一种显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明实施例提供了一种显示面板，涉及显示【技术领域】，改善了现有的显示面板由于阵列基板上形成有像素电极和数据线，像素电极与数据线产生耦合电容从而出现垂直串扰的问题。一种显示面板，包括：对盒的彩膜基板和阵列基板，以及位于彩膜基板和阵列基板之间的液晶和隔垫物，隔垫物是导电隔垫物；彩膜基板包括：形成在第一衬底上矩阵排列的像素电极；阵列基板包括：形成在第二衬底上的栅线、数据线以及薄膜晶体管；薄膜晶体管的漏极通过导电隔垫物与对应的像素电极电连接；还包括形成在第一衬底和/或第二衬底上的第一存储电极和第二存储电极，第一存储电极和第二存储电极相互绝缘且存在交叠区域。用于显示面板、包含该显示面板的显示装置。
【专利说明】一种显示面板
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种显示面板。
【背景技术】
[0002]TN(Twisted Nematic,扭曲向列型)型显示面板是显示面板的一种，由于低廉的生产成本，在目前主流的中低端液晶显示器中被广泛使用。
[0003]如图1和图2所示，传统TN型显示面板包括彩膜基板1、阵列基板2、以及位于彩膜基板I和阵列基板2之间的液晶3。其中，彩膜基板I上包括公共电极4，阵列基板2上包括由栅线5和数据线6交叉所限定的像素区域，每个像素区域包括薄膜晶体管8和像素电极7。
[0004]TN型显示面板的显示原理:薄膜晶体管响应来自栅线的栅信号，并将数据线的数据信号施加到像素电极，同时向公共电极提供电压，这样，彩膜基板上的公共电极和阵列基板上的像素电极形成电场，由于像素电极的电压不同，各像素区域对应的液晶旋转角度不同，则光透射率不同，由此实现不同灰度级的显示。
[0005]如图2所示，在实现上述显示的过程中，当栅线5向对应像素电极71的薄膜晶体管8输入栅信号，数据线6向对应像素电极71的薄膜晶体管8输入第一数据信号，则第一像素电极71对应输入第一电压。栅线5沿扫描方向100进行扫描向对应像素电极72的薄膜晶体管8输入栅信号，数据线6向对应像素电极72的薄膜晶体管8输入第二数据信号，则第二像素电极72对应输入第二电压。由于第一数据信号和第二数据信号不同，则第一像素电极71对应输入的第一电压和第二像素电极72对应输入的第二电压不同。在数据线6向第二像素电极72输入第二电压时,数据线6与第一像素电极71稱合产生稱合电容,该率禹合电容会影响第一像素电极71原本输入的第一电压，使得沿栅线扫描方向100出现串扰。
【发明内容】
[0006]本发明的实施例提供一种显示面板，改善了现有的显示面板由于阵列基板上形成有像素电极和数据线，像素电极与数据线产生耦合电容从而出现垂直串扰，影响显示品质的问题。
[0007]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0008]一方面，提供了一种显示面板，包括:对盒的彩膜基板和阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶和隔垫物，所述隔垫物是导电隔垫物；所述彩膜基板包括:第一衬底以及形成在所述第一衬底上矩阵排列的像素电极；所述阵列基板包括:第二衬底以及形成在所述第二衬底上的栅线、数据线以及薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极通过所述导电隔垫物与对应的所述像素电极电连接；还包括形成在所述第一衬底和/或所述第二衬底上的第一存储电极和第二存储电极，所述第一存储电极和所述第二存储电极相互绝缘且存在交叠区域。
