电路配线的制造方法、电路配线、输入装置及显示装置与流程

本发明涉及一种电路配线的制造方法、电路配线、输入装置及显示装置。更详细而言，涉及一种电路配线的制造方法、利用该电路配线的制造方法而制造的电路配线、使用该电路配线的输入装置、具备该输入装置的显示装置。

背景技术：

在具有静电电容型输入装置等触摸面板的显示装置(有机el显示装置和液晶显示装置等)中，相当于辨识部的传感器的电极图案、外围配线部分和引出配线部分的配线等导电层图案设置在触摸面板内部。

通常，在图案化层的形成中，由于用于得到所需图案形状的工序数少，因此广泛利用如下方法：对使用感光性转印材料设置在任意的基材上的感光性树脂组合物层，经由具有所希望的图案的掩模来进行曝光，在局部固化之后进行显影。

作为使用了感光性树脂组合物的图案形成方法，已知有例如专利文献1和2中所记载的方法。

在专利文献1中记载有如下图案形成方法，其依次进行：层叠工序，在基材主面上形成层叠结构，该层叠结构包括第1膜和比第1膜位于更靠主面侧的位置上的第2膜；

掩模图案形成工序，在层叠结构上形成局部覆盖第1膜的第1掩模图案；

第1蚀刻工序，通过第1掩模图案而去除第1膜的一部分；

掩模图案追加工序，在第1掩模图案的一部分及第2膜的一部分涂布有机材料而形成覆盖该些的第2掩模图案；

第2蚀刻工序，通过第1掩模图案及第2掩模图案而去除第2膜的第1掩模图案及第2掩模图案中均露出的区域；及

掩模图案去除工序，去除第1掩模图案和第2掩模图案。

根据专利文献1能够提供以下图案形成方法：如此在基材上涂布抗蚀剂(第1抗蚀剂)，在形成图案之后，通过ij(喷墨)和丝网印刷等，将规定图案的第2抗蚀剂涂布于第1抗蚀剂上，然后进行蚀刻，由此在形成彼此形状不同的2种以上的图案上下配置的层叠膜图案时，即使光刻工序的次数仅为1次也可以得到被划定的形状。

在专利文献2中记载有以下感光性转印材料：其依次具有支撑体、热塑性树脂层及感光性树脂组合物层，感光性树脂组合物层包含(a)聚合物成分及(b)光酸产生剂，(a)聚合物成分包含具有结构单元(a1)的聚合物，所述结构单元(a1)具有酸基被酸分解性基保护的基团。另外，专利文献2中所记载的感光性转印材料是化学放大型且正型干式光阻膜。

而且，在专利文献2中记载一种图案形成方法，其具有：感光性树脂组合物层形成工序，在基材的至少一面，使用专利文献2中所记载的感光性转印材料来形成感光性树脂组合物层；曝光工序，将感光性树脂组合物层进行曝光；及显影工序，对被曝光的上述感光性树脂组合物层进行显影。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-59834号公报

专利文献2：日本特开2014-85643号公报

技术实现要素：

发明要解决的技术课题

在此，在触摸面板用电路配线中，相当于辨识部的传感器的电极图案与外围引出部(外围配线部分和引出配线部分)的配线不进行交叉，不需要使用电桥等的3维连接。因此，在触摸面板用电路配线的制造方法的技术领域中，期待像以往的使用感光性树脂组合物的图案形成方法那样不必按所希望的图案进行抗蚀膜形成，而是以1次的抗蚀膜形成来形成包含多种图案的导电层的电路配线，从而省略工序。

然而，在专利文献1中，未记载关于触摸面板用电路配线的制造方法，并且，第2次以后的抗蚀膜形成需要通过喷墨等而直接印相等，无法以1次的抗蚀膜形成而形成包含多种图案的导电层的电路配线。

并且，在专利文献2中，关于导电层图案的电路配线有记载，但只记载有通过重复进行抗蚀膜形成、曝光、显影、蚀刻而依次形成彼此交叉的2个方向的电极图案(传感器)。

而且，在触摸面板用电路配线中不需要使用电桥等的3维连接，然而，传感器部分和另一导电性要件(外围配线部分)的接合部分变细，存在多种导电层图案彼此之间的对位精度的问题。

本发明欲解决的课题在于提供一种电路配线的制造方法，其能够以1次的抗蚀膜形成来形成包含多种图案的导电层的电路配线而制造效率优异，不需要多种图案的导电层的对位。

本发明欲解决的课题在于还提供一种利用该电路配线的制造方法而制造的电路配线、使用该电路配线的输入装置、具备该输入装置的显示装置。

用于解决技术课题的手段

本发明人等经过深入研究的结果，发现对于如触摸面板用电路配线那样不需要使用电桥等的3维连接的配线，作为新的电路形成方法而可以仅使用1次正型感光性材料(抗蚀剂)的形成的统一形成图案。并且，发现通过统一形成图案，实际上不需要相当于辨识部的传感器的部分的电极图案与引出配线的对位(对准)。

作为用于解决上述课题的具体的方式的本发明及本发明的优选范围如下。

[1]一种电路配线的制造方法，其包括下述(a)工序、(b)工序、(c)工序、(d)工序、(e)工序及(z)工序，

(a)工序，将x设为2以上的整数，对具有基材和从基材的一个表面依次具有第x层至第1层的导电层的电路形成基板，在导电层的第1层上形成被曝光的部位溶解于显影液中的正型感光性材料；

(b)工序，对形成有正型感光性材料的电路形成基板进行图案曝光及显影，而将正型感光性材料设为第1图案；

(c)工序，将i设为1以上且x以下的整数，对于在(b)工序中未形成设为第1图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第i层进行蚀刻处理；

(d)工序，对(b)工序中所残留的正型感光性材料，以与所残留的正型感光性材料不同的图案进行图案曝光及显影，而将正型感光性材料设为第2图案；

(e)工序，将j设为1以上且小于i的整数，对于在(d)工序中未形成设为第2图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第j层进行蚀刻处理；

(z)工序，去除所残留的所有正型感光性材料，形成包含至少2种图案的导电层的电路配线。

[2]根据[1]所述的电路配线的制造方法，优选电路配线为输入装置的电路配线。

[3]根据[2]所述的输入装置的电路配线的制造方法，优选输入装置为触摸面板。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选电路配线包含只有2种图案的导电层。

[5]根据[1]～[4]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选还包括下述(f)工序，

(f)工序，对所残留的正型感光性材料，以与所残留的正型感光性材料不同的图案进行图案曝光及显影，在显影之后，对未形成正型感光性材料区域的导电层的第1层至小于j的任意的层进行蚀刻处理，而将导电层设为图案。

[6]根据[5]所述的电路配线的制造方法，优选(f)工序包括下述(f1)工序及(f2)工序，并包含至少3种图案的导电层，

(f1)工序，将(e)工序中所残留的正型感光性材料，以与所残留的正型感光性材料不同的图案进行图案曝光及显影，而将正型感光性材料设为第3图案，

(f2)工序，将k设为1以上且小于j的整数，对于在(f1)工序中未形成设为第3图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第k层进行蚀刻处理。

[7]根据[1]～[6]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选在包括在电路配线中的具有不同种类的图案的导电层中，具有至少1种图案的导电层包含共用相同的电路图案的2层以上的导电层层叠体。

[8]根据[1]～[7]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选基材在两个表面，使用分别独立的x而具有第x层至第1层的导电层，

基材对形成于两个表面的导电层依次或同时形成电路。

[9]根据[1]～[8]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选包括：在(z)工序中形成的电路配线上形成绝缘膜的工序；及

在绝缘膜上形成新的导电层的工序。

[10]根据[1]～[9]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选在第x层至第1层的导电层中的至少一层包含金属氧化物。

[11]根据[1]～[10]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选包括以下工序：进行使第x层至第1层的导电层的一部分或所有可见光线反射率降低的处理。

[12]根据[1]～[11]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选正型感光性材料为干膜抗蚀剂。

[13]根据[1]～[12]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选基材为片材状树脂组合物。

[14]根据[1]～[13]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选正型感光性材料包含萘醌二叠氮化合物及具有酚性羟基的树脂。

[15]根据[1]～[13]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选正型感光性材料包含(a)成分及(b)光酸产生剂，

(a)成分为具有酸基被酸分解性基保护的基团的聚合物。

[16]根据[15]所述的电路配线的制造方法，优选(a)成分为包含聚合物的聚合物成分，所述聚合物具有羧基或酚性羟基以缩醛的形式被保护的酸结构单元a1。

[17]根据[15]或[16]所述的电路配线的制造方法，优选(a)成分为具有由下述通式a1或通式a1’表示的结构单元的聚合物，

通式a1

[化学式1]

通式a1中，r¹及r²分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，r¹及r²中的至少一个为烷基或芳基，r³表示烷基或芳基，r¹或r²可以与r³连接而形成环状醚，r⁴表示氢原子或甲基；

通式a1’

[化学式2]

通式a1’中，r¹¹及r¹²分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，r¹¹及r¹²中的至少一个为烷基或芳基，r¹³表示烷基或芳基，r¹¹或r¹²可以与r¹³连接而形成环状醚，r¹⁴分别独立地表示氢原子、羟基、卤原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧羰基、羟基烷基、芳基羰基或环烷基。

[18]根据[15]～[17]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选正型感光性材料含有2种以上(a)成分，且

作为(a)成分，含有具有由下述通式a2’表示的结构单元的聚合物；

通式a2’

[化学式3]

通式a2’中，r³¹及r³²分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，r³¹及r³²中的至少一个为烷基或芳基，r³³表示烷基或芳基，r³¹或r³²可以与r³³连接而形成环状醚，r³⁴表示氢原子或甲基，x⁰表示单键或亚芳基。

[19]根据[1]～[18]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选在正型感光性材料中，具有烯属不饱和键的化合物的量为0质量％。

[20]根据[1]～[19]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选正型感光性材料包含含有(c)杂环状化合物的化合物。

[21]根据[20]所述的电路配线的制造方法，优选(c)杂环状化合物为具有环氧基的化合物。

[22]根据[1]～[21]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选正型感光性材料还包含碱性化合物。

[23]根据[1]～[22]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选正型感光性材料还包含放射线吸收剂。

[24]根据[1]～[23]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选正型感光性材料包括感光性树脂层和对比度增强层。

[25]根据[1]～[24]中任一项所述的电路配线的制造方法，优选第x层至第1层的导电层包含彼此不同的材料。

[26]一种电路配线，其通过[1]～[25]中任一项所述的电路配线的制造方法而制造。

[27]一种输入装置，其使用了[26]所述的电路配线。

[28]根据[27]所述的输入装置，优选其为静电电容型触摸面板。

[29]一种显示装置，其具备[27]或[28]所述的输入装置。

发明效果

根据本发明，能够提供一种以1次的抗蚀膜形成能够形成包含多种图案的导电层的电路配线而制造效率优异，且不需要多种图案的导电层的对位的电路配线的制造方法。该电路配线的制造方法尤其适用于触摸面板中。

根据本发明，能够提供一种利用上述制造效率优异的电路配线的制造方法而制造的电路配线、使用了该电路配线的输入装置、具备该输入装置的显示装置。

附图说明

图1是表示作为本发明的实施方式之一的触摸面板用电路配线的制造方法的一例的示意图。

图2是作为在x为2的情况下得到的本发明的实施方式之一的、触摸面板用电路配线的一例的剖面示意图。

图3是作为在x为2的情况下得到的本发明的实施方式之一的、触摸面板用电路配线的一例的示意图。

图4是表示图案a的示意图。

图5是表示图案b的示意图。

图6是表示图案c的示意图。

图7是表示图案d的示意图。

图8是表示图案e的示意图。

图9是表示第一电极图案的焊盘部分及连接部分和绝缘层的配置的一例的剖面示意图。

图10是表示第一电极图案的焊盘部分及连接部分和绝缘层的配置的一例的示意图。

图11是表示第一电极图案的焊盘部分及连接部分和第二电极图案的配置的一例的剖面示意图。

图12是表示第一电极图案的焊盘部分及连接部分和第二电极图案的配置的一例的示意图。

图13是表示图案f的示意图。

图14是表示图案g的示意图。

图15是表示图案h的示意图。

图16是表示本发明的输入装置的一例的结构的剖面示意图。

图17是表示图案i的示意图。

图18是表示图案j的示意图。

图19是作为本发明的实施方式之一的、根据部位用不同种类的金属进行修整，而能够抑制涂布焊料时的腐蚀的电路配线的一例的剖面示意图。

具体实施方式

以下，关于本发明的电路配线的制造方法、电路配线、输入装置进行说明，尤其关于作为触摸面板的输入装置、以及使用了该输入装置的显示装置进行说明。

以下所记载的构成要件的说明是根据本发明的代表性实施方式和具体例而进行的，但本发明并不限定于所述实施方式和具体例。另外，在本说明书中，用“～”表示的数值范围是指将记载于“～”前后的数值作为下限值及上限值而包括的范围。

[电路配线的制造方法]

本发明的电路配线的制造方法为包括下述(a)工序、(b)工序、(c)工序、(d)工序、(e)工序及(z)工序的电路配线的制造方法，

(a)工序，将x设为2以上的整数，对具有基材和从基材的一个表面依次具有第x层至第1层的导电层的电路形成基板，在导电层的第1层上形成被曝光的部位溶解于显影液中的正型感光性材料；

(b)工序，对形成有正型感光性材料的电路形成基板进行图案曝光及显影，而将正型感光性材料设为第1图案；

(c)工序，将i设为1以上且x以下的整数，对于在(b)工序中未形成设为第1图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第i层进行蚀刻处理；

(d)工序，对(b)工序中所残留的正型感光性材料，以与所残留的正型感光性材料不同的图案进行图案曝光及显影，而将正型感光性材料设为第2图案；

(e)工序，将j设为1以上且小于i的整数，对于在(d)工序中未形成设为第2图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第j层进行蚀刻处理；

(z)工序，去除所残留的所有正型感光性材料，形成包含至少2种图案的导电层的电路配线。

根据上述结构，本发明的电路配线的制造方法因能够以1次的抗蚀膜形成来形成包含多种图案的导电层的电路配线而制造效率优异，且不需要多种图案的导电层的对位，因此适用于输入装置，尤其是触摸面板。本发明的电路配线的制造方法中，优选电路配线为输入装置的电路配线。而且，在本发明的输入装置的电路配线的制造方法中，优选输入装置为触摸面板。

以下，关于本发明的电路配线的制造方法的优选方式进行说明。

＜整体工序＞

首先，对本发明的电路配线的制造方法进行说明。

图1中示出作为本发明的实施方式之一的、触摸面板用电路配线的制造方法的一例。

图1中示出的触摸面板用电路配线的制造方法的一例中，除了(a)工序、(b)工序、(c)工序、(d)工序、(e)工序及(z)工序，还记载有任意的(f)工序。

(a)工序中，在导电层的第1层上形成正型感光性材料20。该正型感光性材料在之后的(b)、(c)、(d)、(e)及(f)工序中残留至少一部分，最终在(z)工序中对所残留的所有正型感光性材料进行去除，从而形成包含至少2种图案的导电层的电路配线。即，能够以1次的抗蚀膜形成形成包含多种图案的导电层的电路配线。

(b)工序中进行图案曝光及显影，从而将正型感光性材料设为第1图案。

(c)工序中，对于在(b)工序中未形成设为第1图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第i层进行蚀刻处理。图1中，在(c)工序中设为i＝x，对第1层至第x层的所有导电层进行蚀刻而去除。

在(c)工序中得到的导电层的第1层至第i层的图案，最终进行至(z)工序而去除所有正型感光性材料时不会残留，通过(e)工序中的蚀刻及根据需要能够进行的(f)工序中的蚀刻而成为另一图案。在图1所示的结构中，在(c)工序中得到的导电层的第1层至第i层的图案作为7个柱而记载，但从右数第3、4及第5个柱因(e)工序中的蚀刻而成为另一图案，从右数第1、2及第6个柱也因(f)工序中的蚀刻而成为另一图案，进行最终的(z)工序而去除所有正型感光性材料时，成为仅剩从右数第7个图案。

(d)工序中，对(b)工序中所残留的正型感光性材料，以与所残留的正型感光性材料不同的图案进行图案曝光及显影，从而将正型感光性材料设为第2图案。

(e)工序中，对于(d)工序中未形成设为第2图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第j层进行蚀刻处理。图1中，在(e)工序中设为j＝x-1且j＝i-1，并对第1层至第x-1层(第j层)的导电层进行蚀刻而去除，仅留下第x层。

图1中，省略了(f)工序的详细说明，但能够重复进行所需次数的(f)工序。

(z)工序中，对所残留的所有正型感光性材料进行去除，从而形成包含至少2种图案的导电层的电路配线。图1中示出最终在(z)工序之后正型感光性材料全部被去除。

另一方面，虽然图1中未示出，但是本发明的电路配线的制造方法，也优选基材在两个表面使用分别独立的x而具有第x层至第1层的导电层，并对形成于基材的两个表面上的导电层依次或同时形成电路。根据上述结构能够形成触摸面板用电路配线，其在基材的一个表面形成第一电极图案，而在另一个表面形成第二电极图案。并且，也优选以卷对卷的方式从基材的两面形成上述结构的触摸面板用电路配线。

关于使用正型感光性材料作为蚀刻抗蚀剂(蚀刻图案)而得到的静电电容型输入装置的导电层图案的情况进行说明。

静电电容型输入装置优选具有基材(前面板或薄膜基材)，且在基材的非接触侧至少具有下述(2)～(5)的要件，并通过本发明的电路配线的制造方法而形成(2)、(3)及(5)中的至少1个。

