技术特征：
技术总结
提供了一种通过接合的光子芯片(104)耦合器构建的用于绝缘体上硅(SOI)芯片‑光纤(106)耦合的光耦合器。用于将光子芯片(104)耦合至光纤(106)的光耦合器包括：光子芯片(104)，该光子芯片包括纳米级光子波导(106)、光子光学衍射表面光栅(122)以及覆盖光子波导(106)和光子光栅(122)的第一覆层(120)；以及光耦合芯片(102)，该光耦合芯片包括嵌入在第一耦合覆层(114)中且嵌在第二耦合覆层(110)上的微米级耦合波导和耦合光学衍射表面光栅(112)，其中，第一耦合覆层(114)连接至第一覆层(120)，其中，光耦合芯片(102)被构造成对在光子芯片(104)与光纤(106)之间传输的光进行耦合。
技术研发人员：蒋嘉
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
技术研发日：2015.09.29
技术公布日：2017.08.18