1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及依次形成于所述衬底基板上的薄膜晶体管、反射层、彩膜层、像素电极、绝缘层和公共电极；
其中，所述反射层与所述薄膜晶体管的源极和漏极是采用同一道沉积工艺形成的同一层、且所述反射层与所述漏极形成电连接，所述反射层通过所述彩膜层上的通孔与所述像素电极连接；
其中，所述彩膜层的厚度从所述彩膜层的中间向所述彩膜层的边缘减小，且所述彩膜层靠近所述反射层的一面为平面，背离所述反射层的一面为曲面，所述像素电极、所述绝缘层和所述公共电极在对应所述彩膜层的部分，呈与所述彩膜层的曲面相对应的曲面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜层为红色光阻层、绿色光阻层或蓝色光阻层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次形成于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源漏层；
其中，所述源漏层包括低温多晶硅以及在所述低温多晶硅两侧经过掺杂分别形成的源极和漏极。
4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管、反射层以及彩膜层；其中，所述反射层与所述薄膜晶体管的源极和漏极是采用同一道沉积工艺形成的同一层、且所述反射层与所述漏极形成电连接；
对所述彩膜层进行蚀刻，以使所述彩膜层中间的厚度大于边缘的厚度，且所述彩膜层靠近所述反射层的一面为平面，背离所述反射层的一面为曲面；
在所述彩膜层上依次形成像素电极、绝缘层以及公共电极；所述反射层通过所述彩膜层上的通孔与所述像素电极连接，且所述像素电极、所述绝缘层和所述公共电极在对应所述彩膜层的部分，呈与所述彩膜层的曲面相对应的曲面。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述彩膜层采用负性光刻胶制成；
所述对所述彩膜层进行蚀刻，以使所述彩膜层中间的厚度大于边缘的厚度，包括：
采用遮光板遮挡所述彩膜层；其中，所述遮光板的透光率从所述遮光板的中间向所述遮光板的边缘减小；
对所述彩膜层进行曝光；
对所述彩膜层进行显影，以使所述彩膜层的厚度从所述彩膜层的中间向所述彩膜层的边缘减小；
在所述彩膜层上依次形成像素电极、绝缘层以及公共电极。
6.一种液晶显示器，其特征在于，包括阵列基板、上基板以及所述阵列基板和所述上基板之间的液晶层；
其中，所述阵列基板是如权利要求1-3任一项所述的阵列基板。