(2)多个焊盘部分经由连接部分而沿第一方向延伸形成的多个第一电极图案

(3)与上述第一电极图案电绝缘，且包括沿与上述第一方向交叉的方向延伸形成的多个焊盘部分的多个第二电极图案

(4)将上述第一电极图案和上述第二电极图案进行电绝缘的绝缘层

(5)与上述第一电极图案及上述第二电极图案中的至少一个电连接，且与上述第一电极图案及上述第二电极图案不同的导电性要件

以下，关于各工序的详细内容进行说明。

＜(a)工序＞

关于(a)工序进行说明：将x设为2以上的整数，并对具有基材和从基材的一个表面依次具有第x层至第1层的导电层的电路形成基板，在导电层的第1层上形成被曝光的部位溶解于显影液中的正型感光性材料。

x为2以上的整数，优选为2或3，更优选为2。

图2中示出x为2的情况下得到的本发明的实施方式之一的、触摸面板用电路配线的一例的剖面示意图。图2中，在基材1上形成有第一电极图案3，在第一电极图案上形成有另一导电性要件6。图2中示出的触摸面板用电路配线包括以下2种图案的导电层：形成有第一电极图案3和另一导电性要件的导电层层叠体；及仅具有第一电极图案3的导电层。

若从斜上方观察如图2的触摸面板用电路配线，则如图3。图3所示的触摸面板用电路配线的一例中，图3的虚线部分是形成有第一电极图案3和另一导电性要件的导电层层叠体，图3的四边形相连的部分是仅具有第一电极图案3的导电层。如此通过本发明的电路配线的制造方法而得到的电路配线优选包含电路配线中包含的具有不同种类的图案的导电层中具有至少1种图案的导电层共用相同的电路图案的2层以上的导电层层叠体。

(基材)

基材优选为玻璃基材或薄膜基材，更优选为薄膜基材。在触摸面板用电路配线的情况下，在本发明的电路配线的制造方法中，尤其优选基材为片材状树脂组合物。

并且，基材优选是透明的。

另外，在本说明书中透明是指在波长400nm～700nm的可见光的平均透射率为80％以上。从而，透明的层是指在波长400nm～700nm的可见光的平均透射率为80％以上的层。透明的层在波长400nm～700nm的可见光的平均透射率优选为90％以上。

基材的折射率尤其优选为1.50～1.52。

基材可以由玻璃基材等透明基材来构成。作为基材，能够使用以corningincorporatedco.,ltd.的gorilla玻璃为代表的强化玻璃等。并且，作为所述透明基材，能够优选使用在日本特开2010-86684号公报、日本特开2010-152809号公报及日本特开2010-257492号公报中使用的材料。

作为基材而使用薄膜基材的情况下，更优选使用无光学畸变的薄膜基材和透明度高的薄膜基材，作为具体的原材料，能够举出聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate；pet)、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、三乙酰纤维素及环烯烃聚合物。

(导电层)

作为第x层至第1层的导电层，能够举出通常的电路配线和使用于触摸面板配线中的任意的导电层。

作为导电层的材料，能够举出金属和金属氧化物等。

本发明的电路配线的制造方法中，第x层至第1层的导电层可以是相同的材料，也可以是彼此不同的材料，但优选包含彼此不同的材料。

本发明的电路配线的制造方法中，优选第x层至第1层的导电层中的至少一层包含金属氧化物。

作为该情况下所使用的金属氧化物，能够举出ito、izo、sio2等金属氧化膜等。关于金属氧化物将进行后述。

作为导电层，优选为可使用于后述静电电容型输入装置中的第一电极图案、第二电极图案及后述另一导电性要件。

关于其它导电层的优选方式，在后面的静电电容型输入装置的说明中进行叙述。

(正型感光性材料)

在本发明中使用被曝光的部位溶解于显影液中的正型感光性材料。以往，因感光性树脂组合物的感光系统的差异而分成：照射光化射线的部分成为图像而残留的负型、及将未照射光化射线的部分设为图像而残留的正型。在正型中，通过照射光化射线，例如使用照射光化射线而产生酸的感光剂等来提高曝光部的溶解性，因此在图案曝光时刻曝光部及未曝光部均未固化，在所得到的图案形状不良的情况下，通过整面曝光等而能够再使用(再加工)基材。因此，从所谓的再加工性优异的观点考虑，优选使用正型。

并且，作为本发明的要点的、对所残留的抗蚀剂再次进行曝光而制作不同的图案的技术，若不是正型抗蚀剂，则无法实现。

作为正型感光性材料，可以是正型感光性组合物的涂布膜，也可以是干膜抗蚀剂，能够使用公知的材料。

本发明的电路配线的制造方法中，正型感光性材料优选为干膜抗蚀剂。在干膜抗蚀剂中，优选为具有临时支撑体和用作正型感光性材料的感光性树脂组合物层的感光性转印材料。

在正型感光性材料为感光性转印材料的情况下，也优选依次具有临时支撑体、热塑性树脂层及感光性树脂组合物层，还可以具有覆盖膜等其它层。关于临时支撑体的优选方式，记载有日本特开2014-85643号公报的[0017]～[0018]，关于热塑性树脂层的优选方式，记载有日本特开2014-85643号公报的[0189]～[0193]，关于其它层的优选方式，记载有日本特开2014-85643号公报的[0194]～[0196]，该公报的内容被并入于本说明书中。

优选使用作为感光性转印材料的正型感光性材料来进行(a)工序。

感光性转印材料能够以日本特开2006-259138号公报的[0094]～[0098]段落中所记载的感光性转印材料的制作方法为基准而制作。

具体而言，在形成具有中间层的本发明中的感光性转印材料的情况下，优选在支撑体上涂布热塑性有机高分子和溶解了添加剂的溶解液(热塑性树脂层用涂布液)，并使其干燥而设置热塑性树脂层之后，在该热塑性树脂层上，涂布在不溶解热塑性树脂层的溶剂中添加树脂和添加剂而制备的制备溶液(中间层用涂布液)，并使其干燥而层叠中间层。优选该中间层上再次涂布使用不溶解中间层的溶剂而制备的感光性树脂组合物层用涂布液，并使其干燥而层叠感光性树脂组合物层。

作为感光性转印材料的正型感光性材料具有上述覆盖膜的情况下，优选具有从正型感光性材料去除上述覆盖膜的覆盖膜去除工序。

(a)工序优选为将覆盖膜被去除的感光性转印材料的感光性树脂组合物转印于导电层的第1层上的工序。

此时，优选将感光性转印材料的感光性树脂组合物层压于导电层的第1层上之后去除临时支撑体的方法。

感光性转印材料对导电层的第1层上的转印(贴合)，优选利用将感光性树脂组合物重叠于导电层的第1层上并进行加压及加热的方法来进行。贴合中能够使用层压机、真空层压机及能够进一步提高生产率的自动切割层压机等公知的层压机。

作为正型感光性材料的优选方式，可以举出：第1优选方式，包含萘醌二叠氮化合物及具有酚性羟基的树脂；及第2优选方式，正型感光性材料包含(a)成分及(b)光酸产生剂，(a)成分是具有酸基被酸分解性基保护的基团的聚合物。

以下，关于在各优选方式中所使用的正型感光性材料的材料进行说明。

-正型感光性材料的第1优选方式-

首先，关于正型感光性材料的第1优选方式进行说明。

本发明的电路配线的制造方法优选正型感光性材料包含萘醌二叠氮化合物及具有酚性羟基的树脂。

--具有酚性羟基的树脂--

作为具有酚性羟基的树脂，可以举出例如酚醛清漆树脂及甲酚酚醛清漆树脂等，其中，从显影范围宽的观点考虑，尤其优选含有甲酚酚醛清漆树脂及萘醌二叠氮衍生物这2种。

作为酚醛清漆树脂，优选相对于苯酚的甲醛的摩尔比为0.5～1.0左右的酚醛清漆树脂，从显影性及烧粘的观点考虑，进一步优选0.8～1.0左右的酚醛清漆树脂。并且，作为上述酚醛清漆树脂的重均分子量，优选为300～4000，尤其优选为400～800。

上述酚醛清漆树脂也可以是它们的衍生物。

上述酚醛清漆树脂可以单独使用1种，也能够混合使用重均分子量不同的2种以上，在不损害本发明的目的的范围内，也可以与甲酚酚醛清漆树脂等其它树脂混合而使用。

作为上述酚醛清漆树脂的含量，相对于正型感光层中的总固体成分量，优选为40～90质量％，更优选为60～80质量％。

--甲酚酚醛清漆树脂--

作为上述甲酚酚醛清漆树脂，优选相对于甲酚的甲醛的摩尔比为0.7～1.0左右的甲酚酚醛清漆树脂，进一步优选0.8～1.0左右的甲酚酚醛清漆树脂。并且，作为上述甲酚酚醛清漆树脂的重均分子量，优选为800～8,000，更优选为1000～6000。

上述甲酚酚醛清漆树脂的异构体之比(邻位体/间位体/对位体的摩尔比)并无特别的限制，能够根据目的而适当地进行选择，从提高显影性的观点考虑，相对于总异构体的对位体的比率优选为10摩尔％以上，进一步优选为20摩尔％以上。并且，从提高液晶面板性能(烧粘防止性能)的观点考虑，间位体的比率优选为5摩尔％以上，更优选为20摩尔％以上。

上述甲酚酚醛清漆树脂可以单独使用1种，也能够作为2种以上的混合物而使用。该情况下，可以与酚醛清漆等其它树脂混合而使用。

并且，在本发明中，作为上述甲酚酚醛清漆树脂，可以使用与萘醌二叠氮磺酸酯的反应生成物等甲酚酚醛清漆树脂的衍生物。

作为上述甲酚酚醛清漆树脂的使用量，优选为0.1～10g/m²，更优选为0.5～5g/m²。

--萘醌二叠氮化合物--

上述萘醌二叠氮化合物并无特别的限制，能够根据目的而适当地进行选择，但尤其优选与甲酚酚醛清漆树脂并用。萘醌二叠氮化合物可以是1官能化合物，也可以是的2官能以上的化合物，还可以是它们的混合物。

作为上述1官能萘醌二叠氮化合物，可以举出例如使萘醌-4-磺酰氯或萘醌-5-磺酰氯与取代苯酚进行反应的酯化合物等。

作为上述2官能以上的萘醌二叠氮化合物，优选例如使萘醌-4-磺酰氯或萘醌-5-磺酰氯与具有多个酚性羟基的化合物进行反应的酯化合物。作为具有多个上述酚性羟基的化合物，可以举出例如双酚类、三酚类、四酚类等多酚类；二羟基苯、三羟基苯等多官能苯酚；双型或三型二羟基苯或三羟基苯、非对称的多核苯酚或它们的混合物等。

作为具有多个上述酚性羟基的化合物，可以举出例如4-叔丁基苯酚、4-异戊基苯酚、4-叔辛基苯酚、2-异丙基-5-甲基苯酚、2-乙酰基苯酚、4-羟基二苯甲酮、3-氯酚、4-苄氧基羰基苯酚、4-十二烷基苯酚、间苯二酚、4-(1-甲基-1-苯基乙基)-1,3-苯二醇、间苯三酚、4,4’-二羟基二苯甲酮、双(4-羟基苯基)甲烷、1,1-双(4-羟基苯基)环己烷、2,2-双(3-甲基-4-羟基苯基)甲烷、2,3,4,4’-四羟基二苯甲酮、4,4’-[(4-羟基苯基)亚甲基]双[2-环己基-5-甲基苯酚]等。

作为上述萘醌二叠氮化合物，可以举出例如4’-叔辛基苯基萘醌二叠氮-4-磺酸酯、4’-叔辛基苯基萘醌二叠氮-5-磺酸酯、4’-苯甲酰基苯基萘醌二叠氮-5-磺酸酯、2,3,4,4’-四羟基二苯甲酮与1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰氯的反应物等。它们可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

正型感光性材料中的萘醌二叠氮化合物的添加量相对于上述甲酚酚醛清漆树脂100质量份，优选为1～200质量份，更优选为5～50质量份。

其它正型感光性材料的第1优选方式中，作为添加剂，可以使用在日本特开2007-24969号公报的[0072]～[0083]中所记载的材料，该公报的内容并入于本说明书中。

并且，在正型感光性材料的第1优选方式中，也可以使用在后述正型感光性材料的第2优选方式中所记载的材料。

-正型感光性材料的第2优选方式-

关于正型感光性材料的第2优选方式进行说明。

在本发明的电路配线的制造方法中，优选正型感光性材料包含(a)成分及(b)光酸产生剂，(a)成分为具有酸基被酸分解性基保护的基团的聚合物。

＜(a)成分：具有酸基被酸分解性基保护的基的聚合物＞

(a)成分优选为具有酸基被酸分解性基保护的基的聚合物。

而且，在本发明的电路配线的制造方法中，更优选(a)成分为包含聚合物的聚合物成分，所述聚合物具有羧基或酚性羟基以缩醛的形式被保护的酸结构单元a1。

正型感光性材料还可以包含除此以外的聚合物。

＜＜结构单元(a1)＞＞

上述(a)成分具有酸基被酸分解性基保护的基团，优选具有羧基或酚性羟基以缩醛的形式被保护的酸结构单元a1，由此能够设为极高灵敏度的正型感光性材料。

作为本发明中的“酸基被酸分解性基保护的基团”中的酸基和酸分解性基，能够使用作为酸基及酸分解性基而公知的基，并无特别的限定。作为具体的酸基，可以优选举出羧基及酚性羟基。并且，作为酸分解性基，能够使用与酸相比比较容易分解的基团(例如由后述式(a1)或式(a1’)表示的基团的酯结构、四氢吡喃酯基或四氢呋喃酯基等缩醛类官能团)和与酸相比比较不易分解的基(例如叔丁酯基等叔烷基、碳酸叔丁酯基等碳酸三烷基酯)。

具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)优选为具有被酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元，或者具有被酸分解性基保护的保护羧基的结构单元。

正型感光性材料更优选具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)为具有羧基或酚性羟基以缩醛的形式被保护的基团的结构单元。

以下，关于具有被酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元和具有被酸分解性基保护的保护羧基的结构单元，依次进行说明。

＜＜＜具有被酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元＞＞＞

具有被酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元是指，具有酚性羟基的结构单元通过以下详细说明的酸分解性基而被保护的保护酚性羟基的结构单元。

作为具有上述酚性羟基的结构单元，从灵敏度的观点考虑，优选来源于羟基苯乙烯或α-甲基羟基苯乙烯的结构单元(例如酚醛清漆类树脂中的结构单元)的羟基通过酸分解性基而被保护的结构单元，从进一步也提高分辨率的观点考虑，更优选为具有由下述通式a1或通式a1’表示的结构单元的聚合物。

通式a1

[化学式4]

通式a1中，r¹及r²分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，r¹及r²中的至少一个为烷基或芳基，r³表示烷基或芳基，r¹或r²可以与r³连接而形成环状醚，r⁴表示氢原子或甲基。

上述通式a1中，在r¹及r²为烷基的情况下，优选为碳原子数1～10的烷基。r¹及r²为芳基的情况下，优选为苯基。r¹及r²分别优选为氢原子或碳原子数1～4的烷基，更优选至少一个为氢原子。

上述通式a1中，r³表示烷基或芳基，优选为碳原子数1～10的烷基，更优选碳原子数1～6的烷基。

r¹或r²可以与r³连接而形成环状醚，r¹或r²优选与r³连接而形成环状醚。上述环状醚的组成环的元素数并无特别的限制，优选为5或6，更优选为5。

上述通式a1中，r⁴表示氢原子或甲基，优选为氢原子。

通式a1’

[化学式5]

通式a1’中，r¹¹及r¹²分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少r¹¹及r¹²中的一个为烷基或芳基，r¹³表示烷基或芳基，r¹¹或r¹²可以与r¹³连接而形成环状醚，r¹⁴分别独立地表示氢原子、羟基、卤原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧羰基、羟基烷基、芳基羰基或环烷基。

上述通式a1’中，r¹¹及r¹²为烷基的情况下，优选碳原子数为1～10的烷基。r¹¹及r¹²为芳基的情况下，优选为苯基。r¹¹及r¹²分别优选为氢原子或碳原子数1～4的烷基，更优选至少一个为氢原子。

上述通式a1’中，r¹³表示烷基或芳基，优选为碳原子数1～10的烷基，更优选为碳原子数1～6的烷基。

r¹¹或r¹²可以与r¹³连接而形成环状醚。

上述通式a1’中，r¹⁴表示氢原子或甲基，优选为氢原子。

作为在具有被上述酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元中能够使用的上述酸分解性基，能够使用公知酸分解性基，并无特别的限定。在酸分解性基中，从正型感光性材料的基本物性，尤其从灵敏度和图案形状、正型感光性材料的保存稳定性的观点考虑，优选为具有被缩醛保护的保护酚性羟基的结构单元。而且，从灵敏度的观点考虑，在酸分解性基中，更优选为酚性羟基以由下述通式(a1-10)表示的缩醛的形式被保护的保护酚性羟基。另外，酚性羟基为以由下述通式(a1-10)表示的缩醛的形式被保护的保护酚性羟基的情况下，保护酚性羟基的整体成为-ar-o-cr¹⁰¹r¹⁰²(or¹⁰³)的结构。另外，ar表示亚芳基。

通式(a1-10)

[化学式6]

(式(a1-10)中，r¹⁰¹及r¹⁰²分别独立地表示氢原子或烷基，但排除r¹⁰¹和r¹⁰²均为氢原子的情况。r¹⁰³表示烷基。r¹⁰¹或r¹⁰²可以与r¹⁰³连接而形成环状醚。)

上述通式(a1-10)中，r¹⁰¹～r¹⁰³分别独立地表示氢原子或烷基，上述烷基可以是直链状、支链状、环状中的任一种。在此，r¹⁰¹及r¹⁰²不会同时表示氢原子，r¹⁰¹及r¹⁰²中的至少一个表示烷基。

上述通式(a1-10)中，在r¹⁰¹、r¹⁰²及r¹⁰³表示烷基的情况下，上述烷基可以是直链状、支链状或环状中的任一个。

作为上述直链状或支链状的烷基，优选碳原子数为1～12，更优选碳原子数为1～6，进一步优选碳原子数为1～4。具体而言，能够举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、新戊基、正己基、环己基(2,3-二甲基-2-丁基)、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基等。

作为上述环状烷基，优选碳原子数为3～12，更优选碳原子数为4～8，进一步优选碳原子数为4～6。作为上述环状烷基，能够举出例如环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、降冰片基及异莰基等。

上述烷基可以具有取代基，作为取代基，能够例示出卤原子、芳基及烷氧基。作为取代基而具有卤原子的情况下，r¹⁰¹、r¹⁰²、r¹⁰³成为卤代烷基，作为取代基而具有芳基的情况下，r¹⁰¹、r¹⁰²、r¹⁰³成为芳烷基。

