一种用于量子点增强膜的增透膜及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于量子点增强膜（QDEF）的增透膜及其制备方法。所述QDEF膜自上而下依次为阻挡层、量子点层、阻挡层、增透膜。其中增透膜通过电子束蒸发或磁控溅射等方式镀膜而成。由于在QDEF的入光面加上了一层增透膜，从而提升了QDEF的光学入射效率，减少QDEF的引入导致液晶显示器的光学损耗，提高了流明效率。
【专利说明】一种用于量子点增强膜的增透膜及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于量子点增强膜的增透膜及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 经过半个世纪的发展和研究，液晶显示器（IXD)已经成为主导的平板显示技术。由 于LCD本身不发光，所以它们需使用背光源。为了拓宽LCD的色域，已经发展了几种新型的 背光源技术。
[0003] 冷阴极荧光灯（CCFL)曾经是最普遍的背光源，但是它只可以实现75%NTSC的色 域，所以为了得到更宽的色域、更高的亮度和更低的能耗，白色发光二极管（WLED)迅速代替 了 CCFL的位置，成为主要的背光源。但是基于WLED的背光源，其亮度和对比度还相对较低。 所以，研究人员致力于发展更新的背光源技术来改善这些问题。
[0004] 近年来，一种使用量子点光学膜实现高色域LCD的量子点增强膜（QDEF)的新型产 品被越来越多的关注。QDEF是一种添加了两种量子点的光学薄膜，两种量子点可以在蓝光 照射下产生红光和绿光，与一部分透过的蓝光混合之后得到白光。量子点比人类发丝还要 小10000倍，其发出的光是在一个特定的波长下产生的。通过控制量子点的光谱输出，QDEF 产品可以使用薄膜上数万亿的量子点来增强色彩和亮度。新型QDEF产品利用量子点技术， 能够提供精准的色谱和色纯度，通过很少的背光改造，可以实现在传统的LCD显示器上达 到60%到110%NTSC的色域，同时由于量子点高于荧光粉的光转化效率，所以利用QDEF实现 的高色域显示器的背光效率也会大幅度提高。
[0005] 由于引入了 QDEF层，蓝光通过QDEF层时，会出现一部分的光学损耗，所以在蓝色 发光二极管及QDEF之间，即QDEF的入光面镀上增透膜，来减少这部分衰减，以减少器件的 光学损耗，提高器件的流明效率。
【发明内容】
[0006] 为了克服现有基于QDEF的背光源存在的光学损耗，本发明提供一种用于量子点 增强膜（QDEF)的增透膜的及其制备方法。在QDEF的入光面上镀上增透膜，有效的减少了 由于QDEF的引入导致液晶显示器的光学损耗，提高了透光率和流明效率。
[0007] 为实现本发明目的，本发所采用的技术方案是： 一种用于量子点增强膜（QDEF)的增透膜，所述的量子点增强膜设有一层增透膜，该增 透膜位于QDEF的入光面上，厚度为50nm-200nm。
[0008] 该增透膜可以是单层也可以是多层。
[0009] 该增透膜可以是由不同厚度和不同材料层叠构成。
[0010] 该增透膜的材料包括氟化镁或二氧化硅。 该增透膜的厚度为光源在增透膜介质中波长的1/4。
[0011] 该增透膜的制备方法包括电子束蒸发或磁控溅射的方法。
[0012] 本发明的有益效果是： 本发明提供的一种用于量子点增强膜（QDEF)的增透膜，由于在其入光面镀有一定厚度 的增透膜，可减少反射光，从而减少光的损耗，可有效增加透光率；因而采用该QDEF可减少 由于QDEF的引入导致液晶显示器的光学损耗，提高流明效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0013] 图1是用于量子点增强膜（QDEF)的增透膜的结构图。
【具体实施方式】
[0014] 本发明用下列实施例来进一步说明本发明，但本发明的保护范围并不限于下列实 施例。
[0015] 实施例1 本发明的一种用于量子点增强膜（QDEF)的增透膜的实施方式如图1所示，其中3和5 为阻挡层，4为量子点层。该量子点增强膜6包括增透膜1。该增透膜1形成于量子点增强 膜6的入光面2上。
[0016] 在本实施例中，增透膜1为单层，选择氟化镁为增透膜1的材料，其折射率为1. 38， 通过计算，确定该增透膜1的厚度为86. 05nm。将量子点增强膜6放入腔体中，抽真空，当真 空度达到3*1(Γ3时，采用电子束蒸发的方式将氟化镁薄膜蒸镀在在该量子点增强膜1的入 光面2上。通过测试比较，与现有技术相比，当入射光为475nm的蓝光时，图1的具有增透 膜1的QDEF的透光率明显提高，流明效率明显增加。透光率增加了约1. 39Γ1. 9%，流明效率 增加了 〇. 5°/Γ〇. 7%。
[0017] 试验表明，在现有技术的QDEF入光面上镀上增透膜，可使得该量子点增强膜的透 光率大幅度提高，从而使得其流明效率增加。
[0018] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与 修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
【权利要求】
1. 一种用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的量子点增强膜设有增透膜， 该增透膜位于量子点增强膜的入光面上，厚度为50nm-200nm。
2. 根据权利要求1所述的用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜为 单层或多层。
3. 根据权利要求1所述的用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜由 不同材料层叠构成。
4. 根据权利要求3所述的用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜其 材料包括氟化镁或二氧化硅。
5. 根据权利要求1所述的用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜其 厚度为光源在增透膜介质中波长的1/4。
6. -种制备如权利要求1所述的用于量子点增强膜的增透膜的方法，其特征在于：包 括电子束蒸发或磁控溅射的方法。
【文档编号】G02F1/13357GK104049410SQ201410267257
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月17日 优先权日:2014年6月17日
【发明者】李福山, 郭太良, 吴薇, 聂晨, 林健 申请人:福州大学