显示装置的制作方法

本发明涉及显示装置，且特别是涉及一种可接受触控信号的显示装置。

背景技术：

随着科技不断的进步，使得各种信息设备不断地推陈出新，例如手机、平板电脑、超轻薄笔电、及卫星导航等。除了一般以键盘或鼠标输入或操控之外，利用触控式技术来操控信息设备是一种相当直觉且受欢迎的操控方式。其中，触控显示装置具有人性化及直觉化的输入操作介面，使得任何年龄层的使用者都可直接以手指或触控笔选取或操控信息设备。

其中一种触控显示装置是于显示面板(例如液晶显示面板)内设置感测电极的内嵌式触控(in cell touch)显示装置。然而，目前的内嵌式触控显示装置并非各方面都令人满意，举例而言，在一般触控显示装置中，触控信号线设置于数据线上，可能会因为设计不良或制作工艺变异，使触控信号线与薄膜晶体管的通道区间重叠而产生漏电情形，造成触控功能不灵敏或产品显示有问题。

因此，业界仍需一种可更进一步提升制作工艺良率的显示装置。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明提供一种显示装置，包括：第一基板，包括：扫描线，沿第一方向延伸；薄膜晶体管，包括源极电极，漏极电极，以及设于源极电极与漏极电极之间的通道区；数据线，与扫描线交错并沿第二方向延伸，且源极电极或漏极电极为数据线的一部分，且扫描线与数据线通过薄膜晶体管电连接；及触控信号线，设于数据线上方，且位于通道区所对应的区域之外，且不与通道区重叠；第二基板；以及显示介质，设于第一基板与第二基板之间。

本发明另提供一种显示装置，包括：第一基板，包括：扫描线，沿第一方向延伸；薄膜晶体管，包括源极电极，漏极电极，以及设于源极电极与漏 极电极之间的通道区；数据线，与扫描线交错并沿第二方向延伸，且源极电极为数据线的一部分，且扫描线与数据线通过薄膜晶体管电连接；触控信号线，设置于数据线上方并沿第二方向延伸，触控信号线包含主干部与多个弯折部，部分这些弯折部是位于数据线的远离薄膜晶体管的一侧，部分这些弯折部是位于数据线的靠近薄膜晶体管的一侧；第二基板；以及显示介质，设于第一基板与第二基板之间。

为让本发明的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A为本发明实施例的显示装置的第一基板的上视图；

图1B为本发明另一实施例的显示装置的第一基板的上视图；

图1C为本发明实施例的显示装置的剖视图；

图2A为本发明另一实施例的显示装置的第一基板的上视图；

图2B为本发明另一实施例的显示装置的剖视图；

图3为本发明另一实施例的显示装置的剖视图；

图4为本发明另一实施例的显示装置的剖视图；

图5为本发明另一实施例的显示装置的剖视图；

图6为本发明另一实施例的显示装置的剖视图。

符号说明

100 显示装置；

102 第一基板；

104 扫描线；

106 数据线；

108 次像素；

110 薄膜晶体管；

112 源极电极；

114 漏极电极；

114S 表面；

116 通道区；

118 栅极电极；

120 触控信号线；

120S 上表面；

122 基材；

124 栅极介电层；

126 半导体层；

126R 凹口；

128 第一绝缘层；

128S 上表面；

130 开口；

132 衬层；

132S 表面；

134 第二绝缘层；

136 平坦层；

136S 上表面；

138 开口；

140 开口；

142 感测电极；

144 第三绝缘层；

146 开口；

148 像素电极；

150 第二基板；

152 显示介质；

154 基材；

156 遮光层；

158 彩色滤光层；

160 平坦层；

162 间隔物；

164 延伸区；

166 重叠区；

200 显示装置；

300 显示装置；

400 显示装置；

402 第一基板；

410 薄膜晶体管；

414 漏极电极；

414S 表面；

420 触控信号线；

420S 上表面；

422 基材；

424 栅极介电层；

428 第一绝缘层；

428S 上表面；

434 第二绝缘层；

434S 上表面；

436 平坦层；

436S 上表面；

438 开口；

442 感测电极；

446 开口；

448 像素电极；

450 第二基板；

452 显示介质；

462 间隔物；

468 衬层；

500 显示装置；

600 显示装置；

D1 距离；

A1 方向；

A2 方向；

W1 宽度；

W2 宽度；

1C-1C’ 线段；

2B-2B’ 线段；

4-4’ 线段。

具体实施方式

以下针对本发明的显示装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本发明。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，也可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。