作为上述卤原子，例示出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子，其中，优选氟原子或氯原子。

并且，作为上述芳基，优选碳原子数为6～20的芳基，更优选碳原子数为6～12，具体而言，能够例示出苄基、α-甲基苄基、萘基等，作为被芳基取代的烷基整体即芳烷基，能够例示苄基、α-甲基苄基、苯乙基及萘甲基等。

作为上述烷氧基，优选碳原子数为1～6的烷氧基，更优选碳原子数为1～4，更优选甲氧基或乙氧基。

并且，上述烷基为环烷基的情况下，上述环烷基作为取代基可具有碳原子数1～10的直链状或支链状的烷基，烷基为直链状或支链状的烷基的情况下，作为取代基而可以具有碳原子数3～12的环烷基。

这些取代基还可以被上述取代基取代。

上述通式(a1-10)中，r¹⁰¹、r¹⁰²及r¹⁰³表示芳基的情况下，上述芳基优选碳原子数为6～12，更优选碳原子数为6～10。上述芳基可以具有取代基，作为上述取代基，能够例示出碳原子数为1～6的烷基。作为芳基，能够例示出例如苯基、甲苯基、甲硅烷基、枯烯基及1-萘基等。

并且，r¹⁰¹、r¹⁰²及r¹⁰³能够彼此键合，与它们所键合的碳原子一同形成环。作为r¹⁰¹与r¹⁰²、r¹⁰¹与r¹⁰³或r¹⁰²与r¹⁰³键合的情况下的环结构，能够举出例如环丁基、环戊基、环己基、环庚基、四氢呋喃基、金刚烷基及四氢吡喃基等。

另外，在上述通式(a1-10)中，r¹⁰¹及r¹⁰²中的一个优选为氢原子或甲基。

酚性羟基的缩醛酯结构的优选例，能够例示出r¹⁰¹＝甲基、r¹⁰²＝氢原子、r¹⁰³＝乙基的情况；r¹⁰¹＝甲基、r¹⁰²＝氢原子、r¹⁰³＝乙基且r¹⁰¹及r¹⁰³彼此键合而形成了5员环的情况；r¹⁰¹＝r¹⁰²＝r¹⁰³＝甲基的情况；r¹⁰¹＝r¹⁰²＝甲基且r¹⁰³＝苄基的情况。

并且，作为为了形成具有酚性羟基以缩醛的形式被保护的保护酚性羟基的结构单元而使用的聚合性单体，可以举出例如在日本特开2011-215590号公报的0042段落中所记载的聚合性单体等。

其中，从透明性的观点考虑，优选4-羟基苯基甲基丙烯酸酯的1-烷氧基烷基保护体及4-羟基苯基甲基丙烯酸酯的四氢吡喃保护体。

作为酚性羟基的缩醛保护基的具体例，可以举出1-烷氧基烷基，能够举出例如1-乙氧基乙基、1-甲氧基乙基、1-正丁氧基乙基、1-异丁氧基乙基、1-(2-氯乙氧基)乙基、1-(2-乙基己氧基)乙基、1-正丙氧基乙基、1-环己氧基乙基、1-(2-环己基乙氧基)乙基、1-苄氧基乙基等，它们能够单独使用，或者组合2种以上而使用。

为了形成具有被上述酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元而使用的聚合性单体，可以使用市售的聚合性单体，也能够通过公知的方法而合成。例如在存在酸催化剂的情况下，通过使具有酚性羟基的化合物与乙烯基醚反应而能够进行合成。上述合成中可以使具有酚性羟基的单体与其它单体预先进行共聚，之后，在存在酸催化剂的情况下与乙烯基醚进行反应。

作为具有被上述酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元的优选的具体例，能够例示出下述结构单元，但本发明并不限定于此。

[化学式7]

[化学式8]

[化学式9]

具备具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物中的，具有被酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元的共聚比例，相对于包含具有被该酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元的聚合物优选为10～50％，更优选为20～40％，尤其优选为25～40摩尔％。

并且，将所有聚合物成分(上述聚合物成分为2种以上的聚合物的混合物的情况下，是指所包含的所有聚合物)分解成结构单元(单体单元)的基础上，相对于所有结构单元的mol数的、具有酸基被酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元(a1)的比例优选为0～40摩尔％，更优选为10～35摩尔％，尤其优选为15～30摩尔％。

＜＜＜具有被酸分解性基保护的保护羧基的结构单元＞＞＞

具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元为，具备具有羧基的结构单元的羧基通过以下详细说明的酸分解性基而被保护的保护羧基的结构单元。

作为能够在具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元中使用的具有上述羧基的结构单元，并无特别的限制，能够使用公知的结构单元。可以举出例如来源于不饱和单羧酸、不饱和二羧酸、不饱和三羧酸等在分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的结构单元(a1-1-1)、具有来源于烯属不饱和基和酸酐的结构的结构单元(a1-1-2)。

以下，关于作为具有上述羧基的结构单元而使用的、来源于在分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的结构单元(a1-1-1)、及具有来源于烯属不饱和基和酸酐的结构的结构单元(a1-1-2)，分别依次进行说明。

＜＜＜＜来源于分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的结构单元(a1-1-1)＞＞＞＞

作为来源于在上述分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的结构单元(a1-1-1)而使用于本发明中的不饱和羧酸，可以使用以下举出的不饱和羧酸。即，作为不饱和单羧酸，可以举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、α-氯丙烯酸、肉桂酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基-琥珀酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基-邻苯二甲酸等。并且，作为不饱和二羧酸，可以举出例如马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸、中康酸等。并且，为了得到具有羧基的结构单元而使用的不饱和多元羧酸可以是其酸酐。具体而言，可以举出马来酸酐、衣康酸酐及柠康酸酐等。并且，不饱和多元羧酸可以是多元羧酸的单(2-甲基丙烯酰氧基烷基)酯，可以举出例如琥珀酸单(2-丙烯酰氧基乙基)酯、琥珀酸单(2-甲基丙烯酰氧乙基)酯、邻苯二甲酸单(2-丙烯酰氧基乙基)酯、邻苯二甲酸单(2-甲基丙烯酰氧乙基)酯等。另外，不饱和多元羧酸可以是其两个末端为二羧基聚合物的单(甲基)丙烯酸酯，可以举出例如ω-羧基聚己内酯单丙烯酸酯、ω-羧基聚己内酯单甲基丙烯酸酯等。并且，作为不饱和羧酸，也能够使用丙烯酸-2-羧乙酯、甲基丙烯酸-2-羧乙酯、马来酸单烷基酯、富马酸单烷基酯、4-羧基苯乙烯等。

其中，从显影性的观点考虑，为了形成来源于在上述分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的结构单元(a1-1-1)，优选使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基-琥珀酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基-邻苯二甲酸或不饱和多元羧酸酐等，更优选使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酸。

来源于在上述分子中具有至少1个羧基的不饱和羧酸等的结构单元(a1-1-1)，可以单独由1种构成，也可以由2种以上来构成。

＜＜＜＜具有烯属不饱和基和来源于酸酐的结构的结构单元(a1-1-2)＞＞＞＞

具有烯属不饱和基和来源于酸酐的结构的结构单元(a1-1-2)，优选为来源于使具有烯属不饱和基的结构单元中所存在的羟基与酸酐进行反应而得到的单体的单元。

作为上述酸酐，能够使用公知的酸酐，具体而言，可以举出马来酸酐、琥珀酸酐、衣康酸酐、邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、氯磺酸酐等二元酸酐；偏苯三酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、联苯四羧酸酐等酸酐。其中，从显影性的观点考虑，优选邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐或琥珀酸酐。

从显影性的观点考虑，上述酸酐对羟基的反应率优选为10～100摩尔％，更优选为30～100摩尔％。

作为在具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元中能够使用的上述酸分解性基，能够使用在具有被上述酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元中能够使用的酸分解性基。

这些酸分解性基中，从正型感光性材料的基本物性，尤其从灵敏度和图案形状、正型感光性材料的保存稳定性的观点考虑，优选为羧基以缩醛的形式被保护的保护羧基。而且，在酸分解性基中，从灵敏度的观点考虑，更优选羧基以由上述通式(a1-10)表示的缩醛的形式被保护的保护羧基。另外，在羧基为以由上述通式(a1-10)表示的缩醛的形式被保护的保护羧基的情况下，保护羧基的整体成为-(c＝o)-o-cr¹⁰¹r¹⁰²(or¹⁰³)的结构。

为了形成具有由上述通式(a1-10)表示的保护羧基的结构单元而使用的聚合性单体，可以使用市售的聚合性单体，也能够使用通过公知的方法而合成的聚合性单体。例如能够通过在日本特开2011-221494号公报的0037～0040段落中所记载的合成方法等而合成。

具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元中，从提高灵敏度的观点考虑，优选由下述通式a2’表示的结构单元。本发明的电路配线的制造方法中，优选正型感光性材料含有2种以上的(a)成分，且作为(a)成分，含有具由下述通式a2’表示的结构单元的聚合物。

[化学式10]

通式a2'

(通式a2’中，r³¹及r³²分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少r³¹及r³²中的一个为烷基或芳基，r³³表示烷基或芳基，r³¹或r³²可以与r³³连接而形成环状醚，r³⁴表示氢原子或甲基，x⁰表示单键或亚芳基。)

上述通式a2’中，r³¹及r³²为烷基的情况下，优选碳原子数为1～10的烷基。r³¹及r³²为芳基的情况下，优选为苯基。r³¹及r³²分别优选为氢原子或碳原子数为1～4的烷基。

上述通式a2’中，r³³表示烷基或芳基，优选碳原子数为1～10的烷基，更优选碳原子数1～6的烷基。

上述通式a2’中，r³¹或r³²可以与r³³连接而形成环状醚，优选r³¹或r³²可以与r³³连接而形成环状醚。上述环状醚的组成环的元素数并无特别的限制，但优选为5或6，更优选为5。

上述通式a2’中，r³⁴表示氢原子或甲基，优选为氢原子。

上述通式a2’中，x⁰表示单键或亚芳基，优选为单键。

由上述通式a2’表示的结构单元中，从进一步提高灵敏度的观点考虑，更优选由下述通式a2”表示的结构单元。

[化学式11]

通式a2”

(式中，r¹²¹表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基，r¹²²～r¹²⁸分别独立地表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基。)

上述通式a2”中,r¹²¹优选为氢原子或甲基。

上述通式a2”中，r¹²²～r¹²⁸优选为氢原子。

作为具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的优选的具体例，能够例示出下述结构单元。另外，r表示氢原子或甲基。

[化学式12]

具备具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物中的，具有被酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的共聚比例，相对于包含具有被该酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的聚合物优选为5～60摩尔％，更优选为10～50摩尔％，尤其优选为30～50摩尔％。

并且，在将所有聚合物成分分解成结构单元(单体单元)的基础上，相对于所有结构单元的mol数的、具有酸基被酸分解性基保护的保护羧基的结构单元(a1)的比例优选为0～60摩尔％，更优选为10～50摩尔％，尤其优选为15～25摩尔％。

＜＜其它结构单元＞＞

上述正型感光性材料的上述(a)成分除了具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)以外，还可以具有除此以外的其它结构单元(a3)。这些其它结构单元(a3)还可以包含有使用于上述(a)成分中的聚合物，即具备具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物来作为共聚成分。并且，不同于含有使用于上述(a)成分中的具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物，实际上不含有具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)而具有其它结构单元的聚合物，也可以具有其它结构单元(a3)。

作为成为其它结构单元(a3)的单体，并无特别的限制，能够举出例如苯乙烯类、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环状烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不饱和二羧酸二酯、双环不饱和化合物类、马来酰亚胺化合物类、不饱和芳香族化合物、共轭二烯类化合物、不饱和单羧酸、不饱和二羧酸、不饱和二羧酸酐及其它不饱和化合物。并且，如后面所述，也可以具备具有酸基的结构单元。成为其它结构单元(a3)的单体能够单独使用或者组合2种以上而使用。

具体而言，结构单元(a3)能够举出来源于苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、羟基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲酯、乙烯基苯甲酸乙酯、4-羟基苯甲酸(3-甲基丙烯酰氧丙基)酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、丙烯腈、乙二醇单乙酰乙酸酯、单(甲基)丙烯酸酯等的结构单元。此外，能够举出在日本特开2004-264623号公报的0021～0024段落中所记载的化合物。

并且，作为其它结构单元(a3)，从电特性的观点考虑，优选苯乙烯类、具有脂肪族环状骨架的基团。具体而言，可以举出苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、羟基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、二环戊基(甲基)丙烯酸酯、环己基(甲基)丙烯酸酯、异冰片酯(甲基)丙烯酸酯及苄基(甲基)丙烯酸酯等。

并且，作为其它结构单元(a3)，从密合性的观点考虑，优选(甲基)丙烯酸烷基酯。具体而言，可以举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等，更优选(甲基)丙烯酸甲酯。

在构成含有具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物的结构单元中，上述结构单元(a3)的含有率优选为60摩尔％以下，更优选为50摩尔％以下，进一步优选为40摩尔％以下。作为下限值可以是0摩尔％，但能够设为例如1摩尔％以上，进而，能够设为5摩尔％以上。若在上述数值的范围内，则正型感光性材料的各种特性会变得良好。

作为其它结构单元(a3)，优选具有包含酸基的结构单元。通过具有包含酸基的结构单元，容易溶解于碱性显影液中，更有效地发挥本发明的效果。本发明中的酸基是指pka(powerofka：酸度解离常数；ka为酸解离常数)为10以下的质子解离性基。酸基通常使用可形成酸基的单体并作为包含酸基的结构单元而并入于聚合物中。通过在聚合物中包含酸基的结构单元而有容易溶解于碱性显影液的倾向。

作为使用于上述其它结构单元中的包含酸基的结构单元的酸基，例示出来源于羧酸基的酸基、来源于磺酰胺基的酸基、来源于膦酸基的酸基、来源于磺酸基的酸基、来源于酚性羟基的酸基、磺酰胺基、磺酰基酰亚胺基等，优选来源于羧酸基的酸基和/或来源于酚性羟基的酸基。

使用于上述其它结构单元中的包含酸基的结构单元，更优选为对来源于苯乙烯的结构单元和来源于乙烯基化合物的结构单元取代了酸基的结构单元、以及来源于(甲基)丙烯酸的结构单元。

而且，从对显影液的溶解性、优化膜的物理物性的观点考虑，也优选具有包含酸基酯的结构单元。

在本发明中，从灵敏度的观点考虑，尤其优选含有上述作为其它结构单元(a3)具有羧基的结构单元或具有酚性羟基的结构单元。

作为具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)，具备具有被上述酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元的聚合物，优选在上述其它结构单元(a3)中也优选包含来源于酚性羟基的结构单元来作为共聚成分。作为具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)，具备具有被上述酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元的聚合物，更优选包含来源于羟基苯乙烯或α-甲基羟基苯乙烯的结构单元的共聚成分，尤其优选包含来源于羟基苯乙烯的结构单元来作为共聚成分。

具备具有被上述酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元的聚合物中的包含酸基的结构单元的共聚比例，在酸基为酚性羟基的情况下，相对于具备具有被该酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元的聚合物优选为50～90摩尔％，更优选为60～75摩尔％。

并且，在酸基为羧酸性酸基的情况下，相对于具备具有被该酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元的聚合物优选为0～30摩尔％，更优选为5～10摩尔％。

具备具有被上述酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元的聚合物中的包含酸基酯的结构单元的共聚比例，相对于具备具有被该酸分解性基保护的保护苯酚基的结构单元的聚合物优选为0～30摩尔％，更优选为0～10摩尔％，尤其优选为0摩尔％。

作为具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)，具备具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的聚合物，优选在上述其它结构单元(a3)中也包含来源于羧酸基的结构单元和/或其酯来作为共聚成分。作为具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)，具备具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的聚合物更优选包含来源于(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸苄酯或(甲基)丙烯酸2-羟乙酯的结构单元来作为共聚成分。

具备具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的聚合物中的包含酸基的结构单元的共聚比例，在酸基为酚性羟基的情况下，相对于具备具有被该酸分解性基保护的羧基的结构单元的聚合物优选为50～90摩尔％，更优选为60～75摩尔％。

并且，在酸基为羧酸性酸基的情况下，相对于具备具有被该酸分解性基保护的羧基的结构单元的聚合物优选为0～30摩尔％，更优选为5～10摩尔％。

具备具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的聚合物中的包含酸基酯的结构单元的共聚比例，相对于具备具有被该酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的聚合物优选为10～80摩尔％，更优选为30～70摩尔％，尤其优选为40～60摩尔％。

＜聚合物成分的优选方式＞

与具有被上述酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元相比，具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的显影(被显影的速度)更快。因此在将上述正型感光性材料进行曝光之后欲快速进行显影的情况下，优选具有被酸分解性基保护的保护羧基的结构单元。相反，欲减缓显影的情况下，优选使用具有被酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元。

在正型感光性材料中，上述(a)成分中具备具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物可以是1种，也可以是2种以上。在正型感光性材料中，作为上述聚合物成分，优选含有2种以上的具备具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物。其中，作为上述聚合物成分，更优选含有具备具有被上述酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元的聚合物、以及含有具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的聚合物。

从提高灵敏度的观点考虑，尤其优选在正型感光性材料中含有2种以上的具备具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物来作为上述聚合物成分，且具备具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物，并含有具有由上述通式a2’表示的结构单元的聚合物。即，在本发明的电路配线的制造方法中，优选正型感光性材料含有2种以上的(a)成分，且作为(a)成分而含有具有由通式a2’表示的结构单元的聚合物。

从同时提高灵敏度及分辨率的观点考虑，在正型感光性材料中，作为上述聚合物成分，含有2种以上的具备具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物，且作为具备具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物，含有具有由上述通式a1或上述通式a1’表示的结构单元的聚合物中的至少一个、以及具有由上述通式a2’表示的结构单元的聚合物。

作为上述聚合物成分而含有2种以上的具备具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物的情况下，具备具有被上述酸分解性基保护的保护酚性羟基的结构单元的聚合物与含有具有被上述酸分解性基保护的保护羧基的结构单元的聚合物的比例，以质量比计优选为10:90～100:0，更优选为30:70～60:40，尤其优选为1:1。

