液晶装置、其驱动方法以及电子设备的制作方法

液晶装置、其驱动方法以及电子设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供能够可靠地捕获液晶中的离子性杂质以提高显示品质的液晶装置的驱动方法、液晶装置以及具备该液晶装置的电子设备。液晶装置(100)的驱动方法中，该液晶装置具有离子捕获用的第1电极(131)、第2电极(132)和第3电极(133)，对第1电极(131)、第2电极(132)和第3电极(133)的各个施加频率相同且在与1个周期相当的时间内相位彼此错开的交流信号，使得在第1电极(131)、第2电极(132)和第3电极(133)之间所产生的电场分布从第1电极(131)向第3电极(133)时间性地翻卷。
【专利说明】液晶装置、其驱动方法以及电子设备

【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶装置的驱动方法、液晶装置以及具备该液晶装置的电子设备。

【背景技术】
[0002]液晶装置具备在一对基板之间夹持有液晶层的液晶面板。若光入射于这样的液晶装置，则有时构成液晶面板的液晶材料和/或取向膜等与入射光发生光化学反应，作为反应生成物会产生离子性杂质。另外，已知，在液晶面板的制造过程中，也有从密封件和/或封固件等扩散到液晶层的离子性杂质。尤其是，关于在投影型显示装置(投影机)的光调制单元(光阀)中所用的液晶装置，入射光的光束密度比直视型的液晶装置要高，所以需要抑制离子性杂质对显示造成影响。
[0003]作为抑制离子性杂质对显示所造成的影响的方法，例如在专利文献I中公开了如下的液晶显示装置的驱动方法:在夹持液晶层的一对基板中的至少一方基板，在像素区域的周边区域具有包括相邻的多个电极的周边电极，在周边电极中的相邻电极间所施加的驱动电压的电压值不同。
[0004]根据专利文献I的液晶显示装置的驱动方法，在周边电极中的相邻电极间产生横向的电场，由于液晶微小的晃动而导致流动，而且使离子性杂质移动的力起作用，能够使从像素区域移动来的离子性杂质快速地向像素区域外移动，能够防止由于离子性杂质所导致的图像残留等显示不良。
[0005]专利文献1:日本特开2008-58497号公报
[0006]但是，关于上述专利文献I的液晶显示装置及其驱动方法，对周边电极中的相邻电极A、B之间施加交流电压而产生的电力线的方向为:从距像素区域近的电极A朝向电极B的方向和从距像素区域远的电极B朝向电极A的方向。离子性杂质，因具有正或负的极性，所以能够利用在相邻的电极A、B之间所产生的电场来吸引离子性杂质，但是还不能说从像素区域向外侧扫出离子性杂质的效果总是很充分。也就是，存在不一定能够充分抑制液晶层中所含的离子性杂质对显示的影响这样的问题。


【发明内容】

[0007]本发明是为了解决上述问题中的至少一部分而完成的发明，能够作为下述的方式或应用例来实现。
[0008](应用例)本应用例涉及的液晶装置的驱动方法，其特征在于，该液晶装置包括:相对配置且介由密封件而贴合的第I基板以及第2基板；被夹持在所述第I基板与所述第2基板之间的液晶层，并且该液晶装置具有:设置于所述第I基板的显示区域的像素电极；在所述第I基板或所述第2基板，与所述像素电极相对而设置的相对电极；在所述第I基板或所述第2基板，俯视在所述显示区域与所述密封件之间设置且被供给第I电位的第I电极；在所述第I电极与所述密封件之间设置且被供给第2电位的第2电极；和在所述第2电极与所述密封件之间设置且被供给第3电位的第3电极，该液晶装置的驱动方法中，以下述方式对所述第I电极、所述第2电极和所述第3电极的各个施加同一频率的交流信号:在所述第I电位从正极性或基准电位转变为负极性后且在转变为所述基准电位或正极性之前，所述第2电位从正极性或所述基准电位转变为负极性，在所述第2电位转变为负极性后且在转变为所述基准电位或正极性之前，所述第3电位从正极性或所述基准电位转变为负极性，在所述第I电位从负极性或所述基准电位转变为正极性之后且在转变为所述基准电位或负极性之前，所述第2电位从负极性或所述基准电位转变为正极性，在所述第2电位从负极性或所述基准电位转变为正极性之后且在转变为所述基准电位或负极性之前，所述第3电位从负极性或所述基准电位转变为正极性。
[0009]根据本应用例涉及的液晶装置的驱动方法，在与第I电位从基准电位转变为正极性和负极性的I个周期相当的时间内，相位按第I电极、第2电极、第3电极的顺序错开的交流信号被施加于第I电极、第2电极和第3电极。因此，在这些电极之间所产生的电场(电力线)的方向，随着时间的推移而从接近显示区域的第I电极向第2电极、接着从第2电极向第3电极不断变化。离子性杂质，伴随该电场方向的移动而首先被吸引靠近第I电极、接着被吸引靠近第2电极、第3电极。也就是，能够提供可将液晶层中的离子性杂质从显示区域有效地扫集(扫除集中)到外侧的液晶装置的驱动方法。
[0010]在上述应用例涉及的液晶装置的驱动方法中，优选，所述交流信号的频率f (Hz)满足下面的数学式:
[0011]f ^ 2 μ VE/np2
[0012]其中，μ是液晶层中的离子性杂质的迁移率，单位是m2/V.s ;VE是交流信号的有效电压，单位是V ;n是被提供交流信号的电极的数量；p是被提供交流信号的电极的配置间距，单位是m。
[0013]在被提供了交流信号的电极之间移动的离子性杂质的移动速度、也就是移动所费时间，与离子性杂质的迁移率和电极间的实质的电位差相关，与电极间的距离成反比。因此，优选，使电极间的电场的产生方式对应于离子性杂质的移动速度而相适合。
[0014]根据该方法，相对于离子性杂质移动与电极的配置间距相当的距离的速度(时间)，交流信号的频率f (Hz)变得相同或较小，所以能够可靠地将液晶层中的离子性杂质从显示区域扫集到外侧。
[0015]在上述应用例涉及的液晶装置的驱动方法中，优选，对所述第I电极、所述第2电极和所述第3电极的各个施加同一波形的所述交流信号。
[0016]所谓同一波形是虽然相位不同但是波形大致一样的波形。
[0017]根据该方法，无需产生不同波形的交流信号，所以能够简化驱动电路的结构。
[0018]在上述应用例涉及的液晶装置的驱动方法中，也可以为，所述交流信号具有3个值以上的电位。
[0019]根据该方法，通过将施加于第I电极、第2电极和第3电极的各个的电位设为3个值以上，能够使电场在电极间顺畅移动。
[0020]在上述应用例涉及的液晶装置的驱动方法中，进一步优选，所述交流信号是矩形波。
[0021]根据该方法，能够在第I电极、第2电极和第3电极的相邻的电极间产生强度稳定的电场，能够更加有效地扫集离子性杂质。另外，交流信号的生成比例如正弦波那样的模拟信号容易。
[0022](应用例)本应用例涉及的液晶装置，其特征在于，该液晶装置包括:相对配置且介由密封件而贴合的第I基板以及第2基板；和被夹持在所述第I基板与所述第2基板之间的液晶层，该液晶装置具有:设置于所述第I基板的显示区域的像素电极；在所述第I基板或所述第2基板，与所述像素电极相对而设置的相对电极；在所述第I基板或所述第2基板，俯视在所述显示区域与所述密封件之间设置且被供给第I电位的第I电极；在所述第I电极与所述密封件之间设置且被供给第2电位的第2电极；和在所述第2电极与所述密封件之间设置且被供给第3电位的第3电极，以下述方式使得同一频率的交流信号被施加于所述第I电极、所述第2电极和所述第3电极的各个:在所述第I电位从正极性或基准电位转变为负极性后且在转变为所述基准电位或正极性之前，所述第2电位从正极性或所述基准电位转变为负极性，在所述第2电位转变为负极性后且在转变为所述基准电位或正极性之前，所述第3电位从正极性或所述基准电位转变为负极性，在所述第I电位从负极性或所述基准电位转变为正极性之后且在转变为所述基准电位或负极性之前，所述第2电位从负极性或所述基准电位转变为正极性，在所述第2电位从负极性或所述基准电位转变为正极性之后且在转变为所述基准电位或负极性之前，所述第3电位从负极性或所述基准电位转变为正极性。
[0023]根据本应用例涉及的液晶装置，在与第I电位从基准电位转变为正极性和负极性的I个周期相当的时间内，对第I电极、第2电极和第3电极施加相位按第I电极、第2电极、第3电极的顺序错开的交流信号。因此，在这些电极间产生的电场(电力线)的方向，随着时间的推移而从接近显示区域的第I电极向第2电极、接着从第2电极向第3电极不断移动。离子性杂质，随着该电场方向的移动而首先被吸引靠近第I电极、接着被吸引靠近第2电极、第3电极。也就是，能够提供可将液晶层中的离子性杂质从显示区域有效地扫集到外侧的液晶装置。
[0024]在上述应用例涉及的液晶装置中，也可以为:还具备延迟电路，所述延迟电路被输入作为所述交流信号的第I交流信号，输出相位相对于所述第I交流信号错开的第2交流信号和相位相对于所述第I交流信号以及所述第2交流信号错开的第3交流信号。
[0025]根据该结构，相位相互不同的第I交流信号、第2交流信号和第3交流信号不必全部从外部输入，只要仅对延迟电路输入第I交流信号即可，
[0026]所以外部驱动电路的结构也可以不复杂。
[0027]在上述应用例涉及的液晶装置中，优选，在所述第I基板包围所述显示区域地设置有所述第I电极、所述第2电极以及所述第3电极。
[0028]根据该结构，能够不受显示区域中的离子性杂质的偏置倾向的影响地将离子性杂质从显示区域扫集到外侧。
[0029]在上述应用例涉及的液晶装置中，优选，所述显示区域包括电子分隔部，该电子分隔部具有包围多个所述像素电极而设置的多个虚设像素电极，所述电子分隔部与所述第I电极的间隔比所述第I电极与所述第2电极的间隔大。
[0030]根据该结构，能够减小与离子性杂质的扫集相关的、在第I电极与电子分隔部之间产生的横向电场的影响。
[0031]在上述应用例涉及的液晶装置中，优选，所述相对电极设置于所述第2基板，俯视所述相对电极的外缘位于所述第I电极与所述显示区域之间。
