显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术：

TFT-LCD液晶显示面板技术是通过液晶偏转来控制出光量，再结合CF(彩色滤光膜)来实现彩色显示，CF包含R(红光)、G(绿光)和B(蓝光)三种类型的色阻材料，同一膜厚的三种色阻材料对光的穿透率有差别，考虑到RGB组合形成白光对CIE色坐标的要求，为了补偿三种色阻材料对光的穿透率差异，RGB子像素必须采用不同的膜厚，实际情况是R子像素和G子像素采用一样的厚度，B子像素采用相较R子像素及G子像素稍厚的膜层，三种色阻材料膜厚的差异不可避免的会影响其中的液晶电容，使得R子像素及G子像素与B子像素对应位置的液晶电容有差异，对于RGB三个子像素尺寸大小一样的情况，B子像素的液晶电容相对会稍微小一点。简单而言，对于某一固定灰阶，由于电容耦合效应，实际的子像素电压在充电完成后由于栅极电压的变化导致子像素公共电压的变化量在其它参数一定的情况下有所差别，进而导致RG子像素与B子像素的公共电压不能较好的匹配，在面板实际的驱动中，整个面板采用单一恒定的公共电压，由于RGB子像素的公共电压的差异使得某一子像素会与该恒定电压有所偏差，从而导致实际子像素的亮度有差异，打破了RGB三者子像素亮度的平衡，导致面板发生色偏(如图1所示)，其中，面板左侧与右侧画面存在严重色偏现象。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种显示面板及显示装置，以在面板的第一至第三子像素色阻厚度不同时使得所述第一至第三子像素的像素电压一致，以此降低面板发生色偏现象。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，所述显示面板包括多个像素单元，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第三子像素的色阻厚度大于所述第一子像素的色阻厚度或者所述第二子像素的色阻厚度，对所述第三子像素的像素电压进行补偿，使得所述第一子像素的像素电压、所述第二子像素的像素电压及所述第三子像素的像素电压一致。

其中，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素。

其中，所述第三子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度大于所述第一子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度或所述第二子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度，增大所述第三子像素的寄生电容值，进而补偿所述第三子像素的像素电压。

其中，所述第三子像素的公共电压线面积大于所述第一子像素的公共电压线面积或所述第二子像素的公共电压线面积，增大所述第三子像素的存储电容值，进而补偿所述第三子像素的像素电压。

其中，所述第三子像素的像素电压进行补偿满足以下公式：

△V＝Cgs/(Cgs+Clc+Cst)*|Voff-Von|

其中，Cgs为寄生电容值，Clc为液晶电容值，Cst为存储电容值，Voff为扫描线的低电平，Von为扫描线的高电平。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，所述显示面板包括多个像素单元，每一像素单元包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第三子像素的色阻厚度大于所述第一子像素的色阻厚度或者所述第二子像素的色阻厚度，对所述第三子像素的像素电压进行补偿，使得所述第一子像素的像素电压、所述第二子像素的像素电压及所述第三子像素的像素电压一致。

其中，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素。

其中，所述第三子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度大于所述第一子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度或所述第二子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度，增大所述第三子像素的寄生电容值，进而补偿所述第三子像素的像素电压。

其中，所述第三子像素的公共电压线面积大于所述第一子像素的公共电压线面积或所述第二子像素的公共电压线面积，增大所述第三子像素的存储电容值，进而补偿所述第三子像素的像素电压。

其中，所述第三子像素的像素电压进行补偿满足以下公式：

△V＝Cgs/(Cgs+Clc+Cst)*|Voff-Von|

其中，Cgs为寄生电容值，Clc为液晶电容值，Cst为存储电容值，Voff为扫描线的低电平，Von为扫描线的高电平。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的显示面板及显示装置在所述第三子像素的色阻厚度大于所述第一子像素的色阻厚度或者所述第二子像素的色阻厚度时，使得所述第三子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度大于所述第一子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度或所述第二子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度，增大所述第三子像素的寄生电容值，进而补偿所述第三子像素的像素电压；或者使得所述第三子像素的公共电压线面积大于所述第一子像素的公共电压线面积或所述第二子像素的公共电压线面积，增大所述第三子像素的存储电容值，进而补偿所述第三子像素的像素电压，以此实现所述第一至第三子像素的像素电压一致，降低面板发生色偏的风险。