＜＜含有具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物的分子量＞＞

含有具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物的重均分子量，以聚苯乙烯换算的重均分子量计优选为1,000～200,000的范围，更优选为2,000～50,000的范围。若在上述数值的范围内，则各种特性良好。

数均分子量与重均分子量之比(分散度)优选为1.0～5.0，更优选为1.05～3.5。

＜＜(a)成分的制造方法＞＞

并且，关于(a)成分的合成方法，也已知有各种方法，若举一例，能够将包含有为了形成至少由上述(a1)及上述(a3)表示的结构单元而使用的聚合性单体的聚合性单体混合物，通过在有机溶剂中使用聚合引发剂来进行聚合而合成。并且，也能够通过所谓的高分子反应而合成。

上述正型感光性材料相对于总固体成分100质量份优选以50～99.9质量份的比例包含(a)成分，更优选以70～98质量份的比例而包含。

＜＜其它聚合物成分＞＞

并且，不同于含有使用于上述(a)成分中的具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)的聚合物，也可以具有实际上不含具有酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)，而具有其它结构单元的聚合物。不同于使用于上述(a)成分中的聚合物，在实际上不包含酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)，而包含具有其它结构单元的聚合物的情况下，该聚合物的配合量在总体聚合物成分中优选为60质量％以下，更优选为40质量％以下，进一步优选为20质量％以下。

在上述正型感光性材料中，这些实际上不包含结构单元(a1)，而具有其它结构单元(a3)的聚合物可，可以仅包含1种，也可以包含2种以上。

作为这些实际上不包含结构单元(a1)，而具有其它结构单元(a3)的聚合物，例如能够使用聚羟基苯乙烯，也能够使用市售的sma1000p、sma2000p、sma3000p、sma1440f、sma17352p、sma2625p、sma3840f(以上，sartomercompany,inc制造)、arufonuc-3000、arufonuc-3510、arufonuc-3900、arufonuc-3910、arufonuc-3920、arufonuc-3080(以上，toagoseico.,ltd.制造)、joncryl690、joncryl678、joncryl67、joncryl586(以上，basf公司制造)等。

＜(b)成分：光酸产生剂＞

上述正型感光性材料优选含有(b)光酸产生剂。本发明中所使用的光酸产生剂(也称作“(b)成分”。)为通过照射紫外线、远紫外线、x射线、带电粒子束等放射线而能够产生酸的化合物。本发明中所使用的(b)光酸产生剂，优选为与波长300nm以上、优选与波长300～450nm的光化射线进行感应并产生酸的化合物。并非限定(b)光酸产生剂的化学结构。并且，关于与波长300nm以上的光化射线不直接感应的光酸产生剂，若为通过与敏化剂进行并用而与波长300nm以上的光化射线进行感应，并产生酸的化合物，则能够与敏化剂进行组合而适宜地使用。通过放射线的照射而产生的酸的pka值优选为4.0以下，进一步优选为3.0以下。下限值并无特别的限定，例如能够设为-10.0以上。

作为上述(b)光酸产生剂，能够举出离子性光酸产生剂和非离子性光酸产生剂。

作为非离子性光酸产生剂的例子，能够举出三氯甲基-均三嗪类、重氮甲烷化合物、酰亚胺磺酸酯化合物及肟磺酸酯化合物等。其中，从绝缘性的观点考虑，在正型感光性材料中，上述(b)光酸产生剂优选为肟磺酸酯化合物。这些光酸产生剂能够单独使用1种，或者组合2种以上而使用。作为三氯甲基-均三嗪类及重氮甲烷衍生物的具体例，能够例示出在日本特开2011-221494号公报的0083～0088段落中记载的化合物。

作为肟磺酸酯化合物，即，具有肟磺酸酯结构的化合物，能够优选例示出含有由下述通式(b1)表示的肟磺酸酯结构的化合物，这些内容被并入本说明书中。

通式(b1)

[化学式13]

(通式(b1)中，r²¹表示烷基或芳基。波浪线表示与其它基团的键合。)

任一基团都可以被取代，r²¹中的烷基可以是直链状、支链状及环状。以下，对所容许的取代基进行说明。

作为r²¹的烷基，优选碳原子数为1～10的直链状或支链状烷基。r²¹的烷基可以被碳原子数6～11的芳基、碳原子数1～10的烷氧基或环烷基(包含7,7-二甲基-2-氧代降冰片基等桥接式脂环基，优选二环烷基等)取代。

作为r²¹的芳基，优选碳原子数6～11的芳基，更优选苯基或萘基。r²¹的芳基可以被低级烷基、烷氧基或卤原子取代。

含有由上述通式(b1)表示的肟磺酸酯结构的上述化合物，也优选由下述通式(b2)表示的肟磺酸酯化合物。

[化学式14]

(式(b2)中，r⁴²表示烷基或芳基，x¹⁰表示烷基、烷氧基或卤原子，m4表示0～3的整数，当m4为2或3时，多个x¹⁰可以相同，也可以不同。)

作为x¹⁰的烷基优选为碳原子数1～4的直链状或支链状烷基。

作为x¹⁰的烷氧基优选为碳原子数1～4的直链状或支链状烷氧基。

作为x¹⁰的卤原子优选为氯原子或氟原子。m4优选为0或1。上述通式(b2)中尤其优选，m4为1，x¹⁰为甲基，x¹⁰的取代位置为邻位，r⁴²为碳原子数1～10的直链状烷基、7,7-二甲基-2-氧代降冰片基甲基或对甲苯甲酰基的化合物。

含有由上述通式(b1)表示的肟磺酸酯结构的化合物，也优选为由下述通式(b3)表示的肟磺酸酯化合物。

[化学式15]

(式(b3)中，r⁴³与式(b2)中的r⁴²含义相同，x¹¹表示卤原子、羟基、碳原子数1～4的烷基、碳原子数1～4的烷氧基、氰基或硝基，n4表示0～5的整数。)

作为上述通式(b3)中的r⁴³，优选甲基、乙基、正丙基、正丁基、正辛基、三氟甲基、五氟乙基、全氟正丙基、全氟正丁基、对甲苯基及4-氯苯基或五氟苯基，尤其优选正辛基。

作为x¹，优选碳原子数1～5的烷氧基，更优选甲氧基。

作为n4，优选为0～2，尤其优选为0～1。

作为由上述通式(b3)表示的化合物的具体例，能够举出α-(甲基磺酰氧基亚氨基)苄基氰化物、α-(乙基磺酰氧基亚氨基)苄基氰化物、α-(正丙基磺酰氧基亚氨基)苄基氰化物、α-(正丁基磺酰氧基亚氨基)苄基氰化物、α-(4-甲苯基磺酰氧基亚氨基)苄基氰化物、α-〔(甲基磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基〕乙腈、α-〔(乙基磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基〕乙腈、α-〔(正丙基磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基〕乙腈、α-〔(正丁基磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基〕乙腈及α-〔4-(甲苯基磺酰氧基亚氨基)-4-甲氧基苯基〕乙腈。

作为优选的肟磺酸酯化合物的具体例，可以举出下述化合物(i)～(viii)等，能够单独使用1种，或者能够并用2种以上。化合物(i)～(viii)能够作为市售品而获得。并且，也能够与其它种类的(b)光酸产生剂进行组合而使用。

[化学式16]

作为含有由上述通式(b1)表示的肟磺酸酯结构的化合物，还优选为由下述通式(os-1)表示的化合物。

[化学式17]

通式(os-1)

上述通式(os-1)中，r⁴¹¹表示氢原子、烷基、烯基、烷氧基、烷氧羰基、酰基、氨基甲酰基、氨磺酰氨基、磺基、氰基、芳基或杂芳基。r⁴¹²表示烷基或芳基。

x⁴⁰¹表示-o-、-s-、-nh-、-nr⁴¹⁵-、-ch2-、-cr⁴¹⁶h-或-cr⁴¹⁵r⁴¹⁷-，r⁴¹⁵～r⁴¹⁷表示烷基或芳基。

r⁴²¹～r⁴²⁴分别独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烯基、烷氧基、氨基、烷氧羰基、烷基羰基、芳基羰基、酰胺基、磺基、氰基或芳基。r⁴²¹～r⁴²⁴中2个可以彼此键合而形成环。

作为r⁴²¹～r⁴²⁴，优选氢原子、卤原子及烷基，并且，也优选r⁴²¹～r⁴²⁴中至少2个彼此键合而形成芳基的方式。其中，从灵敏度的观点考虑，更优选r⁴²¹～r⁴²⁴均为氢原子的方式。

前述官能团均还可以具有取代基。

由上述通式(os-1)表示的化合物，更优选为由下述通式(os-2)表示的化合物。

[化学式18]

通式(os-2)

上述通式(os-2)中，r⁴⁰¹、r⁴⁰²、r⁴²¹～r⁴²⁴分别与式(os-1)中的含义相同，优选例也相同。

其中，更优选上述通式(os-1)及上述通式(os-2)中的r⁴⁰¹为氰基或芳基的方式，最优选在上述通式(os-2)中表示的r⁴⁰¹为氰基、苯基或萘基的方式。

并且，在上述肟磺酸酯化合物中，肟和苯并噻唑环的立体结构(e，z等)分别可以是其中一种，也可以是混合物。

作为本发明中可以优选使用的由上述通式(os-1)表示的化合物的具体例，可以举出在日本特开2011-221494号公报的0128～0132段落中记载的化合物(例示化合物b-1～b-34)，但本发明并不限定于此。

在本发明中，作为含有由上述通式(b1)表示的肟磺酸酯结构的化合物，优选由下述通式(os-3)、下述通式(os-4)或下述通式(os-5)表示的肟磺酸酯化合物。

[化学式19]

(通式(os-3)～通式(os-5)中，r²²、r²⁵及r²⁸分别独立地表示烷基、芳基或杂芳基，r²³、r²⁶及r²⁹分别独立地表示氢原子、烷基、芳基或卤原子，r²⁴、r²⁷及r³⁰分别独立地表示卤原子、烷基、烷氧基、磺酸基、氨基磺酰基或烷氧基磺酰基。x¹～x³分别独立地表示氧原子或硫原子，n¹～n³分别独立地表示1或2，m¹～m³分别独立地表示0～6的整数。)

上述通式(os-3)～(os-5)中，r²²、r²⁵及r²⁸中的烷基、芳基或杂芳基可以具有取代基。

上述式(os-3)～(os-5)中，作为r²²、r²⁵及r²⁸中的烷基，优选为可以具有取代基的总碳原子数为1～30的烷基。

并且，上述通式(os-3)～(os-5)中，作为r²²、r²⁵及r²⁸中的芳基，优选为可以具有取代基的总碳原子数为6～30的芳基。

并且，上述通式(os-3)～(os-5)中，作为r¹中的杂芳基，优选可以具有取代基的总碳原子数为4～30的杂芳基。

上述通式(os-3)～(os-5)中，r²²、r²⁵及r²⁸中的杂芳基只要是至少1个环为杂芳环即可，例如杂芳环与苯环可以进行稠合。

上述通式(os-3)～(os-5)中，r²³、r²⁶及r²⁹优选为氢原子、烷基或芳基，更优选为氢原子或烷基。

上述通式(os-3)～(os-5)中，在化合物中存在2个以上的r²³、r²⁶及r²⁹中，优选1个或2个为烷基、芳基或卤原子，更优选1个为烷基、芳基或卤原子，尤其优选1个为烷基，且其余为氢原子。

作为r²³、r²⁶及r²⁹中的烷基，优选可以具有取代基的总碳原子数为1～12的烷基，更优选可以具有取代基的总碳原子数为1～6的烷基。

作为r²³、r²⁶及r²⁹中的芳基，优选可以具有取代基的总碳原子数为6～30的芳基。

上述通式(os-3)～(os-5)中，x¹～x³分别独立地表示o或s，优选为o。

上述通式(os-3)～(os-5)中，将x¹～x³作为组成环的元素而包含的环为5员环或6员环。

上述通式(os-3)～(os-5)中，n¹～n³分别独立地表示1或2，x¹～x³为o的情况下，n¹～n³分别独立地优选为1，并且，x¹～x³为s的情况下，n¹～n³分别独立地优选为2。

上述通式(os-3)～(os-5)中，r²⁴、r²⁷及r³⁰分别独立地表示卤原子、烷基、烷氧基、磺酸基、氨基磺酰基或烷氧基磺酰基。其中，r²⁴、r²⁷及r³⁰分别独立地优选为烷基或烷氧基。

r²⁴、r²⁷及r³⁰中的烷基、烷氧基、磺酸基、氨基磺酰基及烷氧基磺酰基可以具有取代基。

上述通式(os-3)～(os-5)中，作为r²⁴、r²⁷及r³⁰中的烷基，优选为可以具有取代基的总碳原子数为1～30的烷基。

上述通式(os-3)～(os-5)中，作为r²⁴、r²⁷及r³⁰中的烷氧基，优选为可以具有取代基的总碳原子数1～30的烷氧基。

并且，上述通式(os-3)～(os-5)中，m¹～m³分别独立地表示0～6的整数，优选为0～2的整数，更优选为0或1，尤其优选为0。

并且，关于上述(os-3)～(os-5)的各个取代基，还同样优选在日本特开2011-221494号公报的0092～0109段落中记载的(os-3)～(os-5)的取代基的优选范围。

并且，含有由上述通式(b1)表示的肟磺酸酯结构的化合物，尤其优选为由下述通式(os-6)～(os-11)中的任一个表示的肟磺酸酯化合物。

[化学式20]

(式(os-6)～(os-11)中，r³⁰¹～r³⁰⁶表示烷基、芳基或杂芳基，r³⁰⁷表示氢原子或溴原子，r³⁰⁸～r³¹⁰、r³¹³、r³¹⁶及r³¹⁸分别独立地表示氢原子、碳原子数1～8的烷基、卤原子、氯甲基、溴甲基、溴乙基、甲氧基甲基、苯基或氯苯基，r³¹¹及r³¹⁴分别独立地表示氢原子、卤原子、甲基或甲氧基，r³¹²、r³¹⁵、r³¹⁷及r³¹⁹分别独立地表示氢原子或甲基。)

上述通式(os-6)～(os-11)中的优选范围，与在日本特开2011-221494号公报的0110～0112段落中记载的(os-6)～(os-11)的优选范围相同。

作为由上述通式(os-3)～上述通式(os-5)表示的肟磺酸酯化合物的具体例，可以举出在日本特开2011-221494号公报的0114～0120段落中记载的化合物，但本发明并不限定于此。

在上述正型感光性材料中，(b)非离子性光酸产生剂相对于正型感光性材料中的总体树脂成分(优选总固体成分，更优选聚合物的总计)100质量份，优选使用0.1～10质量份，更优选使用0.5～10质量份。也能够并用2种以上。

作为离子性光酸产生剂的例子，能够举出二芳基碘鎓盐类、三芳基锍盐类、季铵盐类等。其中，优选三芳基锍盐类及二芳基碘鎓盐类。

作为离子性光酸产生剂而使用的三芳基锍盐类由下述通式(1)表示。

通式(1)

[化学式21]

(通式(1)中，r⁵⁰⁵、r⁵⁰⁶及r⁵⁰⁷分别表示可以具有取代基的烷基或芳香族基，为烷基的情况下，可以彼此连接而形成环；x^-表示共轭碱。)

作为r⁵⁰⁵、r⁵⁰⁶及r⁵⁰⁷中的烷基，优选碳原子数为1～10的烷基，并可以具有取代基。作为这种烷基，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、环己基、庚基及辛基等。其中，优选甲基、乙基、叔丁基。并且，r⁵⁰⁵、r⁵⁰⁶及r⁵⁰⁷中，在2个以上为烷基的情况下，优选该2个以上的烷基彼此连接而形成环，作为这种环形式，优选包含硫原子的形式的5员环(硫杂环戊烷)及6员环(硫杂环己烷)。

作为r⁵⁰⁵、r⁵⁰⁶及r⁵⁰⁷中的芳香族基，优选碳原子数为6～30的芳香族基，并可以具有取代基。作为这种芳香族基，可以举出苯基、萘基、4-甲氧基苯基、4-氯苯基、4-甲基苯基、4-叔丁基苯基、4-苯硫基苯基、2,4,6-三甲基苯基、4-甲氧基-1-萘基、4-(4’-二苯基磺基苯硫基)苯基。

并且，由通式(1)表示的离子性光酸产生剂可以在r⁵⁰⁵～r⁵⁰⁷的任一处进行键合，形成2聚物等多聚物。例如上述4-(4’-二苯基磺基苯硫基)苯基是2聚物的一个例子，上述4-(4’-二苯基磺基苯硫基)苯基中的抗衡阴离子与x^-相同。

作为r⁵⁰⁵、r⁵⁰⁶及r⁵⁰⁷中的烷基及芳香族基可以具有的取代基，优选芳香族基，具体而言，尤其优选苯基、4-甲氧基苯基、4-氯苯基、4-(4’-二苯基磺基苯硫基)苯基。这些取代基可以被上述取代基进一步取代。

作为x^-中的共轭碱，优选烷基磺酸的共轭碱、芳基磺酸的共轭碱、by4^-(y表示卤原子。以下，也相同。)、py6^-、asy6^-、sby6^-或由下述通式(3)或通式(4)表示的一价的阴离子，尤其优选烷基磺酸的共轭碱、芳基磺酸的共轭碱、py6^-或由通式(3)表示的1价的阴离子。

作为烷基磺酸及芳基磺酸的共轭碱，优选碳原子数为1～7的烷基磺酸的共轭碱，进而，更优选碳原子数为1～4的烷基磺酸的共轭碱，若以酸的形式表示，则尤其优选例如甲烷磺酸、三氟甲烷磺酸、正丙烷磺酸、庚烷磺酸。

作为芳基磺酸的共轭碱，若以酸的形式表示，则可以举出例如苯磺酸、氯苯磺酸及对甲苯磺酸。

x^-中的by4^-、py6^-、asy6^-、sby6^-中的y，优选为氟原子、氯原子，尤其优选为氟原子。

[化学式22]

