酞菁衍生物可以溶解于溶剂中。因此，具有如下优点:当形成发光元件时容易处理。并且，由于可以溶解于溶剂中，所以容易维护用于成膜的装置。
[0215]电子中继层707还可以包含施主物质。作为施主物质，可以使用如下物质:碱金属、碱土金属、稀土金属及它们的化合物(包括氧化锂等氧化物、卤化物、碳酸锂或碳酸铯等碳酸盐)，除此之外，还可以使用TTN、二茂镍、十甲基二茂镍等有机化合物。通过使电子中继层707包含这些施主物质，从而使电子容易移动，从而能够以更低的电压驱动发光元件。
[0216]当使电子中继层707包含施主物质时，作为电子传输性高的物质，除了上述材料以外还可以使用其LUMO能级比包含在复合材料层708中的受主物质的受主能级高的物质。具体而言，优选使用在-5.0eV以上，更优选在-5.0eV以上且_3.0eV以下的范围内具有LUMO能级的物质。作为这种物质，例如可以举出茈衍生物、含氮稠环芳香化合物等。另外，因为含氮稠环芳香化合物具有稳定性，所以作为用来形成电子中继层707的材料是优选的。
[0217] 作为茈衍生物的具体例子，可以举出3，4，9，10_茈四羧酸二酐(缩写:PTCDA)、3，4，9，10-茈四羧酸双苯并咪唑(缩写=PTCBI )、N，N’- 二辛基_3，4，9，10-茈四羧酸二酰亚胺(缩写:卩丁0)1-〇8!0、队^-二己基-3，4，9，10-茈四羧酸二酰亚胺(缩写:Hex PTC)等。
[0218]另外，作为含氮稠环芳香化合物的具体例子，可以举出吡嗪并[2，3_f][l，10]菲咯啉-2，3-二甲腈(缩写=PPDN),2, 3,6, 7，10，11-六氰-1，4，5,8,9, 12-六氮杂苯并菲(缩写:HAT (CN)6)、2，3-二苯基吡啶并[2, 3-b]吡嗪(缩写:2PYPR)、2，3-双(4-氟苯基)吡啶并[2，3-b]吡嗪(缩写:F2PYPR)等。
[0219]除了上述物质以外，还可以使用7，7，8，8，-四氰基醌二甲烷(缩写:TCNQ)、I,4, 5, 8-萘四羧酸二酐(缩写:NTCDA)、全氟并五苯(perfluoropentacene)、十六氟酞菁铜(缩写=F16CuPc), N, N’ -双(2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8-十五氟辛基)-1, 4，5，8-萘四羧酸二酰亚胺(缩写:NTCD1-C8F)、3’，4’ - 二丁基-5，5”-双(二氰基亚甲基)-5，5” - 二氢-2，2’:5’，2”-三噻吩(缩写:DCMT)、亚甲基富勒烯(例如，[6，6]-苯基C61酪酸甲酯)等。
[0220]另外，当使电子中继层707包含施主物质时，通过共蒸镀电子传输性高的物质和施主物质等的方法形成电子中继层707即可。
[0221]如上所述，可以制造本实施方式的EL层。
[0222]本实施方式可以与其他实施方式自由地组合。
[0223](实施方式5)
在本实施方式中，使用图8A至图9C说明具备本发明的一个方式的发光显示装置的各种电子设备的一个例子。
[0224]本发明的一个方式的发光显示装置抑制水分或氧等杂质所导致的有机EL元件或晶体管的劣化。从而，通过应用本发明的一个方式的发光显示装置，可以实现可靠性高的电子设备。
[0225]作为使用发光显示装置的电子设备，例如可以举出电视装置(也称为电视或电视接收机)、用于计算机等的显示器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。图8A至图8D示出这些电子设备及照明设备的具体例子。
[0226]图8A示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，框体7101组装有显示部7103。由显示部7103能够显示图像，并可以将本发明的一个方式的发光显示装置用于显示部7103。通过将本发明的一个方式的发光显示装置用于显示部7103，从而可以实现可靠性高的电视装置。此外，因为本发明的一个方式的发光显示装置实现窄边框化，所以可以扩大显示部7103中的显示区域。另外，在此示出利用支架7105支撑框体7101的结构。
[0227]可以通过利用框体7101所具备的操作开关、另外提供的遥控操作机7110进行电视装置7100的操作。利用遥控操作机7110所具备的操作键7109，可以进行频道及音量的操作，并可以对在显示部7103上显示的图像进行操作。另外，也可以采用在遥控操作机7110中设置显示从该遥控操作机7110输出的信息的显示部7107的结构。
[0228]另外，电视装置7100采用具备接收机及调制解调器等的结构。可以利用接收机接收一般的电视广播，并且通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，从而也可以进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