必需了解的是，附图的元件或装置可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板“上”时，有可能是指“直接”在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。

此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。

能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本发明的教示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与本发明所属的一般技术者所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。

本发明实施例可配合附图一并理解，本发明的附图也被视为公开说明的一部分。需了解的是，本发明的附图并未以实际装置及元件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本发明的特征。此外，附图中的结构及装置以示意的方式绘示，以便清楚表现出本发明的特征。

在本发明中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之下”、“之上”、“顶部”、“底部”等等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者也可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语也可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。

本发明实施例使触控信号线(touch line)于邻近薄膜晶体管处避开通道区，以使触控信号线不会与此通道区重叠，故可于触控信号线因为制作工艺变异而产生偏移时，防止触控信号线与通道区重叠而造成薄膜晶体管的通道区漏电及产品显示问题。因此，本发明实施例通过使触控信号线于薄膜晶体管处避开通道区，可提升显示装置的良率及显示品质。

图1A是本发明实施例的显示装置100的第一基板102的上视图。如图1A所示，第一基板102包括沿第一方向A1延伸的扫描线(栅极线)104，以及与此扫描线104交会的数据线106。易言之，此栅极线104沿着方向A1延伸，而大抵垂直(perpendicular)或正交(orthogonal)此扫描线(栅极线)延伸方向A1的方向为方向A2。此外，第一基板102还包括对应每一个次像素108设置的薄膜晶体管110。

上述数据线106通过薄膜晶体管110提供源极信号至次像素108，而此扫描线(栅极线)104通过薄膜晶体管110控制数据信号是否写入至次像素108。

上述薄膜晶体管110包括源极电极112、漏极电极114、设于源极电极112与漏极电极114之间的通道区116、以及栅极电极118。而此源极电极112则为数据线106的部分。

此外，第一基板102还包括一触控信号线120，此触控信号线120除了在邻近上述薄膜晶体管110处之外，大抵与上述数据线106重叠设置。而在邻近上述薄膜晶体管110处，此触控信号线120设于通道区116所对应的区 域之外，且不与该通道区116重叠。

本发明实施例使触控信号线120于邻近薄膜晶体管110处避开通道区116，以使触控信号线120不会与此通道区116重叠，故可于触控信号线120因为制作工艺变异而产生偏移时，防止触控信号线120与通道区116重叠而造成薄膜晶体管110的通道区116漏电及产品显示问题。因此，本发明实施例通过使触控信号线120于薄膜晶体管110处避开通道区116，可提升显示装置100的良率及显示品质。

在一些实施例中，此触控信号线120与通道区116之间的最短距离D1为约1.5μm至5.5μm，例如为约2μm至3μm。需注意的是，若此距离D1过短，例如比1.5μm短，则此触控信号线120无法有效避开通道区116。然而，若此距离D1过长，例如比5.5μm长，则会加大每一个次像素的面积，使单位面积内的像素数目下降，故会降低装置的显示品质。

此外，在一些实施例中，触控信号线120设置于数据线106上方并沿方向A2延伸，此触控信号线120可包含一主干部与多个弯折部，部分该些弯折部是位于数据线106的远离薄膜晶体管110的一侧(例如左侧)，而另一部分该些弯折部是位于数据线106的靠近薄膜晶体管110的一侧(例如右侧)。此外，在一些实施例中，此触控信号线的弯折部与主干部之间具有90～170度之间的夹角。

此外，在一些实施例中，触控信号线120具有固定的宽度。然而，在其它实施例中，触控信号线120于邻近通道区的宽度可小于触控信号线120于远离通道区其余部分的宽度。详细而言，在一些实施例中，如图1B所示，触控信号线120于靠近通道区116的水平线宽W1小于远离该通道区的水平线宽W2。

需注意的是，为了清楚描述本发明，上述图1A中并未绘示后续的像素电极以及感测电极。

图1C是本发明实施例的显示装置100的剖视图，该图是沿着如图1A的线段1C-1C’所绘制的剖视图。如图1C所示，第一基板102可包括一基材122，此基材122可包括玻璃基材、陶瓷基材、塑胶基材或其它任何适合的基材。而薄膜晶体管110包括设于此基材122上的栅极电极118，以及设于栅极电极118及透明基板122上的栅极介电层124。