[0032]根据该结构，第I电极、第2电极和第3电极的各个，与相对电极并未隔着液晶层相对，在第I电极、第2电极和第3电极的各个与相对电极之间难以产生电场。也就是，能够通过在第I电极、第2电极和第3电极的相邻电极间产生的电场，有效地将离子性杂质扫集到显示区域的外侧。
[0033]在上述应用例涉及的液晶装置中，也可以为:在所述第I基板设置有所述第I电极、所述第2电极以及所述第3电极，所述相对电极，在所述第2基板俯视设置到包括所述显示区域且与所述第I电极、所述第2电极以及所述第3电极相对的区域为止，并被提供所述基准电位。
[0034]根据该结构，无需对相对电极进行构图以使得相对电极与所述第I电极、所述第2电极和所述第3电极不相对，所以能够简化与相对电极相关的布线等的结构。
[0035]在上述应用例涉及的液晶装置中，其特征在于，所述像素电极、所述相对电极、所述第I电极、所述第2电极和所述第3电极的各个由无机取向膜覆盖。
[0036]根据该结构，能够提供:即使采用容易吸附离子性杂质的无机取向膜，也抑制了离子性杂质对显示造成的影响的液晶装置。
[0037]在上述应用例涉及的液晶装置中，其特征在于，所述像素电极由具有光反射性的导电膜形成，所述相对电极由具有透光性的导电膜形成，在所述像素电极与所述无机取向膜之间形成有无机绝缘膜。
[0038]根据该结构，与对第I电极、第2电极和第3电极的各个施加直流信号的情况相t匕，即使在像素电极与无机取向膜之间形成了无机绝缘膜，交流信号的电位也不会发生降低，所以能够提供可将离子性杂质扫集到显示区域的外侧的反射型液晶装置。另外，在像素电极与无机取向膜之间形成无机绝缘膜，因此能够抑制由于像素电极与相对电极的功函数不同所导致的基准电位的变动。也就是，能够提供具有优异的显示品质的反射型液晶装置。
[0039](应用例)本应用例涉及的电子设备，其特征在于，具备用上述应用例的液晶装置的驱动方法驱动的液晶装置。
[0040](应用例)本应用例涉及的电子设备，其特征在于，具备上述应用例的液晶装置。
[0041]根据这些应用例，能够提供改善了由于离子性杂质导致的显示不良、具有优异的显不品质的电子设备。

【专利附图】

【附图说明】
[0042]图1 (a)是表示第I实施方式的液晶装置的构成的概略俯视图，(b)是沿(a)所示的H-H’线的概略剖视图。
[0043]图2是表示第I实施方式的液晶装置的电构成的等效电路图。
[0044]图3是表示第I实施方式的液晶装置的像素结构的概略剖视图。
[0045]图4是表示无机材料的倾斜蒸镀方向与由离子性杂质所引起的显示不良之间的关系的概略俯视图。
[0046]图5(a)是表示用于显示的像素以及虚设像素的配置的概略俯视图，(b)是电子分隔部以及离子捕获机构的布线图。
[0047]图6是示出沿图5 (a)的A_A’线的液晶面板的结构的概略剖视图。
[0048]图7是表示作为提供给离子捕获机构的第I电极、第2电极和第3电极的交流信号的一例的矩形波的交流信号的时序图。
[0049]图8是表示作为提供给离子捕获机构的第I电极、第2电极和第3电极的交流信号的一例的矩形波的交流信号的时序图。
[0050]图9是表示作为提供给离子捕获机构的第I电极、第2电极和第3电极的交流信号的一例的正弦波的交流信号的时序图。
[0051]图10是表示液晶层中的离子性杂质的迁移率与温度之间的关系的曲线图。
[0052]图11是表示延迟电路的构成的电路图。
[0053]图12是表示第2实施方式的液晶装置的结构的概略剖视图。
[0054]图13是表示第3实施方式的液晶装置的结构的概略剖视图。
[0055]图14是表示第4实施方式的投影型显示装置的构成的概略图。
[0056]图15是表示第5实施方式的投影型显示装置的构成的概略图。
[0057]图16是表示变形例I的液晶装置的结构的概略剖视图。
[0058]图17是表示变形例2的液晶装置的结构的概略剖视图。
[0059]附图标记说明
[0060]10、210、310、410、510作为第I基板的元件基板
[0061]15像素电极15R具有光反射性的像素电极
[0062]18,24作为无机取向膜的取向膜
[0063]19、25无机绝缘膜
[0064]20、220、320、420、520作为第2基板的相对基板
[0065]23作为相对电极的共用电极40密封件50、450液晶层
[0066]100、200、300、400、500 液晶装置
[0067]130,430,530离子捕获机构
[0068]131、331、431、531 第 I 电极 132、332、432、532 第 2 电极
[0069]133、333、433、533 第 3 电极 434 第 4 电极
[0070]1000,2000作为电子设备的投影型显示装置
[0071]E显示区域El实际显示区域E2虚设像素区域
[0072]E3分隔区域P像素

【具体实施方式】
[0073]以下，按照附图对将本发明具体化了的实施方式进行说明。此外，所使用的附图适当地放大或缩小地显示，使得要说明的部分成为能够识别的状态。
[0074]此外，在下面的方式中，例如记载为“在基板上”的情况表示:以接触的方式配置在基板之上的情况、或隔着其他构成物而配置在基板之上的情况、或一部分以接触的方式配置在基板之上而一部分隔着其他构成物配置在基板之上的情况。
[0075]第I实施方式
[0076]在本实施方式中，举具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor, TFT)作为像素的开关元件的有源矩阵型的液晶装置为例进行说明。该液晶装置能够很好地作为例如后述的投影型显示装置(液晶投影机)的光调制单元(液晶光阀)使用。
[0077]液晶装置
[0078]首先，参照图1以及图2就本实施方式的液晶装置进行说明。图1(a)是表示第I实施方式的液晶装置的构成的概略俯视图，图1(b)是沿图1(a)所示的H-H’线的概略剖视图。图2是表示第I实施方式的液晶装置的电构成的等效电路图。
[0079]如图1 (a)以及(b)所示，本实施方式的液晶装置100具有相对配置的元件基板10以及相对基板20 ;和由这一对基板所夹持的液晶层50。兀件基板10的基材1s以及相对基板20的基材20s分别使用透明的例如石英基板和/或玻璃基板。元件基板10相当于本发明的第I基板，相对基板20相当于本发明的第2基板。
[0080]元件基板10比相对基板20大，两基板介由沿相对基板20的外缘配置的密封件40隔着间隔地贴合，在该间隔中封入具有正或负的介电各向异性的液晶而构成了液晶层50。密封件40采用例如热固化性或紫外线固化性的环氧树脂等的粘接剂。密封件40中混入有用于将一对基板的上述间隔保持为一定的间隔件(省略图示)。
[0081]在密封件40的内侧，设有包括按矩阵状排列的多个像素P的显示区域E。另外，在密封件40与显示区域E之间包围显示区域E地设有分隔部21。分隔部21含有例如遮光性的金属或金属氧化物等。此外，显示区域E，除了用于显示的多个像素P外，也可以包括包围多个像素P地配置的虚设像素。另外，在图1中省略了图示，但是在相对基板20设有在显示区域E中将多个像素P分别平面性区分开的遮光部(黑矩阵，BM)。
[0082]在元件基板10，设有排列有多个外部连接端子104的端子部。在沿着该端子部的第I边部与密封件40之间设有数据线驱动电路101。另外，在沿着与第I边部相对的第2边部的密封件40与显示区域E之间设有检查电路103。而且，在沿着与第I边部正交且相互相对的第3边部以及第4边部的密封件40与显示区域E之间设有扫描线驱动电路102。在第2边部的密封件40与检查电路103之间设有连接2条扫描线驱动电路102的多条布线 105。
[0083]连接于这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102的布线，连接于沿第I边部排列的多个外部连接端子104。以后，将沿第I边部的方向作为X方向，将沿第3边部的方向作为Y方向，进行说明。此外，检查电路103的配置不限于此，也可以设在沿数据线驱动电路101与显示区域E之间的密封件40的内侧的位置。
[0084]如图1 (b)所示，在元件基板10的液晶层50侧的表面形成有按每个像素P设置的透光性的像素电极15以及作为开关元件的薄膜晶体管(下面称为TFT) 30、信号布线和覆盖这些的取向膜18。另外，采用防止光入射于TFT30中的半导体层而导致开关工作不稳定这一情况的遮光结构。元件基板10包括基材10s、在基材1s上所形成的像素电极15、TFT30、信号布线、取向膜18。
[0085]与元件基板10相对配置的相对基板20包括:基材20s ;在基材20s上所形成的分隔部21 ;以覆盖该分隔部21的方式成膜的平坦化层22 ;覆盖平坦化层22且遍及显示区域E所设置的共用电极23 ;和覆盖共用电极23的取向膜24。共用电极23相当于本发明中的相对电极。
[0086]分隔部21，如图1(a)所示包围显示区域E，并且设置在俯视与扫描线驱动电路102、检查电路103重叠的位置。由此，遮蔽了从相对基板20侧向这些电路入射的光，起到防止这些电路因光而误工作的效果。另外，遮蔽不需要的杂光使其不会入射于显示区域E，确保了显示区域E的显示的高对比度。
[0087]平坦化层22含有例如氧化硅等无机材料，具有透光性且覆盖分隔部21地设置。作为这样的平坦化层22的形成方法，可以举出使用例如等离子CVD法等来成膜的方法。
[0088]共用电极23包括例如ITO (Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等透明导电膜，覆盖平坦化层22并且与如图1 (a)所示在相对基板20的下方侧的角部所设置的上下导通部106电连接。上下导通部106与元件基板10侧的布线电连接。
