超窄边框显示面板的挡墙的制作方法

本发明是关于一种应用在TFT-LCD领域的一种挡墙设计。适用于业界的广泛应用。

背景技术：

TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是由TFT和CF Glass组成，TFT-LCD在日常生活中已经很普及，如电视、电脑、手机等显示屏，该领域技术不断更新以更好的服务消费者。不断的产品升级使对TFT-LCD更高的要求，更高的品质要求LCD向更窄的边框设计靠拢，窄边框的设计挑战液晶面板PI配相膜的更高精准的涂布。

LCD Panel面内显示区(AA区)会涂布PI配相膜来提供液晶LC的旋转方式(见FIG1)，但是目前的无边框设计的产品要求导致显示区(AA区)到Panel边缘的距离越来越窄，在不影响密封框胶涂布的情况下，所以目前很多产品采用PI一直涂布到Panel切割的边缘。但是PI配相膜的涂布由于是液态，所以涂布存在一定的精度范围，PI配相模经常会往切割线外蔓延(见FIG2)，切割线外会摆放使用上下基板(TFT/CF)导通的光配相HVA、AU点，所以PI配相膜经常蔓延到HVA、AU点上面，而配相膜是不导电的，所以会导致AU点失去导电的效果而产生光配相不良的问题，严重影响产品品质，增加成品和影响市场的接受程度。

在现有的超窄边框显示面板中，通过在TFT基板的周边区域中设置数道光阻挡墙，在CF基板的周边区域中设置数道光阻挡墙及数条沟槽，并且在光阻挡墙的高度及沟槽的宽度设计上考虑了由于机台的精度误差导致的多吐出部分，通过计算准确定义光阻挡墙及沟槽的铺设尺寸，从而防止在TFT基板与CF基板上涂布PI液时涂布到有效显示区域周围的PI液回流到有效显示区域中，所述TFT基板上不同高度的光阻挡墙通过采用一道半色调光罩曝光得到，但这种设计会占用Panel面板，不利于窄边框设计。

该发明主要就是考量到以上窄边框设计情况下需要PI配相膜涂布到Cut切割线位置，防止PI蔓延到Cut线外的HVA、AU点的设计，以使产品边框可以突破设计到更窄，提高产品整体的一个市场发展方向，提高产品品质和产品市场竞争力。

技术实现要素：

本发明的目的，在于克服原窄边框设计占用Panel面板，不利于超窄边框设计的缺点，发明一种适应产品窄边框设计在制成上的设计需求，在一定程度上增强产品品质，和窄边多样性，提升产品的竞争力的防止PI叠加需求但不影响外围HVA，AU点的设计。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案实现的。

一超窄边框显示面板的挡墙，主要包括TFT基板，涂布在TFT或CF基板中央的显示区，涂布在显示区及TFT或CF基板上的PI配相膜，设立在PI配相膜上围绕显示区一周的密封框胶，还包括设置在面板切割(Panel Cut)线外和HVA光配AU点之间的PS(photo Spacer)挡墙或者非显示区域的阻挡墙。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施实现。

前述的一超窄边框显示面板的挡墙，所述的挡墙的宽度为10～300um。

前述的一超窄边框显示面板的挡墙，所述的挡墙高度为2～5um。

前述的一超窄边框显示面板的挡墙，所述的挡墙设立在PI喷印线边缘。

前述的一超窄边框显示面板的挡墙，所述挡墙是整体围绕Panel Cut线外围形成封闭的矩形圈。

前述的一超窄边框显示面板的挡墙，所述挡墙设立在AU点与显示区窄边之间的一行。

前述的一超窄边框显示面板的挡墙，所述非显示区域的阻挡墙的材料为红色阻或者蓝色阻或者绿色阻。

前述的一超窄边框显示面板的挡墙，所述挡墙在涂布PI膜之前设立在CFPanel Cut线外和光配AU点之间。

前述的一超窄边框显示面板的挡墙，所述非显示区域的阻挡墙，在加工时先进行Red或者Blue或者Green色阻涂布，所述PS(photo Spacer)在加工时进行S色阻涂布，同时对色阻进行曝光。

前述的一超窄边框显示面板的挡墙，所述PS(photo Spacer)挡墙或者(非显示区域的非显示区域阻挡墙，当基板从Glass切成小Chip后时，挡墙随残材去掉，不会留在Panel上。

本发明的优点在于可以使必须采用PI&seal Overlap设计的窄边框产品，在PI涂布到切线，但是又不影响到Cut线外的其他设计，有利的增加了窄边框的多样性设计，起到了提高产品市场需求，对制程从设计面起到一个帮助作用，提升产品的品质需求，提高产品品质，降低产品成本，更加提升了产品在市场的竞争力。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1是AA显示区的示意图

图2是未加挡墙的显示区示意图

图3是本发明实施例1的示意图

图4是本发明实施例2的示意图

图5是本发明实施例1、2的侧剖面图

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

如图1图2和图5所示，图1是AA显示区的示意图，包含TFT边缘1，CF边缘2，边框胶边缘3，PI涂布边缘4，AA显示区边缘5。图2是未加挡墙的Glass大板的示意图，其中，AU点12位于显示区面板13的窄边两侧。图5是本发明的一种窄边框设计的挡墙，主要包括TFT或CF基板1，在TFT或者CF基板中央的AA显示区2，涂布在AA显示区上，及非未涂布显示区的TFT或CF基板上的PI膜3，设立在PI膜上且围绕AA显示区一周的密封框胶4还包括设置在Panel Cut线外和HVA光配AU点之间的挡墙5，所述挡墙为PS(photo Spacer)挡墙或者非显示区域的阻挡墙。所述的挡墙的宽度为10～300um。所述的挡墙高度为2～5um。但并不以此为限，具体视公司产品而设计。

如图3所示，是本发明实施例1的示意图，在本实施例1中，所述PS(photo Spacer)挡墙或者非显示区域的阻挡墙14是整体围绕Panel Cut线外围形成封闭的矩形圈。防止PI液蔓延到HVA AU点上。

如图4所示，是本发明另一个实施例的示意图，在本实施例中，所述PS(photo Spacer)挡墙或者非显示区域的阻挡墙15设立在AU点与显示区窄边框之间的一行，以起到足够阻挡PI液的作用。所述PS(photo Spacer)挡墙或者非显示区域的阻挡墙在涂布PI膜之前设立在CF Panel Cut线外和光配AU点之间。

所述PS(photo Spacer)挡墙材料为PS色阻，非显示区域的阻挡墙的材料为红(Red)或者蓝(Blue)或者绿(Green)色阻。

所述PS(photo Spacer)挡墙在加工时进行色阻PS色阻涂布或者非显示区域的阻挡墙，在加工时先进行Red或者Blue或者Green色阻涂布，同时对色阻进行曝光。通过光罩上在该位置设定特定Pattern，以使经过曝光后该地方留下该挡墙的形状。

PI一直涂布到Panel外围，但是防止PI遮住HVA Au点导致光配相不良，所以挡墙挡住PI扩散到HVA AU点上面。

本发明包括业界COA产品和非COA产品，COA产品可以是CF侧PS挡墙或TFT侧R/G/B挡墙。

所述PS(photo Spacer)挡墙或者非显示区域的阻挡墙，当基板从Glass切成小Chip后时，挡墙随残材去掉，不会留在Panel上。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。