(通式(3)及通式(4)中，r⁵²¹、r⁵²²及r⁵²³分别独立地表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的具有氟原子的烷基，或者r⁵²¹与r⁵²²彼此通过碳原子数2～6的亚烷基或碳原子数2～6的具有氟原子的亚烷基而键合的环。)

通式(3)及通式(4)中，作为r⁵²¹、r⁵²²及r⁵²³中的碳原子数为1～10的烷基，能够举出例如甲基、乙基、丁基、叔丁基、环己基及辛基等。并且，作为碳原子数为1～10的具有氟原子的烷基，能够举出例如三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、九氟丁基、十二氟戊基及全氟辛基等。其中，r⁵²¹、r⁵²²及r⁵²³优选碳原子数为1～10的具有氟原子的烷基，尤其优选碳原子数为1～6的具有氟原子的烷基。

通式(3)及通式(4)中，作为r⁵²¹与r⁵²²彼此键合而形成环的情况下的碳原子数2～6的亚烷基，能够举出乙烯基、丙烯基、亚丁基、亚戊基及亚己基等。并且，作为碳原子数2～6的具有氟原子的亚烷基，能够举出四氟乙烯基、六氟丙烯基、八氟亚丁基、十氟亚戊基、十一氟亚己基等。其中，r⁵²¹与r⁵²²彼此键合而形成环的情况下，优选通过碳原子数为2～6的具有氟原子的亚烷基来进行键合，尤其优选通过碳原子数为2～4的具有氟原子的亚烷基来进行键合。

并且，作为由通式(1)表示的离子性光酸产生剂，优选为由下述通式(5)表示的光酸产生剂。

[化学式23]

(式中，r⁵¹⁰、r⁵¹¹、r⁵¹²及r⁵¹³分别独立地表示可以具有取代基的烷基或芳香族基，ar³及ar⁴分别独立地表示可以具有取代基的二价的芳香族基，x^1-及x^2-分别独立地表示共轭碱。)

r⁵¹⁰、r⁵¹¹、r⁵¹²及r⁵¹³中的烷基及芳香族基与通式(1)的r⁵⁰⁵、r⁵⁰⁶及r⁵⁰⁷所表示的烷基及芳香族基含义相同，优选方式也相同。并且，可以具有的取代基也相同。

x^1-及x^2-中的共轭碱与通式(1)的x^-所表示的共轭碱含义相同，优选方式也相同。

作为ar³及ar⁴中的二价的芳香族基，优选亚苯基或亚萘基，尤其优选亚苯基。

作为离子性光酸产生剂而使用的三芳基锍盐类的具体例，可以举出三氟甲磺酸三苯基锍、三氟乙酸三苯基锍、三氟甲磺酸4-甲氧基苯基二苯基锍、三氟乙酸4-甲氧基苯基二苯基锍、三氟甲磺酸4-苯基硫代苯基二苯基锍或三氟乙酸4-苯基硫代苯基二苯基锍等。

作为市售的化合物，可以举出tps-102，103，105，106，109，300，1000、mds-103，105，109，205、209、bds-109、dts-103，105、mnps-109、hds-109，(以上，midorikagakuco.,ltd.制造)、gsid-26-1、cyracureuvi-6976(以上，basf公司制造)。

作为离子性光酸产生剂而使用的二芳基碘鎓盐类，由下述通式(2)表示。

通式(2)

[化学式24]

(通式(2)中，r⁵⁰⁸及r⁵⁰⁹分别独立地表示可以具有取代基的芳香族基，x^-表示共轭碱。)

通式(2)中，r⁵⁰⁸及r⁵⁰⁹中的芳香族基与通式(1)的r⁵⁰⁵、r⁵⁰⁶及r⁵⁰⁷所表示的芳香族基含义相同，优选方式也相同。

通式(2)中，x^-中的共轭碱与通式(1)的x^-所表示的共轭碱含义相同，优选方式也相同。

并且，由通式(2)表示的光酸产生剂可以通过r⁵⁰⁸～r⁵⁰⁹而键合，而形成2聚物等多聚物。例如上述4-(4’-二苯基磺基苯硫基)苯基是2聚物的一个例子，上述4-(4’-二苯基磺基苯硫基)苯基中的抗衡阴离子与上述x^-相同。

作为离子性光酸产生剂而使用的二芳基碘鎓盐类的具体例，可以举出二苯基碘鎓三氟乙酸盐、二苯基碘鎓三氟甲磺酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓三氟甲磺酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓三氟乙酸盐、苯基，4-(2’-羟基-1’-十四碳氧基)苯基碘鎓三氟甲磺酸盐、4-(2’-羟基-1’-十四碳氧基)苯基碘鎓六氟锑酸盐、苯基，4-(2’-羟基-1’-十四碳氧基)苯基碘鎓-对甲苯磺酸盐等。

作为市售的化合物，可以举出dpi-105，106，109，201、bi-105，mpi-105，106，109、bbi-102，103，105，106，109，110，201，300、301(以上，midorikagakuco.,ltd.制造)。

作为离子性光酸产生剂而使用的季铵盐类的具体例，可以举出四甲基铵丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、四甲基铵己基三(对氯苯基)硼酸盐、四甲基铵己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、苄基二甲基苯基铵丁基三(2,6-二氟苯基)硼酸盐、苄基二甲基苯基铵己基三(对氯苯基)硼酸盐、苄基二甲基苯基铵己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐等。

除了上述具体例以外，作为(b)成分的具体例，可以举出如下化合物，但本发明并不限定于此。

[化学式25]

[化学式26]

[化学式27]

上述正型感光性材料中的成分b的含量相对于聚合物成分100质量，份优选为0.1～10质量份，更优选为0.5～5质量份。若成分b的含量为0.1质量份以上，则容易获得所希望的灵敏度(高灵敏度化)，并且，若为10质量份以下，则容易确保涂膜的透明性。

并且，非离子性光酸产生剂的添加量优选为1质量％以下，优选实际上不包含非离子性光酸产生剂的方式。

＜溶剂＞

用于形成正型感光性材料的感光性树脂组合物，优选作为将任意的成分溶解于溶剂中的溶液而制备。

作为在用于形成正型感光性材料的感光性树脂组合物中使用的溶剂，能够使用公知的溶剂，能够例示出乙二醇单烷基醚类、乙二醇二烷基醚类、乙二醇单烷基醚乙酸酯类、丙二醇单烷基醚类、丙二醇二烷基醚类、丙二醇单烷基醚乙酸酯类、二乙二醇二烷基醚类、二乙二醇单烷基醚乙酸酯类、二丙二醇单烷基醚类、二丙二醇二烷基醚类、二丙二醇单烷基醚乙酸酯类、酯类、酮类、酰胺类及内酯类等。并且，作为在用于形成正型感光性材料的感光性树脂组合物中所使用的溶剂的具体例，也可以举出在日本特开2011-221494号公报的0174～0178段落中记载的溶剂，这些内容被并入本说明书中。

并且，在这些溶剂中，根据需要也能够添加：苄基乙基醚、二己基醚、乙二醇苯基醚乙酸酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、异佛尔酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苄醇、茴香醚、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、马来酸二乙酯、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯等溶剂。这些溶剂能够单独使用1种，或者混合2种以上而使用。能够使用于本发明中的溶剂优选单独使用1种，或者并用2种，更优选并用2种，进一步优选并用丙二醇单烷基醚乙酸酯类或二烷基醚类、二乙酸酯类和二乙二醇二烷基醚类、或酯类和丁二醇烷基醚乙酸酯类。

并且，作为成分d，优选为沸点130℃以上且小于160℃的溶剂、沸点160℃以上的溶剂或它们的混合物。

作为沸点130℃以上且小于160℃的溶剂，能够例示出丙二醇单甲醚乙酸酯(沸点146℃)、丙二醇单乙醚乙酸酯(沸点158℃)、丙二醇甲基正丁基醚(沸点155℃)、丙二醇甲基正丙基醚(沸点131℃)。

作为沸点160℃以上的溶剂，能够例示出3-乙氧基丙酸乙酯(沸点170℃)、二乙二醇甲基乙基醚(沸点176℃)、丙二醇单甲醚丙酸酯(沸点160℃)、二丙二醇甲基醚乙酸酯(沸点213℃)、3-甲氧基丁基醚乙酸酯(沸点171℃)、二乙二醇二乙基醚(沸点189℃)、二乙二醇二甲基醚(沸点162℃)、丙二醇二乙酸酯(沸点190℃)、二乙二醇单乙醚乙酸酯(沸点220℃)、二丙二醇二甲基醚(沸点175℃)、1,3-丁二醇二乙酸酯(沸点232℃)。

用于形成正型感光性材料的感光性树脂组合物层中的溶剂的含量，在感光性树脂组合物中的总体树脂成分每100质量份中优选为50～95质量份，进一步优选为60～90质量份。

＜敏化剂＞

本发明的电路配线的制造方法中，优选正型感光性材料还包含敏化剂。正型感光性材料在与(b)光酸产生剂的组合中，为了促进其分解而优选含有敏化剂，尤其在使用非离子性光酸产生剂时优选含有敏化剂。敏化剂吸收光化射线或放射线而成为电子激发状态。成为电子激发状态的敏化剂与光酸产生剂进行接触而产生电子迁移、能量转移、发热等作用。由此光酸产生剂引起化学变化而进行分解，并生成酸。

通过含有敏化剂而进一步提高曝光灵敏度，并且，在使用可见光的吸收效率低的非离子性光酸产生剂的情况、及曝光光源为g、h射线的混合射线的情况下尤其有效。

作为敏化剂，优选蒽衍生物、吖啶酮衍生物、硫杂蒽酮衍生物、氧杂萘邻酮衍生物、碱性苯乙烯基衍生物、二苯乙烯基苯衍生物，更优选蒽衍生物。

作为蒽衍生物，优选蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二氯蒽、2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、9-羟甲基蒽、9-溴蒽、9-氯蒽、9,10-二溴蒽、2-乙基蒽、9,10-二甲氧基蒽。

作为吖啶酮衍生物，优选吖啶酮、n-丁基-2-氯吖啶酮、n-甲基吖啶酮、2-甲氧基吖啶酮、n-乙基-2-甲氧基吖啶酮。

作为硫杂蒽酮衍生物，优选硫杂蒽酮、二乙基硫杂蒽酮、1-氯-4-丙氧基硫杂蒽酮、2-氯硫杂蒽酮。

作为氧杂萘邻酮衍生物，优选氧杂萘邻酮-1、氧杂萘邻酮-6h、氧杂萘邻酮-110、氧杂萘邻酮-102。

作为碱性苯乙烯基衍生物，可以举出2-(4-二甲基氨基苯乙烯基)苯并恶唑、2-(4-二甲基氨基苯乙烯基)苯并噻唑、2-(4-二甲基氨基苯乙烯基)萘并噻唑。

作为二苯乙烯基苯衍生物，可以举出二苯乙烯基苯、二(4-甲氧基苯乙烯基)苯、二(3,4,5-三甲氧基苯乙烯基)苯。

作为敏化剂的具体例，可以举出下述敏化剂，但本发明并不限定于此。另外，下述中，me表示甲基，et表示乙基，bu表示丁基。

[化学式28]

正型感光性材料中的敏化剂的含量相对于聚合性成分100质量份优选为0.1～10质量份，更优选为0.5～5质量份。通过将敏化剂的含量设为0.1质量份以上而容易获得所希望的灵敏度，并通过设为10质量份以下而容易确保涂膜的透明性。

＜碱性化合物＞

本发明的电路配线的制造方法中，优选正型感光性材料还包含碱性化合物。作为碱性化合物，能够在化学放大抗蚀剂中可使用的碱性化合物中任意地选择而使用。可以举出例如脂肪族胺、芳香族胺、杂环胺、季铵氢氧化物、羧酸的季铵盐等。作为这些具体例，可以举出在日本特开2011-221494号公报的0204～0207段落中所记载的化合物，这些内容被并入本说明书中。

具体而言，作为脂肪族胺，可以举出例如三甲胺、二乙胺、三乙胺、二正丙胺、三正丙胺、二正戊胺、三正戊胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二环己胺、二环己基甲胺等。

作为芳香族胺，可以举出例如苯胺、苄胺、n,n-二甲基苯胺、二苯胺等。

作为杂环胺，可以举出例如吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、n-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲基氨基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、尼古丁、烟酸、烟酸酰胺、喹啉、8-羟基喹啉、吡嗪、吡唑、哒嗪、嘌呤、吡咯烷、哌啶、哌嗪、吗啉、4-甲基吗啉、1,5-二氮杂双环[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮杂双环[5.3.0]-7-十一碳烯等。

作为季铵氢氧化物，可以举出例如四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四正丁基氢氧化铵、四正己基氢氧化铵等。

作为羧酸的季铵盐，可以举出例如四甲基铵乙酸酯、四甲基铵苯甲酸酯、四正丁基铵乙酸酯、四正丁基铵苯甲酸酯等。

本发明中所使用的碱性化合物可以单独使用1种，也可以并用2种以上。

正型感光性材料中的碱性化合物的含量相对于正型感光性材料中的总固体成分100质量份，优选为0.001～3质量份，更优选为0.005～1质量份。

＜(c)：杂环状化合物＞

在本发明的电路配线的制造方法中，优选正型感光性材料包含含有(c)杂环状化合物的化合物。通过添加杂环状化合物，能够将由正型感光性材料得到的固化膜设为更牢固的膜。

作为杂环状化合物，除了聚合物成分以外就无特别的限制。例如能够添加以下所述的在分子内具有环氧基或氧杂环丁基的化合物、含烷氧基甲基的有杂环状化合物、此外各种环状醚及环状酯(内酯)等含氧单体、称作环状胺及噁唑啉的含氮单体、还有，硅、硫及磷等具有d电子的杂环单体等。

正型感光性材料中的杂环状化合物的添加量相对于正型感光性材料的总固体成分100质量份，优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～10质量份，进一步优选为1～5质量份。通过以该范围进行添加，可得到机械强度优异的固化膜，并可得到耐化学性优异的固化膜。杂环状化合物能够并用多种，该情况下，将杂环状化合物全部加起来而计算含量。

作为在分子内具有环氧基的化合物的具体例，能够举出双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂及脂肪族环氧树脂等。

这些化合物能够作为市售品而获得。可以举出例如jer828、jer1007、jer157s70(mitsubishichemicalcorporation制造)、jer157s65(mitsubishichemicalholdingscorporation制造)等、日本特开2011-221494号公报的0189段落中记载的市售品等。

此外，可以举出adekaresinep-4000s、adekaresinep-4003s、adekaresinep-4010s、adekaresinep-4011s(以上，adekacorporation制造)、nc-2000、nc-3000、nc-7300、xd-1000、eppn-501、eppn-502(以上，adekacorporation制造)、denacolex-611、ex-612、ex-614、ex-614b、ex-622、ex-512、ex-521、ex-411、ex-421、ex-313、ex-314、ex-321、ex-211、ex-212、ex-810、ex-811、ex-850、ex-851、ex-821、ex-830、ex-832、ex-841、ex-911、ex-941、ex-920、ex-931、ex-212l、ex-214l、ex-216l、ex-321l、ex-850l、dlc-201、dlc-203、dlc-204、dlc-205、dlc-206、dlc-301、dlc-402、ex-111，ex-121、ex-141、ex-145、ex-146、ex-147、ex-171、ex-192(以上，nagasechemtexcorporation制造)、yh-300、yh-301、yh-302、yh-315、yh-324、yh-325(以上，nipponsteelchemicalco.,ltd.制造)、celloxide2021p、2081、2000、3000、ehpe3150、epoleadgt400、serubinasub0134、b0177(以上，daicelchemicalindustriesltd.制造)等。

这些能够单独使用1种，或者组合2种以上而使用。

其中，更优选举出双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂及脂肪族环氧树脂，尤其优选举出脂肪族环氧树脂。

作为在分子内具有氧杂环丁基的化合物的具体例，能够使用aronoxetaneoxt-201、oxt-211、oxt-212、oxt-213、oxt-121、oxt-221、ox-so、pnox(以上，toagoseico.,ltd.制造)。

并且，包含氧杂环丁基的化合物，优选单独进行使用，或者与包含环氧基的化合物进行混合而使用。

其中，在本发明的电路配线的制造方法中，从耐蚀性和线宽稳定性的观点考虑，正型感光性材料优选上述(c)杂环状化合物为具有环氧基的化合物。

并且，分子内同时具有烷氧基硅烷结构和杂环状结构这两种结构的化合物，也能够优选使用于正型感光性材料中。可以举出例如γ-缩水甘油氧基丙基三烷氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基烷基二烷氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三烷氧基硅烷。其中，更优选γ-缩水甘油氧基丙基三烷氧基硅烷。这些能够单独使用1种，或者组合2种以上而使用。

＜表面活性剂＞

上述正型感光性材料可以含有表面活性剂。作为表面活性剂，能够使用阴离子类、阳离子类、非离子类或两性中的任一种，但优选的表面活性剂为非离子类表面活性剂。

作为非离子类表面活性剂的例子，能够举出：聚氧乙烯高级烷基醚类、聚氧乙烯高级烷基苯基醚类、聚氧乙烯乙二醇的高级脂肪酸二酯类、硅酮类、氟类表面活性剂。并且，按以下商品名称可以举出kp(shin-etsuchemicalco.,ltd.制造)、polyflow(kyoeishachemicalco.,ltd.制造)、eftop(jemco社制造)、megafac(diccorporation制造)、fluorad(sumitomo3mlimited制造)、asahiguard、surflon(asahiglassco.,ltd.制造)、polyfox(omnovasolutionsinc.制造)、sh-8400(dowcorningtorayco.,ltd硅酮)等各种系列。

并且，作为表面活性剂，能够举出以下共聚物来作为优选例：其包含由下述通式(i-1)表示的结构单元a及结构单元b，在将四氢呋喃(thf)设为溶剂的情况下，通过凝胶渗透色谱法而测定的聚苯乙烯换算的重均分子量(mw)为1,000以上10,000以下。

通式(i-1)

[化学式29]

(式(i-1)中，r⁴⁰¹及r⁴⁰³分别独立地表示氢原子或甲基，r⁴⁰²表示碳原子数为1以上且4以下的直链亚烷基，r⁴⁰⁴表示氢原子或碳原子数为1以上且4以下的烷基，l表示碳原子数为3以上且6以下的亚烷基，p及q为表示聚合比的质量百分比，p表示10质量％以上且80质量％以下的数值，q表示20质量％以上且90质量％以下的数值，r表示1以上且18以下的整数，s表示1以上且10以下的整数。)

