显示装置的制作方法

本申请要求于2015年10月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2015-0140574的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。本发明涉及一种显示装置。
背景技术：
：通常，为了提高对比度，在滤色器的彩色像素之间设置被称为黑矩阵的格型黑色图案。在已知的黑矩阵中，使用通过在整个玻璃基板上沉积作为颜料的铬(cr)并蚀刻玻璃基板来形成图案的方法，但是在工艺中需要高成本，并且存在铬高反射率的问题以及由于铬废液而引起的环境污染问题。由于这个原因，已经积极地进行了可精细加工的黑矩阵的研究，并且已经进行了用于制备作为除碳黑以外的着色颜料的黑色组合物的研究，但是除碳黑以外的所述着色颜料遮光性弱，使得所混合的着色颜料的量需要极大增加，并因此存在组合物的粘度增大的问题，使得难以处理着色颜料，或所形成的层的强度或对基板的粘附性显著降低。此外，随着显示装置的屏幕尺寸增加，亮度方面出现问题，从而采用更亮的背光。与已知的黑矩阵相比，由于背光的亮度增加，因此要求黑矩阵具有更高的遮光性。技术实现要素：技术问题本说明书涉及一种包括黑矩阵(blackmatrix)的显示装置，其能够有效地控制非像素区域中的眩光现象。技术方案本说明书的示例性实施例提供了一种显示装置，其包括：基板，包括像素区域和非像素区域；黑矩阵，设置在所述基板的所述非像素区域的至少一部分中；以及设置在所述基板的所述像素区域中的像素电极和与所述像素电极对应的公共电极，其中，通过多条栅极线和多条数据线来划分所述像素区域，所述多条栅极线和所述多条数据线设置在所述基板上同时彼此交叉，所述非像素区域包括包含薄膜晶体管以及所述栅极线和所述数据线的布线单元，并且所述黑矩阵满足以下公式1的0.004以上且0.22以下的值。[公式1]在公式1中，k表示所述黑矩阵的消光系数，t表示所述黑矩阵的厚度，λ表示光的波长。有益效果根据本说明书的显示装置，可以通过控制非像素区域中的布线单元的光反射率来实现具有高图像质量的显示器。附图说明图1示出了本说明书的一个像素区域的示例；图2示出了根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置的横截面；图3示出了根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置的横截面；图4示出了根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置的横截面；图5示出了根据本说明书的示例性实施例的有机发光显示装置的横截面；图6示出了根据本说明书的示例性实施例的有机发光显示装置的横截面；图7是表示实例1的光反射减少层中的n和k的值根据波长而变化的曲线图；图8是表示比较例1的moti层中的n和k的值根据波长而变化的曲线图；图9表示实例1和比较例1的反射率的比较；图10表示实例13的反射率；图11表示实例14的反射率；图12和13表示由实例15中制造的结构实现的反射率和光学常数的值。<附图标记>101a,101b：栅极线201,201a,201b：数据线301：薄膜晶体管310：栅极电极320：半导体层330：源极电极340：漏极电极401：基板510,520：滤色层550,560：有机材料层601：公共电极701：像素电极801：黑矩阵901：液晶取向层950：分隔壁1010,1020,1030,1040：绝缘层2000：非像素区域3000：像素区域具体实施方式在本说明书中，当描述特定部件位于另一部件“上”时，这包括在两个部件之间存在另一个部件的情况以及特定部件与另一部件接触的情况。在本说明书中，除非明确地相反描述，否则当描述特定部分“包括”特定构成元件时，这意味着可以进一步包括另一构成元件，而不排除另一构成元件。在下文中，将更详细地描述本说明书。在本说明书中，显示装置是泛指tv、计算机监测器等的术语，并且包括形成图像的显示装置和支撑该显示装置的壳体。为了获得黑矩阵的性能以及使黑矩阵被精细地图案化以防止光反射、非像素区域中的漏光现象等，本发明人反复进行研究，并因此开发了以下将说明的显示装置。具体地，本发明人发现，当黑矩阵满足下面的公式1时，黑矩阵表现出优异的光反射减少性能，而且当通过使用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物形成黑矩阵时，可以简化工艺并确保图案化的可靠性。