清洁系统和衬底处理工具的制作方法
【专利摘要】一种清洁系统和衬底处理工具，所述清洁系统包括清洁单元，所述清洁单元被构造和布置以在衬底保持件的支撑表面上产生基团，以从其上移除污染物，其中，所述清洁系统处在氢气气体环境中，其中所述清洁单元包括：外壳，所述外壳包括与真空单元相连通的出口和多个开口，所述多个开口使得气体在所述氢气气体环境和所述外壳的内部之间连通，和等离子体产生器，所述等离子产生器被布置在所述外壳的内部且被配置以产生用于产生所述基团的氢等离子体，所述氢气气体环境被配置以用作所述等离子体产生器的氢供给。
【专利说明】清洁系统和衬底处理工具
[0001]本申请是申请日为2008年7月25日、申请号为200880100971. 6、 申请人:为ASML荷兰有限公司、发明名称为“光刻设备和器件制造方法”的中国专利申请的分案申请。
【技术领域】
[0002]本发明涉及一种光刻设备和一种器件制造方法。
【背景技术】
[0003]光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路（IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯）上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向（“扫描”方向）扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够以通过将图案压印（imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。
[0004]已广泛地承认光刻术是IC和其它的器件和/或结构制造中的关键步骤之一。目前，没有可替代的技术看上去能够提供具有类似精度、速度和经济的生产率的期望的图案建构。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸不断变小，光刻术成为了使微型的IC或其它器件和/或结构能够在真实的大规模上制造的即便不是最关键的门槛（grating)因素，也是最关键的门槛（gating)因素中的一个。
[0005]通过如等式（I)中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的限制的理论估计：
[0006]
【权利要求】
1.一种清洁系统，所述清洁系统包括清洁单元，所述清洁单元被构造和布置以在衬底保持件的支撑表面上产生基团，以从其上移除污染物， 其中，所述清洁系统处在氢气气体环境中，其中所述清洁单元包括: 外壳，所述外壳包括与真空单元相连通的出口和多个开口，所述多个开口使得气体在所述氢气气体环境和所述外壳的内部之间连通，和 等离子体产生器，所述等离子产生器被布置在所述外壳的内部且被配置以产生用于产生所述基团的氢等离子体，所述氢气气体环境被配置以用作所述等离子体产生器的氢供5口 O
2.根据权利要求1所述的清洁系统，其中，所述等离子体产生器包括RF电极、DC放电电极或RF线圈。
3.根据权利要求1所述的清洁系统，其中，所述外壳在使用中靠近所述衬底保持件定位，以在所述支撑表面的至少一部分上产生所述基团。
4.根据权利要求3所述的清洁系统，其中，所述外壳被构造和布置以基本上覆盖由所述支撑表面限定的整个区域。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的清洁系统，其中，在使用中，所述清洁单元能够相对于用于保持待清洁的衬底的衬底保持件移动。
6.根据权利要求5所述的清洁系统，其中，所述清洁单元是能够沿着大致垂直于所述支撑表面的方向移动的。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的清洁系统，其中，所述清洁系统还包括配置用于检测在所述支撑表面上的污染物的污染物检测系统和与所述污染物检测系统和所述清洁单元相通讯的控制器，所述控制器被配置以基于所述污染物检测系统的检测结果来控制所述清洁单元、所述衬底保持件或上述两者的位置。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的清洁系统，其中，所述外壳由网孔材料制成。
9.一种衬底处理工具，包括根据权利要求1-8中任一项所述的清洁系统。
【文档编号】G03F7/20GK103543614SQ201310495327
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2008年7月25日 优先权日:2007年7月30日
【发明者】A·J·布里克, A·L·H·J·范米尔 申请人:Asml荷兰有限公司