一种阵列基板、显示面板和显示装置的制作方法

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术：

液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)，是属于平面显示器的一种。随着科技的发展，LCD目前科技信息产品也朝着轻、薄、短、小的目标发展，无论是直角显示、低耗电量、体积小、还是零辐射等优点，都能让使用者享受最佳的视觉环境。

具有触控功能的显示器是基于功能丰富化的技术产生的，比较常见的触控技术有In-cell触控技术和On-cell触控技术。其中，In-cell触控技术是指将触摸结构集成到显示面板中的阵列基板或者对向基板上的技术，On-cell触控技术是指将触摸结构功能嵌入到彩膜基板和偏光板之间的方法。嵌入式触控显示技术(Touch Embed Display，TED)与LCD中的In-cell触控技术类似，也是将触摸结构集成到显示面板中的阵列基板或者对向基板上的技术。

现有高清TED显示中，由于空间受限制，连接触控走线与触控电极的跨桥与像素单元之间的距离很小，制备过程中需要使用高精度曝光设备，工艺要求较高，且会影响产能。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有TED显示设备制备过程中工艺要求较高的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板；

形成在所述衬底基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元，所述像素单元中设置有与所述数据线电连接的像素电极；

多个触控电极、多条触控走线以及跨桥结构；

所述触控走线通过所述跨桥结构与对应的一个所述触控电极电连接；至少一个像素电极交叉处设置有所述跨桥结构，且所述跨桥结构与所述像素电极同层设置；所述像素电极交叉处是指相邻两行所述像素电极以及相邻两列所述像素电极的交叉处；其中，与所述跨桥结构相邻的所述像素电极为第一类像素电极；未与所述跨桥结构相邻的所述像素电极为第二类像素电极；

沿所述数据线延伸方向，所述像素电极包括两个端电极，以及位于所述两个端电极之间且连接所述两个端电极的支电极；沿所述扫描线延伸方向，相邻两个所述第一类像素电极的所述端电极之间的距离大于相邻所述第一类像素电极与第二类像素电极的所述端电极之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个所述第二类像素电极的所述端电极之间的距离。

其中，所述扫描线延伸方向为行方向，所述数据线延伸方向为列方向。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对设置的对向基板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。

本发明实施例提供的阵列基板、显示面板和显示装置，触控走线通过跨桥结构与对应的一个触控电极电连接，其中，与跨桥结构相邻的像素电极为第一类像素电极，未与跨桥结构电连接的像素电极为第二类像素电极，沿数据线延伸方向，像素电极包括两个端电极，以及位于两个端电极之间且连接两个端电极的支电极；沿扫描线延伸方向，相邻两个第一类像素电极的所述端电极之间的距离大于相邻第一类像素电极与第二类像素电极的端电极之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个第二类像素电极的端电极之间的距离。跨桥结构和与之相邻的第一类像素电极之间的端电极保持较大的距离，可以保证阵列基板的制备过程工艺要求简单，提升制备效率以及产品良率，同时降低生产成本；并且，设置跨桥结构和与之相邻的第一类像素电极的端电极之间有较大的距离，还可以降低跨桥结构与像素电极之间的短路风险，保证阵列基板正常使用。

附图说明

为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图3是图1中阵列基板沿剖面线A-A’的剖面结构示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。

图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图，请参见图1，所述阵列基板包括：

衬底基板10；

形成在衬底基板10上的多条扫描线110和多条数据线120，多条扫描线110和多条数据线120绝缘交叉限定多个像素单元130，像素单元130中设置有与数据线120电连接的像素电极131；

多个触控走线140、触控电极150及跨桥结构160；

触控走线140通过跨桥结构160与对应的一个触控电极150电连接；至少一个像素电极交叉处设置有跨桥结构160，且跨桥结构160与像素电极131同层设置；所述像素电极交叉处是指相邻两行像素电极131以及相邻两列像素电极131的交叉处；其中，与跨桥结构160相邻的像素电极131为第一类像素电极1311；未与跨桥结构160相邻的像素电极131为第二类像素电极1312；

沿数据线120延伸方向，像素电极131包括两个端电极，第一端电极D1和第二端电极D2，以为位于第一端电极D1和第二端电极D2之间且连接第一端电极D1和第二端电极D2的支电极D3；沿扫描线110延伸方向，相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离大于相邻第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的端电极之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离。

示例性的，在TED产品设计中，一块触控电极150可以对应若干行以及若干列像素单元130，图1仅以一块触控电极150对应两行和六列像素单元130的情况进行说明。一块触控电极150可以至少对应一条触控走线140，通过至少一个跨桥结构160实现触控走线140与触控电极150之间的电连接，可选的，为了实现触控电极150不同位置处的电压信号稳定，一块触控电极150还可以与多条触控走线140对应设置，并通过多个跨桥结构160实现触控走线140与多个触控电极150位置的电连接，图1仅以一块触控电极150对应一条触控走线140，通过一个跨桥结构160实现触控走线140与触控电极150的电连接为例进行说明。其中，跨桥结构160设置于第一行的像素电极131与第二行像素电极131以及第三列像素电极131与第四列像素电极131之间的像素电极交叉处，这里，扫描线110的延伸方向可以理解为行方向，数据线120的延伸方向可以理解为列方向。