本说明书的示例性实施例提供了一种显示装置，其包括：基板，包括像素区域和非像素区域；黑矩阵，设置在所述基板的所述非像素区域的至少一部分中；以及设置在所述基板的所述像素区域中的像素电极和与所述像素电极对应的公共电极，其中，通过多条栅极线和多条数据线来划分所述像素区域，所述多条栅极线和所述多条数据线在彼此交叉的同时设置在所述基板上，所述非像素区域包括包含薄膜晶体管以及所述栅极线和所述数据线的布线单元，并且所述黑矩阵满足以下公式1的0.004以上且0.22以下的值。[公式1]在公式1中，k表示所述黑矩阵的消光系数，t表示所述黑矩阵的厚度，λ表示光的波长。所述黑矩阵可以设置在显示装置的发光表面层上，并且可以用来防止光从设置在非像素区域中的包括薄膜晶体管以及栅极线和数据线的布线单元的线电极的表面反射。当外部光入射到黑矩阵中时，存在从黑矩阵的表面反射的第一反射光，并且存在穿过黑矩阵并从黑矩阵的下部中的布线单元反射的第二反射光。图1示出了本说明书的一个像素区域的示例。具体地，图1以斜线区域表示由设置在基板上的多条栅极线101a和101b以及多条数据线201a和201b划分的像素区域。此外，电连接到栅极线101b和数据线201a的薄膜晶体管301设置在像素区域内以控制每个像素区域的电信号。黑矩阵可以通过第一反射光和第二反射光之间的相消干涉来减少光反射率。本发明人发现，当在非像素区域中设置满足公式1的0.004以上且0.22以下的值的黑矩阵时，可以通过经相消干涉而显著降低由黑矩阵下的布线单元的引起的光反射率来实现显示器的高分辨率。特别地，第一反射光和第二反射光具有180°的相位差并因此相消干涉的条件由下面的公式2示出。[公式2]在公式2中，t表示黑矩阵的厚度，λ表示光的波长，n表示黑矩阵的折射率，并且n表示预定的奇数，例如1、3和5。通过下面的公式3可以获得在相消干涉条件下的第一反射率。[公式3]在公式3中，n表示黑矩阵的折射率，k表示黑矩阵的消光系数。此外，可以通过下面的公式4获得在相消干涉条件下的第二反射率。[公式4]在公式4中，rmetal表示在黑矩阵下的布线单元的布线电极的表面的反射率，r1表示黑矩阵的第一反射率，i0表示入射光的强度，n表示黑矩阵的折射率，k表示黑矩阵的消光系数，n表示预定的奇数，例如1、3和5。根据本说明书的示例性实施例，第一反射率与第二反射率之差的绝对值可以是0.13以上且0.42以下。根据本说明书的示例性实施例，λ可以是550nm。也就是说，光可以具有550nm的波长。根据本说明书的示例性实施例，显示装置可以进一步包括在与黑矩阵的下部接触的同时设置的金属层。黑矩阵的下部可以表示被视为屏幕的表面的相反表面。根据本说明书的示例性实施例，金属层可以包括选自由cu、al、mo、ti、ag、ni、mn、au、cr和co组成的组中的一种或两种或更多种金属。根据本说明书的示例性实施例，金属层的厚度可以为10nm以上且1μm以下。当外部光入射到黑矩阵中时，存在从黑矩阵的表面反射的第一反射光，并且存在穿过黑矩阵并从黑矩阵的下部中的金属层反射的第二反射光。金属层可以用来通过第一反射光和第二反射光之间的相消干涉来降低黑矩阵的表面上的光反射率。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵的厚度可以为10nm以上且100nm以下。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵的厚度可以为10nm以上且100nm以下。特别地，根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵的厚度可以为20nm以上且60nm以下。当黑矩阵的厚度小于10nm时，会出现不能充分控制在非像素区域中设置的布线单元的光反射率的问题。此外，当黑矩阵的厚度大于100nm时，会出现难以对黑矩阵进行图案化的问题。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵的消光系数k在波长为550nm的光下可以为0.1以上且2以下。特别地，根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵的消光系数k在波长为550nm的光下可以为0.4以上且2以下。当消光系数在上述范围内时，可以有效地控制设置在非像素区域中的布线单元的光反射率，由此进一步提高液晶显示装置的可见度。消光系数可以通过使用本领域公知的椭偏仪测量设备来测量。