一种用于极紫外光刻的类临界照明系统的制作方法
【专利摘要】用于极紫外光刻的类临界照明系统属于极紫外光刻系统中的临界照明系统领域，该系统包括聚光系统、中继系统、光刻系统真空箱体和波纹管，聚光系统包括光源、聚光主镜、聚光系统次镜、去屑系统和聚光系统真空箱体，去屑系统沿光路布置在光源出射扇面的对称轴上；所述聚光系统次镜和聚光主镜顺次位于去屑系统后方，光源、聚光系统次镜和聚光主镜共同构成施瓦茨·契尔德系统；聚光系统次镜和聚光主镜均位于聚光系统真空箱体内；所述去屑系统前端靠近光源，其后端与聚光系统次镜的后端固连。本发明对光源收集的立体角达0.48Sr，中心面积遮拦小于25％，极大地提高了光能收集效率；使去屑系统增加有效作用距离，从而能够更好地发挥去屑作用。
【专利说明】一种用于极紫外光刻的类临界照明系统
【技术领域】
[0001] 本发明属于极紫外光刻系统中的临界照明系统领域，具体涉及一种用于极紫外光 刻的类临界照明系统。
【背景技术】
[0002] 光刻系统的光学主体结构通常包括照明系统和物镜系统两部分，如图2所示，现 有的物镜系统3包括掩模面30、物镜系统3的主镜31 (也即物镜系统3的入瞳）、物镜系统 3的次镜32和晶圆面33,照明系统出射的照明光线顺次经掩模面30、物镜系统3主镜31和 物镜系统3次镜32的反射后，最终将掩模面30上的图案投影在晶圆面33上并对其产生刻 蚀作用。
[0003] 照明系统因不同的照明原理可以分为临界照明和柯勒照明，公开于1998年4月7 日的专利US5737137介绍了一种采用临界照明方式的照明系统，该系统包括三枚反射镜： 前两枚采用施瓦茨?契尔德系统的光学镜组收集光能，第三镜用于实现光源与掩模、出瞳与 入瞳的匹配，并实现特定的照明相干因子。该临界照明系统还可通过移动光源或偏折主镜 的方式来实现对弧形视场内的扫描曝光。
[0004] 22nm的刻蚀间距通常是现有光刻制造技术难以突破的瓶颈，而极紫外光刻 (EUVL:ExtremeUltravioletLithography)则被认为是可能突破该技术瓶颈的最具潜力 的下一代光刻技术。从理论上看，与采用柯勒照明系统的光刻系统相比，极紫外光刻系统若 能采用临界照明系统，将可以获得更高的能量利用率并可以降低内部组件的布局难度。
[0005] 作为一种更为精密的光刻系统，所要研发的极紫外光刻系统对核心组件的制造、 布局和使用环境都提出了诸多更为严苛的要求。
[0006] 例如，极紫外光刻系统需采用极紫外光滤光透射膜来滤除对曝光系统有害的杂光 光谱，而仅透射和保留极紫外光谱。然而，由于所有物质对极紫外光均不透明，因此即便是 极紫外光滤光透射膜，其厚度也要严格控制在数十至百纳米的量级以降低其对极紫外光谱 中工作光谱的吸收作用。由此，厚度仅为数十至百纳米量级的极紫外光滤光膜元件其口径 必然非常小，其外形尺寸无法做得太大，这不仅使曝光投影系统成为一种小视场曝光投影 系统，同时也限制了整个极紫外光刻系统中其它光学元件的最大尺寸和间距。
[0007] 又例如，极紫外光刻系统中所用光源为气体放电等离子体光源，其气体电极在发 光过程中会产生大量高温粒子碎肩，当这些碎肩吸附到照明系统的反射镜表面时将会造成 污染并熔蚀镜面上的光学反射镀膜，进而降低镜面的反射率。为了去除所述的粒子碎肩，可 以采用一种去肩系统13,该去肩系统采13用强电磁场从垂直于光路的方向将带有电荷的 粒子碎肩吸出，并同时采用逆向吹扫风将沿光路前进的中性粒子吹出光路。