具体的，相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离包括相邻两个第一类像素电极1311的第一端电极之间D1的距离L1和相邻两个第一类像素电极1311的第二端电极D2之间的距离L1’；相邻第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的端电极之间的距离包括相邻第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的第一端电极D1之间的距离L2和相邻第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的第二端电极D2之间的距离L2’；相邻两个第二类像素电极1312之间的距离包括相邻两个第二类像素电极1312的第一端电极D1之间的距离L3和相邻两个第二类像素电极1312的第二端电极D2之间的距离L3’。如图1所示，与跨桥结构160相邻的像素电极131为第一类像素电极1311，未与跨桥结构160相邻的像素电极为第二类像素电极1312，沿扫描线110延伸方向，相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离大于相邻第一类像素电极1311与第二类像素电极1312之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个第二类像素电极1312之间的距离，可以理解为相邻两个第一类像素电极1311的第一端电极D1之间的距离L1大于相邻第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的第一端电极D1之间的距离L2，以及，大于或者等于相邻两个第二类像素电极1312的第一端电极D1之间的距离L3；相邻两个第一类像素电极1311的第二端电极D2之间的距离L1’大于相邻第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的第二端电极D2之间的距离L2’，以及，大于或者等于相邻两个第二类像素电极1312的第二端电极D2之间的距离L3’。

需要说明的是，图1仅示出了相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离大于相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离的情况，图2是本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图，图2示出了相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离等于部分相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离的情况，图2仅以四行、两列像素单元130进行说明。如图2所示，同一块触控电极150对应的多个像素单元中，沿扫描线110延伸方向，相邻两个第一类像素电极1311的第一端电极D1之间的距离L1等于相邻两个第二类像素电极1312的第一端电极D1之间的距离L3，相邻两个第一类像素电极1311的第二端电极D2之间的距离L1’等于相邻两个第二类像素电极1312的第二端电极D2之间的距离L3’。如图2所示，相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离等于相邻两个第二类像素电极1312之间的距离的情况出现在相邻两个第一类像素电极1311与相邻两个第二类像素电极1312所在列相同的情况，即同一触控电极150对应的多个像素单元中，沿扫描线110延伸方向，与相邻两个第一类像素电极1311同列的相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离等于该相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离。

需要说明的是，之所以设置与相邻两个第一类像素电极1311同列的相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离等于该相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离，可以理解为在阵列基板的制备过程中，一块触控电极150可以通过多个跨桥结构160与同一条触控走线140电连接，且多个跨桥结构160可以设置在不同的两行但是相同两列的像素电极131交叉处，因此为了提升制备效率，即使某个像素电极131的交叉处之间不设置跨桥结构160，但是为了保证较高的制备效率以及显示面板的发光效率，同样设置不包含跨桥结构160的像素电极131交叉处对应的第二类像素电极1312的端电极之间的距离较大，即设置与相邻两个第一类像素电极1311同列的相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离等于该相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离。

综上，设置相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离大于相邻第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的端电极之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个第二类像素电极1312的所述端电极之间的距离，可以保证跨桥结构160与第一类像素单元1311的端电极之间的距离较大，可以保证在阵列基板制备过程中，不需要使用较高精度的设备即可实现不同膜层的制备，同时可以降低跨桥结构160与第一类像素电极1311的端电极之间的短路风险，保证阵列基板正常工作。

可选的，跨桥结构160与第一类像素电极1311的端电极之间的最小距离大于或等于2.3μm，小于或等于2.5μm，保证跨桥结构160与像素电极131制备过程中，不需要使用高精度的曝光设备，直接使用普通低精度曝光设备即可完成跨桥结构160与第一类像素电极131的端电极之间间隙的制备，降低高精度曝光设备的采购成本，进而降低阵列基板的生产成本。

可选的，继续参考图1，沿扫描线110延伸方向，相邻的第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的端电极之间的距离小于相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离。

可选的，沿扫描线110延伸方向，相邻的第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的端电极之间的距离还可以等于相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离。需要说明的是本发明实施例中，只需沿扫描线110延伸方向，相邻两个第一类像素电极1311的端电极之间的距离大于相邻第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的端电极之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离，对于第一类像素电极1311与第二类像素电极1312的端电极之间的距离和相邻两个第二类像素电极1312的端电极之间的距离的大小关系，这里不进行限定。

可选的，继续参考图1，沿扫描线110延伸方向，任意相邻的像素电极131的支电极D3之间的距离相等。如图1所示，保持任意相邻的像素电极131的支电极D3之间的距离相等，可以保证显示面板的开口率保持不变。