上述l优选为由下述通式(i-2)表示的支链亚烷基。通式(i-2)中的r⁴⁰⁵表示碳原子数为1以上且4以下的烷基，在相溶性和对被涂布面的润湿性方面考虑，优选碳原子数为1以上且3以下的烷基，更优选碳原子数为2或3的烷基。p与q之和(p+q)优选为p+q＝100，即，100质量％。

通式(i-2)

[化学式30]

上述共聚物的重均分子量(mw)更优选为1,500以上且5,000以下。

此外，也能够使用日本专利第4502784号公报的[0017]段落、日本特开2009-237362号公报的[0060]～[0071]段落中记载的表面活性剂。

这些表面活性剂可以单独使用1种，或者混合2种以上而使用。

上述正型感光性材料中的表面活性剂的添加量相对与于正型感光性材料中的总固体成分100质量份优选为10质量份以下，更优选为0.001～10质量份，进一步优选为0.01～3质量份。

＜放射线吸收剂＞

本发明中所使用的正型感光性材料还优选包含放射线吸收剂。作为放射线吸收剂，优选紫外线吸收剂。更优选使用通过紫外线吸收而吸光度减少的、显示出所谓的光致漂白性的紫外线吸收剂。具体而言，可以举出萘醌二叠氮衍生物、硝酮和重氮鎓盐等光消色性材料(例如日本特公昭62-40697号公报、m.sasanoetal.，spiesymp.proc.，631，321(1986)中记载的化合物)。

放射线吸收剂以使抗蚀剂层内的光强度分布进行平均为目的而使用，通过赋予所谓的内添式cel(contrastenhancementlithography：对比度增强光刻)效果而可获得图案的矩形化、边缘粗糙度的改善效果(参考半导体工艺材料和化学品，坂本正典主编、cmc出版(2006))。

＜其它成分＞

正型感光性材料中除了添加上述成分以外，还能够添加：金属氧化物粒子、除了杂环状化合物以外的交联剂、烷氧基硅烷化合物、抗氧化剂、分散剂、酸促进剂、显影促进剂、导电性纤维、着色剂、可塑剂、热自由基产生剂、热酸产生剂、紫外线吸收剂、增稠剂及有机或无机的沉淀防止剂等公知的添加剂。

关于其它成分的优选方式，分别记载于日本特开2014-85643号公报的[0165]～[0184]中，该公报的内容被并入本说明书中。

＜具有烯属不饱和键的化合物＞

在本发明的电路配线的制造方法中，从分辨率的观点考虑，在正型感光性材料中，具有烯属不饱和键的化合物的量优选为0质量％。另外，0质量％中也包括以不损伤本发明的效果的程度包含微量(例如正型感光性材料中为1质量％以下)的方式。

＜正型感光性材料的膜厚＞

正型感光性材料的膜厚优选为0.5～10μm。若正型感光性材料的膜厚为10μm以下，则图案的分辨率良好，若为0.5μm以上，则从图案线性度的观点考虑是优选的。

作为正型感光性材料的膜厚，进一步优选为0.8～5μm，尤其优选为1.0～3.0μm。

＜正型感光性材料的形成方法＞

将各成分以规定的比例且任意的方法进行混合，并进行搅拌溶解，从而能够制备出用于形成正型感光性材料的感光性树脂组合物。例如将各成分分别设成预先溶解于溶剂中的溶液之后，将这些溶液以规定的比例进行混合，从而也能够制备出树脂组合物。如以上所述制备出的组合物溶液也能够在利用孔径为0.2μm的过滤器等进行过滤之后供进行使用。

＜对比度增强层＞

在本发明的电路配线的制造方法中，优选正型感光性材料包含感光性树脂层和对比度增强层。关于感光性树脂层，作为正型感光性材料而能够使用上述感光性树脂层。

关于使用对比度增强层(contrastenhancementlayer；cel)的cel法(contrastenhancementlayermethod：对比度增强方法)进行说明。其如由g.e.公司的griffing等在1983年发表(b.f.griffing，p.r.west；ieeeelectrondeviceletters，voled1-4，14，1983)、美国专利第4,702,996号、日本特公昭62-40697号公报中所公开，主要使用由通过光而进行退色的物质即芳基硝酮化合物和聚合物键合剂构成的光退色性化合物膜。在光致抗蚀膜上还形成该光退色性化合物膜，并根据常规的工序而形成图案。通常，在曝光时，通过光掩模而应该遮挡光的部分也因干渉效果而看到一些弱光的照射，该部分通过光退色性膜(cel)而遮挡光，实现曝光部与未曝光部的对比度的增强，有助于提高分辨率及焦点深度。

也优选在正型光致抗蚀剂上形成中间层，在中间层上形成对比度增强层(以下，称作cel)。中间层是用于防止cel与正型光致抗蚀剂进行混合的层。如日本特开平2-212851号公报中所公开，cel是含有在曝光前对曝光波长的吸收大，伴随曝光而吸收逐渐减小即光的透射率变高的材料(称作光消色性色素成分)的层。作为光消色性色素成分，已知有重氮鎓盐、芪唑盐、芳基亚硝基盐类。作为覆膜形成成分，可以使用苯酚类树脂等。

此外，作为对比度增强层，能够使用在日本特开平6-97065号公报的[0004]～[0051]、日本特开平6-332167号公报的[0012]～[0055]、光聚合物手册，thetechnicalassociationofphotopolymers,japan编著，kogyochosakaipublishingco.,ltd.(1989)，光聚合物/技术，山冈、永松编著，nikkankogyoshimbun,ltd.(1988)中记载的对比度增强层。

＜(b)工序＞

关于(b)工序进行说明：对正型感光性材料所形成的电路形成基板进行图案曝光及显影，从而将正型感光性材料设为第1图案。

作为上述曝光工序、显影工序及其它工序的例子，在本发明中能够优选使用日本特开2006-23696号公报的[0035]～[0051]段落中所记载的方法。

具体而言，可以举出如下方法：在形成于上述导电层的第1层上的正型感光性材料的上方配置规定的掩模，从该后掩模上方的光源，经由掩模而进行曝光(正型感光性材料具有临时支撑体和感光性树脂组合物层的情况下，从掩模上方的光源，经由掩模及临时支撑体对感光性树脂组合物层进行曝光)等。

本发明中图案的详细的配置和具体的尺寸并无特别的限定。从欲提高具备本发明的输入装置的显示装置(例如触摸面板)的显示质量，并且，欲尽量减小引出配线所占面积，因此优选图案的至少一部(尤其触摸面板的电极图案和引出配线的部分)为100μm以下的细线，进一步优选为70μm以下。

在此，作为上述曝光的光源，能够优选选择能够照射正型感光性材料被曝光的部位可以溶解于显影液的波长区域的光(例如365nm、405nm等)。具体而言，可以举出超高压汞灯、高压汞灯、金属卤化物灯等。作为曝光量，通常，为5～200mj/cm²左右，优选为10～100mj/cm²左右。

并且，曝光之后，以提高图案的矩形性及线性度为目的，优选在显影之前进行热处理。通过所谓被称作peb(postexposurebake：曝光后烘烤)的该工序，可以减小曝光时由抗蚀剂中生成的驻波引起的抗蚀剂图案边缘的粗糙度。

另外，图案曝光可以在剥离支撑体之后进行，也可以在剥离支撑体之前进行曝光，之后剥离支撑体。图案曝光可以是经由掩模的曝光，也可以是使用了激光等的数字曝光。

上述显影工序是对被图案曝光的正型感光性材料进行显影的工序。

上述显影能够使用显影液来进行。作为上述显影液，并无特别的限制，能够使用在日本特开平5-72724号公报中记载的显影液等公知的显影液。另外，显影液优选为正型感光性材料进行溶解型显影行为的显影液，例如优选以0.05～5mol/l的浓度包含pka＝7～13的化合物，但也可以少量添加与水具有混和性的有机溶剂。作为与水具有混和性的有机溶剂，能够举出甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丙醇、丁醇、二丙酮醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单正丁酯醚、苄醇、丙酮、甲乙酮、环己酮、ε-己内酯、γ-丁内酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、六甲基磷酰胺、乳酸乙酯、乳酸甲酯、ε-己内酰胺、n-甲基吡咯啶酮等。该有机溶剂的浓度优选为0.1质量％～30质量％。

并且，上述显影液中还能够添加公知的表面活性剂。表面活性剂的浓度优选为0.01质量％～10质量％。

作为上述显影的方式，可以是旋覆浸没式显影、喷淋显影、喷淋&旋转显影、浸渍显影等中的任一种。在此，关于上述喷淋显影进行说明，通过对曝光后的正型感光性材料通过喷淋而喷附显影液而能够去除曝光部分。另外，在设置有热塑性树脂层和中间层、cel层等的情况下，也优选在显影之前，通过喷淋等而喷附正型感光性材料的溶解性低的清洗液，去除热塑性树脂层、中间层、cel层等。并且，优选在显影之后，通过喷淋而喷附清洗剂等，一边用毛刷等进行擦拭，一边去除显影残渣。显影液的液体温度优选为20℃～40℃，并且，显影液的ph优选为8～13。

而且，也可以具有后烘烤工序：对包含通过上述显影而得到的正型感光性材料的图案进行加热处理，更优选包括如下工序：在去除上述热塑性树脂层和上述中间层的工序之后，进行对由通过上述显影而得到的正型感光性材料构成的图案进行加热处理的后烘烤。

通过具有上述后烘烤工序，能够促进在正型感光性材料中使用酸的保护基的解吸，因此优选。从降低保护基解吸的活化能，避免曝光后的加热处理的观点考虑，优选正型感光性材料中的具有上述酸基被酸分解性基保护的基团的结构单元(a1)。

上述后烘烤的加热优选在0.08～1.2atm的环境下进行，更优选在0.5atm以上的环境下进行。另一方面，更优选在1.1atm以下的环境下进行，尤其优选在1.0atm以下的环境下进行。而且，从不使用特別的减压装置而能够降低制造成本的观点考虑，尤其优选约在1atm(大气压)环境下进行。

上述后烘烤的温度优选为110～170℃，更优选为120～160℃，尤其优选为130～150℃。

上述后烘烤的时间优选为1～30分钟，更优选为2～10分钟，尤其优选为2～4分钟。

上述后烘烤可以在空气环境下进行，也可以在氮取代环境下进行，但从不使用特別的减压装置而能够降低制造成本的观点考虑，尤其优选在空气环境下进行。

(b)工序可以具有后曝光工序等其它工序。

＜(c)工序＞

关于(c)工序进行说明：将i设为1以上且x以下的整数，对于在(b)工序中未形成设为第1图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第i层进行蚀刻处理。

上述蚀刻能够应用在日本特开2010-152155公报的[0048]～[0054]段落等中记载的方法等公知的蚀刻方法。

例如作为蚀刻的方法，可以举出通常进行的浸渍于蚀刻液中的湿式蚀刻法。使用于湿式蚀刻中的蚀刻液只要配合蚀刻的对象而适当地选择酸性类型或碱性类型的蚀刻液即可。作为酸性类型的蚀刻液，可例示出盐酸、硫酸、氟酸、磷酸等单独酸性成分的水溶液、酸性成分与氯化铁、氟化铵、高锰酸钾等盐的混合水溶液等。酸性成分可以使用组合多种酸性成分的物质。并且，作为碱性类型的蚀刻液，可以例示出如氢氧化钠、氢氧化钾、氨、有机胺、四甲基氢氧化铵等有机胺盐等单独碱性成分的水溶液、碱性成分与高锰酸钾等盐的混合水溶液等。碱性成分也可以使用组合多种碱性成分的物质。

蚀刻液的温度并无特别的限定，但优选为45℃以下。本发明中，作为蚀刻掩模(蚀刻图案)而使用的正型感光性材料优选对上述温度区域中的酸性及碱性蚀刻液发挥特别优异的耐性。因此，在蚀刻工序中可以防止正型感光性材料的剥离，可以选择性地蚀刻不存在正型感光性材料的部分。

在上述蚀刻后，为了防止生产线污染，可以根据需要进行清洗工序和/或干燥工序。关于清洗工序，例如可以在常温下用纯水清洗基材10～300秒钟，关于干燥工序，使用鼓风适当地调整鼓风压力(0.1～5kg/cm²左右)即可。

＜(d)工序＞

关于(d)工序进行说明：对于在(b)工序中残留的正型感光性材料，以与所残留的正型感光性材料不同的图案进行图案曝光及显影，从而将正型感光性材料设为第2图案。

(d)工序中的图案曝光及显影能够使用与(b)工序中的图案曝光及显影相同的方法。

＜(e)工序＞

关于(e)工序进行说明：将j设为1以上且小于i的整数，并对于在(d)工序未形成设为第2图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第j层进行蚀刻处理。

(e)工序中的蚀刻能够使用与(c)工序中的蚀刻相同的方法。

(e)工序中，优选按照所希望的图案来选择性地蚀刻比(c)工序少的导电层。

＜(f)工序＞

本发明的电路配线的制造方法优选还包括下述(f)工序。

(f)工序：将所残留的正型感光性材料以与所残留的正型感光性材料不同的图案进行图案曝光及显影，从而在显影后对未形成正型感光性材料区域的导电层的第1层至小于j的任意的层进行蚀刻处理，从而将导电层设为图案。

以下，关于(f)工序进行说明。

在本发明的电路配线的制造方法中，也优选不进行(f)工序。即，在本发明的电路配线的制造方法中，优选电路配线仅包括2种图案的导电层。

(f)工序的重复次数并无特别的限制，而能够按照所希望的图案的形状重复进行。其中，(f)工序的重复次数优选为1次。

本发明的电路配线的制造方法中，优选(f)工序包括下述(f1)工序及(f2)工序，并包含至少3种图案的导电层。

(f1)工序，对在(e)工序中残留的正型感光性材料，以与所残留的正型感光性材料不同的图案进行图案曝光及显影，从而将正型感光性材料设为第3图案；及

(f2)工序，将k设为1以上且小于j的整数，并对于在(f1)工序中未形成设为第3图案的正型感光性材料区域的导电层的第1层至第k层进行蚀刻处理。

其它(f)工序的优选方式与(d)工序及(e)工序相同。

＜(z)工序＞

关于(z)工序进行说明：去除所残留的所有正型感光性材料，形成包含至少2种图案的导电层的电路配线。

作为去除在上述蚀刻处理后所残留的所有正型感光性材料的方法，并无特别的限制，能够举出通过药品处理而去除的方法。

作为正型感光性材料的去除方法，可以举出例如向在30～80℃、优选在50～80℃下搅拌中的剥离液中浸渍具有正型感光性材料等的基材5～30分钟的方法。作为蚀刻掩模而使用的树脂图案在45℃以下显示出优异的耐化学性即可，但优选药液温度成为50℃以上，则显示出通过碱性剥离液而溶胀的性质。根据上述性质，若使用50～80℃的剥离液进行剥离工序，则工序时间缩短，具有正型感光性材料的剥离残渣减少的优点。即，在上述蚀刻工序与去除正型感光性材料的工序之间，通过在药液温度上设置差异，作为蚀刻掩模而使用的正型感光性材料在蚀刻工序中发挥良好的耐化学性，另一方面，在去除工序中显示出良好的剥离性，由此均能够满足耐化学性和剥离性这两个相反特性。

作为剥离液，可以举出例如将氢氧化钠、氢氧化钾等无机碱性成分、叔胺、季铵盐等有机碱性成分，溶解于水、二甲基亚砜、n-甲基吡咯啶酮或它们的混合溶液中的剥离液。也可以使用上述剥离液，并通过喷雾法、喷淋法、旋覆浸没法等进行剥离。

＜减低可见光线反射率的处理＞

本发明的电路配线的制造方法可以包括如下工序：进行使第x层至第1层的导电层的一部分或所有可见光线反射率降低的处理。

作为使可见光线反射率降低的处理，能够举出氧化处理等。例如通过对铜进行氧化处理而设为氧化铜，由此黑化而能够使可见光线反射率降低。

关于使可见光线反射率降低的处理的优选方式，记载于日本特开2014-150118号公报的[0017]～[0025]和日本特开2013-206315号公报的[0041]、[0042]、[0048]及[0058]，这些公报的内容被并入本说明书中。

＜在绝缘膜上形成新的导电层的工序＞

本发明的电路配线的制造方法优选包括：在(z)工序中形成的电路配线上形成绝缘膜的工序；及在绝缘膜上形成新的导电层的工序。

根据上述结构，能够形成后述第二电极图案，且使其与第一电极图案绝缘。

关于形成绝缘膜的工序，并无特别的限制，能够举出公知的形成永久膜的方法。并且，也可以使用具有绝缘性的感光性材料，并通过光刻而形成所希望的图案的绝缘膜。

关于在绝缘膜上形成新的导电层的工序，并无特别的限制。也可以使用具有导电性的感光性材料，并通过光刻而形成所希望的图案的新的导电层。

[电路配线]

本发明的电路配线是通过本发明的电路配线的制造方法而制造的电路配线。本发明的电路线优选为触摸面板用电路配线。关于触摸面板用电路配线的优选方式，在后面的静电电容型输入装置的说明中进行叙述。

[输入装置及显示装置]

本发明的输入装置是使用了本发明的电路配线的输入装置。本发明的输入装置优选为静电电容型触摸面板。

本发明的显示装置具备本发明的输入装置。优选本发明的显示装置为图像显示装置。

＜静电电容型输入装置及具备静电电容型输入装置的图像显示装置＞

本发明的输入装置及显示装置的优选方式的静电电容型输入装置、及将该静电电容型输入装置作为构成要件而具备的图像显示装置，能够应用在“最新触摸面板技术”(2009年7月6日发行technotimesco.,ltd.)、三谷雄二主编、“触摸面板的技术和开发”、cmc出版(2004，12)、fpdinternational2009forumt-11演讲材料、cypresssemiconductorcorporation应用手册an2292等中公开的结构。