[0008] 再比如，为了减少空气对极紫外光谱中工作光谱的吸收作用，极紫外光刻系统的 物镜系统在理论上应置于隔绝空气的真空环境中使用，可是，极紫外光刻系统的电等离子 体气体电极光源却又必须处于一个不至于太低的气压环境下才能被有效激发，因此，整套 极紫外光刻系统中的物镜系统和照明系统应该处于两个彼此隔离的环境中，以使二者的环 境均接近真空，而后者的环境则处于一个既要高于光源激发的气压下限，又具有一定真空 度的气压水平下，以便尽量减少其中的空气对极紫外光谱的吸收作用。而上述的两个彼此 隔离的真空环境又需要不对光路造成遮挡和影响，其二者间距又能根据照明系统的调焦要 求做一定的调整。
[0009] 然而，前文引述的专利技术的经典临界照明系统并未采用任何滤光透射膜来滤除 对光刻系统有害的杂光光谱，因此其仅适用于光谱较纯的激光等离子体光源；同时，前文引 述的专利技术所设计的光源距离次反射镜的理论极限值较小，且无法做得更大，这导致二 者没有足够的间隙，去肩系统将无法加装到临界照明系统中，或者使去肩系统因作用距离 太短而无法发挥应有的作用。而且，该专利技术除了缺少物镜系统和照明系统之间的真空 隔离设计以外，所采用的照明系统与物镜系统布局紧凑程度过高，且不规整，这将使整套极 紫外光刻系统的加工难度和后期装调校准的难度都有所增加。
[0010] 另一方面，通过增加固定的遮拦装置以提高照明均匀性是一种较为常见而有效的 方法，然而目前该方法所采用的遮拦装置通常是保持固定不动的，一旦在光路中被装调完 成后，其位置、角度以及在光路中的有效遮挡面积就均不再改变，不具备对光路中照明均匀 性的连续调节功能。
【发明内容】
[0011] 为了解决现有经典临界照明系统仅适用于纯谱光源，其缺少允许光路通过的二级 真空隔离系统、极紫外光滤光透射膜和有效的去肩系统放置空间，因此无法直接用于构建 极紫外光刻系统，同时，其所采用的照明系统与物镜系统布局紧凑程度过高且不规整，增加 了各部件加工难度和后期装调校准的难度。另一方面，现有的常规遮拦装置无法通过改变 位置、角度以及在光路中的有效遮挡面积，不具备对光路中照明均匀性的连续调节功能的 技术问题，本发明提供一种用于极紫外光刻的类临界照明系统。
[0012] 本发明解决技术问题所采取的技术方案如下：
[0013] 一种用于极紫外光刻的类临界照明系统，其包括聚光系统、中继系统、光刻系统真 空箱体、波纹管和锥形筒，聚光系统包括光源、聚光主镜、聚光系统次镜、去肩系统和聚光系 统真空箱体，去肩系统沿光路布置在光源出射光锥的旋转对称轴上；所述聚光系统次镜和 聚光主镜顺次位于去肩系统后方，光源、聚光系统次镜和聚光主镜共同构成施瓦茨?契尔 德系统；聚光系统次镜和聚光主镜均位于聚光系统真空箱体内；所述去肩系统前端靠近光 源，其后端与聚光系统次镜的后端固连。
[0014] 上述中继系统包括沿光路顺次连接的滤光片、光学遮拦装置、球面反射镜、场镜和 反射式超环面；其中，光学遮拦装置包括中心带有圆孔的挡板和中心遮拦，所述中心遮拦位 于挡板的圆孔内，中心遮拦的旋转轴与挡板坐标系的Y轴重合，所述旋转轴可沿X轴或Z轴 微距位移；所述滤光片是添加有防止氧化帽层的锆膜的极紫外光滤光透射膜。
[0015] 上述中继系统能使光源与物镜系统的掩模面共轭，并且，中继系统同时还使聚光 主镜与物镜系统主镜共轭。
[0016] 上述中继系统和物镜系统均密闭于曝光系统真空箱体内部，聚光系统真空箱体的 出口与曝光系统真空箱体的入口位于同一光轴上，聚光系统真空箱体与曝光系统真空箱体 通过波纹管连接；锥形筒口径较大的一端与波纹管端相连，锥形筒的另一端伸入光刻系统 真空箱体内部，滤光片设置于锥形筒锥体顶端的开口处。
[0017] 本发明的有益效果如下：
[0018] 1)本发明通过对旧有的经典临界照明系统进行必要的改进，创新了一种适用于小 视场宽谱光源极紫外光刻的类临界照明系统。
[0019] 2)基于施瓦茨?契尔德系统的聚光系统大幅地提高了光能收集效率，中继系统同 时实现了光源与物镜系统的掩模面共轭、照明系统的孔径光阑与物镜系统入瞳共轭的两个 共轭关系。