[0089]覆盖像素电极15的取向膜18以及覆盖共用电极23的取向膜24基于液晶装置100的光学设计来选定。取向膜18、24可以举出例如:将聚酰亚胺等有机材料成膜，并对其表面进行研磨，从而对具有正的介电各向异性的液晶分子实施大致水平取向处理所得的有机取向膜；和/或，利用气相生长法将S1x (氧化硅)等无机材料成膜，对具有负的介电各向异性的液晶分子使其大致垂直取向所得的无机取向膜。
[0090]这样的液晶装置100是透射型的，可采用在无电压施加状态下像素P的透射率最大的常白模式或在无电压施加状态下像素P的透射率最小的常黑模式的光学设计。在包括元件基板10和相对基板20的液晶面板110的光的入射侧和出射侧，分别与光学设计相应地配置并使用偏振元件。
[0091]在本实施方式中，下面对作为取向膜18、24使用上述的无机取向膜并使用具有负的介电各向异性的液晶、且采用了常黑模式的光学设计的例子，进行说明。
[0092]接下来参照图2就液晶装置100的电构成进行说明。液晶装置100具有:作为至少在显示区域E相互绝缘且正交的信号布线的多条扫描线3a和多条数据线6a ;和沿数据线6a平行配置的电容线3b。扫描线3a延伸的方向为X方向，数据线6a延伸的方向为Y方向。
[0093]在由扫描线3a、数据线6a以及电容线3b这些信号线划分出的区域设有像素电极
15、TFT30和存储电容16，它们构成了像素P的像素电路。
[0094]扫描线3a电连接于TFT30的栅，数据线6a电连接于TFT30的源。像素电极15电连接于TFT30的漏。
[0095]数据线6a连接于数据线驱动电路101 (参照图1)，将从数据线驱动电路101供给来的图像信号D1、D2、…Dn供给到像素P。扫描线3a连接于扫描线驱动电路102 (参照图1)，将从扫描线驱动电路102供给来的扫描信号SC1、SC2、一SCm供给到像素P。
[0096]从数据线驱动电路101供给到数据线6a的图像信号Dl?Dn，既可以按该顺序逐条线地依次地供给，也可以相对于相互相邻的多条数据线6a彼此按组供给。扫描线驱动电路102对扫描线3a按预定的定时以脉冲方式逐条线地依次供给扫描信号SCl?SCm。
[0097]液晶装置100构成为，作为开关元件的TFT30由于扫描信号SCl?SCm的输入而仅在一定期间为导通状态，因此从数据线6a供给的图像信号Dl?Dn按预定的定时被写入像素电极15。而且，经由像素电极15被写入液晶层50的预定电平的图像信号Dl?Dn，在像素电极15与介由液晶层50与其相对配置的共用电极23之间被保持一定期间。图像信号Dl?Dn的频率为例如60Hz。
[0098]为了防止所保持的图像信号Dl?Dn泄漏，与在像素电极15与共用电极23之间所形成的液晶电容并联地连接有存储电容16。存储电容16设置在TFT30的漏与电容线3b之间。
[0099]此外，在图1 (a)所示的检查电路103连接有数据线6a，在液晶装置100的制造过程中，构成为，通过检测上述图像信号能够确认液晶装置100的工作缺陷等，但是在图2的等效电路中省略了图示。
[0100]本实施方式中的对像素电路进行驱动控制的周边电路包括数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102和检查电路103。另外，周边电路也可以包括:对上述图像信号进行采样并供给到数据线6a的采样电路；和在供给上述图像信号之前对数据线6a供给预定电压电平的预充电信号的预充电电路。
[0101]接下来，就本实施方式的液晶装置100 (液晶面板110)中的像素P的结构进行说明。图3是表示第I实施方式的液晶装置的像素的结构的概略剖视图。
[0102]如图3所示，在元件基板10的基材1s上首先形成扫描线3a。扫描线3a具有遮光性，能够使用包含例如Al (铝)、Ti (钛)、Cr (铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo (钥)等金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、多晶硅化物、氮化物或者这些物质层叠所形成的物质。
[0103]以覆盖扫描线3a的方式形成含例如氧化硅等的第I绝缘膜(基底绝缘膜)11a，在第I绝缘膜Ila上按岛状形成半导体层30a。半导体层30a包括例如多晶硅膜，被注入杂质离子而形成具有第I源.漏区域、接合区域、沟道区域、接合区域、第2源.漏区域的LDD (Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)结构。
[0104]以覆盖半导体层30a的方式形成第2绝缘膜(栅绝缘膜)lib。而且，在夹着第2绝缘膜Ilb与沟道区域相对的位置形成有栅电极30g。
[0105]覆盖栅电极30g和第2绝缘膜Ilb地形成第3绝缘膜11c，在与半导体层30a的各个端部重叠的位置形成将第2绝缘膜I lb、第3绝缘膜Ilc贯通的2个接触孔CNT1、CNT2。
[0106]而且，以填埋2个接触孔CNTl、CNT2并且覆盖第3绝缘膜I Ic的方式，使用Al (铝)和/或其合金等遮光性的导电材料而成膜出导电膜，对该导电膜进行构图，从而形成经由接触孔CNTl而连接于第I源?漏区域的源电极31以及数据线6a。同时，形成经由接触孔CNT2而连接于第2源.漏区域的漏电极32(第I中继电极6b)。
[0107]接下来，覆盖数据线6a、第I中继电极6b和第3绝缘膜Ilc地形成第I层间绝缘膜12。第I层间绝缘膜12包含例如硅的氧化物和/或氮化物。而且，实施:使因覆盖设有TFT30的区域而产生的表面凹凸平坦化的平坦化处理。作为平坦化处理的方法，可以举出例如化学机械研磨处理(Chemical Mechanical Polishing, CMP处理)和/或旋转涂敷处理坐寸ο
[0108]在与第I中继电极6b重叠的位置形成将第I层间绝缘膜12贯通的接触孔CNT3。以覆盖该接触孔CNT3并且覆盖第I层间绝缘膜12的方式，成膜出包含例如Al (铝)和/或其合金等的遮光性金属的导电膜，对该导电膜进行构图，从而形成布线7a和经由接触孔CNT3而电连接于第I中继电极6b的第2中继电极7b。
[0109]布线7a，形成为俯视与TFT30的半导体层30a和/或数据线6a重叠，且被提供固定电位而作为屏蔽层发挥作用。
[0110]覆盖布线7a和第2中继电极7b地形成第2层间绝缘膜13a。第2层间绝缘膜13a，也能够使用例如硅的氧化物和/或氮化物或氮氧化物来形成，被实施CMP处理等平坦化处理。
[0111]在第2层间绝缘膜13a的与第2中继电极7b重叠的位置形成接触孔CNT4。以覆盖该接触孔CNT4并且覆盖第2层间绝缘膜13a的方式，形成含例如Al (铝)和/或其合金等遮光性金属的导电膜，对该导电膜进行构图，从而形成第I电容电极16a和第3中继电极16d。
[0112]以覆盖第I电容电极16a中的、隔着后面将形成的电介质层16b与第2电容电极16c相对的部分的外缘的方式，构图形成了绝缘膜13b。另外，以覆盖第3中继电极16d中的、除了与接触孔CNT5重叠的部分外的外缘的方式，构图形成了绝缘膜13b。
[0113]覆盖绝缘膜13b和第I电容电极16a地成膜出电介质层16b。作为电介质层16b,也可以使用氮化硅膜和/或氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)等的单层膜、或者层叠这些单层膜中的至少2种单层膜而成的多层膜。俯视与第3中继电极16d重叠的部分的电介质层16b通过蚀刻等而被去除。以覆盖电介质层16b的方式，形成例如TiN(氮化钛)等的导电膜，对该导电膜进行构图，从而形成与第I电容电极16a相对配置且连接于第3中继电极16d的第2电容电极16c。由电介质层16b、夹着电介质层16b相对配置的第I电容电极16a和第2电容电极16c，构成存储电容16。
[0114]接下来，形成覆盖第2电容电极16c和电介质层16b的第3层间绝缘膜14。第3层间绝缘膜14也包含例如硅的氧化物和/或氮化物，且被实施CMP处理等平坦化处理。形成贯通第3层间绝缘膜14的接触孔CNT5使得第2电容电极16c与第3中继电极16d接触。
[0115]以覆盖该接触孔CNT5并覆盖第3层间绝缘膜14的方式，成膜出ITO等的透明导电膜(电极膜)。对该透明导电膜(电极膜)进行构图而形成经由接触孔CNT5与第2电容电极16c以及第3中继电极16d电连接的像素电极15。
[0116]第2电容电极16c经由第3中继电极16d、接触孔CNT4、第2中继电极7b、接触孔CNT3、第I中继电极6b而电连接于TFT30的漏电极32，并且经由接触孔CNT5而电连接于像素电极15。
[0117]第I电容电极16a形成为跨多个像素P，作为等效电路(参照图2)中的电容线3b发挥作用。对第I电容电极16a提供固定电位。由此，能够将经由TFT30的漏电极32提供给像素电极15的电位保持在第I电容电极16a与第2电容电极16c之间。
[0118]这样在元件基板10的基材1s上形成了多条布线，使用对布线之间进行绝缘的绝缘膜和/或层间绝缘膜的附图标记来表示布线层。即，将第I绝缘膜lla、第2绝缘膜Ilb和第3绝缘膜Ilc统称为布线层11。布线层11的代表性的布线为扫描线3a。布线层12的代表性的布线为数据线6a。将第2层间绝缘膜13a、绝缘膜13b和电介质层16b统称为布线层13，其代表性布线为布线7a。同样地，布线层14的代表性的布线为第I电容电极16a (电容线3b)。
[0119]以覆盖像素电极15的方式形成取向膜18，以覆盖介由液晶层50与元件基板10相对配置的相对基板20的共用电极23的方式形成取向膜24。如上所述，取向膜18、24是无机取向膜，包括将氧化硅等无机材料从预定方向例如倾斜蒸镀而按柱状生长而成的柱18a、24a的集合体。相对于这样的取向膜18、24具有负的介电各向异性的液晶分子LC，相对于取向膜面的法线方向向柱18a、24a的倾斜方向具有3度?5度的预倾角度θ p，为大致垂直取向(VA, Vertical Alignment)。通过对像素电极15与共用电极23之间施加交流电压(驱动信号)来驱动液晶层50，液晶分子LC以向在像素电极15与共用电极23之间产生的电场方向倾斜的方式运动(振动)。