[0009]本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板通过在彩膜基板上设置像素电极，像素电极通过阵列基板上的导电隔垫物与薄膜晶体管的漏极电连接，从而漏极向像素电极充电；彩膜基板和/或阵列基板上的第一存储电极和第二存储电极形成存储电容，以保证连续两帧图像的显示不间断；又像素电极位于彩膜基板，数据线位于阵列基板，彩膜基板与阵列基板之间填充有液晶，则彩膜基板上的像素电极和阵列基板上的数据线的间隔距离至少大于液晶的盒厚，即相对于现有技术增大了数据线和像素电极的间隔距离，这样像素电极与数据线之间的耦合电容大大减小，进而改善了显示面板的垂直串扰问题，从而提高了显示面板的显示品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为现有技术中提供的一种TN型显示面板结构示意图；
[0012]图2为图1中局部A的放大示意图；
[0013]图3为本发明实施例提供的一种显示面板结构示意图；
[0014]图4为图3所不的彩I旲基板俯视结构不意图；
[0015]图5为图3中局部B的简易放大示意图；
[0016]图6为图5的C-C'向剖视图；
[0017]图7为图3中局部B的具体放大示意图；
[0018]图8为本发明实施例提供的一种在第二衬底上形成栅线、栅极、公共电极线以及第二存储电极的示意图；
[0019]图9为本发明实施例提供的一种在第二衬底上形成数据线、源极和漏极的示意图；
[0020]图10为本发明实施例提供的一种第二衬底上形成有公共电极过孔、第二存储电极过孔、漏极过孔的示意图；
[0021]图11为本发明实施例提供的一种在第二衬底上形成公共电极和第一存储电极的示意图。
[0022]附图标记:
[0023]100-扫描方向；1-彩膜基板；101-第一衬底；2-阵列基板；201_第二衬底；3-液晶；4_公共电极；5-栅线；6_数据线；7_像素电极；71_第一像素电极；72_第二像素电极；8-薄膜晶体管；801_栅极；802_源极；803_漏极；9_导电隔垫物；10_第一存储电极；11_第二存储电极；12-公共电极线；13-公共电极过孔；14-第二存储电极过孔；15-漏极过孔；16-交叠区域。
【具体实施方式】
[0024]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0025]需要说明的是，本发明实施例中，所述“上”、“下”以形成基板的薄膜或层结构的顺序为依据，在后形成的薄膜或层结构即在上，在先形成的薄膜或层结构即在下。
[0026]薄膜晶体管一般包括栅极、源极和漏极，按照薄膜晶体管中栅极与源漏极的位置关系，可以分为顶栅结构的薄膜晶体管和底栅结构的薄膜晶体管。其中，顶栅结构的薄膜晶体管即栅极位于源漏极的上面；底栅结构的薄膜晶体管即栅极位于源漏极的下面。本发明实施例中的薄膜晶体管可以是顶栅结构的薄膜晶体管，也可以是底栅结构的薄膜晶体管。
[0027]本发明实施例提供了一种显示面板，如图3所示，包括:对盒的彩膜基板I和阵列基板2，还包括位于彩膜基板I和阵列基板2之间的液晶3和导电隔垫物9 ;如图4所示，彩膜基板I包括:第一衬底101以及形成在第一衬底101上矩阵排列的像素电极7。
[0028]如图3、图5所示，阵列基板2包括:第二衬底201以及形成在第二衬底201上的栅线5、数据线6以及薄膜晶体管8 ;其中，薄膜晶体管8的栅极与栅线5电连接，源极与数据线6电连接，漏极通过导电隔垫物9与对应的像素电极7电连接。
[0029]彩膜基板和/或阵列基板还包括形成在第一衬底和/或第二衬底上的第一存储电极和第二存储电极，第一存储电极和第二存储电极相互绝缘且存在交叠区域，用于在交叠区域形成存储电容。
[0030]需要说明的是，阵列基板包括栅线和数据线，栅线和数据线交叉形成多个像素区域，像素区域矩阵排列，每个像素区域包括薄膜晶体管。彩膜基板包括矩阵排列的像素电极，且彩膜基板上的像素电极与阵列基板上的像素区域一一对应，通过导电隔垫物与对应的像素区域的薄膜晶体管的漏极电连接。