[0020] 3)中继系统中场镜的引入有效地控制了系统口径，减小了光学元件尺寸，从而实 现了中继系统与小视场物镜系统的兼容；场镜拓展光线传播空间，增加了光路长度，使在极 其有限的空间中更易实现物面、瞳面翻转，得以完成并实现照明系统和物镜系统的光瞳匹 配，在这些基础上，通过调整场镜的曲率半径实现掩模面与光源的近似共轭成像，形成类临 界照明系统。
[0021] 4)聚光系统真空箱体与曝光系统真空箱体均能大幅降低空气对极紫外光谱中工 作光谱的吸收作用，其二者通过具有对焦作用的波纹管和锥形筒连接，滤光片布置于锥形 筒的顶端，也即照明系统的中间像面处，照明系统的光束汇聚为最细，因此能大幅降低滤光 片上锆膜的制作难度，同时，滤光片能滤除对光刻系统有害的杂光光谱，同时还能起到真空 隔离的作用。临界照明系统又用更大的后截距，为光刻系统真空箱体和聚光系统真空箱体 分别提供了足够的布置空间，同时也增加了去肩系统的有效作用距离，提高其使用效果。
[0022] 5)在中继系统中引入的超环面能矫正系统像散，实现X轴和Y轴两方向的放大倍 率的匹配，通过改变光学遮拦装置的位置或角度，以调节其在光路中的有效遮挡面积，等效 实现对遮拦大小及纵横比的调节，可使其具备对光路中照明均匀性的连续调节功能。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1是本发明用于极紫外光刻的类临界照明系统中光学元件的立体布局图；
[0024]图2是本发明用于极紫外光刻的类临界照明系统的光路原理图；
[0025] 图3是本发明中继系统的光路原理图；
[0026] 图4是本发明光学遮拦装置的结构示意图；
[0027] 图5是本发明中心遮拦的立体示意图。
【具体实施方式】
[0028] 下面结合附图对本发明做进一步详细说明。
[0029] 如图1至图5所示，一种用于极紫外光刻的类临界照明系统，该照明系统包括聚光 系统1、中继系统2、光刻系统真空箱体4、波纹管5和锥形筒6,聚光系统1包括光源10、聚光 主镜11、聚光系统次镜12、去肩系统13和聚光系统真空箱体14,去肩系统13沿光路布置在 光源10出射光锥的旋转对称轴上；所述聚光系统次镜12和聚光主镜11顺次位于去肩系统 13后方，光源10为宽光谱DPP光源，聚光系统次镜12和聚光主镜11共同构成施瓦茨?契 尔德系统，该施瓦茨·契尔德系统的中心面积遮拦比低于25%，线性遮拦比低于50%。聚 光系统次镜12和聚光主镜11均位于聚光系统真空箱体14内；所述去肩系统13前端靠近 光源10,其后端与聚光系统次镜12的后端固连。
[0030] 所述中继系统2包括沿光路顺次连接的滤光片20、光学遮拦装置21、球面反射镜 22、场镜23和反射式超环面24 ;其中，光学遮拦装置21包括中心带有圆孔的挡板21-1和 中心遮拦21-2,所述中心遮拦20-2位于挡板21-1的圆孔内，中心遮拦21-2的旋转轴与挡 板21-1坐标系的Y轴重合，所述旋转轴还可以沿X轴或Z轴微距位移。所述滤光片20是 添加有防止氧化的帽层的锆（Zr)膜的极紫外光滤光透射膜。通过改变光学遮拦装置21的 位置或角度以调节其在光路中的有效遮挡面积，可使其具备对光路中照明均匀性的连续调 节功能。
[0031] 所述滤光片20是极紫外光滤光透射膜以滤除对光刻系统有害的杂光光谱。
[0032] 所述中继系统2能使光源10与物镜系统3的掩模面30共轭，并且，中继系统2同 时还使聚光主镜11与物镜系统3的主镜31共轭。
[0033] 所述中继系统2和物镜系统3均密闭于曝光系统真空箱体4内部，聚光系统真空 箱体14的出口与曝光系统真空箱体4的入口位于同一光轴上，聚光系统真空箱体14与曝 光系统真空箱体4均能大幅降低空气对极紫外光谱中工作光谱的吸收作用，其二者通过波 纹管5连接，能在不对光路造成遮挡和影响的前提下通过波纹管5调整位置，实现光路的对 正和对焦调整。