附图说明

图1是现有技术的面板点亮色偏现象示意图；

图2是本发明的阵列基板的结构示意图；

图3是本发明的阵列基板的电路结构示意图；

图4是本发明的显示面板的第一至第三子像素对应薄膜晶体管的示意图；

图5是本发明的显示面板的第一至第三子像素的公共电压线的第一实施例的示意图；

图6是本发明的显示面板的第一至第三子像素的公共电压线的第二实施例的示意图；

图7是本发明的显示装置的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图2，是本发明的阵列基板的结构示意图。如图2所示，本发明实施例的阵列((Thin Film Transistor，是薄膜晶体管)基板100包括多个像素单元，如图2所示的像素单元11、12、13以及14。每一像素单元包括第一至第三子像素，如图2所示的，像素单元11包括第一至第三子像素110、111以及112。第一至第三子像素110、111以及112分别显示R(Red，红色)、G(Green，绿色)以及B(Blue，蓝色)三种颜色。

请参阅图3，是本发明实施例提供的一种阵列基板的电路结构示意图。其中，图3只举例了图1所示的像素单元11的电路结构示意图，应理解，其他的像素单元的电路结构类似。如图3所示，所述阵列基板100包括多条平行设置的数据线S31、S32以及S33、扫描线G31(图3只标示一条)、分别设置在第一至第三子像素110、111以及112中的像素电极P1、P2以及P3以及分别设置在第一至第三子像素110、111以及112中的开关管K31、K32以及K33。其中开关管K31、K32以及K33的控制端电连接扫描线G31，开关管K31、K32以及K33的输入端分别电连接数据线S31、S32以及S33，开关管K31、K32以及K33的输出端分别电连接第一至第三子像素110、111以及112的像素电极P1、P2以及P3。

在扫描线G31向开关管K31、K32以及K33提供扫描驱动信号后，开关管K31、K32以及K33的输入端和输出端相互导通，数据线S31、S32以及S33分别在给第一至第三子像素110、111及112的像素电极P1、P2及P3充电，使得像素电极P1、P2及P3分别和公共电极之间形成存储电容C1、C2以及C3。

由于所述第三子像素112的色阻厚度大于所述第一子像素110的色阻厚度或者所述第二子像素111的色阻厚度，因此需要对所述第三子像素112的像素电压进行补偿，使得所述第一子像素110的像素电压、所述第二子像素111的像素电压及所述第三子像素112的像素电压一致，以此降低面板发生色偏的风险。

请参阅图4，是本发明的显示面板的第一至第三子像素对应薄膜晶体管的示意图。其中，图4a是所述显示面板的第一子像素110及第二子像素111对应的薄膜晶体管的源极S1，图4b是所述显示面板的第三子像素112对应的薄膜晶体管的源极S2。从图4a及4b中可以看出，本发明实施例中，所述第一至第三子像素110、111及112在传统三种子像素设计相同的情况下，本实施例中通过设计不同尺寸的薄膜晶体管(即开关管)，使得所述第三子像素112对应的薄膜晶体管的源极S2的长度大于所述第一子像素110对应的薄膜晶体管的源极S1的长度或所述第二子像素111对应的薄膜晶体管的源极S1的长度(如长度L)，进而使得所述第三子像素112对应的寄生电容Cgs大于所述第一子像素110或所述第二子像素111对应的寄生电容Cgs，其中，所述第三子像素112的像素电压根据补偿电压的计算公式：

△V＝Cgs/(Cgs+Clc+Cst)*|Voff-Von|，其中，Cgs为寄生电容值，Clc为液晶电容值，Cst为存储电容值，Voff为扫描线的低电平，Von为扫描线的高电平。由于所述第三子像素112的色阻厚度大于所述第一子像素110或所述第二子像素111的色阻厚度，因此造成所述第一至第三子像素110-112对应的液晶电容有差异，所述第三子像素112对应的液晶电容相对所述第一及第二子像素110、111会稍微小一点，由于所述第三子像素112的液晶电容Clc小于所述第一子像素110或所述第二子像素111的液晶电容Clc而导致的真空电极变化可以通过增大所述寄生电容Cgs来补偿，以此达到补偿所述第三子像素112的像素电压的目的，进而使得所述第一至第三子像素的像素电压一致，降低面板发生色偏的风险。