[0031]上述彩膜基板和/或阵列基板还包括形成在第一衬底和/或第二衬底上的第一存储电极和第二存储电极，即可以是彩膜基板还包括形成在第一衬底上的第一存储电极和第二存储电极；或者阵列基板还包括形成在第二衬底上的第一存储电极和第二存储电极；或者彩膜基板还可以包括形成在第一衬底上的第一存储电极，同时阵列基板还包括形成在第二衬底上的第二存储电极；或者，彩膜基板还可以包括形成在第一衬底上的第二存储电极，同时阵列基板还包括形成在第二衬底上的第一存储电极。本发明实施例及附图以阵列基板还包括形成在第二衬底上的第一存储电极和第二存储电极为例进行详细说明。
[0032]如图7所示，第一存储电极10位于第二存储电极11的上面，第一存储电极10与第二存储电极11形成交叠区域16，第一存储电极10与第二存储电极11在交叠区域16形成存储电容。第一存储电极和第二存储电极形成存储电容，存储电容使得像素电极的电压能保持到下一次更新画面，即使得当前帧图像保持到下一帧更新图像，以保证连续两帧图像的显示不间断。
[0033]本发明实施例提供的一种显示面板，在彩膜基板上设置像素电极，像素电极通过阵列基板上的导电隔垫物与薄膜晶体管的漏极电连接，这样漏极向像素电极充电；第一存储电极和第二存储电极形成存储电容，以保证连续两帧图像的显示不间断；又像素电极位于彩膜基板，数据线位于阵列基板，彩膜基板与阵列基板之间填充有液晶，则彩膜基板上的像素电极和阵列基板上的数据线的间隔距离增大(至少大于液晶的盒厚)，即相对于现有技术增大了数据线和像素电极的间隔距离，这样像素电极与数据线之间的耦合电容大大减小，进而改善了显示面板的垂直串扰问题，从而提高了显示面板的显示品质。
[0034]可选的，彩膜基板还包括形成在第一衬底上的公共电极；在公共电极和像素电极位于不同层的情况下，公共电极和像素电极中至少远离第一衬底的为狭缝电极；或者，在像素电极和公共电极位于同一层的情况下，像素电极和公共电极均为狭缝电极。
[0035]上述公共电极和像素电极位于不同层的情况下，公共电极和像素电极中至少远离第一衬底的为狭缝电极。即可以是像素电极位于公共电极的上面，则像素电极远离第一衬底，此时，像素电极为狭缝电极，公共电极可以是狭缝电极也可以是平板电极。还可以是公共电极位于像素电极的上面，则公共电极远离第一衬底，此时公共电极为狭缝电极，像素电极可以是狭缝电极也可以是平板电极。且优选的，在公共电极和像素电极位于不同层的情况下，像素电极和公共电极均为狭缝电极。
[0036]需要说明的是，在彩膜基板还包括公共电极的情况下，即像素电极和公共电极均设置在彩膜基板上。以像素电极位于公共电极的上面为例，由于彩膜基板和阵列基板对盒以后，像素电极远离第一衬底，即像素电极靠近液晶，则为了在像素电极和公共电极之间形成驱动液晶的多维电场，像素电极必须为狭缝电极。公共电极位于像素电极的上面的情况与上面原理相同。公共电极和像素电极在同一个基板上形成多维电场，显示面板具有可视角度高、响应速度快等特点。
[0037]另外，彩膜基板还包括形成在第一衬底上的公共电极，可以是彩膜基板包括像素电极以及公共电极；或者，还可以是彩膜基板包括像素电极、第一存储电极、第二存储电极以及公共电极；或者，还可以是彩膜基板包括像素电极、第一存储电极(或第二存储电极)以及公共电极。
[0038]可选的，阵列基板还包括形成在第二衬底上的公共电极，彩膜基板包括形成在第一衬底上的像素电极，在像素电极和公共电极之间形成垂直电场，则相应形成的显示面板为TN(Twisted Nematic,扭曲向列型)型显示面板等,该面板具有成本低等特点。
[0039]另外，阵列基板还包括形成在第二衬底上的公共电极，可以是阵列基板包括公共电极；还可以是阵列基板包括第一存储电极、第二存储电极以及公共电极；或者，还可以是彩膜基板包括第二存储电极(或第一存储电极)以及公共电极。本发明实施例中，以彩膜基板包括像素电极，阵列基板包括第一存储电极、第二存储电极和公共电极为例进行详细说明。