[0034] 按照经典临界照明的定义来说，它需要满足严格的共轭关系，即光源经临界照明 系统成像于物镜系统3的物面，也即掩模面30上，同时，临界照明的出瞳与物镜系统3的入 瞳相重合。在本发明的类临界照明系统中，由于聚光主镜11同时也是照明系统的孔径光 阑，而物镜系统3的主镜31亦为物镜系统3的入瞳，因此，中继系统2同时实现了光源10 与物镜系统3的掩模面30共轭、照明系统的孔径光阑与物镜系统3入瞳共轭的两个共轭关 系，这符合经典临界照明的定义。
[0035] 但另一方面，如果满足严格的临界照明关系，则光源10固有的不均匀性将直接反 映到物镜系统3的物面，也即掩模面30上，导致物镜系统3物面的照明不均匀。因此，本发 明使物镜系统3的物面，也即掩模面30,处于照明系统的一定离焦面，这种具有一定离焦的 布局方案与严格的临界照明定义有区分，是临界照明的一种衍生，因此可称其为类临界照 明系统。
[0036] 聚光主镜11亦是照明系统的孔径光阑，该孔径光阑顺次经聚光系统次镜12、中继 系统2及掩模面30后，成像于物镜系统3的入瞳面，亦为物镜系统3的主镜31，其在主镜 31所在平面内的照明区域与物镜系统3的入瞳的线性尺寸比即为照明系统的部分相干照 明因子，该参数将会影响光刻系统的空间像质量及焦深。
[0037] 由于掩模面30的物方掩模调整机构以及对准监测机构等辅助装置均严格限制了 物方空间，使得光学元件尺寸及排布受到极大约束，同时还需考虑其调整机械的可实现性， 因此，向中继系统2内引入一枚场镜23,以拓展光线传播空间，增加了光路长度，便于光学 元件布局。同时，场镜23的引入极大地简化了照明系统与物镜系统光瞳的匹配关系，使得 在有限的几何空间内实现中继系统2所要求之物像的对易成像关系，并且场镜23还分担了 中继系统2中各光学元件的转角负担。
[0038] 由于聚光系统1与物镜系统3相互垂直的光轴经中继系统2后需相互重合，因此 中继系统2在X和Y两方向的放大倍率会出现较大偏差，从而导致X和Y方向的光瞳不对 称，并使得X和Y方向的分辨率不一致。为弥补该不足，在中继系统2中引入一枚拥有矫正 像散功能的超环面23。
[0039] 本发明的光学遮拦装置21是一套与临界照明系统相匹配的均匀性校正装置，由 于在临界照明系统要求掩模面30与滤光片20共轭，因此通过调整滤光片20的照度分布可 以调制掩模面30的照明均匀性。通过在作为中间相面的滤光片20附近添加光学遮拦装置 21，可以平移和旋转的中心遮拦20-2以实现对不同部分光能的遮挡，等效实现对遮拦大小 及纵横比的调节，进而连续地对照明均匀性进行优化。采用该光学遮拦装置21后，掩模面 30照明非均匀性由±9%降低到了 ±4%，其均匀性提高了一倍，而边缘照度未下降。
[0040]本发明将类临界照明系统分为聚光系统1和中继系统2两部分分别进行设计，完 成不同的功能分工，降低了设计难度，同时也为类临界照明系统结构布局提供了便利。该类 临界照明系统有用更大的后截距，为光刻系统真空箱体4和聚光系统真空箱体14分别提供 了足够的布置空间。
[0041]在聚光系统1的中间像面处布置滤光片20,由于滤光片20处是光源10的共轭点 位置，因此该处光束口径最小，因而在此处布置滤光片20,可使其口径最小化，从而保证了 滤光光20在厚度很小时也具有足够的强度而不至于破损；同时滤光片20在此还起到减缓 空气运动、从而起到真空隔离的作用。由于滤光片20 口径仅在数毫米量级，因此需要引入 一锥形筒6,锥形筒6 口径较大的一端与波纹管5端相连，锥形筒6的另一端伸入光刻系统 真空箱体4内部，滤光片20设置于锥形筒6锥体顶端的开口处。滤光片20是极紫外光滤 光透射膜以滤除对光刻系统有害的杂光光谱。