此栅极电极118可为一或多种金属、金属氮化物、导电金属氧化物、或 上述的组合。上述金属可包括但不限于钼(molybdenum)、钨(tungsten)、钛(titanium)、钽(tantalum)、铂(platinum)或铪(hafnium)。上述金属氮化物可包括但不限于氮化钼(molybdenum nitride)、氮化钨(tungsten nitride)、氮化钛(titanium nitride)以及氮化钽(tantalum nitride)。上述导电金属氧化物可包括但不限于钌金属氧化物(ruthenium oxide)以及铟锡金属氧化物(indium tin oxide)。此栅极电极118可通过前述的溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。

此栅极介电层124可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数(high-k)介电材料、或其它任何适合的介电材料、或上述的组合。此高介电常数(high-k)介电材料的材料可为金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物、金属的氮氧化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐。例如，此高介电常数(high-k)介电材料可为LaO、AlO、ZrO、TiO、Ta₂O₅、Y₂O₃、SrTiO₃(STO)、BaTiO₃(BTO)、BaZrO、HfO₂、HfO₃、HfZrO、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、HfTaTiO、HfAlON、(Ba,Sr)TiO₃(BST)、Al₂O₃、其它适当材料的其它高介电常数介电材料、或上述组合。此栅极介电层124可通过化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成，此化学气相沉积法例如可为低压化学气相沉积法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低温化学气相沉积法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升温化学气相沉积法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、等离子体辅助化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层化学气相沉积法的原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。

薄膜晶体管110还包括设于栅极介电层124上的半导体层126，此半导体层126与栅极电极118重叠，且上述源极电极112的第一端与漏极电极114的第二端分别设于半导体层126的表面上，且分别与半导体层126的部分重叠。

此半导体层126可为元素半导体，包括硅、锗(germanium)；化合物半导体，包括氮化镓(gallium nitride，GaN)、碳化硅(silicon carbide)、砷化镓(gallium arsenide)、磷化镓(gallium phosphide)、磷化铟(indium phosphide)、砷化铟(indium arsenide)及/或锑化铟(indium antimonide)；合金半导体，包括硅锗合金(SiGe)、磷砷镓合金(GaAsP)、砷铝铟合金(AlInAs)、砷铝镓合金(AlGaAs)、 砷铟镓合金(GaInAs)、磷铟镓合金(GaInP)及/或磷砷铟镓合金(GaInAsP)或上述材料的组合。

上述源极电极112与漏极电极114的材料可包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，例如可为钼铝钼(Mo/Al/Mo)或钛铝钛(Ti/Al/Ti)的三层结构。此源极电极112与漏极电极114的材料可通过前述的溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。在一些实施例中，上述源极电极112与漏极电极114的材料可相同，且可通过同一道沉积步骤形成。然而，在其它实施例中，上述源极电极112与漏极电极114也可通过不同的沉积步骤形成，且其材料可彼此不同。

在此实施例的半导体层126中，设于上述第一端与上述第二端之间的半导体层126即为通道区116。亦即，对应源极电极112与漏极电极114之间最短距离的区域的半导体层126即为通道区116。

继续参见图1C，第一基板102还包括覆盖薄膜晶体管110的第一绝缘层128。此第一绝缘层128可为氮化硅、二氧化硅、或氮氧化硅。第一绝缘层128可通过化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成，此化学气相沉积法例如可为低压化学气相沉积法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低温化学气相沉积法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升温化学气相沉积法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、等离子体辅助化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层化学气相沉积法的原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。

在本实施例中，上述触控信号线120设于第一绝缘层128上。此外，此第一绝缘层128具有开口130，此开口130暴露出漏极电极114的部分表面114S。此外，第一基板102可还包括一衬层132，设于部分第一绝缘层128上，并与漏极电极114的表面114S连接。

上述触控信号线120与衬层132的材料可包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，例如可为钼铝钼(Mo/Al/Mo)或钛铝钛(Ti/Al/Ti)的三层结构。此触控信号线120与衬层132的材料可通过前述的溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。在一些实施例中，上述触控信号线120 与衬层132的材料可相同，且可通过同一道沉积步骤形成。然而，在其它实施例中，上述触控信号线120与衬层132也可通过不同的沉积步骤形成，且其材料可彼此不同。

本发明实施例通过形成开口130与衬层132，可减少后续为使像素电极电连接至漏极电极而蚀刻绝缘层形成开口时，所需蚀穿的绝缘层数量，故可增加制作工艺良率。

继续参见图1C，第一基板102还包括设于第一绝缘层128上且覆盖触控信号线120的第二绝缘层134，此第二绝缘层134可为氮化硅、二氧化硅、或氮氧化硅，且可通过前述化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成。接着，此第二绝缘层134上可选择性设有平坦层136。此平坦层136的材质可为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)。

