1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
形成在所述衬底基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元，所述像素单元中设置有与所述数据线电连接的像素电极；
多个触控电极、多条触控走线以及跨桥结构；
所述触控走线通过所述跨桥结构与对应的一个所述触控电极电连接；至少一个像素电极交叉处设置有所述跨桥结构，且所述跨桥结构与所述像素电极同层设置；所述像素电极交叉处是指相邻两行所述像素电极以及相邻两列所述像素电极的交叉处；其中，与所述跨桥结构相邻的所述像素电极为第一类像素电极；未与所述跨桥结构相邻的所述像素电极为第二类像素电极；
沿所述数据线延伸方向，所述像素电极包括两个端电极，以及位于所述两个端电极之间且连接所述两个端电极的支电极；沿所述扫描线延伸方向，相邻两个所述第一类像素电极的所述端电极之间的距离大于相邻所述第一类像素电极与第二类像素电极的所述端电极之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个所述第二类像素电极的所述端电极之间的距离；
其中，所述扫描线延伸方向为行方向，所述数据线延伸方向为列方向。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，同一触控电极对应的多个像素单元中，沿所述扫描线延伸方向，与相邻两个所述第一类像素电极同列的相邻两个所述第二类像素电极的所述端电极之间的距离等于该所述相邻两个所述第一类像素电极的所述端电极之间的距离。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述扫描线延伸方向，相邻所述第一类像素电极与第二类像素电极的所述端电极之间的距离小于相邻两个所述第二类像素电极的所述端电极之间的距离。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述扫描线延伸方向，相邻所述第一类像素电极与第二类像素电极的所述端电极之间的距离等于相邻两个所述第二类像素电极的所述端电极之间的距离。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括两个所述端电极分别为第一端电极和第二端电极；沿所述扫描线延伸方向，相邻两个所述第一类像素电极的所述第一端电极之间的距离大于相邻所述第一类像素电极与第二类像素电极的所述第一端电极之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个所述第二类像素电极的所述第一端电极之间的距离；沿所述扫描线延伸方向，相邻两个所述第一类像素电极的所述第二端电极之间的距离大于相邻所述第一类像素电极与第二类像素电极的所述第二端电极之间的距离，以及，大于或者等于相邻两个所述第二类像素电极的所述第二端电极之间的距离。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述扫描线延伸方向，任意相邻所述像素电极的所述支电极之间的距离均相等。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极的所述第一端电极电连接；所述源极位于所述相邻两列所述像素单元的所述支电极之间。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，
所述触控走线位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧，且所述薄膜晶体管与所述触控走线之间设置有平坦化层；
所述触控走线远离所述平坦化层的一侧设置有第一绝缘层；
所述第一绝缘层远离所述触控走线的一侧设置有所述触控电极；
所述触控电极远离所述第一绝缘层的一层设置有第二绝缘层；
所述第二绝缘层远离所述触控电极的一侧设置有所述像素电极以及所述跨桥结构；
第一过孔贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，并露出所述触控走线；第二过孔贯穿所述第二绝缘层，并露出所述触控电极；所述跨桥结构填充所述第一过孔以及所述第二过孔，将所述触控走线与对应的所述触控电极电连接；第三过孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述平坦化层，并露出所述薄膜晶体管的漏极，所述像素电极的所述第一端电极通过所述第三过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述跨桥结构与所述第一类像素电极的所述端电极之间的最小距离大于或等于2.3μm，小于或等于2.5μm。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极复用为公共电极。
11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对设置的对向基板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的显示面板。