[0042]在中继系统2中场镜23的引入主要有三个优点：首先，有效地控制了系统口径，减 小了光学元件尺寸，从而实现了中继系统2与物镜系统3的兼容；其次，场镜23的引入增加 了光路，在极其有限的空间中更易实现物面、瞳面翻转；再者，由于场镜23的引入，可优先 实现照明系统和物镜系统3的光瞳匹配，在些基础上，通过调整场镜23的曲率半径实现掩 模面30与光源10的近似共轭成像。
[0043]此外，本发明的聚光系统1能在现有加工条件下实现对光源10全部出射光的收 集，其收集立体角达〇. 48Sr，中心面积遮拦小于25%，极大地提高了光能收集效率；与类临 界照明系统中更大的后截距相匹配的聚光系统1也为去肩系统提供了更长的布局空间，使 去肩系统增加的有效作用距离，从而能够更好地发挥去肩作用。
[0044]受加工制造水平限制和成本考虑，聚光主镜11的口径被严格限制在300mm内，加 之需要尽可能地收集光能，因此光源10距聚光主镜11的距离不得大于400mm;为了减小光 源10对去肩系统13的污染，延长工作周期，去肩系统13需要距光源10至少25mm;而为了 保障去肩质量，减小碎肩对后续光学元件的污染，去肩系统13长度至少需要220mm;再考虑 到聚光系统次镜12的厚度以及系统装调余量，并且尽可能地减小光线在聚光主镜11和聚 光系统次镜12上的入射角，聚光系统次镜12与聚光主镜11间的距离设为150mm;由于空 气对极紫外光具有强烈吸收，因此曝光系统需置于真空箱体中，且需要与另一装置兼容，因 此聚光系统1需要有足够长的后工作截距，最终确定聚光主镜11后表面与中间像面，即滤 光片20所在平面的距离至少为1450mm，而聚光主镜11厚度取为45mm。在滤光片20,也即 中间像面20处，照明系统的光束汇聚为最细，因此在该处布置滤光片20,以降低滤光片20 上锆膜的制作难度。
[0045]光源10为宽光谱光源DPP，其发出的光经过聚光系统1和上述滤光片20后光谱变 窄，进入中继系统2。由于中继系统2整体已经伸入物镜系统3中，因此其光学元件尺寸及 空间布局需要严格限制。首先，球面反射镜22的口径受物镜系统3相关支撑的限制，不能 高于25mm，从而决定了球面反射镜22与中间像面20的距离上限，同时在中间像面20处需 要安置滤光片20和用于装调的探测器以及与物镜系统3的真空箱体4尺寸兼容，中间像面 20与球面反射镜22的距离又必须大于一下限，经分析在初始结构中球面反射镜22与中间 像面20的距离取为200mm，并在后续优化设计中作为优化变量。反射式超环面24需要支 撑在物镜系统3的次镜32背面，考虑到支撑结构布置和装调余量，反射式超环面24距掩模 面30的距离不得大于80mm;同时，主光线在掩模面30上的入射角为4°度，因此反射式超 环面24的位置在整个系统中是一定的。
[0046] 按照临界照明原理，需要满足两个共轭关系，即照明系统孔径光阑，即聚光主镜11 经聚光系统次镜12、中继系统2和掩模面30后成像于物镜系统3的入瞳，即物镜系统的主 镜31上，而光源10经聚光系统1和中继系统2成像于掩模面30处。已知光源10经聚光系统 1后成像于中间像面20处，聚光主镜11经聚光系统次镜12后成虚像于聚光系统次镜12附 近，即光源10和聚光系统主镜1经聚光系统1后沿正z方向实现了AB'BA'的成像关系， 则中继系统2需要满足B'A' -A"B"的成像关系才能实现临界照明的共轭成像关系， 且A"、B"均为实像，因此在fA"间必须添加一B的中间实像，即VA'B" 'A"B" 才能实现照明系统与物镜系统的光瞳匹配关系。鉴于掩模面30与物镜系统3的次镜32间 的有限空间，要在中继系统2中形成一光瞳实像B"'，则需加入一场镜23,以增加光路。为 了便于初始结构构造，假定照明系统孔径光阑，即聚光主镜11的中间像即位于场镜23上， 根据光瞳匹配关系分别求得球面反射镜22和反射式超环面24的曲率半径，再根据中间像 面20与掩模面30的共轭关系求得场镜23的曲率半径。由于照明系统孔径光阑，即聚光系 统1之主镜11的中间像在场镜23上，因此场镜23的曲率半径改变不会破坏光瞳匹配关系。