[0040]可选的，如图7所示，阵列基板还包括形成在第二衬底201上的第二存储电极11，第二存储电极11和栅线5可以通过一次构图工艺形成。一次构图工艺包括掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，第二存储电极和栅线通过一次构图工艺形成，减少了构图工艺的次数，从而降低了制造成本。
[0041]可选的，在第一存储电极和公共电极同时位于彩膜基板或是阵列基板上的情况下，第一存储电极和公共电极可以通过一次构图工艺形成，这样可以减少构图工艺的次数，从而降低制造成本。如图7所示，以第一存储电极10和公共电极4同时位于阵列基板上为例，则第一存储电极10和公共电极4可以是通过一次构图工艺形成。
[0042]可选的，如图7所示，阵列基板还包括与公共电极4电连接的公共电极线12，公共电极线12和栅线5可以是通过一次构图工艺形成，这样可以减少构图工艺的次数，从而降低制造成本。
[0043]需要说明的是，第一存储电极和第二存储电极形成存储电容的架构有多种方式。第一存储电极和第二存储电极可以分别通过像素电极和栅线充电，形成存储电容；还可以是分别通过像素电极和公共电极线充电，形成存储电容。
[0044]具体的，本发明实施例中，由于像素电极与漏极电连接，则在第一存储电极和第二存储电极分别通过像素电极和栅线充电，形成存储电容的情况下。第一存储电极可以是和漏极电连接，通过漏极向第一存储电极充电，第二存储电极可以是和栅线电连接，通过栅线向第二存储电极充电，这样在第一存储电极和第二存储电极在交叠区域形成存储电容。或者，第一存储电极可以是和栅线电连接，通过栅线向第一存储电极充电，第二存储电极可以是和漏极电连接，通过漏极向第二存储电极充电，这样在第一存储电极和第二存储电极在交叠区域形成存储电容。
[0045]在第一存储电极和第二存储电极分别通过像素电极和公共电极线充电，形成存储电容的情况下。第一存储电极可以是和漏极电连接，通过漏极向第一存储电极充电，第二存储电极可以是和公共电极线电连接，通过公共电极线向第二存储电极充电，这样在第一存储电极和第二存储电极的交叠区域形成存储电容。或者，第一存储电极可以是和公共电极线电连接，通过公共电极线向第一存储电极充电，第二存储电极可以是和漏极电连接，通过漏极向第二存储电极充电，这样在第一存储电极和第二存储电极的交叠区域形成存储电容。
[0046]下面，以像素电极设置在彩膜基板，公共电极、第一存储电极、第二存储电极均设置在阵列基板为例，提供一具体实施例来详细说明本发明实施例提供的一种显示面板。
[0047]如图6所示，该显示面板包括:对盒的彩膜基板I和阵列基板2，还包括位于彩膜基板I和阵列基板2之间的液晶3和导电隔垫物9 ;彩膜基板I包括第一衬底101以及形成在第一衬底101上的像素电极7。彩膜基板还包括:位于第一衬底且覆盖像素电极7的平坦层(图中未示出)，平坦层在对应漏极803的位置处设置有像素电极过孔，导电隔垫物9通过像素电极过孔与像素电极7电连接。
[0048]如图6、图7所示，阵列基板2包括:第二衬底201以及形成在第二衬底201上的栅线5、数据线6以及薄膜晶体管；其中，阵列基板还包括形成在第二衬底且覆盖第二存储电极和栅线的栅绝缘层(图中未示出)以及覆盖薄膜晶体管的钝化层(图中未示出)。薄膜晶体管的栅极801与栅线5电连接，源极802与数据线6电连接，钝化层在对应漏极803的位置处设置有漏极过孔15，导电隔垫物9通过漏极过孔15与漏极803电连接。
[0049]如图7所示，阵列基板还包括形成在第二衬底201上的第一存储电极10、第二存储电极11、公共电极4、公共电极线12。栅绝缘层在对应第二存储电极11的位置处设置有第二存储电极过孔14，公共电极4形成在栅绝缘层的上面且通过第二存储电极过孔14与第二存储电极11电连接；钝化层在对应漏极803的位置处设置有漏极过孔15，第一存储电极10形成在钝化层的上面且通过漏极过孔15与漏极803电连接。