此外，可通过两次蚀刻步骤分别蚀刻上述第二绝缘层134与平坦层136，以形成开口138及开口140。开口138暴露出部分衬层132表面132S。开口140暴露出部分触控信号线120的上表面120S。

继续参见图1C，第一基板102还包括设于第二绝缘层134上(或平坦层136上)且电连接触控信号线120的感测电极142。详细而言，此感测电极142设于第二绝缘层134上(或平坦层136上)，并延伸至开口140的侧壁上及触控信号线120的上表面120S上。

此感测电极142可包括透明导电材料，例如为铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、上述的组合或其它任何适合的透明导电氧化物材料。此外，此感测电极142不但是作为触控时的感测电极，也是作为显示装置的共同电极，其中，其触控的驱动方式可为自电容驱动方式(self-capacitive type)。此外，在一些实施例中，一个感测电极142可通过两个开口140(例如图1A的两个开口140)电连接至两条触控信号线120，且一个感测电极142系对应多个图1A的次像素108设置。

继续参见图1C，第一基板102还包括设于第二绝缘层134上(或平坦层136上)且覆盖感测电极142的经图案化的第三绝缘层144。第三绝缘层144可为氮化硅、二氧化硅、或氮氧化硅，且可通过前述化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成。且第三绝缘层144具有开口146，此开口146连接开口 138。而上述平坦层136设于第二绝缘层134与第三绝缘层144之间。

第一基板102还包括设于第三绝缘层144上且电连接漏极电极114的像素电极148。详细而言，此像素电极148设于部分第三绝缘层144上，并延伸至开口146及138的侧壁上及衬层132的表面132S上，以电连接漏极电极114。

此外，继续参见图1C，显示装置100还包括相对第一基板102设置的第二基板150以及设于第一基板102与第二基板150之间的显示介质152。

上述显示装置100可为触控液晶显示器，例如为薄膜晶体管液晶显示器。或者，此液晶显示器可为扭转向列(Twisted Nematic,TN)型液晶显示器、超扭转向列(Super Twisted Nematic,STN)型液晶显示器、双层超扭转向列(Double layer Super Twisted Nematic,DSTN)型液晶显示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶显示器、水平电场效应(In-Plane Switching,IPS)型液晶显示器、胆固醇(Cholesteric)型液晶显示器、蓝相(Blue Phase)型液晶显示器、边际电场效应(FFS)型液晶显示器或其它任何适合的液晶显示器。

在一些实施例中，第二基板150为彩色滤光层基板。详细而言，彩色滤光层基板可包括一基板154、设于此基板154上的遮光层156、设于此遮光层156及基板154上的彩色滤光层158、以及覆盖遮光层156与彩色滤光层158的平坦层160。

上述基板154例如可为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的基板，上述遮光层156可包括黑色光致抗蚀剂、黑色印刷油墨、黑色树脂。而上述彩色滤光层158可包括红色滤光层、绿色滤光层、蓝色滤光层、或其它任何适合的彩色滤光层。

显示装置100可还包括设于第一基板102与第二基板150之间的间隔物162，此间隔物162为用以间隔第一基板102与第二基板150的主要结构，以防止显示装置100被按压时第一基板102与第二基板150接触。

应注意的是，除上述图1A～图1C所示的实施例以外，本发明的触控信号线也可有其它配置，如图2A～图2B的实施例所示。本发明的范围并不以图1A～图1C所示的实施例为限。此部分将于后文详细说明。

应注意的是，后文中与前文相同或相似的元件或膜层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能都与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。

图2A是本发明另一实施例的显示装置200的第一基板102的上视图。图2B是本发明另一实施例的显示装置200的剖视图，图2B为沿着如图2A的线段2B-2B’所绘制的剖视图。如图2A所示，显示装置200包括延伸区164，此延伸区164通过将通道区116所对应的区域沿第一方向A1延伸而得，延伸区164与该数据线106形成一重叠区166，其中，触控信号线120设于该重叠区166之外。图2A～图2B所示的实施例与前述图1A～图1C的实施例的差别在于在上述延伸区164内，触控信号线120不与该重叠区166重叠，也就是触控信号线设于重叠区166之外。

图3是本发明另一实施例的显示装置300的剖视图。图3所示的实施例与前述图1A～图2B的实施例的差别在于显示装置300不具有上述平坦层，故第二绝缘层134与第三绝缘层144系直接接触。

应注意的是，除上述图1A～图3所示的实施例以外，本发明的感测电极、像素电极与触控信号线也可有其它配置，如图4的实施例所示。本发明的范围并不以图1A～图3所示的实施例为限。此部分将于后文详细说明。

