1.一种包括具有特征为在第一方向上的第一间距的多个重复元件的周期性结构的目标设计，其中所述元件沿垂直于所述第一方向的第二方向以第二间距为周期且在所述第二方向上的特征为具有所述第二间距的交替的对焦点敏感及对焦点不敏感的图案。
2.根据权利要求1所述的目标设计，其中：
第一对焦点不敏感的图案经配置以在产生之后产出第一临界尺寸，且
第二对焦点敏感的图案经配置以在产生之后产出第二临界尺寸，仅在满足指定焦点要求时，所述第二临界尺寸才等于所述第一临界尺寸。
3.根据权利要求2所述的目标设计，其中所述第一间距接近于产品间距。
4.根据权利要求2所述的目标设计，其中所述第二间距是所述第一间距的4到6倍。
5.根据权利要求2所述的目标设计，其中所述第二临界尺寸是所述第一临界尺寸的1/2到1倍。
6.根据权利要求2所述的目标设计，其中所述第二对焦点敏感的图案以次分辨率间距分段。
7.根据权利要求2所述的目标设计，其中在所述所产生目标设计的散射术测量之后，所述第一间距经配置以产出零衍射级信号，且所述第二间距经配置以产出零衍射级信号以及±一衍射级信号。
8.一种方法，其包括：
设计周期性目标以具有在第一方向上的第一间距以及具有沿具有交替对焦点敏感及对焦点不敏感的图案的垂直方向的第二间距的元件，
产生所述经设计目标，及
通过测量所述所产生的对焦点敏感的图案而确认工具的焦点。
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括设计所述对焦点不敏感的图案以在产生之后具有第一临界尺寸，及设计所述对焦点敏感的图案以在产生之后具有第二临界尺寸，仅在满足指定焦点要求时，所述第二临界尺寸才等于所述第一临界尺寸。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述目标经配置以由散射术测量，其中所述第一间距经配置以产出零级信号，且所述第二间距经配置以产出零级信号及至少一个一级信号。
11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括从具有不同临界尺寸及/或间距的所述经设计目标制备焦点曝光矩阵FEM晶片。
12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括从经测量目标信号与从所述FEM晶片测量的多个信号的比较导出焦点参数。
13.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括从具有不同临界尺寸及/或间距的多个目标的散射术测量导出模型。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括根据所述模型从经测量目标信号导出焦点参数。
15.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括以次分辨率间距分段所述对焦点敏感的图案。
16.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括将所述第二间距设计为所述第一间距的4到6倍，且将所述第二临界尺寸设计为所述第一临界尺寸的1/2到1倍。