[0050]第一存储电极10通过漏极过孔15与漏极803 ;第二存储电极11与公共电极4通过第二存储电极过孔14电连接,而公共电极4与公共电极线12通过公共电极过孔13电连接，从而第二存储电极11与公共电极线12电连接。这样，第一存储电极10通过漏极803充电，第二存储电极11通过公共电极线12充电，第一存储电极10和第二存储电极11在交叠区域16形成存储电容，从而可以保存电压，以备更新画面的时候使用。
[0051]基于本发明实施例提供的一种显示面板，像素电极设置在彩膜基板上，通过导电隔垫物与漏极电连接，从而漏极向像素电极充电，公共电极设置在阵列基板，公共电极与公共电极线电连接，通过公共电极线向公共电极充电，以使得像素电极和公共电极形成电场，驱动液晶实现显示；第一存储电极通过漏极充电，第二存储电极通过公共电极线充电，进而在第一存储电极和第二存储电极的交叠区域形成存储电容，以保证连续两帧图像的显示不间断；又像素电极位于彩膜基板，数据线位于阵列基板，彩膜基板与阵列基板之间填充有液晶，则彩膜基板上的像素电极和阵列基板上的数据线的间隔增大(距离至少大于液晶的盒厚)，即相对于现有技术增大了数据线和像素电极的间隔距离，这样像素电极与数据线之间的耦合电容大大减小，进而改善了显示面板的垂直串扰问题，从而提高了显示面板的显示品质。
[0052]下面，列举一具体实施例用以说明如图6所示的显示面板的制作方法，所述方法包括:
[0053]步骤S011、在第一衬底上形成矩阵排列的像素电极以及覆盖像素电极的平坦层，平坦层在对应像素电极的位置处设置有像素电极过孔。即形成的彩膜基板包括像素电极。
[0054]步骤S021、如图8所示，通过一次构图工艺在第二衬底201上形成栅金属层，其中，栅金属层包括:栅线5、栅极801、公共电极线12以及第二存储电极11。
[0055]步骤S022、在第二衬底上形成覆盖栅金属层的栅绝缘层，其中，栅绝缘层在对应第二存储电极的位置处形成有第二存储电极过孔，且在对应公共电极线的位置处形成有公共电极过孔。
[0056]步骤S023、如图9所示，在第二衬底201上形成源漏金属层，其中，源漏金属层包括数据线6、源极802和漏极803。源极802与数据线6电连接。
[0057]步骤S024、在第二衬底上形成钝化层，钝化层在对应漏极的位置处设置有漏极过孔。
[0058]上述步骤S021-S024可以形成如图10所示的阵列基板，栅绝缘层(图中未示出)在对应第二存储电极11的位置处形成有第二存储电极过孔14，且在对应公共电极线12的位置处形成有公共电极过孔13。钝化层(图中未示出)在对应漏极803的位置处设置有漏极过孔15。
[0059]步骤S025、如图11所示，通过一次构图工艺形成公共电极4和第一存储电极10。具体的，公共电极4形成在栅线5和数据线6交叉限定的区域，通过公共电极过孔13与公共电极线12电连接。第二存储电极11通过第二存储电极过孔14与公共电极4电连接。第一存储电极10形成在漏极803的上方形成，通过漏极过孔15与漏极803电连接。
[0060]步骤S026、如图7所示，在第二衬底对应漏极的位置处形成导电隔垫物9。其中，导电隔垫物9通过漏极过孔15与漏极803电连接。
[0061]步骤S027、如图6所示，在彩膜基板I和阵列基板2之间形成液晶3，利用对盒工艺，将彩膜基板I和阵列基板2对盒。此时，阵列基板上的导电隔垫物通过彩膜基板上平坦层的像素电极过孔与像素电极电连接。
[0062]经过上述步骤S021-步骤S026可以形成的阵列基板如图7所示，其与彩膜基板对盒形成的显示面板如图6所示。
[0063]需要说明的是，形成如图6所示的显示面板的制作方法也不局限于上述具体步骤，例如，导电隔垫物还可以是形成在彩膜基板上等。本发明实施例仅以上述具体步骤为例说明本发明实施例提供的显示面板的制作方法。