可选的，如图3所示，图3为图1中阵列基板沿剖面线A-A’的剖面结构示意图，参考图1和图3，跨桥结构160通过第一跨孔M1与触控走线140电连接，通过第二跨孔M2与触控电极150电连接，当跨桥结构160与第一类像素电极1311的端电极之间保持较大的距离时，可以降低跨桥结构160与第一跨孔M1和第二跨孔M2的对位精度要求。可选的，跨桥结构160与第一跨孔M1和第二跨孔M2的对位管控可以为±0.8μm，即跨桥结构160相对于第一跨孔M1或者第二跨孔M2的中心位置可以偏移0.8μm，降低制备过程中的工艺精度，降低制备难度，提升制备效率，同时提升产品良率。

可选的，在阵列基板制备过程中，不同的膜层结构均需要经过一系列的曝光和刻蚀过程制备得到，在刻蚀过程中均会对不同器件造成一定程度的键尺寸损失(Critical Dimension Loss，CD Loss)，当跨桥结构160与第一类像素电极1311的端电极之间距离较小时，跨桥结构160本身的尺寸也会比较小，在刻蚀过程中对CD Loss的要求比较严格，制备工艺要求较高。当跨桥结构160与第一类像素电极1311的端电极之间保持较大的距离时，可以放宽对第一跨孔M1和第二跨孔M2的CD Loss的要求，可选的，第一跨孔M1和第二跨孔M2的CD Loss可以放宽至0.8μm，同样可以降低制备过程中的工艺精度，降低制备难度，提升制备效率，同时提升产品良率。

可选的，图4是本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图，如图4所示，像素单元130还可以包括薄膜晶体管132，薄膜晶体管132的源极1321与数据线120电连接，薄膜晶体管132的漏极1322与像素电极131的第一端电极D1电连接，源极1321位于两列像素电极131的支电极D3之间。如图4所示，源极1321位于两列像素电极131的支电极D3之间，不再与漏极1322位于同一水平方向上，即源极1321与漏极1322之间的连线不平行于扫描线110。设置源极1321位于两列像素电极131的支电极D3之间，可以保证源极1321与漏极1322之间保持较大的距离，避免源极1321与漏极1322之间因为距离较短而造成短路，保证阵列基板的正常工作。

可选的，继续参考图3，图3为图1中阵列基板沿剖面线A-A’的剖面结构示意图。触控走线140位于薄膜晶体管132远离衬底基板10的一侧，且薄膜晶体管132与控制走线140之间设置有平坦化层170；触控走线140远离平坦化层170的一侧设置有第一绝缘层180；第一绝缘层180远离平坦化层170的一侧设置有触控电极150；触控电极150远离第一绝缘层180的一层设置有第二绝缘层190；第二绝缘层190远离触控电极150的一侧设置有像素电极131以及所述跨桥结构160；第一过孔M1贯穿第一绝缘层180和第二绝缘190层，并露出触控走线140；第二过孔M2贯穿第二绝缘层190，并露出触控电极150；跨桥结构160填充第一过孔MI以及所述第二过孔M2，将触控走线140与对应的触控电极150电连接；第三过孔M3贯穿第一绝缘层180、第二绝缘层190以及平坦化层170，并露出薄膜晶体管132的漏极1322，像素电极131的一个所述端电极通过第三过孔M3与薄膜晶体管132的漏极1322电连接。

可选的，触控电极150可以复用为公共电极，在显示面板的显示过程中作为公共电极，与像素电极131配合，用于驱动液晶的偏转；在触控过程中作为触控电极，接收触控走线140提供的触控信号，实现触控功能。可选的，将触控电极140复用为公共电极，可以减少膜层的制备，提升制备效率，同时降低显示面板的厚度，提供一种更为轻薄的显示面板。

综上，本发明实施例提供的阵列基板，触控走线通过跨桥结构与对应的一个触控电极电连接，跨桥结构设置在至少一个像素电极交叉处，并且，与跨桥结构相邻的像素电极为第一类像素电极，未与跨桥结构电连接的像素电极为第二类像素电极，沿数据线延伸方向，像素电极包括两个端电极，以及位于两个端电极之间且连接两个端电极的支电极；沿扫描线延伸方向，相邻两个第一类像素电极的所述端电极之间的距离大于相邻第一类像素电极与第二类像素电极的端电极之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个第二类像素电极的端电极之间的距离。跨桥结构和与之相邻的第一类像素电极之间的端电极保持较大的距离，可以保证阵列基板的制备过程工艺要求简单，提升制备效率以及产品良率，同时降低生产成本；并且，设置跨桥结构和与之相邻的第一类像素电极的端电极之间有较大的距离，保证显示面板开口率的同时还可以降低跨桥结构与像素电极之间的短路风险，保证阵列基板正常使用。

图5是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，参考图5，本发明实施例提供的显示面板包括上述实施例所述的阵列基板1以及与阵列基板1相对设置的对向基板2，对向基板2可以为彩膜基板，还可以为盖板或者其他封装层。

图6是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，参考图6，显示装置100可以包括本发明任意实施例所述的显示面板101。显示装置100可以为图6所示的手机，也可以为电脑、电视机、智能穿戴显示装置等，本发明实施例对此不作特殊限定。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。