请参阅图5，是本发明的显示面板的第一至第三子像素的公共电压线的第一实施例的示意图。其中，图5a是所述显示面板的第三子像素112的公共电压线面积结构示意图；图5b是所述显示面板的第一子像素110及第二子像素111的公共电压线面积结构示意图。从图5a及图5b中可以看出，在本发明实施例中，使得所述第一子像素110或所述第二子像素111的公共电压线X1面积较所述第三子像素112的公共电压线X2面积相对少一点，从而使得所述第三子像素112对应的存储电容Cst相对所述第一子像素110或所述第二子像素111的存储电容Cst大一些，其中，所述第三子像素112的像素电压根据补偿电压的计算公式：

△V＝Cgs/(Cgs+Clc+Cst)*|Voff-Von|，由于所述第三子像素112的色阻厚度大于所述第一子像素110或所述第二子像素111的色阻厚度，因此造成所述第一至第三子像素110-112对应的液晶电容有差异，所述第三子像素112对应的液晶电容相对所述第一及第二子像素110、111会稍微小一点，由于所述第三子像素112的液晶电容Clc较所述第一子像素110或所述第二子像素111的液晶电容Clc小而导致的真空电极变化可以通过增大所述存储电容Cst来补偿，以此达到补偿所述第三子像素112的像素电压的目的，进而使得所述第一至第三子像素的像素电压一致，降低面板发生色偏的风险。

请参阅图6，是本发明的显示面板的第一至第三子像素的公共电压线的第二实施例的示意图。其中，图6a是所述显示面板的第三子像素112的公共电压线面积结构示意图；图6b是所述显示面板的第一子像素110及第二子像素111的公共电压线面积结构示意图。从图6a及图6b中可以看出，在本发明实施例中，使得所述第一子像素110或所述第二子像素111的公共电压线X1面积较所述第三子像素112的公共电压线X2面积相对少一点，从而使得所述第三子像素112对应的存储电容Cst相对所述第一子像素110或所述第二子像素111的存储电容Cst大一些，其中，所述第三子像素112的像素电压根据补偿电压的计算公式：

△V＝Cgs/(Cgs+Clc+Cst)*|Voff-Von|，由于所述第三子像素112的色阻厚度大于所述第一子像素110或所述第二子像素111的色阻厚度，因此造成所述第一至第三子像素110-112对应的液晶电容有差异，所述第三子像素112对应的液晶电容相对所述第一及第二子像素110、111会稍微小一点，由于所述第三子像素112的液晶电容Clc较所述第一子像素110或所述第二子像素111的液晶电容Clc小而导致的真空电极变化可以通过增大所述存储电容Cst来补偿，以此达到补偿所述第三子像素112的像素电压的目的，进而使得所述第一至第三子像素的像素电压一致，降低面板发生色偏的风险。

请参阅图7，是本发明的显示装置的结构示意图。所述显示装置包括上述实施例中的显示面板，所述显示装置的其他器件及功能与现有显示装置的器件及功能相同，在此不再赘述。

本发明的显示面板及显示装置在所述第三子像素的色阻厚度大于所述第一子像素的色阻厚度或者所述第二子像素的色阻厚度时，使得所述第三子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度大于所述第一子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度或所述第二子像素对应的薄膜晶体管的源极的长度，增大所述第三子像素的寄生电容值，进而补偿所述第三子像素的像素电压；或者使得所述第三子像素的公共电压线面积大于所述第一子像素的公共电压线面积或所述第二子像素的公共电压线面积，增大所述第三子像素的存储电容值，进而补偿所述第三子像素的像素电压，以此实现所述第一至第三子像素的像素电压一致，降低面板发生色偏的风险。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。