[0064] 以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种显示面板，包括:对盒的彩膜基板和阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶和隔垫物，其特征在于，所述隔垫物是导电隔垫物； 所述彩膜基板包括:第一衬底以及形成在所述第一衬底上矩阵排列的像素电极； 所述阵列基板包括:第二衬底以及形成在所述第二衬底上的栅线、数据线以及薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极通过所述导电隔垫物与对应的所述像素电极电连接； 还包括形成在所述第一衬底和/或所述第二衬底上的第一存储电极和第二存储电极，所述第一存储电极和所述第二存储电极相互绝缘且存在交叠区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括形成在所述第一衬底上的公共电极； 在所述公共电极和所述像素电极位于不同层的情况下，所述公共电极和所述像素电极中至少远离第一衬底的为狭缝电极；或者， 在所述像素电极和所述公共电极位于同一层的情况下，所述像素电极和所述公共电极均为狭缝电极。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述公共电极和所述像素电极位于不同层的情况下，所述像素电极和所述公共电极均为狭缝电极。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成在所述第二衬底上的公共电极。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二存储电极形成在所述第二衬底上，所述第二存储电极和所述栅线通过一次构图工艺形成。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一存储电极形成在所述第二衬底上，所述第一存储电极和所述公共电极通过一次构图工艺形成。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括与所述公共电极电连接的公共电极线，所述公共电极线和所述栅线通过一次构图工艺形成。
8.根据权利要求1-7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一存储电极与所述漏极电连接，所述第二存储电极与所述公共电极电连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二存储电极形成在所述第二衬底上，且与所述栅线通过一次构图工艺形成，所述阵列基板还包括形成在所述第二衬底且覆盖所述第二存储电极和所述栅线的栅绝缘层，所述栅绝缘层在对应所述第二存储电极的位置处设置有第二存储电极过孔，所述公共电极形成在所述栅绝缘层的上面且通过所述第二存储电极过孔与所述第二存储电极电连接； 所述第一存储电极形成在所述第二衬底上，且与所述公共电极通过一次构图工艺形成，所述阵列基板还包括形成在所述第二衬底且覆盖所述薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层在对应漏极的位置处设置有漏极过孔，所述第一存储电极形成在所述钝化层的上面且通过所述漏极过孔与所述漏极电连接。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括:形成在所述第二衬底且覆盖所述薄膜晶体管的钝化层，所述钝化层在对应漏极的位置处设置有漏极过孔，所述导电隔垫物通过所述漏极过孔与所述漏极电连接； 所述彩膜基板还包括:位于所述第一衬底且覆盖所述像素电极的平坦层，所述平坦层在对应漏极的位置处设置有像素电极过孔，所述导电隔垫物通过所述像素电极过孔与所述像素电极电连接。
【文档编号】G02F1/1368GK104298034SQ201410487504
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年9月22日 优先权日:2014年9月22日
【发明者】王骁 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司