[0120]图4是表示无机材料的倾斜蒸镀方向与由离子性杂质所引起的显示不良之间的关系的概略俯视图。形成柱18a、24a处的无机材料的倾斜蒸镀方向，如图4所示，例如在元件基板10侧，为如虚线箭头所示从右上方向左下方按预定的方位角度Θ a与Y方向交叉的方向。在相对于元件基板10相对配置的相对基板20侧，为如实线箭头所示从左下方向右上方按预定的方位角度Θ a与Y方向交叉的方向。预定的角度0a为例如45度。此外，图4所示的倾斜蒸镀方向是从相对基板20侧观察液晶装置100时的方向。
[0121]通过驱动液晶层50，液晶分子LC产生运动(振动)，在液晶层50与取向膜18、24的界面附近，液晶分子LC按图4所示的虚线或实线箭头所示的倾斜蒸镀方向产生流动(flow)。假设液晶层50中含有极性为正或负的离子性杂质，则离子性杂质可能会沿液晶分子LC的流动向显示区域E的角部移动而偏置。如果由于离子性杂质的偏置而导致在位于角部的像素P中液晶层50的绝缘电阻降低，则在该像素P中导致驱动电位减低，图4所示的显示不均和/或由通电所导致的图像残留现象变得显著。尤其是，在取向膜18、24使用无机取向膜的情况下，无机取向膜容易吸附离子性杂质，所以与有机取向膜相比，显示不均和/或图像残留现象容易显眼。
[0122]在本实施方式的液晶装置100中，为了改善图4所示的显示不均和/或图像残留现象，在密封件40与显示区域E之间设有从显示区域E扫走离子性杂质的离子捕获机构。以下，将参照图5和图6就本实施方式中的离子捕获机构进行说明。
[0123]图5(a)是表示用于显示的像素以及虚设像素的配置的概略俯视图，图5(b)是电子分隔部以及离子捕获机构的布线图，图6是示出沿图5(a)的A-A’线的液晶面板的结构的概略剖视图。
[0124]如图5(a)所示,本实施方式的液晶装置100的显示区域E包括:配置有用于显示的像素P的实际显示区域El ;和具有包围实际显示区域El而配置的多个虚设像素DP的虚设像素区域E2。在按框缘状配置有密封件40的区域与虚设像素区域E2之间，设有上述的具有遮光性的分隔部21，设有分隔部21的区域成为与液晶装置100的开、关无关的分隔区域E3。
[0125]在虚设像素区域E2，在X方向上夹着实际显示区域El各配置有2个虚设像素DP，在Y方向上夹着实际显示区域El各配置有2个虚设像素DP。此外，虚设像素区域E2中的虚设像素DP的配置数量不限定于此，在X方向、Y方向上的每个方向上只要夹着实际显示区域El至少各配置I个虚设像素DP即可。另外，也可以各为3个以上，X方向与Y方向上的配置数量也可以不同。在本实施方式中，使虚设像素DP作为电子分隔部发挥作用，所以有时也对多个虚设像素DP附加附图标记120，将其称为电子分隔部120。
[0126]如图5(b)所示，沿实际显示区域El的边缘包围实际显示区域El地配置的多个虚设像素DP的各个，具有虚设像素电极122。以进一步包围具有虚设像素电极122的多个虚设像素DP的方式配置的多个虚设像素DP的各个，具有虚设像素电极121。沿X方向排列的多个虚设像素电极121与多个虚设像素电极122在Y方向上相邻地配置，沿Y方向排列的多个虚设像素电极121与多个虚设像素电极122在X方向上相邻地配置。也就是，电子分隔部120具有分别在X方向和Y方向上排列的多个虚设像素电极121、122。
[0127]本实施方式的离子捕获机构130具有以包围电子分隔部120的方式设置的第I电极131、第2电极132和第3电极133。第I电极131、第2电极132和第3电极133的形状分别俯视呈四边形的框状，第I电极131配置在距电子分隔部120最近的位置，第3电极133配置在距电子分隔部120最远的位置，第2电极132配置在第I电极131与第3电极133之间。
[0128]在俯视呈四边形的第I电极131的沿X方向延伸的下侧的边部的两端侧，电连接有在Y方向上延伸的一对引绕布线135的一端。一对引绕布线135的另一端在元件基板10连接于外部连接端子104。为了将连接有一对引绕布线135的外部连接端子104与其他外部连接端子104区别开，将其标记为外部连接端子104 (Itl)。
[0129]同样地，在俯视呈四边形的第2电极132的、在X方向上延伸的下侧的边部的两端侦牝电连接有在Y方向上延伸的一对引绕布线136的一端。一对引绕布线136的另一端在元件基板10连接于外部连接端子104。为了将连接有一对引绕布线136的外部连接端子104与其他的外部连接端子104区别开，将其标记为外部连接端子104 (It2)。
[0130]同样地，在俯视呈四边形的第3电极133的、在X方向上延伸的下侧的边部的两端侦牝电连接有在Y方向上延伸的一对引绕布线137的一端。一对引绕布线137的另一端在元件基板10连接于外部连接端子104。为了将连接有一对引绕布线137的外部连接端子104与其他的外部连接端子104区别开，将其标记为外部连接端子104 (It3)。
[0131]离子捕获机构130包括:第I电极131 ;第2电极132 ;第3电极133 ;和将从外部连接端子104(Itl、It2、It3)供给来的电位传输到第I电极131、第2电极132、第3电极133的各自的引绕布线135、136、137。
[0132]共用电极23包括实际显示区域E1，并设置为俯视与电子分隔部120的多个虚设像素电极121、122重叠。也就是，共用电极23遍及显示区域E而设置，离子捕获机构130的第I电极131、第2电极132、第3电极133俯视并不重叠。
[0133]在多个外部连接端子104的两端侧设有上下导通部106。上下导通部106与上述两端侧的外部连接端子104经由引绕布线107电连接。另外，在共用电极23设有连接于上下导通部106的引出布线23a。对上述两端侧的外部连接端子104提供共用电位(LCCOM)。因此，将电连接于共用电极23的外部连接端子104标记为外部连接端子104 (LCCOM)。SP，对共用电极23施加共用电位(LCCOM)。
[0134]此外，在本实施方式中，为了抑制被提供给第I电极131、第2电极132、第3电极133的电位因元件基板10上的第I电极131、第2电极132、第3电极133的位置而波动，设为分别从2个外部连接端子104(Itl、It2、It3)供给电位的构成，但是并不限定于此。外部连接端子104(Itl、It2、It3)既可以各为I个，也可以各为3个以上。
[0135]另外，第I电极131不限定于俯视电闭合的四边形的电极。也可以处于在一端连接有引绕布线135而另一端开放的状态(开路)。第2电极132和第3电极133也一样，也可以处于在一端连接有引绕布线而另一端开放的状态(开路)。
[0136]另外，在本实施方式中，如图4所示，通过离子捕获机构130将偏置于显示区域E的角部的离子性杂质扫集到显示区域E的外侧。因此，不与离子捕获机构130重叠地配置共用电极23，详细情况将后述。因此，优选，共用电极23的引出布线23a与第I电极131、第2电极132、第3电极133俯视重叠的位置、即共用电极23中的引出布线23a的引出位置，不与第I电极131、第2电极132、第3电极133的角部重叠。
[0137]如图6所示，液晶装置100的元件基板10在基材1s上具有多个布线层11?布线层14。像素P的像素电极15、虚设像素DP(电子分隔部120)的虚设像素电极121、122以及离子捕获机构130的第I电极131、第2电极132和第3电极133，分别形成在第3层间绝缘膜14上。虚设像素电极121、122、第I电极131、第2电极132和第3电极133，在形成像素电极15的工序中，使用与像素电极15相同的透明导电膜(例如ITO膜)而形成。虚设像素电极121、122的俯视形状以及大小和/或配置间距，与像素电极15相同。
[0138]第I电极131、第2电极132和第3电极133在X方向上等间隔配置。此外，虽然在图6中没有示出，但是第I电极131、第2电极132和第3电极133在Y方向上也等间隔地配置。第I电极131、第2电极132和第3电极133与设置在下层的布线层的布线连接，分别被引导到外部连接端子104(Itl、It2、It3)。第I电极131、第2电极132和第3电极133的电极部分的宽度例如为4 μ m，第I电极131、第2电极132和第3电极133的配置间距例如为8 μ m。S卩，第I电极131与第2电极132的间隔以及第2电极132与第3电极133的间隔都是4 μ m。
[0139]另外，在X方向上第I电极131与相邻的虚设像素电极121的间隔，比第I电极131与第2电极132在X方向上的间隔大。此外，虽然在图6中没有示出，但是在Y方向上第I电极131与相邻的虚设像素电极121的间隔，比第I电极131与第2电极132在Y方向上的间隔大。第I电极131与虚设像素电极121在X方向和Y方向上的间隔都为例如10 μ m以上。
[0140]虚设像素电极121、122分别电连接于在下层设置的TFT30。在液晶装置100为常黑模式的情况下，为了不管实际显示区域El的像素P的显示状态怎样总是将电子分隔部120设为“黑模式(黑显示)”，而经由TFT30对多个虚设像素电极121、122施加例如虚设像素DP的透射率不变的程度的交流电位。
[0141]如利用图3以及图4所说明了的那样，在液晶装置100的驱动中(显示期间中)，沿着液晶分子LC的由运动所致的流动，正极性(+)或负极性(_)的离子性杂质从实际显示区域El的角部不断向虚设像素区域E2移动。