[0229]图8B示出计算机，该计算机包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、夕卜部连接端口 7205、定点装置7206等。另外，该计算机是通过将本发明的一个方式的发光显示装置用于其显示部7203来制造的。通过将本发明的一个方式的发光显示装置用于显示部7203，从而可以实现可靠性高的计算机。此外，因为本发明的一个方式的发光显示装置实现窄边框化，所以可以扩大显示部7203中的显示区域。
[0230]图8C示出便携式游戏机，该便携式游戏机由框体7301和框体7302的两个框体构成，并且通过连接部7303可以开闭地连接。框体7301组装有显示部7304，而框体7302组装有显示部7305。另外，图8C所示的便携式游戏机还具备扬声器部7306、记录介质插入部7307、LED灯7308、输入单元(操作键7309、连接端子7310、传感器7311 (包括测量如下因素的功能:力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、功率、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风7312)等。当然，便携式游戏机的结构不局限于上述结构，只要在至少显示部7304和显示部7305中的双方或一方中使用本发明的一个方式的发光显示装置即可，而可以采用适当地设置有其他附属设备的结构。通过将本发明的一个方式的发光显示装置用于显示部7304或/及显示部7305，可以实现可靠性高的便携式游戏机。此外，因为本发明的一个方式的发光显示装置实现窄边框化，所以可以扩大显示部7304或/及显示部7305中的显示区域。图SC所示的便携式游戏机具有如下功能:读出存储在记录介质中的程序或数据并将其显示在显示部上；以及通过与其他便携式游戏机进行无线通信而实现信息共享。另外，图8C所示的便携式游戏机所具有的功能不局限于此，而可以具有各种功能。
[0231]图8D示出移动电话机的一个例子。移动电话机7400除了组装在框体7401中的显示部7402之外还具备操作按钮7403、外部连接端口 7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外，将本发明的一个方式的发光显示装置用于显示部7402来制造移动电话机7400。通过将本发明的一个方式的发光显示装置用于显示部7402，从而可以实现可靠性高的移动电话机。此外，因为本发明的一个方式的发光显示装置实现窄边框化，所以可以扩大显示部7402中的显示区域。
[0232]图8D所示的移动电话机7400可以用手指等触摸显示部7402来输入信息。另外，可以用手指等触摸显示部7402来进行打电话或制作电子邮件等的操作。
[0233]显示部7402的画面主要有三种模式。第一模式是主要用于显示图像的显示模式。第二模式是主要用于输入文字等信息的输入模式。第三模式是混合显不模式和输入模式这两种模式的显示+输入模式。
[0234]例如，在打电话或制作电子邮件的情况下，将显示部7402设定为以文字输入为主的文字输入模式，并对画面上显示的文字进行输入操作，即可。在此情况下，优选的是，在显示部7402的大部分画面中显示键盘或号码按钮。
[0235]另外，通过在移动电话机7400内部设置具有陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置，从而判断移动电话机7400的方向(纵向或横向)，而可以对显示部7402的画面显示进行自动切换。
[0236]另外，通过触摸显示部7402或对框体7401的操作按钮7403进行操作，从而切换画面模式。此外，也可以根据显示在显示部7402上的图像的种类来切换画面模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将画面模式切换成显示模式，而当显示在显示部上的图像信号为文本数据时，将画面模式切换成输入模式。
[0237]另外，当在输入模式下通过检测出显示部7402的光传感器所检测的信号得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以进行控制以将画面模式从输入模式切换成显示模式。
[0238]还可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，从而可以进行身份识别。另外，通过将发射近红外光的背光灯或发射近红外光的传感用光源用于显示部，还可以拍摄手指静脉、手掌静脉等。