首先，对静电电容型输入装置的结构进行说明。图16是表示静电电容型输入装置的结构的剖视图。在图16中静电电容型输入装置10由基材1、掩模层2、第一电极图案3、第二电极图案4、绝缘层5、另一导电性要件6及透明保护层7构成。

在图16中，将基材1的设置有各要件的一侧称作非接触面。在上述静电电容型输入装置10中，使手指等接触基材1的接触面(非接触面的相反面)而进行输入。

并且，在基材1的非接触面上设置有掩模层2。掩模层2是在基材1(例如触摸面板的前面板)的非接触侧形成的显示区域周围的边框状图案，为了使卷绕配线等不被看见而形成。

在上述静电电容型输入装置10上，也可以以覆盖基材1的一部分区域的方式设置有掩模层2。而且，基材1上也能够在局部设置开口部。在开口部上，也能够设置通过按压进行操作的机械开关。

在基材1的非接触面上形成：多个第一电极图案3，多个焊盘部分经由连接部分沿第一方向延伸形成；多个第二电极图案4，与电极图案3电绝缘，并由沿第一方向交叉的方向延伸形成的多个焊盘部分构成；及绝缘层5，将第一电极图案3和第二电极图案4进行电绝缘。上述第一电极图案3、第二电极图案4及后述另一导电性要件6优选为透明。透明的第一电极图案3、第二电极图案4及另一导电性要件6优选为导电性膜，能够通过例如ito(indiumtinoxide：氧化铟锡)和izo(indiumzincoxide：氧化铟锌)等透明的导电性金属氧化物膜而制作。作为导电性膜，可以举出al、zn、cu、fe、ni、cr、mo等金属膜；ito、izo、sio2等金属氧化物膜等。此时，各要件的膜厚能够设为10～200nm。并且，通过煅烧将非晶态ito膜设为多晶ito膜而能够降低电阻。

并且，上述第一电极图案3及第二电极图案4通过将正型感光性材料用作蚀刻抗蚀剂(蚀刻图案)而形成。在用于形成第二电极图案的第二电极层的形成中，除了以本发明中所使用的正型感光性材料为首的抗蚀剂的光刻之外，还能够利用公知的方法。此外，也能够利用具有使用了导电性纤维的感光性树脂组合物的感光性转印材料来进行制造。在通过ito等而形成第一导电性图案等的情况下，能够参考日本专利第4506785号公报的[0014]～[0016]段落等。

并且，第一电极图案3及第二电极图案4中的至少一个，能够横跨基材1的非接触面及掩模层2的与基材1相反侧的面这两个区域而设置。在图16中示出横跨第二电极图案示出基材1的非接触面及掩模层2的与基材1相反侧的面这两个区域而设置的图。

使用图11及12对第一电极图案及第二电极图案4进行说明。图11及12也是表示第一电极图案及第二电极图案的一例的说明图。如图11及12所示，第一电极图案中焊盘部分3a经由连接部分3b而沿第一方向延伸形成。并且，第二电极图案4通过绝缘层5而与第一电极图案电绝缘，通过沿与第一方向交叉的方向(图3中的第二方向)延伸形成的多个焊盘部分而构成。在此，在形成第一电极图案3的情况下，可以将上述焊盘部分3a和连接部分3b制作成一体，也可以仅制作连接部分3b，将焊盘部分3a和第二电极图案4制作(形成图案)成一体。将焊盘部分3a和第二电极图案4制作(形成图案)成一体的情况下，如图11及12所示，各层形成为如下：连接部分3b的一部分和焊盘部分3a的一部分连接，且第一电极图案3和第二电极图案4通过绝缘层5而被电绝缘。

在图16中，在掩模层2的与基材1相反侧的面侧设置有另一导电性要件6。另一导电性要件6与第一电极图案3及第二电极图案4中的至少一个电连接，且与第一电极图案3及第二电极图案4为不同的要件。在图16中，示出另一导电性要件6被连接于第二电极图案4的图。

并且，在图16中，以覆盖各构成要件整体的方式设置有透明保护层7。透明保护层7也可以以仅覆盖各构成要件的一部分的方式构成。绝缘层5和透明保护层7可以是相同材料，也可可以是不同的材料。作为构成绝缘层5和透明保护层7的材料，优选表面硬度、耐热性高的材料，可以使用公知的感光性硅氧烷树脂材料、丙烯酸树脂材料等，这些材料对于本领域从业人员来讲是公知的。

绝缘层的形成图案方法除了光刻方式以外，还可以利用喷墨、丝网印刷等公知的方法。

在上述静电电容型输入装置的制造方法中，优选上述第一电极图案3、第二电极图案4及另一导电性要件6中的至少1个将正型感光性材料用作蚀刻抗蚀剂(蚀刻图案)并进行蚀刻处理而形成。并且，黑色的掩模层2和绝缘层5、根据需要，透明保护层7中的至少一个要件，也优选使用依次具有临时支撑体、热塑性树脂层及光固化性树脂层的感光性薄膜而形成。

上述第一电极图案3、第二电极图案4及另一导电性要件6中的至少1个，优选将正型感光性材料用作蚀刻抗蚀剂(蚀刻图案)并进行蚀刻处理而形成。

通过蚀刻处理而形成上述第一电极图案3、第二电极图案4及另一导电性要件6的情况下，首先，在形成有黑色掩模层2的基材1的非接触面上，在设有黑色掩模层2的部分至少设置无机绝缘层，在基材1的非接触面上或无机绝缘层上通过溅射而形成ito等透明电极层。接着，在上述透明电极层上，使用作为上述光固化性树脂层而具有蚀刻用光固化性树脂层的正型感光性材料，并通过曝光及显影而形成蚀刻图案。之后，对透明电极层进行蚀刻而对透明电极进行图案形成，通过去除蚀刻图案而能够形成第一电极图案3等。

在使用具有包含导电性材料的光固化性树脂层的上述感光性薄膜来形成上述第一电极图案3、第二电极图案4及另一导电性要件6的情况下，能够通过在上述基材1的表面上设置有黑色掩模层2的部分至少设置无机绝缘层，在基材1的非接触面上或无机绝缘层上转印包含上述导电性材料的光固化性树脂层而形成。

上述掩模层2、绝缘层5及透明保护层7能够通过使用感光性薄膜将光固化性树脂层转印到基材1而形成。例如在形成黑色掩模层2的情况下，能够通过使用作为光固化性树脂层而具有黑色光固化性树脂层的上述感光性薄膜，在上述基材1的表面转印上述黑色光固化性树脂层而形成。在形成绝缘层5的情况下，能够通过使用作为使用上述光固化性树脂层而具有绝缘性光固化性树脂层的上述感光性薄膜，在形成有第一电极图案或第二电极图案的上述基材1的表面转印上述光固化性树脂层而形成。在形成透明保护层7的情况下，能够通过使用作为上述光固化性树脂层而具有透明的光固化性树脂层的上述感光性薄膜，在形成有各要件的上述基材1的表面转印上述光固化性树脂层而形成。

实施例

以下，举出实施例对本发明进而具体地进行说明。以下实施例中示出的材料、使用量、比例、处理内容、处理顺序等，只要不脱离本发明的主旨就能够适当地进行变更。从而，本发明的范围并不限定于以下所示的具体例。另外，只要没有特别的说明，“份”、“％”是质量基准。

[实施例1]

＜(a)工序＞

在100μm膜厚的pet基材上，作为第2层导电层，将ito通过溅射以150nm的膜厚进行成膜，在其上，作为第1层导电层，将铜通过真空蒸镀法以200nm的膜厚进行成膜，并设为电路形成基板。

而且，通过以下方法来制作作为正型感光性材料而使用的干膜抗蚀剂。使用fujifilmelectronicmaterialsco.,ltd.制造的正型抗蚀剂fh2405，通过日本特开2007-24969的[0278]段落中记载的方法进行制作，在膜厚75μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜支撑体(临时支撑体)上，使用狭缝状喷嘴以干燥膜厚成为2.0μm的方式涂布了正型抗蚀剂。之后，利用100℃的流烘箱干燥2分钟，最后，作为保护膜将聚乙烯薄膜(tredegarcorporation制造，osm-n)进行压接而制作出干膜抗蚀剂。该干膜抗蚀剂是包含萘醌二叠氮化合物及具有酚性羟基的树脂的正型感光性材料。

在导电层的第1层(铜层)上层压上述干膜抗蚀剂，形成了正型感光性材料(正型抗蚀剂层)。

＜(b)工序＞

将该正型感光性材料(正型抗蚀剂层)，使用具有沿一方向连接有导电焊盘的结构的设置有图4所示图案a的遮光部和开口部的光掩模来进行图案曝光，进行使用了四甲基氢氧化铵(tmah)水溶液2.38质量％的显影和水洗，从而得到第1图案(图案a的遮光部区域形状的图案)。

图4所示图案a中实线部及灰色部为遮光部，其它部分为开口部，虚线部是虚拟地示出对准的框的部分。并且，实线部设成70μm以下的细线。以下，在其它实施例及比较例中也形成有相同的细线。

＜(c)工序＞

接着，使用铜蚀刻液(kantochemicalco.,inc.制造的cu-02)对第1层(铜层)进行蚀刻之后，使用ito蚀刻液(kantochemicalco.,inc.制造的ito-02)对第2层(ito层)进行了蚀刻。通过如此进行蚀刻，对未形成正型感光性材料区域的上述导电层的第1层至第2层进行蚀刻处理，得到未形成设为第1图案的正型感光性材料区域的第1层(铜层)和第2层(ito层)均被描绘成第1图案(图案a的遮光部区域形状的图案)的基板。

＜(d)工序＞

接着，使用以对准的状态设置有图5中示出的图案b的开口部及遮光部的光掩模进行图案曝光，进行使用了tmah水溶液2.38％的显影和水洗而得到第2图案(图案a的遮光部及图案b的遮光部重叠部分的图案)。

图5中示出的图案b中灰色部是遮光部，其它部分是开口部，虚线部是虚拟地示出对准的框的部分。

＜(e)工序＞

之后，使用cu-02仅对第1层(铜层)进行蚀刻，由此蚀刻至未形成设为第2图案的正型感光性材料区域的上述导电层的第1层。通过如此进行蚀刻而得到仅包含2种图案的导电层的基板。所得到的导电层，详细而言，设为第2图案的正型感光性材料所形成区域的第1层(铜层)和第2层(ito层)均被描绘成图案a(第1图案的遮光部区域形状的图案)，且未形成设为第2图案的正型感光性材料区域的第2层(ito层)被描绘成第2图案的遮光部区域的形状的图案。

＜(z)工序＞

将所残留的正型感光性材料，通过使用剥离液(kantochemicalco.,inc.制造的kp-301)来进行剥离而去除，得到在基材上形成有包含2种图案的导电层的电路配线的、实施例1的触摸面板用电路配线。

实施例1的触摸面板用电路配线具有图6中所示出图案c的电路配线。图6的灰色区域中所包含的配线部分成为第2层(ito配线)露出的状态。图6的虚线部虚拟表示出对准的框。除此以外的部分相当于外围配线部分，成为在第2层(ito配线)上层叠第1层(铜配线)而包含共用相同的电路图案的2层以上的导电层层叠体的结构。关于包含共用相同的电路图案的2层以上的导电层层叠体的结构，在图3中示出示意图。实施例1的触摸面板用电路配线中，图3的虚线部分是在第2层(ito配线)上重叠有第1层(铜配线)。

[实施例2]

在以下合成例中，以下符号分别表示以下化合物。

mathf：2-四氢呋喃甲基丙烯酸酯(合成物)

maeve：1-乙氧基乙基甲基丙烯酸酯(wakopurechemicalindustries,ltd.制造)

phs：对羟基苯乙烯

phs-eve：对羟基苯乙烯的1-乙氧基乙基保护体

phs-thf：对羟基苯乙烯的2-四氢呋喃保护体

pgmea：丙二醇单甲醚乙酸酯

＜合成例1：phs-eve的合成＞

将碱溶性树脂(vp-8000nipponsodaco.,ltd.制造)20g及丙二醇单甲醚乙酸酯(pgmea)320g溶解于烧瓶中进行减压蒸馏，将水和pgmea进行了共沸蒸馏。在确认含水量变得足够低的情况之后，添加乙基乙烯基醚24g及对甲苯磺酸0.35g，在室温下搅拌了1个小时。对其添加三乙胺0.28g而使其停止反应。反应液中添加乙酸乙酯，进而进行水洗之后，通过减压蒸馏去除乙酸乙酯、水及共沸组分的pgmea，得到被酸分解性基保护的碱溶性树脂即phs-eve。所得到树脂的重均分子量为11,000。并且，多分散度为1.13。

聚合物phs-eve的结构如下所示，为对羟基苯乙烯的1-乙氧基乙基保护体/对羟基苯乙烯共聚物(30摩尔％/70摩尔％)。

[化学式31]

使用所合成的phs-eve，并通过以下配方而制作出正型感光性组合物。

·phs-eve：95.8份

·光酸产生剂(下述pag-1)：2份

·敏化剂：(下述敏化剂1)：2份

·碱性化合物(下述碱性化合物1)：0.1份

·表面活性剂(下述表面活性剂1)：0.1份

·pgmea：900份

pag-1：根据日本特表2002-528451号公报的[0108]段落中所记载的方法合成的下述结构的化合物(ts部分表示对甲苯磺酰基)。

[化学式32]

敏化剂1：下述结构的二丁氧基蒽(制造商：kawasakikaseichemicalsltd.制造，商品编号：9,10-二丁氧基蒽)

[化学式33]

碱性化合物1：下述结构的化合物(制造商：toyokaseico.,ltd.制造，商品编号：cmtu)

[化学式34]

表面活性剂1：f-554、由下述结构式表示的含全氟烷基的非离子类表面活性剂(diccorporation制造。重量％与质量％含义相同)

[化学式35]

进行了如下(a)工序：将上述正型感光性组合物，在实施例1中使用的电路形成基板上，以1.2μm的膜厚进行狭缝涂布，在100℃的流烘箱中干燥2分钟，形成了正型感光性材料(抗蚀剂层)。

之后，以与实施例1相同的顺序，制作出实施例2的触摸面板用电路配线。

[实施例3]

将在实施例2中制作出的正型感光性组合物，在膜厚75μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜支撑体(临时支撑体)上，使用狭缝状喷嘴以干燥膜厚成为2.0μm的方式进行涂布，在100℃的流烘箱中干燥2分钟，最后，将作为保护膜的聚乙烯薄膜(tredegarcorporation制造，osm-n)进行压接，从而制作出干膜抗蚀剂。

进行了以下(a)工序：使用该干膜抗蚀剂将保护膜进行剥离之后，在实施例1中所使用的电路形成基板上转印正型感光性组合物的干燥膜，将临时支撑体进行剥离而形成正型感光性材料(抗蚀剂层)。

之后，以与实施例1相同的顺序制作出实施例3的触摸面板用电路配线。

[实施例4]

＜合成例2：phs-thf的合成＞

将碱溶性树脂(vp-8000nipponsodaco.,ltd.制造)15.6g及丙二醇单甲醚乙酸酯(pgmea)100g溶解于瓶中进行减压蒸馏，将水和pgmea进行了共沸蒸馏。在确认含水量变得足够低的情况之后，添加2,3-二氢呋喃2.7g及对甲苯磺酸0.015g，在室温下搅拌了2个小时。对其添加三乙胺0.090g而使其停止反应。在反应液中添加乙酸乙酯，进而进行水洗之后，通过减压蒸馏而将乙酸乙酯、水进行蒸馏，得到了保护率为25摩尔％的可溶性树脂即聚合物phs-thf。所得到树脂的重均分子量为12,000。并且，多分散度为1.13。

聚合物phs-thf的结构如下所示，为对羟基苯乙烯的2-四氢呋喃保护体/对羟基苯乙烯共聚物(30摩尔％/70摩尔％)。

[化学式36]

使用所合成的phs-thf，并通过以下配方制作出正型感光性组合物。

·phs-thf：95.8份

·光酸产生剂(pag-1)：2份

·敏化剂：(敏化剂1)：2份

·碱性化合物(碱性化合物1)：0.1份

·表面活性剂(表面活性剂1)：0.1份

·pgmea：900份

使用所制作出的正型感光性组合物，以与实施例3相同的方式制作干膜抗蚀剂之后，以与实施例3相同的顺序制作出实施例4的触摸面板用电路配线。

[实施例5]

＜合成例3：聚合物酚醛清漆-eve(1-乙氧基乙基保护体)的合成＞

将下述结构的聚合物酚醛清漆-eve(1-乙氧基乙基保护体。结构单元比为摩尔比)，以与日本特开2003-98671号公报的实施例1相同的方法合成。所得到的酚醛清漆树脂的重均分子量为5,000。并且，多分散度为7.0。

[化学式37]

使用所合成的酚醛清漆树脂，并通过以下配方制作出正型感光性组合物。

·聚合物酚醛清漆-eve(1-乙氧基乙基保护体)：95.8份

·光酸产生剂(pag-1)：2份

·敏化剂：(敏化剂1)：2份

·碱性化合物(碱性化合物1)：0.1份

·表面活性剂(表面活性剂1)：0.1份

·pgmea：900份

使用所制作出的正型感光性组合物，以与实施例3相同的方式制作干膜抗蚀剂之后，以与实施例3相同的顺序制作出实施例5的触摸面板用电路配线。

[实施例6]

＜合成例4：mathf共聚物的合成＞

将甲基丙烯酸(86g、1mol)在15℃下进行了冷却，并添加了樟脑磺酸(4.6g，0.02mol)。该溶液中滴加2-二氢呋喃(71g、1mol、1.0当量)。在搅拌1小时之后，添加饱和碳酸氢钠(500ml)，用乙酸乙酯(500ml)进行萃取，并利用硫酸镁进行干燥之后，将不溶解物进行过滤，然后，以40℃以下的温度进行减压浓缩，将残渣的黄色油状物进行减压蒸馏，作为无色油状物而得到了沸点(bp.)54～56℃/3.5mmhg馏分的甲基丙烯酸四氢-2h-呋喃-2-基(mathf)125g而(产率80％)。