[0142]另一方面，对离子捕获机构130的第I电极131、第2电极132和第3电极133以下述方式提供交流信号:使得在相邻的电极间产生的电场(电力线)的方向从接近电子分隔部120 (或显示区域E)的第I电极131向第3电极133的方向移动。交流信号是以被提供给共用电极23的共用电位(LCCOM)为基准电位而向高电位和低电位转变的信号。正极性(+)或负极性(_)的离子性杂质，随着上述电场方向从第I电极131向第3电极133移动，从虚设像素区域E2被扫集到分隔区域E3。
[0143]在本实施方式的相对基板20，在介由液晶层50而与第I电极131、第2电极132、第3电极133的各个相对的部分未设置共用电极23。因此，难以在第I电极131、第2电极132、第3电极133的各个与共用电极23之间产生电场。也就是，不会因在第I电极131、第2电极132、第3电极133的各个与共用电极23之间所产生的电场而妨碍离子性杂质的移动，使得离子性杂质被扫集到分隔区域E3。
[0144]液晶装置100的驱动方法
[0145]接下来，举出经由外部连接端子104(Itl、It2、It3)施加于第I电极131、第2电极132、第3电极133的各个的具体的交流信号的例子，参照图7以及图8就液晶装置100的驱动方法进行说明。图7以及图8是表示被提供给离子捕获机构的第I电极、第2电极和第3电极的交流信号的一例的定时图。图7以及图8是表示矩形波的交流信号的例子的图。
[0146]本实施方式的液晶装置100的驱动方法，例如如图7所示，对第I电极131、第2电极132和第3电极133的各个施加矩形波的交流信号。具体而言，在第I电极131的第I电位从正极性(+)或基准电位转变为负极性(_)后且在转变为基准电位或正极性(+)之前，第2电极132的第2电位从正极性⑴或基准电位转变为负极性(_)，在第2电位转变为负极性(_)后且在转变为基准电位或正极性(+)之前，第3电极133的第3电位从正极性(+)或基准电位转变为负极性(_)。另外，以下述方式对第I电极131、第2电极132和第3电极133的各个施加同一频率的交流信号:在第I电极131的第I电位从负极性(_)或基准电位转变为正极性(+)后且在转变为基准电位或负极性(_)之前，第2电极132的第2电位从负极性(_)或基准电位转变为正极性(+)，在第2电位从负极性(_)或基准电位转变为正极性(+)后且在转变为基准电位或负极性(_)之前，第3电极133的第3电位从负极性(_)或基准电位转变为正极性(+)。
[0147]相对于提供给第I电极131的交流信号，提供给第2电极132的交流信号，在时间轴t上按At时间延迟。同样地，相对于提供给第2电极132的交流信号，提供给第3电极133的交流信号，在时间轴t上按At时间延迟。例如，如果将At时间设为1/3周期，则提供给第I电极131、第2电极132和第3电极133的各个的交流信号的相位彼此会错开1/3周期。换言之，成为第I电极131、第2电极132、第3电极133的各个的电位的相位相互错开的状态的、最大的相位的错开量At，是用交流信号的I个周期除以电极数量η所得的值。
[0148]此外，图7所示的矩形波的交流信号，将基准电位设为OV并转变为高电位(5V)和低电位(-5V),但基准电位、高电位和低电位的设定并不限定于此。
[0149]在图7的定时图中从时间h到时间h，在第I电极131的第I电位为5V的正极性(+)时，与第I电极131相邻的第2电极132的第2电位变为-5V的负极性㈠。因此，在第I电极131与第2电极132之间，如图6所示产生从第I电极131朝向第2电极132的电场(实线示出的电力线)。
[0150]另外，从时间&到时间t2，在第2电极132的第2电位为5V的正极性(+)时，与第2电极132相邻的第3电极133的第3电位变为-5V的负极性㈠。因此，在第2电极132与第3电极133之间，如图6所示产生从第2电极132朝向第3电极133的电场。
[0151]另外，从时间t2到时间t3，在第3电极133的第3电位为5V的正极性(+)时，与第3电极133相邻的第2电极132的第2电位从5V的正极性⑴转变为-5V的负极性㈠。因此，在第2电极132与第3电极133之间，难以沿一定方向产生电场。也就是，在从时间t2到时间t3中的与交流信号的I个周期相当的时间内，第I电极131、第2电极132、第3电极133的电极间的电场的分布，从第I电极131向第3电极133时间性地翻卷(scroll)。将这种利用交流信号产生电场的方法称为“电场翻卷”。
[0152]离子性杂质中，可能存在具有正极性(+)的离子性杂质和具有负极性(_)的离子性杂质。因此，与第I电极131的第I电位的极性相对应地，正极性(+)或负极性(_)的离子性杂质被吸引靠近第I电极131。如果使被吸引靠近第I电极131的离子性杂质原样滞留，则接连蓄积离子性杂质，可能会影响到电子分隔部120和/或实际显示区域El的显示，所以优选，使被吸引靠近第I电极131的离子性杂质逐渐向第2电极132和/或第3电极133移动。
[0153]在本实施方式中，如上所述，通过对第I电极131、第2电极132和第3电极133施加彼此相位错开了的交流信号，使在电极间产生的电场的分布从第I电极131向第3电极133翻卷。由此，能够使被吸引靠近第I电极131的正极性(+)或负极性(_)的离子性杂质向第3电极133移动。因此，有时也将第I电极131、第2电极132和第3电极133统称为离子捕获电极131、132、133。
[0154]为了随着电场的翻卷而可靠地将离子性杂质扫集到第3电极133，需要考虑离子性杂质的移动速度来确定交流信号的频率。如果电场翻卷的速度比离子性杂质的移动速度块，则离子性杂质无法随着电场的翻卷而移动，可能会降低扫集离子性杂质的效果。
[0155]
【发明者】如下这样导出离子捕获机构130的优选的交流信号的频率f (Hz)。
[0156]离子性杂质在液晶层中的移动速度v(m/s)，如数学式(I)所示那样，由相邻的离子捕获电极间的电场强度e(V/m)与离子性杂质的迁移率μ (m2/V.s)之积得到。
[0157]也就是，V= e.μ (I)
[0158]电场强度e(V/m)，如数学式(2)所示那样，为相邻的离子捕获电极间的电位差Vn除以离子捕获电极的配置间距P(Hl)所得的值。
[0159]也就是，e= Vn/p (2)
[0160]相邻的离子捕获电极间的电位差Vn与交流信号中的有效电压Ve的2倍相当，所以可以导出下面的数学式(3)。
[0161]也就是，e= 2VE/p (3)
[0162]另外，如图7所示，矩形波的交流信号的有效电压Ve相当于相对于矩形波的基准电位的电位，在本实施方式中为5V。
[0163]通过将数学式(3)代入数学式(1)，离子性杂质的移动速度v(m/s)变为数学式⑷。
[0164]也就是，V= 2 μ VE/p (4)
[0165]离子性杂质在相邻的离子捕获电极间移动的时间td，如数学式(5)所示，为相邻的离子捕获电极的配置间距P除以离子性杂质的移动速度V所得的值。
[0166]也就是，td= p/v = ρ2/2 μ Ve (5)
[0167]因此，通过配合离子性杂质在相邻的离子捕获电极间移动的时间td翻卷电场，从而求出优选的频率f (Hz)。电场的翻卷时间相当于交流信号的相位差At，所以如果如上所述将At设为I/η周期，则根据下面的数学式(6)推导出优选的频率f (Hz)。η是离子捕获电极的数量。
[0168]即，f= Ι/η/td = 2 μ VE/np2 (6)
[0169]如上所述，如果将施加于相邻的离子捕获电极的交流信号的相位差At设为1/3周期，则在以OV为基准电位且转变为5V和-5V的矩形波的交流信号的情况下，离子捕获机构130中的相邻的离子捕获电极间的电位差Vn变为1V。另外，如果将离子捕获机构130中的离子捕获电极的配置间距P设为8 μ m、且将离子性杂质的迁移率μ设为2.2X10, (m2/V.s)，则优选的频率f根据数学式(6)算出约为12Hz。
[0170]此外，离子性杂质的迁移率μ的值记载在:例如A.Sawada, A.Manabe andS.Naemura, “A Comparative Study on the Attributes of 1ns in Nematic and IsotropicPhases” , Jpn.J.Appl Phys Vol.40, p220_p224 (2001)中。
[0171]如果使交流信号的频率f比12Hz大，则离子性杂质无法随着电场的翻卷而移动，所以优选，频率f等于12Hz或小于12Hz。另外，如果使频率f过小，则成为直流被施加于离子捕获电极之间的状态，会引起例如液晶的分解和/或图像残留、污迹等显示不良等，因此不优选。如果使离子捕获电极131、132、133的配置间距小于8 μ m，则能够增大优选的频率f。而且，为了将离子性杂质从显示区域E扫集到更远处，优选，将离子捕获电极的数量从3个进一步增加。
[0172]另外，在将离子捕获电极131、132、133的宽度设为L并将离子捕获电极131、132、133的间隙设为S时，优选，宽度L与间隙S相同或比间隙S小。这是因为:如果将宽度L设为比间隙S大，则与离子性杂质在产生电场的移动的离子捕获电极之间移动的时间相比，在难以产生电场的移动的离子捕获电极上移动的时间更长，所以可能会降低离子性杂质的扫集效果。
[0173]施加于离子捕获电极131、132、133的交流信号，不限定于图7所示的矩形波的交流信号。例如，也可以设为图8所示的矩形波。
[0174]关于图7的矩形波的交流信号，电位为正极性(+)的时间与电位为负极性(_)的时间相等，但是例如也可以设为:如图8所示那样、设定为电位为负极性㈠的时间t5比电位为正极性(+)的时间丨4长的交流信号。根据液晶装置100的制造工序，液晶层50中可能含有正极性(+)以及负极性(_)的离子性杂质，已知正极性(+)的离子性杂质与负极性(-)的离子性杂质相比，更能使显示品质减低。因此，通过对离子捕获电极131、132、133的各个施加电位为负极性(_)的时间&设定得较长的交流信号，能够有效地扫集正极性(+)的离子性杂质。