[0239]图9A及图9B是能够进行翻折的平板终端。图9A是打开的状态，并且平板终端包括框体9630、显示部9631a、显示部9631b、显示模式切换开关9034、电源开关9035、省电模式切换开关9036、卡子9033以及操作开关9038。
[0240]可以将本发明的一个方式的发光显示装置应用于显示部9631a或显示部9631b。
[0241]在显示部9631a中，可以将其一部分用作触摸屏的区域9632a，并且可以通过接触所显示的操作键9037来输入数据。此外，作为一个例子，示出如下结构:显示部9631a的一半区域只具有显示的功能，并且另一半区域具有触摸屏的功能，但是不局限于该结构。也可以采用显示部9631a的整个区域具有触摸屏的功能的结构。例如，可以使显示部9631a的整个表面显示键盘按钮来将其用作触摸屏，并且将显示部9631b用作显示画面。
[0242]此外，在显示部9631b中与显示部9631a同样，也可以将显示部9631b的一部分用作触摸屏的区域9632b。此外，通过使用手指或触屏笔等接触触摸屏上的键盘显示切换按钮9639所显示的位置，从而可以在显示部9631b上显示键盘按钮。
[0243]此外，也可以对触摸屏的区域9632a和触摸屏的区域9632b同时进行触摸输入。
[0244]另外，显示模式切换开关9034能够切换竖屏显示或横屏显示等显示的方向并选择黑白显示或彩色显示的切换等。根据通过平板终端所内置的光传感器所检测出的使用时的外界光的光量，省电模式切换开关9036可以使显示的亮度设定为最合适的亮度。平板终端除了光传感器以外还可以内置陀螺仪和加速度传感器等检测倾斜度的传感器等的其他检测装置。
[0245]此外，图9A示出显示部9631a的显示面积与显示部9631b的显示面积相同的例子，但是不局限于此，也可为一方显示部的尺寸和另一方显示部的尺寸不同，也可为它们的显不质量有差异。例如显不部9631a和显不部9631b中的一方与另一方相比可以进彳丁更闻精细的显示。
[0246]图9B是合上的状态，并且平板终端包括框体9630、太阳能电池9633、充放电控制电路9634、电池9635以及ECDC转换器9636。此外，在图9B中，作为充放电控制电路9634的一个例子示出具有电池9635和D⑶C转换器9636的结构。
[0247]此外，平板终端能够进行翻折，因此不使用时可以成为合上框体9630的状态。因此，可以保护显示部9631a和显示部9631b，因而可以提供一种具有良好的耐久性且从长期使用的观点来看具有良好的可靠性的平板终端。
[0248]此外，图9A及图9B所示的平板终端还可以具有如下功能:显示各种各样的信息(静态图像、动态图像、文本图像等)；将日历、日期或时刻等显示在显示部上；对显示在显示部上的信息进行触摸输入操作或编辑的触摸输入；通过各种各样的软件(程序)控制处理
坐寸ο
[0249]利用安装在平板终端的表面上的太阳能电池9633，可以将电力供应到触摸屏、显示部或视频信号处理部等。注意，太阳能电池9633通过设置在框体9630的一面或两面，从而可以高效地对电池9635进行充电，所以是优选的。另外，当作为电池9635使用锂离子电池时，有可以实现小型化等的优点。
[0250]另外，对图9B所示的充放电控制电路9634的结构和工作，示出图9C所示的方框图进行说明。图9C示出太阳能电池9633、电池9635、D⑶C转换器9636、转换器9637、开关Sffl至开关SW3以及显示部9631，电池9635、D⑶C转换器9636、转换器9637、开关SWl至开关SW3是对应于图9B所示的充放电控制电路9634的部位。
[0251]首先，说明在利用外界光使太阳能电池9633发电时的工作的例子。使用DCDC转换器9636对太阳能电池所产生的电力进行升压或降压以使其成为用来对电池9635进行充电的电压。并且，当利用来自太阳能电池9633的电力使显示部9631工作时使开关SWl导通，并且，利用转换器9637将其升压或降压到显示部9631所需要的电压。另外，可以采用当不进行显示部9631中的显示时，使开关SWl截止且使开关SW2导通来对电池9635进行充电的结构。
[0252]注意，作为发电单元的一个例子示出太阳能电池9633，但是不局限于此，也可以使用压电元件(piezoelectric element)或热电转换元件(拍耳帖元件(Peltier element))等其他发电单元进行电池9635的充电。例如，也可以使用以无线(不接触)的方式收发电力来进行充电的无线电力传输模块或组合其他充电方法进行充电。
[0253]如上所述，通过应用本发明的一个方式的发光显示装置，可以得到电子设备或照明设备。本发明的一个方式的发光显示装置的应用范围非常广泛，并且可以将其应用于所有领域的电子设备。