消光系数k也可以称为吸收系数，并且是定义目标材料吸收预定波长的光有多强的指标。因此，入射光穿过厚度为t的黑矩阵，并且根据消光系数k的大小被初次吸收，并且由黑矩阵的下部中的电极层反射的光再次穿过厚度为t的黑矩阵并被二次吸收，然后向外部反射。因此，黑矩阵的厚度和吸收系数的值成为影响整体反射率的重要因素。因此，根据本说明书的示例性实施例，通过公式1来表示在黑矩阵的吸收系数k和厚度t的预定范围内光反射可以减少的范围。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵的折射率n在波长为550nm的光下可以为2以上且3以下。在折射率为n且消光系数为k的黑矩阵的材料中发生第一反射，并且在这种情况下，决定第一反射的主要因素是折射率n和吸收系数k。因此，折射率n和吸收系数k彼此紧密相关，并且光反射减少层的效果可以在该范围内最大化。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵的表面中的光反射率可以是40％以下。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括选自由金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物组成的组中的一种或多种。具体地，根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括选自由金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物组成的组中的一种或多种作为主要材料。根据本说明书的示例性实施例，金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物可以是从选自由cu、al、mo、ti、ag、ni、mn、au、cr和co组成的组中的一种或两种或更多种金属衍生来的。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括选自由氧化铜、氮化铜和氮氧化铜组成的组中的材料。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括选自由氧化铝、氮化铝和氮氧化铝组成的组中的材料。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括铜-锰氧化物。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括铜-锰氮氧化物。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括铜-镍氧化物。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括铜-镍氮氧化物。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括钼-钛氧化物。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以包括钼-钛氮氧化物。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以形成为单层，并且还可以形成两层或更多层。黑矩阵可以为无彩色(achromaticcolor)，但其颜色不特别限于此。在这种情况下，无彩色系中的颜色是指不选择性地吸收入射到物体表面的光并且是相对于各组分的波长光被均匀地反射和吸收时出现的颜色。根据本说明书的示例性实施例，像素电极和公共电极可以包括选自由cu、al、mo、ti、ag、ni、mn、au、cr和co组成的组中的一种或两种或更多种金属。根据本说明书的示例性实施例，非像素区域可以包括包含栅极线和数据线的布线单元，并且非像素区域可以包括在布线单元和黑矩阵之间的绝缘层。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以设置为比布线单元更靠近基板。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以设置为比布线单元更远离基板。根据本说明书的示例性实施例，黑矩阵可以设置在基板的非像素区域上，并且布线单元的至少一部分可以设置在黑矩阵上。特别地，根据本说明书的示例性实施例，布线单元可以设置在黑矩阵上，并且可以通过基板观察到屏幕。