[0175]另外，矩形波的交流信号，可以如图7以及图8所示，例如将OV设为基准电位并使振幅在5V与-5V这两个值的电位之间，但是也可以设定波形使得在不同的3值以上的电位之间转变。由此，能够使离子性杂质从离子捕获机构130的第I电极131顺畅地经由第2电极132向第3电极133移动。另外，不仅是图7以及图8所示的矩形波的交流信号，也能够采用三角波的交流信号。另外，如图9所示，也可以将施加于离子捕获电极131、132、133的各个的交流信号设为在I个周期的时间内相位彼此不同的正弦波。此外，与生成正弦波那样的模拟信号的模拟电路相比，生成矩形波的数字电路能够简化电路构成。
[0176]另外，如果是同样频率的交流信号，则施加于第I电极131、第2电极132和第3电极133的交流信号的振幅的大小、也就是相对于基准电位为正极性的最大电位和为负极性的最大电位，也可以不必相等。例如，对第I电极131提供如前所述的以OV为基准电位且振幅在5V与-5V之间的交流信号。相对于此，对第2电极132提供以OV为基准电位且振幅在7.5V与-7.5V之间的交流信号，对第3电极133提供以OV为基准电位且振幅在10V与-10V之间的交流信号。这样，通过使得离子捕获电极131、132、133离显示区域E越远、施加于3个离子捕获电极131、132、133的交流信号的振幅的大小越大，能够有效地扫集离子性杂质。
[0177]另外，通过驱动像素P，如上所述在液晶层50中产生液晶分子LC的流动，离子性杂质通过该流动而在显示区域E移动。一般认为，流动速度与驱动像素P的驱动信号的频率相关。为了将通过该流动而移动的离子性杂质从显示区域E可靠地吸引靠近离子捕获电极131、132、133，使在离子捕获电极131、132、133之间产生的电场的移动缓慢较好。也就是，优选，被施加于离子捕获电极131、132、133的交流信号的频率f (Hz)比驱动像素P的驱动信号的频率小。
[0178]另一方面，离子性杂质的迁移率μ (移动速度V)与温度相关。因此，如果液晶装置100被实际驱动时的温度高于常温，则即使将频率f设定得大于12HZ也能够得到扫集离子性杂质的效果。
[0179]图10是表示离子性杂质的迁移率μ与温度之间的关系的曲线图。此外，图10的曲线图是参照之前的 A.Sawada, A.Manabe and S.Naemura, “A Comparative Study on theAttributes of 1ns in Nematic and Isotropic Phases”，Jpn.J.Appl Phys Vol.40, p220 -p 224(2001)中所记载的离子性杂质的迁移率μ的值所得到的。
[0180]如图10所示，温度为25°C时的离子性杂质的迁移率μ的值约为2.2X10_1(I(m2/V.s)，1gy的值为-9.6。相对于此，温度为60°C时的离子性杂质的迁移率μ的值约为2.2X10^9(m2/V*s),logy的值为-8.7。也就是，60°C时离子性杂质的迁移率μ的值大约是25°C时的10倍。着眼于60°C的温度是考虑到将液晶装置100作为后述的投影型显示装置的光阀来使用时的温度而决定的。
[0181]如果在上述的数学式(6)中代入η = 3、Ve = 5V、P = 8 μ m、温度为60°C的μ =2.2X10_9(m2/V.s)，则最佳的频率f约为113Hz。在该状态下，一般认为，虽然施加于离子捕获电极131、132、133的交流信号的最佳频率f比本实施方式的驱动频率即60Hz大，但是仍能够得到离子性杂质的扫集效果。换言之，一般认为，如果将驱动频率设为比交流信号的最佳频率f大的例如120Hz，则可更有效地扫集离子性杂质。
[0182]接下来，就交流信号的施加方法(手段)进行说明。在本实施方式中，如图5(b)所示，从外部经由3个外部连接端子104(Itl、It2、It3)对离子捕获机构130的第I电极131、第2电极132和第3电极133的各个施加频率相同且相位错开的交流信号，但是施加频率相同且相位错开的交流信号的方法(手段)不限定于此。
[0183]图11是表示延迟电路的构成的电路图。如图11所示，液晶装置100也可以构成为，具备延迟电路150，该延迟电路150包括:在引绕布线135与引绕布线136之间设置的延迟元件151 ;和在引绕布线136与引绕布线137之间设置的延迟元件151。延迟元件151可以举出例如包括电容元件(C)和电感元件(L)的电路构成和/或、包括电阻(R)和电容元件(C)的电路构成。根据这样的延迟电路150，通过对外部连接端子104(Itl)供给第I交流信号，经由引绕布线135对第I电极131施加第I交流信号。另外，第I交流信号经由延迟元件151传输到引绕布线136，从而相位相对于第I交流信号错开的第2交流信号经由引绕布线136被施加于第2电极132。另外，第2交流信号经由延迟元件151传输到引绕布线137，从而相位相对于第2交流信号错开的第3交流信号经由引绕布线137被施加于第3电极133。
[0184]因此，只要通过外部电路仅生成第I交流信号、并将其供给到外部连接端子104(Itl)即可，所以能够简化装置整体的电路构成。
[0185]根据上述第I实施方式的液晶装置100及其驱动方法，能够得到下述的效果。
[0186](I)在电子分隔部120与密封件40之间设有离子捕获机构130，对第I电极131、第2电极132和第3电极133的各个施加频率相同且在与I个周期相当的时间内彼此相位错开的交流信号。由此，在离子捕获电极131、132、133之间产生的电场的分布从第I电极131向第3电极133翻卷，由于该电场的翻卷使得液晶层50中的离子性杂质从显示区域E被扫集到配置有离子捕获电极131、132、133的分隔区域E3。
[0187](2)施加于离子捕获电极131、132、133的各个的交流信号的频率f，根据上述数学式(6)推导出，在常温的情况下被设定为比像素P中的图像信号(驱动信号)的频率(例如60Hz)低的12Hz以下。另外，在考虑了液晶层50中的离子性杂质的移动速度v和实际使用时的温度为60°C时，设定为约113Hz以下。因此，能够可靠地将离子性杂质扫集到分隔区域E3。
[0188](3)离子捕获机构130的第I电极131与电子分隔部120的虚设像素电极121的间隔，比第I电极131与第2电极132的间隔大。因此，因在第I电极131与虚设像素电极121之间产生的电场，离子性杂质的移动难以受阻，能够使离子性杂质顺畅地从第I电极131移动到第2电极132。
[0189](4)在介由液晶层50与离子捕获电极131、132、133相对应的部分未设置共用电极23。因此，在离子捕获电极131、132、133与共用电极23之间难以产生电场，所以利用在离子捕获电极131、132、133之间产生的电场的翻卷，能够可靠地将离子性杂质扫集到分隔区域E3。
[0190](5)在分隔区域E3设有遮光性的分隔部21，所以即使离子性杂质被扫集到分隔区域E3并蓄积、分隔区域E3的液晶层50的光学特性变化，也不会对包括电子分隔部120的显示区域E的显示造成影响。
[0191]第2实施方式
[0192]接下来，参照图12就第2实施方式的液晶装置进行说明。图12是示出第2实施方式的液晶装置的结构的概略剖视图。此外，图12是与第I实施方式中的图6相对应的概略剖视图。相对于第I实施方式的液晶装置100，第2实施方式的液晶装置中，相对基板20中的共用电极23的配置不同。对于与第I实施方式相同的构成标注相同的附图标记，并省略详细的说明。
[0193]如图12所示，第2实施方式的液晶装置200具有由经由密封件40而贴合的元件基板210与相对基板220之间的间隙所夹持的液晶层50。
[0194]在元件基板210的第3层间绝缘膜14上分别配置有像素电极15、虚设像素电极121、122、离子捕获电极 131、132、133。
[0195]在相对基板220，遍及显示区域E和分隔区域E3形成有共用电极23。也就是，在分隔区域E3夹着液晶层50地相对配置有离子捕获电极131、132、133和共用电极23。
[0196]与第I实施方式同样地，对离子捕获电极131、132、133的各个施加频率相同且在I个周期的时间内彼此相位不同的交流信号(例如图7所示的矩形波)。于是，在第I电极131与共用电极23之间，与第I电极131的第I电位的极性相应地产生实线或虚线箭头所示的电场。即使在第2电极132和/或第3电极133与共用电极23之间，也与第I电极131的情况相同，产生实线或虚线箭头所示的电场。因为对离子捕获电极131、132、133的各个施加相位不同的交流信号，所以实线或虚线箭头所示的这些电场从距显示区域E近的第I电极131向第3电极133时间性地翻卷。
[0197]与第I实施方式的液晶装置100相比较，第2实施方式的液晶装置200，虽然受到液晶层50的厚度对电场强度的影响，但是与第I实施方式同样地，能够通过离子捕获机构130将显示区域E中的离子性杂质扫集到分隔区域E3。
[0198]另外，因为不需要像第I实施方式的液晶装置100那样、进行构图使得共用电极23与显示区域E相对应且具有引出布线23a，所以具有能够简化液晶装置200的构成这一优点。
[0199]第3实施方式
[0200]接下来，参照图13就第3实施方式的液晶装置进行说明。图13是示出第3实施方式的液晶装置的结构的概略剖视图。第I实施方式的液晶装置100是透射型的，相对于此，第3实施方式的液晶装置是反射型的，这一点不同。对于与第I实施方式相同的构成标注相同的附图标记，并省略详细的说明。
[0201]第3实施方式的液晶装置300，与第I实施方式的液晶装置100同样地具有:配置有多个像素P的实际显示区域El ;配置有多个虚设像素DP的虚设像素区域E2 ;和配置有分隔部21以及离子捕获机构130的分隔区域E3。