应注意的是，后文中与前文相同或相似的元件或膜层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能都与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。

图4是本发明另一实施例的显示装置400的剖视图，该图沿着如图1A的线段4-4’所绘制的剖视图。如图4所示，显示装置400的第一基板402包括基材422及设于此基材422上的薄膜晶体管410。此第一基板402还包括覆盖薄膜晶体管410的第一绝缘层428。

接着，此第一绝缘层428上可选择性设有平坦层436。此平坦层436的材质可为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)。

此外，可通过两次蚀刻步骤分别蚀刻第一绝缘层428与平坦层436，以形成开口438。此开口438由平坦层436的上表面436S向下延伸至漏极电极414的表面414S。此开口438暴露出漏极电极414的部分表面414S。

此外，如图4所示，触控信号线420设于第一绝缘层428上(或平坦层436上)。触控信号线420的材料可包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，例如可为钼铝钼(Mo/Al/Mo)或钛铝钛(Ti/Al/Ti)的三层结构。

继续参见图4，像素电极448设于第一绝缘层428上并电连接漏极电极414。此外，部分像素电极448设置于第一绝缘层428与触控信号线420之间，以增加触控信号线420与第一绝缘层428间的粘着力，像素电极448的材料可包括透明导电材料，例如为铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、上述的组合或其它任何适合的透明导电氧化物材料。

继续参见图4，显示装置400还包括设于第一绝缘层428上(或平坦层436上)且覆盖触控信号线420及像素电极448的第二绝缘层434。而上述平坦层436设于第一绝缘层428与第二绝缘层434之间。此第二绝缘层434具有开口446，显示装置400还包括设于第二绝缘层434上且电连接触控信号线420的感测电极442。详细而言，感测电极442设于第二绝缘层434上，并电连接触控信号线420。此外，此感测电极442不但可作为触控时的感测电极，也可作为显示装置的共同电极，其中，其触控的驱动方式可为自电容驱动方式(self-capacitive type。

显示装置400还包括相对第一基板402设置的第二基板450、设于第一基板402与第二基板450之间的显示介质452、以及设于第一基板402与第二基板450之间的间隔物462。

图5是本发明另一实施例的显示装置500的剖视图。图5所示的实施例与前述图4的实施例的差别在于第一基板402还包括设于开口438中的像素电极448之上的衬层468。

此衬层468与触控信号线420的材料可包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，例如可为钼铝钼(Mo/Al/Mo)或钛铝钛(Ti/Al/Ti)的三层结构。此触控信号线420与衬层468的材料可通过前述的溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。在一些实施例中，上述触控信号线420与衬层468的材料可相同，且可通过同一道沉积步骤形成。然而，在其它实施例中，上述触控信号线420与衬层468也可通过不同的沉积步骤形成，且其材料可彼此不同。

通过于开口438中的像素电极448上设置衬层468，可于形成触控信号线420时防止于开口438残留无法控制形状的金属，或是可使开口438内的表面完整以避免像素电极448于开口内断线。由于此无法控制形状的残留金 属若为钼铝钼等的三层结构，则中间的铝可能会凸出而使像素电极448与感测电极442短路，故本发明实施例于开口438中的像素电极448上设置衬层468，可防止上述短路或断线并提升制作工艺良率。

图6是本发明另一实施例的显示装置600的剖视图。图6所示的实施例与前述图4～图5的实施例的差别在于显示装置600不具有上述平坦层，故第一绝缘层428与第二绝缘层434直接接触。

综上所述，本发明实施例使触控信号线(touch line)于邻近薄膜晶体管处避开通道区，以使触控信号线不会与此通道区重叠，故可于触控信号线因为制作工艺变异而产生偏移时，防止触控信号线与通道区重叠而造成薄膜晶体管的通道区漏电及产品显示问题。因此，本发明实施例通过使触控信号线于薄膜晶体管处避开通道区，可提升显示装置的良率及显示品质。

值得注意的是，以上所述的元件尺寸、元件参数、以及元件形状都非为本揭露的限制条件。此技术领域中具有通常知识者可以根据不同需要调整这些设定值。另外，本发明的显示装置及其制造方法并不仅限于图1A～图6所图示的状态。本发明可以仅包括图1A～图6的任何一或多个实施例的任何一或多项特征。换言之，并非所有图示的特征均需同时实施于本发明的显示装置及其制造方法中。

虽然结合以上实施例公开了本发明，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果都可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。