[0047] 三枚反射镜的倾斜要实现光线约90°的偏传，光线在各镜的平均入射角不宜超过 20°，同时还需充分考虑光线在传播过程中不能与掩模面30的支撑结构、对准机构等发生 干涉，需要对球面反射镜22、场镜23的偏转角、间距从机械的角度优先进行布局，然后对其 进行微调优化系统。
[0048] 上述中继系统2要实现光路90°的偏转，且均需采用具有曲率半径的反射镜，因 此会带来较大像散，使中继系统2在X和Y方向的放大倍率不一致，则会使得照明系统孔径 光阑，即聚光主镜11经中继系统2后成一椭圆形像，即造成照明系统在X和Y方向的部分 相干因子不一致，使得在两个方向的曝光分辨率出现偏差，这对于光刻系统是极为不利的。 因此将反射式超环面24设为超环面以补偿球面反射镜22和场镜23产生的像散。
[0049] 综上所述，下表列举一种本发明所述照明系统的参数设置：
[0050]
【权利要求】
1. 一种用于极紫外光刻的类临界照明系统，其特征在于：该照明系统包括聚光系统 (I) 、中继系统（2)、光刻系统真空箱体（4)、波纹管（5)和锥形筒（6)，聚光系统（1)包括光 源（10)、聚光主镜（11)、聚光系统次镜（12)、去肩系统（13)和聚光系统真空箱体（14)，去 肩系统（13)沿光路布置在光源（10)出射光锥的旋转对称轴上；所述聚光系统次镜（12) 和聚光主镜（11)顺次位于去肩系统（13)后方，光源（10)、聚光系统次镜（12)和聚光主镜 (II) 共同构成施瓦茨?契尔德系统；聚光系统次镜（12)和聚光主镜（11)均位于聚光系统 真空箱体（14)内；所述去肩系统（13)前端靠近光源（10)，其后端与聚光系统次镜（12)的 后端固连。
2. 如权利要求1所述的用于极紫外光刻的类临界照明系统，其特征在于：所述中继 系统（2)包括沿光路顺次连接的滤光片（20)、光学遮拦装置（21)、球面反射镜（22)、场镜 (23)和反射式超环面（24);其中，光学遮拦装置（21)包括中心带有圆孔的挡板（21-1)和 中心遮拦（21-2)，所述中心遮拦（20-2)位于挡板（21-1)的圆孔内，中心遮拦（21-2)的旋 转轴与挡板（21-1)坐标系的Y轴重合，所述旋转轴可沿X轴或Z轴微距位移；所述滤光片 (20)是添加有防止氧化帽层的锆膜的极紫外光滤光透射膜。
3. 如权利要求1或2所述的用于极紫外光刻的类临界照明系统，其特征在于：所述中 继系统⑵能使光源（10)与物镜系统⑶的掩模面（30)共轭，并且，中继系统⑵同时还 使聚光主镜（11)与物镜系统主镜（31)共轭。
4. 如权利要求1或2所述的用于极紫外光刻的类临界照明系统，其特征在于：所述中 继系统（2)和物镜系统（3)均密闭于曝光系统真空箱体（4)内部，聚光系统真空箱体（14) 的出口与曝光系统真空箱体（4)的入口位于同一光轴上，聚光系统真空箱体（14)与曝光系 统真空箱体（4)通过波纹管（5)连接；锥形筒（6) 口径较大的一端与波纹管（5)端相连，锥 形筒（6)的另一端伸入光刻系统真空箱体（4)内部，滤光片（20)设置于锥形筒（6)锥体顶 端的开口处。
【文档编号】G03F7/20GK104483816SQ201410797135
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2014年12月19日 优先权日:2014年12月19日
【发明者】王君, 王丽萍, 金春水, 谢耀, 周烽 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所