[0202]如图13所示，元件基板310的像素电极15R，由例如具有光反射性的Al (铝)和/或含Al的合金等在第3层间绝缘膜14上形成。另外，经由在第3层间绝缘膜14设置的接触孔CNT5，与存储电容16的第2电容电极16c电连接。
[0203]覆盖像素电极15R地形成有无机绝缘膜19。在无机绝缘膜19的表面形成有包括柱18a的集合体的取向膜18,该柱18a通过倾斜蒸镀氧化娃等而生长。
[0204]覆盖相对基板320的使用ITO膜等透明导电膜而形成的共用电极23地形成有无机绝缘膜25。在无机绝缘膜25的表面形成有包括柱24a的集合体的取向膜24，该柱24a通过倾斜蒸镀氧化硅等而生长。
[0205]在形成有取向膜18的元件基板310与形成有取向膜24的相对基板320之间，夹持有包括具有负的介电各向异性的液晶分子LC的液晶层50。
[0206]无机绝缘膜19、25通过蒸镀例如氧化硅而成膜。用无机绝缘膜19覆盖功函数与共用电极23不同的像素电极15R的表面，另外用无机绝缘膜25覆盖共用电极23的表面，从而能够改善:在没有无机绝缘膜19、25的情况下由于功函数的不同而导致共用电位(LCCOM)变动(shift)这一不良情况。
[0207]离子捕获电极131、132、133和像素电极15R形成在同一层。因此，离子捕获电极131、132、133也由无机绝缘膜19覆盖。与第I实施方式同样地，对离子捕获电极131、132、133的各个施加:将共用电极23的共用电位(LCCOM)作为基准电位并转变为高电位和低电位、并且在与I个周期相当的时间内相位彼此不同的交流信号，所以与对离子捕获电极131、132、133施加直流电位的情况相比，难以引起因无机绝缘膜19、25的夹置而导致的电位的降低。因此，能够提供可将离子性杂质可靠地从显示区域E扫集到分隔区域E3的反射型的液晶装置300。此外，与第I实施方式的液晶装置100同样地，相对基板320的共用电极23遍及显示区域E而形成，未形成在分隔区域E3。也就是，离子捕获电极131、132、133和共用电极23并未夹着液晶层50相对配置。
[0208]第4实施方式
[0209]电子设备
[0210]接下来，参照图14就作为第4实施方式即电子设备的投影型显示装置进行说明。图14是示出第4实施方式的投影型显示装置的构成的概略图。
[0211]如图14所示，作为本实施方式的电子设备的投影型显示装置1000具备:沿系统光轴L配置的偏振照明装置1100 ;作为光分离元件的2个分色镜1104、1105 ；3块反射镜1106、1107、1108 ；5块中继透镜1201、1202、1203、1204、1205 ;3个作为光调制单元的透射型液晶光阀1210、1220、1230 ;作为光合成元件的十字分色棱镜1206 ;和投影透镜1207。
[0212]偏振照明装置1100大概包括:包括超高压水银灯和/或卤素灯等的白色光源的作为光源的灯单元1101 ;积分透镜1102 ;和偏振转换元件1103而构成。
[0213]分色镜1104使从偏振照明装置1100出射的偏振光束中的红色光(R)反射、使绿色光(G)和蓝色光(B)透射。另一块分色镜1105使透射了分色镜1104的绿色光(G)反射并使蓝色光(B)透射。
[0214]由分色镜1104反射了的红色光(R)，在由反射镜1106反射后经由中继透镜1205而入射于液晶光阀1210。
[0215]由分色镜1105反射了的绿色光(G)经由中继透镜1204而入射于液晶光阀1220。
[0216]透射了分色镜1105的蓝色光⑶经由包括3块中继透镜1201、1202、1203和2块反射镜1107、1108的导光系统而入射于液晶光阀1230。
[0217]液晶光阀1210、1220、1230分别相对于十字分色棱镜1206的每种颜色的光的入射面相对地配置。入射于液晶光阀1210、1220、1230的色光，基于影像信息(影像信号)而被调制，并朝向十字分色棱镜1206出射。关于该棱镜，贴合有4块直角棱镜，在其内面按十字状形成有反射红色光的电介质多层膜和反射蓝色光的电介质多层膜。通过这些电介质多层膜对3种色光进行合成，合成出显示彩色图像的光。合成后的光，由投影光学系统即投影透镜1207投影到屏幕1300上，放大地显示图像。
[0218]液晶光阀1210是应用了上述具有离子捕获机构130的第I实施方式的液晶装置100或第2实施方式的液晶装置200的装置。在液晶面板110的色光入射侧和出射侧隔开间隙地配置有按正交尼科尔状配置的一对偏振元件。其他的液晶光阀1220、1230也是一样。
[0219]根据这样的投影型显示装置1000，作为液晶光阀1210、1220、1230使用上述液晶装置100或上述液晶装置200，所以能够提供:改善了由离子性杂质所引发的显示不良且具有优异的显示品质的投影型显示装置1000。
[0220]第5实施方式
[0221]电子设备
[0222]接下来，参照图15就作为第5实施方式的电子设备的投影型显示装置进行说明。图15是示出第5实施方式的投影型显示装置的构成的概略图。
[0223]如图15所示，作为本实施方式的电子设备的投影型显示装置2000具备:沿系统光轴L配置的偏振照明装置2100 ; 3块分色镜2111、2112、2115;2块反射镜2113、2114;3个作为光调制单元的反射型液晶光阀2250、2260、2270 ;十字分色棱镜2206 ;和投影透镜2207。
[0224]偏振照明装置2100大概包括:包括卤素灯等的白色光源的作为光源的灯单元2101 ;积分透镜2102 ;和偏振转换元件2103，而构成。
[0225]从偏振照明装置2100出射的偏振光束入射于相互垂直地配置的分色镜2111和分色镜2112。作为光分离元件的分色镜2111，反射入射了的偏振光束中的红色光(R)。作为另一方的光分离元件的分色镜2112反射入射了的偏振光束中的绿色光(G)和蓝色光(B)。
[0226]反射后的红色光(R)再次被反射镜2113反射，并入射于液晶光阀2250。另一方面，反射后的绿色光(G)和蓝色光(B)再次被反射镜2114反射而入射于作为光分离元件的分色镜2115。分色镜2115反射绿色光(G)并透射蓝色光(B)。反射后的绿色光(G)入射于液晶光阀2260。透射后的蓝色光(B)入射于液晶光阀2270。
[0227]液晶光阀2250具备反射型的液晶面板2251和作为反射型偏振元件的线栅(wiregrid)偏振板 2253。
[0228]液晶光阀2250配置为，使得由线栅偏振板2253反射了的红色光(R)垂直地入射于十字分色棱镜2206的入射面。另外，对线栅偏振板2253的偏振度进行补充的辅助偏振板2254配置在液晶光阀2250的红色光(R)的入射侧，另一个辅助偏振板2255在红色光(R)的出射侧沿十字分色棱镜2206的入射面配置。此外，在作为反射型偏振元件使用了偏振分束器的情况下，也能够省略一对辅助偏振板2254、2255。
[0229]这样的反射型的液晶光阀2250的构成以及各构成的配置，在其他反射型的液晶光阀2260、2270中也一样。也就是，液晶光阀2260具备反射型的液晶面板2261和线栅偏振板2263，在绿色光(G)相对于线栅偏振板2263的入射侧配置有辅助偏振板2264，在线栅偏振板2263的绿色光(G)的出射侧沿十字分色棱镜2206的入射面配置有另一个辅助偏振板 2265。
[0230]液晶光阀2270具备反射型的液晶面板2271和线栅偏振板2273，在蓝色光(B)相对于线栅偏振板2273的入射侧配置有辅助偏振板2274，在线栅偏振板2273的蓝色光(B)的出射侧沿十字分色棱镜2206的入射面配置有另一个辅助偏振板2275。
[0231]入射于液晶光阀2250、2260、2270的各色光，基于图像信息而被调制，再次经由线栅偏振板2253、2263、2273而入射于十字分色棱镜2206。在十字分色棱镜2206中，将各色光合成，利用投影透镜2207将合成所得的光投影到屏幕2300上，放大地显示图像。
[0232]在本实施方式中，作为液晶光阀2250、2260、2270应用上述第3实施方式中的反射型的液晶装置300。
[0233]根据这样的投影型显示装置2000，将反射型的液晶装置300用在液晶光阀2250、2260,2270中，所以能够提供:可投影明亮的图像、且改善了离子性杂质所导致的显示不良、具有优异的显示品质的反射型的投影型显示装置2000。
[0234]本发明不限于上述的实施方式，能够在不违背从技术方案以及整个说明书所领会出的发明的主旨或技术思想的范围内适当进行变更，伴随这种变更的液晶装置的驱动方法以及应用该液晶装置的电子设备也包括在本发明的技术范围内。在上述实施方式以外，仍可考虑多种变形例。下面，举出变形例进行说明。
[0235](变形例I)上述第I实施方式的液晶装置100中的离子捕获电极131、132、133的配置不限定于此。图16是示出变形例I的液晶装置的结构的概略剖视图。此外，图16是与第I实施方式中的图6相当的图。对与第I实施方式的液晶装置100相同的构成标注相同的附图标记，并省略详细的说明。
[0236]如图16所示，变形例I的液晶装置400中，在元件基板410与相对基板420之间夹持有具有正的介电各向异性的液晶层450。
[0237]在元件基板410的实际显示区域El所配置的像素具有:在第3层间绝缘膜14上设置且连接于TFT30的第I像素电极15a ;和与第I像素电极15a相比设置在下层且被供给共用电位(LCCOM)的第2像素电极15b。
[0238]在元件基板410的虚设像素区域E2所配置的虚设像素具有:在第3层间绝缘膜14上设置且连接于TFT30的第I虚设像素电极421a ;和与第I虚设像素电极421a相比设置在下层且被供给共用电位(LCCOM)的第2虚设像素电极421b。第I虚设像素电极421a和第2虚设像素电极421b作为电子分隔部420发挥作用。