图3至图6示出了该结构的示例。在这种情况下，优点在于，不需要在显示装置的边框区域(bezelarea)中额外形成遮盖部分。也就是说，黑矩阵可以用作边框区域的现有遮盖部分，因此可以根据边框区域的遮盖部分减少一个步骤。根据本说明书的示例性实施例，在每个像素区域的一侧包括连接到栅极线和数据线中的每一个的薄膜晶体管。根据本说明书的示例性实施例，薄膜晶体管包括从栅极线分支的栅极电极和设置在栅极电极上的半导体层，并且栅极电极和半导体层之间插设有绝缘层。此外，半导体层与源极电极和漏极电极连接，且半导体层与源极电极和漏极电极之间插设有欧姆接触层，并且源极电极与数据线连接。栅极线提供来自栅极驱动器的扫描信号，并且数据线提供来自数据驱动器的视频信号。根据本说明书的示例性实施例，显示装置可以是液晶显示装置，其在每个像素区域中包括滤色层，并且包括像素电极和公共电极，该像素电极和公共电极设置在与滤色层的平面的相同的平面上。图2示出根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置的横截面。具体地，由栅极电极310、半导体层320、源极电极330和漏极电极340形成的薄膜晶体管301设置在基板上，连接到栅极电极的像素区域由连接到栅极电极的栅极线(未示出)和数据线201划分，滤色层510和520设置在像素区域内，并且公共电极601和像素电极701并排设置在每个像素区域内的滤色层510和520上。此外，基板可以分成非像素区域2000和像素区域3000，黑矩阵801设置在非像素区域中，然后设置液晶取向层901。图2未示出设置在液晶取向层901上的液晶层。然而，除图2所示的结构以外，根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置可以应用各种结构。此外，与具有图2的结构的液晶显示装置不同，在具有相反结构的液晶显示装置的情况下，即在具有通过基板观察像素单元的屏幕的结构的液晶显示装置情况下，需要将黑矩阵设置为比布线单元更靠近基板。在这种情况下，在形成黑矩阵之后，形成薄膜晶体管等的工艺需要在高温条件下进行，使得难以使用有机材料作为黑矩阵。在这方面，根据本说明书的黑矩阵不使用有机材料，从而可以确保高温下的稳定性。图3示出了根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置的横截面。具体地，图3例示了根据本说明书的示例性实施例的具有相反结构的液晶显示装置的示例，并且黑矩阵的位置不同于图2的情况。也就是说，根据图3，在基板上形成黑矩阵801，在其上形成绝缘层1040，然后在绝缘层上设置由栅极电极310、半导体层320、源极电极330和漏极电极340形成的薄膜晶体管301，像素区域由连接到栅极电极的栅极线(未示出)和数据线201划分，在像素区域内设置滤色层510和520，在每个像素区域内的滤色层510和520上并排设置公共电极601和像素电极701，并且设置液晶取向层901。此外，基板可以被分成非像素区域2000和像素区域3000。然而，除图3所示的结构以外，根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置可以应用各种结构。此外，在图3的情况的结构中，可以排除在黑矩阵形成之后设置的绝缘层1040，并且也可以形成布线单元。图4中示出了该结构的一个示例。具体地，图4表示在图3的结构中在黑矩阵801上直接形成栅极电极301的情况。在具有图3和图4的相反结构的液晶显示装置中，具有如下优点：可以不设置在图2的结构中所必需的用于隐藏电极焊盘部分的遮盖部分。具体地，在具有图3所示结构的液晶显示装置中，可以通过黑矩阵阻挡布线单元的光反射，从而可以不添加在边框区域中的用于阻挡光反射的遮盖部分。在根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置中，像素电极和公共电极中的每一个都包括多条导线，并且像素区域内的像素电极和公共电极可以平行设置。具体地，像素电极和公共电极可以在每个像素区域内交替地设置。因此，可以通过在每个像素区域内形成水平电场来驱动液晶分子。在根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置中，公共电极接收作为用于驱动液晶的基准电压的公共电压，并且因此在供应像素电压信号的像素电极与供应公共电压的公共电极之间形成水平电场，使得在水平方向上排列的液晶分子通过介电各向异性而旋转。