使用所得到的甲基丙烯酸四氢-2h-呋喃-2-基来代替甲基丙烯酸1-乙氧基乙基，除此以外，以与合成例4的maeve共聚物的合成相同的方式合成了mathf共聚物。

所得到的mathf共聚物的通过凝胶渗透色谱法(gpc)而测定的重均分子量为14,000。

以下，示出所得到的mathf共聚物的结构(结构单元比为摩尔比)。

[化学式38]

使用所合成的mathf共聚物，并通过以下配方而制作出正型感光性组合物。

·phs-eve：47.9份

·mathf共聚物：47.9份

·光酸产生剂(pag-1)：2份

·敏化剂：(敏化剂1)：2份

·碱性化合物(碱性化合物1)：0.1份

·表面活性剂(表面活性剂1)：0.1份

·pgmea：900份

使用所制作出的正型感光性组合物，以与实施例3相同的方式制作干膜抗蚀剂之后，通过与实施例3相同的顺序而制作出实施例6的触摸面板用电路配线。

[实施例7]

通过以下配方而制作出正型感光性组合物。

·phs-eve：91.2份

·光酸产生剂(pag-1)：1.9份

·敏化剂：(敏化剂1)：1.9份

·碱性化合物(碱性化合物1)：0.105份

·表面活性剂(表面活性剂1)：0.095份

·杂环状化合物(denacolex-321l(nagasechemtexcorporation制造))：4.8份

·pgmea：900份

使用所制作出的正型感光性组合物，以与实施例3相同的方式制作干膜抗蚀剂之后，通过与实施例3相同的顺序而制作出实施例7的触摸面板用电路配线。

[实施例8]

通过以下配方而制作出正型感光性组合物。

·phs-eve：91.2份

·光酸产生剂(pag-1)：1.9份

·敏化剂：(敏化剂1)：1.9部

·碱性化合物(碱性化合物1)：0.105份

·表面活性剂(表面活性剂1)：0.095份

·杂环状化合物(3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(kbm-403shin-etsuchemicalco.,ltd.制造))：4.8份

·pgmea：900份

使用所制作出的正型感光性组合物，以与实施例3相同的方式制作干膜抗蚀剂之后，通过与实施例3相同的顺序制作出实施例8的触摸面板用电路配线。

[实施例9]

通过以下配方而制作出正型感光性组合物。

·mathf共聚物：94.9份

·光酸产生剂(pag-1)：1.98份

·敏化剂：(敏化剂1)：1.98份

·碱性化合物(碱性化合物1)：0.099份

·表面活性剂(表面活性剂1)：0.099份

·放射线吸收剂(daitochemixco.,ltd.制造，dtep-250)：0.94份

·pgmea：900份

使用所制作出的正型感光性组合物，以与实施例3相同的方式制作干膜抗蚀剂之后，通过与实施例3相同的顺序而制作出实施例9的触摸面板用电路配线。

[实施例10]

通过以下配方而制作出正型感光性组合物。

·mathf共聚物：95.3份

·光酸产生剂(pag-1)：1.98份

·敏化剂：(敏化剂1)：1.98份

·碱性化合物(碱性化合物1)：0.099份

·表面活性剂(表面活性剂1)：0.099份

·放射线吸收剂(下述放射线吸收剂1)：0.54份

·pgmea：900份

放射线吸收剂1：下述结构的化合物

[化学式39]

使用所制作出的正型感光性组合物，以与实施例3相同的方式制作干膜抗蚀剂之后，通过与实施例3相同的顺序而制作出实施例10的触摸面板用电路配线た。

[实施例11]

根据日本特开平6-332167的[0053]段落的记载，通过以下组成而制备出对比度增强层(以下cel)组合物。

·α-[对(二乙氨基)苯乙烯基]-n-(2-甲基-4-羧基苯基)硝酮：45份

·三(羟甲基)氨基甲烷：20份

·聚乙烯吡咯烷酮60质量％和聚丙烯酸40质量％的共聚物聚合物：35份

·纯水：900份

在膜厚75μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜支撑体(临时支撑体)上，使用狭缝状喷嘴，以干燥膜厚成为0.2μm的方式涂布该cel组合物，并在100℃的流烘箱中干燥了5分钟。

接着，，在cel层上，使用狭缝状喷嘴，以干燥膜厚成为2.0μm的涂布与实施例2中所制作的相同的正型感光性组合物，并在100℃的流烘箱中干燥2分钟，最后，将作为保护膜的聚乙烯薄膜(tredegarcorporation制造，osm-n)进行压接，从而制作出干膜抗蚀剂。

将该干膜抗蚀剂作为正型感光性材料而使用，在(b)工序及(d)工序的图案曝光后的正型感光性材料的显影之前，为了去除cel层而用纯水进行了cel层剥离处理，除此以外，通过与实施例1相同的顺序而制作出实施例11的触摸面板用电路配线。

[实施例12]

＜(a)工序＞

在100μm膜厚的pet基材上的两面，作为第2层导电层，将ito通过溅射以150nm的膜厚进行成膜，其上，作为第1层导电层，将铜通过溅射以200nm的膜厚进行成膜，从而制作出在基材上的两面形成有ito和铜层的电路形成基板。

使用以与实施例3相同的方法而制作出的干膜抗蚀剂，在导电层的第1层(铜层)上层压上述干膜抗蚀剂，形成了正型感光性材料。

＜(b)工序＞

使用对该正型感光性材料的一面设置有图案a的光掩模，并使用在另一面设置有图7中示出的图案d的光掩模，进行对准，进行了两面同时曝光。使用tmah水溶液2.38％进行显影和水洗，得到了一面描绘有图案a，另一面描绘有图案d的基板。

图7所示的图案d中，实线部及灰色部为遮光部，其它部分为开口部，虚线部虚拟地示出对准的框。并且，实线部设成70μm以下的细线。

＜(c)工序＞

接着，使用铜蚀刻液(kantochemicalco.,inc.制造的cu-02)对第1层(铜层)进行蚀刻之后，使用ito蚀刻液(kantochemicalco.,inc.制造的ito-02)对第2层(ito层)进行了蚀刻。通过如此进行蚀刻，对未形成正型感光性材料区域的上述导电层的第1层至第2层进行蚀刻处理，得到未形成设为第1图案的正型感光性材料区域的第1层(铜层)和第2层(ito层)其一面均被描绘成第1图案(图案a的遮光部区域形状的图案)，而另一面被描绘成另一图案(图案d的遮光部区域形状的图案)的基板。

＜(d)工序、(e)、(z)＞

对该基板的两面进行图案曝光、显影、水洗，除此以外，以与实施例1相同的方式，用设置有图案b的开口部及遮光部的光掩模进行曝光及显影之后，仅对第1层(铜配线)进行蚀刻而形成电路，进行了抗蚀剂剥离。

由此，得到了形成有基材上的一面为包含2种图案的导电层的图案c，而另一面为包含2种图案的导电层的图8所记载的图案e的电路配线的、实施例12的触摸面板用电路配线。

图8的灰色区域中所包含的配线部分成为第2层(ito配线)露出的状态。图8的虚线部虚拟地示出对准的框。除此以外的部分相当于外围配线部分，构成在第2层(ito配线)上层叠第1层(铜配线)而包含共用相同的电路图案的2层以上的导电层层叠体的结构。

[实施例13]

玻璃基材(corningincorporatedco.,ltd.制造的eaglexg)上，作为第2层导电层，将ito通过溅射以150nm的膜厚进行成膜，其上，作为第1层导电层，将铜通过溅射以200nm的膜厚进行成膜，并设为电路形成基板。

对其层压在实施例3中制作出的干膜抗蚀剂，之后，以与实施例1相同的方式得到铜和ito均被描绘成图案a的电路配线基板。

接着，对描绘成图案a的电路配线基板，以包覆图案a的导电焊盘部分3a和导电焊盘的连接部分3b(连接部)的方式形成了绝缘层5。图9及图10中示出所得到基板的剖面示意图及俯视示意图。

而且，在形成有该绝缘层5的基板上，作为第2电极层，将ito进行溅射，形成了与第一电极图案3、第一电极图案的焊盘部分3a、连接部分3b绝缘的、具有不同的图案的第2电极层。之后，在第2电极层上层压在施例3中制作出的干膜抗蚀剂，使用图7中所记载图案d的光掩模进行图案曝光，使用tmah水溶液2.38％进行显影及水洗，并使用ito蚀刻液(kantochemicalco.,inc.制造的ito-02)进行蚀刻，从而形成了图案d的第二电极图案4。如此得到了实施例13的触摸面板用电路配线。

关于所得到的实施例13的触摸面板用电路配线，图11及图12中示出第一电极图案的焊盘部分3a、连接部分3b及第二电极图案4的剖面示意图、俯视示意图。

[实施例14]

在100μm膜厚的pet基材上，作为第2层导电层，将mam(钼/铝/钼)层通过溅射以250nm的膜厚进行成膜，在其上，作为第1层导电层，将铜层通过真空蒸镀法以200nm的膜厚进行了成膜。而且，在第1层导电层(铜层)上，将氧化铜通过溅射以50nm的膜厚进行成膜，进行了使第1层导电层(铜层)的可见光线反射率降低的处理(黑化处理)。

在该电路形成基板上层压在实施例3中制作出的干膜抗蚀剂，形成了正型感光性材料。

对该正型感光性材料，使用具有沿一方向连接有导电焊盘的结构的设置有图4所示图案a的光掩模来进行图案曝光，使用tmah水溶液2.38％进来了显影、水洗。

接着，使用cu蚀刻液(kantochemicalco.,inc.制造的cu-02)对氧化铜层/第1层导电层(铜层)进行蚀刻之后，使用mam蚀刻液(磷酸/硝酸/乙酸混合水溶液)对mam层进行蚀刻，由此得到了氧化铜层和第1层导电层(铜层)和第2层导电层(mam层)均被描绘成图案a的基板。

之后，使用设置有图13所示图案f的开口部及遮光部的光掩模进行图案曝光，使用tmah水溶液2.38％进行显影及水洗之后，使用cu蚀刻液对氧化铜层/第1层导电层(铜层)进行了蚀刻。

图13中示出的图案f中，灰色部是遮光部，其它部分是开口部，虚线部虚拟地示出对准的框。

最后，将残留的正型感光性材料进行剥离，得到了被描绘成图6所示图案c的实施例14的触摸面板用电路配线。然而，与实施例1不同，实施例14的触摸面板用电路配线中包括在图6的灰色区域中的配线部分成为在第2层导电层(mam配线)上层叠有第1层导电层(cu)/cuo配线的状态。除此以外的部分相当于外围配线部分，成为仅通过第2层导电层(mam配线)而配线的状态。

[实施例15]

在玻璃环氧基材上，通过真空蒸镀法以10μm的膜厚形成铜层，之后，以5μm的膜厚形成金层，并设为电路形成基板。

对其层压通过实施例3而制作出的干膜抗蚀剂，使用设置有图案i的开口部和遮光部的光掩模进行图案曝光，使用tmah水溶液2.38％进行显影及水洗，从而得到图案i的遮光部形状的图案。图17中示出的图案i中，灰色部是遮光部，其它部分是开口部，虚线部虚拟地示出对准的框。

接着，使用金蚀刻液(kantochemicalco.,inc.制造的aurum-100)对第1层(金层)进行蚀刻之后，使用铜蚀刻液(kantochemicalco.,inc.制造的cu-02)对第2层(铜层)进行蚀刻，由此对未形成正型感光性材料区域的上述导电层的第1层至第2层进行蚀刻处理，得到了金和铜均被描绘成第1图案(图案i的遮光部形状)的电路。

接着，利用以对准的状态设置有图案j的开口部和遮光部的光掩模进行图案曝光，并使用tmah水溶液2.38％进行显影及水洗，从而得到第2图案(图案i的遮光部及图案j的遮光部重叠部分的图案)。在图18中示出的图案j中，灰色部是遮光部，其它部分是开口部，虚线部虚拟地示出对准的框。

之后，使用aurum-100仅对第1层(金层)进行蚀刻，由此蚀刻至未形成设为第2图案的正型感光性材料区域的上述导电层的第1层。通过如此进行蚀刻而得到仅包含2种图案的导电层的基板。详细而言，在所得到的导电层中，设为第2图案的正型感光性材料所形成区域的第1层(金层)和第2层(铜层)均被描绘成图案i(第1图案的遮光部区域形状的图案)，且未形成设为第2图案的正型感光性材料区域的第2层(铜层)被描绘成第2图案的遮光部区域的形状的图案。将所得到的电路配线设为实施例15的电路配线。图19中示出所形成的电路配线的剖面示意图。

如图19的剖面示意图所示，基材1上的一部分铜电路(铜层11)在电路上层叠有金层12，一部分成为只有铜电路(铜层11)的状态。由此，层叠有金的部分的电路可以抑制将焊料涂布于电路上时的腐蚀。根据情况，以不同种类的金属来进行修整，通过使用具有能够抑制涂布焊料时的腐蚀的基板，宇宙飞船等用途中的电路配线的制作变得容易(参考日本特开平11-312862号公报等)。

[比较例1]

在100μm膜厚的pet基材上，作为第2层导电层，将ito通过溅射以150nm的膜厚进行成膜，在其上，作为第1层导电层，将铜通过真空蒸镀法以200nm的膜厚进行成膜，并设为电路形成基板。

在电路形成基板的第1层导电层(铜层)上，层压以与实施例1相同的方式制作出的干膜抗蚀剂，形成了正型感光性材料。

将该正型感光性材料，使用设置有图案a的光掩模进行图案曝光，并使用tmah水溶液2.38％进行了显影和水洗。

接着，使用铜蚀刻液对第1层导电层(铜层)进行蚀刻之后，使用ito蚀刻液对第1层导电层(ito层)进行蚀刻而形成了图案a。

之后，将正型感光性材料全部进行了剥离。

接着，将以与实施例1相同的方式制作出的干膜抗蚀剂，再次层压于形成有图案a的电路形成基板上，并利用设置有图案b的光掩模来进行了曝光。

进行显影及水洗而得到图案之后，使用铜蚀刻液对第1层导电层(铜层)进行了蚀刻。

最后，再次将正型感光性材料抗蚀剂全部进行剥离，得到了比较例1的触摸面板用电路配线。

[比较例2]

在100μm膜厚的pet基材上，作为第1层导电层，将ito通过溅射以150nm的膜厚进行了成膜。

层压以与实施例1相同的方式制作出的干膜抗蚀剂，形成了正型感光性材料。

将该正型感光性材料，使用设置有图14所示图案g的光掩模来进行图案曝光，并使用tmah水溶液2.38％进行了显影和水洗。

接着，使用ito蚀刻液对第1层导电层(ito层)进行蚀刻而形成了图案g。在图14所示图案g中，实线部及灰色部是遮光部，其它部分是开口部，虚线部虚拟地示出对准的框。

接着，在形成有图案g的基板上，将第2层导电层(铜层)通过真空蒸镀法以150nm的膜厚进行了成膜。

之后，从成膜有第2层导电层的基板，将正型感光性材料全部进行了一次剥离。

将以与实施例1相同的方式制作出的干膜抗蚀剂，再次层压于成膜有第2层导电层的基板上，使用设置有图15所示图案h的光掩模进行了图案曝光。在图15所示图案h中，实线部是遮光部，其它部分是开口部，虚线部虚拟地示出对准的框。

在进行了显影和水洗之后，使用铜蚀刻液对第2层导电层(铜层)进行了蚀刻。最后，将抗蚀剂全部进行剥离，得到比较例2的触摸面板用电路配线。

[评价]

关于以上各实施例及比较例的电路配线的制造方法和所得到的各实施例及比较例的电路配线进行了评价。

可知本发明的电路配线的制造方法因能够以1次的抗蚀膜形成而形成包含多种图案的导电层的电路配线而制造效率优异，不需要多种图案的导电层的对位。而且，可知根据本发明的电路配线的制造方法的优选方式，也能够抑制电路配线产生断路。

各实施例中所得到的本发明的电路配线中，相当于图4的灰色部分的形状的第一电极图案的(导电)焊盘部分和另一导电性要件(外围配线部分)的接合部分、及另一导电性要件的外围配线部分也不会断路，电路配线良好。

虽然不受任何理论约束，但是可推断由于将(a)工序中所形成的正型感光性材料直接使用于(d)工序中第2次图案曝光中，因此即使图案微细，也不会受到由图案级差引起的影响，而正型感光性材料能够完全追随(即，无间隙地按照图案级差而形成有正型感光性材料)，这是形成良好的电路配线的一个原因。可认为正型感光性材料与电路配线之间的空隙的产生得到抑制，致使蚀刻液不易进入，而使欲残留的图案难以被蚀刻。

并且，可认为根据本发明的电路配线的制造方法，能够以高精度进行第一电极图案的(导电)焊盘部分的图案与另一导电性要件(外围配线部分)的图案的对位，尤其即使电路配线为触摸面板用细线图案，也难以引起位置的不匹配。

另一方面，在进行了2次抗蚀膜形成的比较例1的触摸面板用电路配线的制造方法中所得到的触摸面板用电路配线图案，与实施例1中制作出的乍一看像是相同的形状，但是在第一电极图案的(导电)焊盘部分与另一导电性要件(外围配线部分)的接合部分、以及在外围配线部分发现由断路引起的接触不良。可推定该原因在于在图案形成后再次层压了干膜抗蚀剂时，因图案微细而正型感光性材料(干膜抗蚀剂)未能完全追随图案级差。因此，认为因在正型感光性材料(干膜抗蚀剂)与电路配线之间产生空隙而蚀刻液进入，欲残留的图案的一部分被蚀刻而断路。

在进行了2次抗蚀膜形成的比较例2的触摸面板用电路配线的制造方法中所得到的触摸面板用电路配线图案的情况下，在第一电极图案的(导电)焊盘部分与另一导电性要件(外围配线部分)的接合部分发现了断路。可认为在比较例2的制造方法中，需要准确地进行第一电极图案的(导电)焊盘部分的图案与另一导电性要件(外围配线部分)的图案的对位，容易发生细线图案引起的位置的不匹配。

符号说明

1-基材，2-掩模层，3-第一电极图案，3a-焊盘部分，3b-连接部分，4-第二电极图案，5-绝缘层，6-另一导电性要件(外围配线部分和引出配线部分)，7-透明保护层，10-静电电容型输入装置，11-铜层，12-金层，20-正型感光性材料。