[0254]另外，本实施方式所示的结构可以与之前的实施方式所示的结构适当地组合来使用。
标号说明
[0255]101 衬底
102像素部 103a驱动电路部 103b驱动电路部 104衬底 105密封件 106密封件 106a密封件 106b密封件 108驱动电路部 109 FPC 110空间 111虚设图案 112密封件 114绝缘层 115栅极绝缘层 116绝缘层 118电极 120 EL 层 120a EL 层 120b EL 层 122电极 124绝缘层 130发光元件140a晶体管140b晶体管152晶体管153晶体管164黑矩阵166滤色片168保护层201衬底202像素部
203a扫描线驱动电路部
203b扫描线驱动电路部
204衬底
205密封件
206密封件
206a密封件
206b密封件
208信号线驱动电路部
209 FPC
210空间
701空穴注入层
702空穴传输层
703发光层
704电子传输层
705电子注入层
706电子注入缓冲层
707电子中继层
708复合材料层
709电荷产生层
7100电视装置
7101框体
7103显示部
7105支架
7107显示部
7109操作键
7110遥控操作机
7201主体
7202框体
7203显示部
7204键盘7205外部连接端口
7206定点装置
7301框体
7302框体
7303连接部
7304显示部
7305显示部
7306扬声器
7307记录介质插入部
7308 LED 灯
7309操作键
7310连接端子
7311传感器
7312麦克风
7400移动电话机
7401框体
7402显示部
7403操作按钮
7404外部连接端口
7405扬声器
7406麦克风
9033卡子
9034开关
9035电源开关
9036开关
9037操作键
9038操作开关
9630框体
9631显示部
9631a显示部
9631b显示部
9632a区域
9632b区域
9633太阳能电池
9634充放电控制电路
9635电池
9636 DCDC转换器
9637转换器
9639按钮
【权利要求】
1.一种显示装置，包括: 彼此对置的第一衬底和第二衬底； 包括显示元件的像素部，该像素部位于所述第一衬底与所述第二衬底之间； 以围绕所述像素部的外周的方式设置的第一密封件；以及 与所述第一衬底的侧面和所述第二衬底的侧面中的至少一方接触的第二密封件，该第二密封件填充所述第一衬底与所述第二衬底之间的间隙。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二密封件具有低于所述第一密封件的透湿性。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一密封件为树脂层，并且所述第二密封件为金属层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示元件为有机EL元件。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素部包括晶体管，并且所述晶体管的沟道形成区包括氧化物半导体层。
6.一种显示装置，包括: 彼此对置的第一衬底和第二衬底； 包括显示元件的像素部，该像素部位于所述第一衬底与所述第二衬底之间； 以围绕所述像素部的外周的方式设置的第一密封件； 与所述第一衬底的侧面和所述第二衬底的侧面中的至少一方接触的第二密封件，该第二密封件填充所述第一衬底与所述第二衬底之间的间隙；以及 隔着所述第二密封件与所述第一密封件的侧面、以及所述第一衬底的所述侧面和所述第二衬底的所述侧面中的至少一方重叠的第三密封件。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第三密封件具有低于所述第一密封件和所述第二密封件的透湿性。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第三密封件为金属层或热可塑性树脂。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示元件为有机EL元件。
10.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述像素部包括晶体管，并且所述晶体管的沟道形成区包括氧化物半导体层。
【文档编号】G02F1/167GK103681756SQ201310374342
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年8月23日 优先权日:2012年8月28日
【发明者】山崎舜平, 平形吉晴, 西毅 申请人:株式会社半导体能源研究所