此外，通过像素区域的光的透光率根据液晶分子的旋转程度而变化，从而可以实现图像。在根据本说明书的示例性实施例的液晶显示装置中，像素电极和公共电极中的至少一个可以设置在滤色层的重叠部分上。滤色层的重叠部分可以指不同颜色的滤色器彼此接触的区域，并且可以指图2中的不同滤色层510和520彼此接触的区域。当像素电极或公共电极设置在滤色层的重叠部分上时，具有以下优点：当显示器被驱动时，可以防止颜色在滤色层的重叠部分中混合。设置在每个像素区域中的滤色层可以是红色滤色层、绿色滤色层或蓝色滤色层。此外，根据情况，可以在任何一个像素区域内设置白色滤色层。红色滤色层、绿色滤色层、蓝色滤色层和白色滤色层中的每一个可以形成一个单位像素，并且该一个单位像素可以通过穿过红色滤色层、绿色滤色层和蓝色滤色层并被发射的光的颜色来显示图像。根据本说明书的示例性实施例的显示装置可以是有机发光显示装置，其在每个像素区域上包括有机材料层，该有机材料层设置在像素电极和公共电极之间。图5示出了根据本说明书的示例性实施例的有机发光显示装置的横截面。具体地，在基板401上设置由栅极电极310、半导体层320、源极电极330和漏极电极340形成的薄膜晶体管301，像素区域由连接到栅极电极310的栅极线(未示出)和数据线201划分，并且在像素区域内设置有机发光装置，每一个有机发光装置包括像素电极701、有机材料层550和560以及公共电极601，并且各个有机发光装置通过分隔壁901彼此间隔开。此外，栅极电极310和半导体层320可以通过绝缘层1010绝缘。绝缘层1010可以是栅极绝缘层。此外，基板可以被分成非像素区域2000和像素区域3000，黑矩阵801被设置在非像素区域中，形成绝缘层1030，然后形成薄膜晶体管。然而，除图5所示的结构以外，根据本说明书的示例性实施例的有机发光显示装置可以应用各种结构。此外，在图5的情况的结构中，可以排除在形成黑矩阵之后设置的绝缘层1030，并且也可以形成布线单元。图6中示出了该结构的一个示例。具体地，图6表示栅极电极301直接形成在图5的结构中的黑矩阵801上的情况。在根据本公开的示例性实施例的有机发光显示装置中，像素电极可以是透明电极。在根据本公开的示例性实施例的有机发光显示装置中，有机材料层可以包括一个或多个发光层，并且还可以包括选自由空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电荷产生层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中的一种或两种或更多种。电荷产生层是指当施加电压时产生空穴和电子的层。在根据本公开的示例性实施例的有机发光显示装置中，像素电极可以是阳极，公共电极可以是阴极。此外，像素电极可以是阴极，公共电极可以是阳极。具有高逸出功(workfunction)以便于将空穴注入有机材料层的材料通常可以是阳极的材料。可用于本发明的阳极材料的具体示例包括：金属，如钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物，如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)；金属和氧化物的组合，如zno:al或sno2:sb；以及导电聚合物，如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2-二氧基)噻吩](pedt)、聚吡咯和聚苯胺，但是阳极材料不限于此。阳极的材料不仅限于阳极，而可以用作阴极的材料。具有低逸出功以便于将电子注入有机材料层的材料通常可以是阴极的材料。阴极材料的具体示例包括：金属，如镁，钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；多层结构材料，如lif/al或lio2/al，但阴极材料不限于此。阴极的材料不仅限于阴极，而可以用作阳极的材料。下述材料适合作为根据本说明书的空穴传输层的材料：该材料能够从阳极或空穴注入层接收空穴并将所接收的空穴转移到发光层，并且该材料具有高空穴迁移率。空穴传输层的材料的具体示例包括芳基胺类有机材料、导电聚合物、同时具有共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但空穴传输层的材料不限于此。