[0239]在元件基板410的分隔区域E3所配置的离子捕获机构430具有:设置在与第I像素电极15a和/或第I虚设像素电极421a同层的第I电极431、第2电极432、第3电极433 ;和与这些尚子捕获电极431、432、433相比设置在下层且与尚子捕获电极431、432、433相对、并被供给共用电位(LCCOM)的第4电极434。
[0240]在相对基板420的面向液晶层450的一侧未设置电极。
[0241]在图16中省略了图示，第I像素电极15a、第I虚设像素电极421a、离子捕获电极431、432、433以及相对基板420的面向液晶层450的表面被有机取向膜覆盖。具有正的介电各向异性的液晶分子相对于有机取向膜大致水平取向。
[0242]液晶装置400采用所谓FFS (Fringe Field Switching,边缘场开关)方式，S卩:通过在第I像素电极15a与第2像素电极15b之间产生的大致横向电场而使液晶层450中的液晶分子的取向方向变化，从而对入射于像素的光进行调制。
[0243]对离子捕获电极431、432、433的各个施加频率相同且相位彼此错开的交流信号，使得在离子捕获电极431、432、433与第4电极434之间产生的大致横向电场从距第I虚设像素电极421a近的第I电极431向第3电极433翻卷。显示区域E的液晶层450中的正极性(+)或负极性(_)的离子性杂质，被吸引靠近离子捕获电极431、432、433，并且由于该电场的翻卷而被扫集到分隔区域E3。
[0244](变形例2)上述第I实施方式的液晶装置100中的离子捕获电极131、132、133的配置不限定于此。图17是示出变形例2的液晶装置的结构的概略剖视图。此外，图17是与第I实施方式中的图6相当的图。对与第I实施方式的液晶装置100相同的构成标注相同的附图标记，并省略详细的说明。
[0245]如图17所示，变形例2的液晶装置500中，在配置有电子分隔部120的虚设像素区域E2与密封件40之间的分隔区域E3设有尚子捕获机构530。尚子捕获机构530具有与相对基板520的共用电极23同层设置的第I电极531、第2电极532、第3电极533。
[0246]对离子捕获电极531、532、533的各个施加频率相同且在与I个周期相当的时间内相位彼此错开的交流信号。显示区域E的液晶层50中的正极性(+)或负极性(_)的离子性杂质，被吸引靠近离子捕获电极531、532、533，并且由于在离子捕获电极531、532、533之间产生的电场的翻卷而被扫集到分隔区域E3。
[0247]此外，在图17中省略了图示，像素电极15和虚设像素电极121、122被取向膜18覆盖。共用电极23、第I电极531、第2电极532、第3电极533被取向膜24覆盖。液晶层50具有负的介电各向异性。
[0248]共用电极23和离子捕获电极531、532、533的每个，都经由在元件基板510与相对基板520之间设置的上下导通部而与在元件基板510的端子部所设置的外部连接端子电连接。
[0249](变形例3)在上述第I实施方式的液晶装置100中，离子捕获电极131、132、133并不限定于包围显示区域E地配置的方式。如图4所示，在特定了由于离子性杂质的偏置而导致产生显示不良的部位的情况下，也可以与产生该显示不良的部位相对应地配置离子捕获电极131、132、133。
[0250](变形例4)能够应用上述实施方式的离子捕获机构130、330、430的液晶装置不限定于VA方式或者FFS方式,也能够应用于IPS (In Plane Switching,面内开关)方式和/或 OCB (Optically Compensated Birefringence,光学补偿双折射)方式。
[0251](变形例5)能够应用上述第I实施方式的液晶装置100或上述第2实施方式的液晶装置200的电子设备，不限定于上述第4实施方式的投影型显示装置1000。另外，能够应用上述第3实施方式的液晶装置300的电子设备也不限定于上述第5实施方式的投影型显示装置2000。例如，也可以作为投影型的HUD(平视显示器)和/或直视型的HMD(头戴式显示器)、电子书、个人计算机、数字静态相机、液晶电视机、取景器型或监视直视型的录像机、汽车导航系统、电子记事本、POS等信息终端设备的显示部良好地使用。
【权利要求】
1.一种液晶装置的驱动方法，其特征在于， 该液晶装置包括:相对配置且介由密封件而贴合的第I基板以及第2基板；和被夹持在所述第I基板与所述第2基板之间的液晶层， 该液晶装置具有: 设置于所述第I基板的显示区域的像素电极； 在所述第I基板或所述第2基板，与所述像素电极相对而设置的相对电极；和在所述第I基板或所述第2基板，俯视设置在所述显示区域与所述密封件之间且被供给第I电位的第I电极、设置在所述第I电极与所述密封件之间且被供给第2电位的第2电极和设置在所述第2电极与所述密封件之间且被供给第3电位的第3电极， 该液晶装置的驱动方法中， 以下述方式对所述第I电极、所述第2电极、所述第3电极的各个施加同一频率的交流信号: 在所述第I电位从正极性或基准电位转变为负极性后且在转变为所述基准电位或正极性之前，所述第2电位从正极性或所述基准电位转变为负极性， 在所述第2电位转变为负极性后且在转变为所述基准电位或正极性之前，所述第3电位从正极性或所述基准电位转变为负极性， 在所述第I电位从负极性或所述基准电位转变为正极性之后且在转变为所述基准电位或负极性之前，所述第2电位从负极性或所述基准电位转变为正极性， 在所述第2电位从负极性或所述基准电位转变为正极性之后且在转变为所述基准电位或负极性之前，所述第3电位从负极性或所述基准电位转变为正极性。
2.根据权利要求1所述的液晶装置的驱动方法，其特征在于， 所述交流信号的频率f满足下面的数学式，其中f的单位是Hz: f 彡 2 μ VE/np2 其中，μ是液晶层中的离子性杂质的迁移率，单位是m2/V.s ;VE是交流信号的有效电压，单位是V ；n是被提供交流信号的电极的数量；p是被提供交流信号的电极的配置间距，单位是m。
3.根据权利要求1或2所述的液晶装置的驱动方法，其特征在于， 对所述第I电极、所述第2电极、所述第3电极的各个施加同一波形的所述交流信号。
4.根据权利要求3所述的液晶装置的驱动方法，其特征在于， 所述交流信号具有3个值以上的电位。
5.根据权利要求3所述的液晶装置的驱动方法，其特征在于， 所述交流信号是矩形波。
6.一种液晶装置，其特征在于， 包括:相对配置且介由密封件而贴合的第I基板以及第2基板；和被夹持在所述第I基板与所述第2基板之间的液晶层， 该液晶装置具有: 设置于所述第I基板的显示区域的像素电极； 在所述第I基板或所述第2基板，与所述像素电极相对而设置的相对电极；和 在所述第I基板或所述第2基板，俯视设置在所述显示区域与所述密封件之间且被供给第I电位的第I电极、设置在所述第I电极与所述密封件之间且被供给第2电位的第2电极和设置在所述第2电极与所述密封件之间且被供给第3电位的第3电极， 同一频率的交流信号以下述方式被施加于所述第I电极、所述第2电极、所述第3电极的各个: 在所述第I电位从正极性或基准电位转变为负极性后且在转变为所述基准电位或正极性之前，所述第2电位从正极性或所述基准电位转变为负极性， 在所述第2电位转变为负极性后且在转变为所述基准电位或正极性之前，所述第3电位从正极性或所述基准电位转变为负极性， 在所述第I电位从负极性或所述基准电位转变为正极性之后且在转变为所述基准电位或负极性之前，所述第2电位从负极性或所述基准电位转变为正极性， 在所述第2电位从负极性或所述基准电位转变为正极性之后且在转变为所述基准电位或负极性之前，所述第3电位从负极性或所述基准电位转变为正极性。
7.根据权利要求6所述的液晶装置，其特征在于， 还具备延迟电路， 所述延迟电路被输入作为所述交流信号的第I交流信号，输出相位相对于所述第I交流信号错开的第2交流信号和相位相对于所述第I交流信号以及所述第2交流信号错开的第3交流信号。
8.根据权利要求6或7所述的液晶装置，其特征在于， 在所述第I基板包围所述显示区域地设置有所述第I电极、所述第2电极以及所述第3电极。
9.根据权利要求8所述的液晶装置，其特征在于， 所述显示区域包括电子分隔部，该电子分隔部具有包围多个所述像素电极而设置的多个虚设像素电极， 所述电子分隔部与所述第I电极的间隔比所述第I电极与所述第2电极的间隔大。
10.根据权利要求6到9中任一项所述的液晶装置，其特征在于， 所述相对电极设置于所述第2基板，俯视所述相对电极的外缘位于所述第I电极与所述显示区域之间。
11.根据权利要求6到9中任一项所述的液晶装置，其特征在于， 在所述第I基板设置有所述第I电极、所述第2电极以及所述第3电极， 所述相对电极，在所述第2基板俯视设置到包括所述显示区域且与所述第I电极、所述第2电极以及所述第3电极相对的区域为止，被提供所述基准电位。
12.根据权利要求6到11中任一项所述的液晶装置，其特征在于， 所述像素电极、所述相对电极、所述第I电极、所述第2电极、所述第3电极中的各个，由无机取向膜覆盖。
13.根据权利要求12所述的液晶装置，其特征在于， 所述像素电极由具有光反射性的导电膜形成， 所述相对电极由具有透光性的导电膜形成， 在所述像素电极与所述无机取向膜之间形成有无机绝缘膜。
14.一种电子设备,其特征在于，具备采用权利要求1到5中任一项所述的液晶装置的驱动方法来驱动的液晶装置。
15.—种电子设备,其特征在于，具备权利要求6到13中任一项所述的液晶装置。
【文档编号】G02F1/1343GK104238163SQ201410267666
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年6月16日 优先权日:2013年6月17日
【发明者】直树 富川 申请人:精工爱普生株式会社