下述材料可以为根据本说明书的发光层的材料：该材料能够通过从空穴传输层和电子传输层分别接收空穴和电子并组合所接收的空穴和电子而发射可见光区域的光，并且该材料具有用于荧光和磷光的高量子效率。发光层的材料的具体示例包括8-羟基-喹啉铝络合物(alq3)、咔唑类化合物、二聚苯乙烯基化合物、balq、10-羟基苯并喹啉-金属化合物、苯并恶唑类化合物、苯并噻唑类化合物、苯并咪唑类化合物、聚对苯撑乙炔(ppv)类聚合物(poly(p-phenylenevinylene(ppv)-basedpolymer)、螺环化合物、聚芴、红荧烯等，但发光层的材料不限于此。下述材料适合作为电子传输层的材料：该材料能够接收从阴极注入的电子并将注入的电子传输到发光层，并且该材料具有高电子迁移率。电子传输层的材料的具体示例包括8-羟基喹啉铝络合物、包含alq3的复合物、有机基团化合物(organicradicalcompound)、羟基黄酮金属络合物等，但不限于此。实施例在下文中，将参照实例详细描述本发明。然而，阐述下列实例以说明本发明，但并不旨在限制本发明的范围。<实例1>通过使用moti(50:50at％)合金靶的溅射法在玻璃基板上形成厚度为30nm的moti层，并且通过使用moti(50:50at％)靶的反应溅射法在所述moti层上形成厚度为40nm的moti氮氧化物层。沉积的层的反射率为9.4％。为了获得光吸收系数k的值，通过相同的方法在玻璃基板上形成moti氮氧化物单层。然后，使用椭偏仪测量折射率和光吸收系数。在图7中示出了在380nm至1000nm的波长下的n和k的值，550nm波长下的光吸收系数值为0.43。计算出公式1的值为0.031。<实例2至12>在实例2至12的情况下，通过macleod程序进行光学模拟。将实例1的光学常数值代入程序，得到具有不同厚度的moti氮氧化物层的反射率的值，其值如下表1所示。[表1]moti氮氧化物层的厚度(nm)公式1的值反射率(％)实例25.50.004352实例3100.007846实例4150.011739实例5200.015631实例6250.019523实例7300.023518实例8350.027414实例9600.046917实例10700.054723实例11800.062527实例121000.07831<比较例1>通过使用moti(50:50at％)合金靶的溅射法在玻璃基板上形成厚度为30nm的moti层。沉积的层的反射率为52％。为了获得光吸收系数k的值，通过相同的方法在玻璃基板上形成moti单层。然后，使用椭偏仪测量折射率和光吸收系数。在图8中示出了在380nm至1000nm的波长下的n和k的值。550nm波长下的光吸收系数值为3.18。计算出公式1的值为0.23。图9示出了表示实例1和比较例1的反射率的对比的曲线图。<比较例2>除了moti氮氧化物层的厚度为4nm以外，以与实例1相同的方式执行所述方法。计算出公式1的值为0.003。反射率为53％。<实例13>通过使用cu单靶的直流电源溅射(dc溅射)法在玻璃基板上形成厚度为60nm的cu层来作为导电层，并且通过使用moti(50:50at％)合金靶的反应dc溅射法形成厚度为35nm且包含motianxoy(0<a≤2,0<x≤3,0<y≤2)的光反射减少层。通过使用solidspec3700(uv-vis分光光度计，shimadzuinc.)测量根据波长而变化的总反射率，并且测量结果在图10中示出。光反射减少层的公式1的值为0.059。<实例14>通过使用cu单靶的直流电源溅射(dc溅射)法在玻璃基板上形成厚度为60nm的cu层来作为第一导电层，通过使用moti(50:50at％)合金靶的直流电源溅射(dc溅射)法形成厚度为20nm的moti层来作为第二导电层，并且通过使相同的靶的反应dc溅射法形成厚度为35nm且包含motianxoy(0<a≤2,0<x≤3,0<y≤2)的光反射减少层。通过使用solidspec3700(uv-vis分光光度计，shimadzuinc.)测量根据波长而变化的总反射率，并且测量结果在图11中示出。光反射减少层的公式1的值为0.059。<实例15>以与实例1相同的方式执行所述方法，不同之处在于：通过使用沉积有al的al层代替moti层并使用铝氮氧化物(k＝1.24)代替moti氮氧化物来形成厚度为87nm的光反射减少层。在这种情况下，公式1的值为0.2，反射率约为28％。图12和13表示用本结构实现的反射率和光学常数值。通过实例和比较例的实验结果，可以看出，本申请的权利要求中描述的结构表现出光反射减少层的优异效果。当前第1页12