显示面板的阵列基板及显示装置的制作方法

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种显示面板的阵列基板及显示装置。

背景技术：

随着显示技术的发展，液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的最常用扭曲向列型(tn)液晶显示面板，给其通电后，液晶分子在电场的作用下发生扭曲，即通过控制液晶分子的排列控制光的通过。向列型(tn)液晶显示面板包括彩膜基板、阵列基板、夹于彩膜基板与阵列基板之间的液晶盒。彩膜基板上设有透明公共电极，阵列基板上设有像素电极，透明公共电极与像素电极之间产生驱使液晶分子扭曲的电场。

具体地，阵列基板包括基板和设置在基板上的栅极、金属公共电极、像素电极，栅极和金属公共电通过同一道光照制程形成在基板上，像素电极设置于栅极和金属公共电极的上方，且像素电极与栅极之间形成第一存储电容，像素电极与金属公共电极之间形成第二存储电容。由于栅极与像素电极之间形成第一存储电容，因此栅极走线的宽度较大，栅极不透光，造成像素开口率降低。而且，金属公共电极不透光，同样会降低像素开口率。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供了一种显示面板的阵列基板，省去了利用金属制作公共电极的电极走线，有利于提高开口率，节省功耗。

本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。

一种显示面板的阵列基板，包括基板和设置在基板上的栅极、有源层、源极、漏极以及与漏极连接的像素电极，阵列基板还包括透明电极，透明电极设置于像素电极的下方，且透明电极与像素电极之间形成存储电容。

在本发明的较佳实施例中，上述阵列基板还包括栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层，栅极绝缘层设置在基板上，并覆盖栅极，有源层设置在栅极绝缘层上，源极和漏极设置在有源层上，第一绝缘层设置在栅极绝缘层、有源层、源极和漏极上，透明电极设置在第一绝缘层上，第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并覆盖透明电极，像素电极设置在第二绝缘层上。

在本发明的较佳实施例中，上述第一绝缘层和第二绝缘层上设有露出漏极的通孔，像素电极穿过通孔并与漏极连接。

在本发明的较佳实施例中，上述阵列基板还包括数据电极，数据电极设置在栅极绝缘层上，并位于透明电极的下方。

在本发明的较佳实施例中，上述像素电极部分覆盖栅极和数据电极。

在本发明的较佳实施例中，上述透明电极为连续的面状结构。

在本发明的较佳实施例中，上述透明电极包括开孔区和非开孔区，开孔区内设置有多个贯穿透明电极的开口。

在本发明的较佳实施例中，上述透明电极由氧化铟锡制成。

本发明的目的在于，提供了一种显示装置，省去了利用金属制作公共电极的电极走线，有利于提高开口率，节省功耗。

一种显示装置，包括上述的显示面板的阵列基板。

在本发明的较佳实施例中，上述显示装置还包括彩膜基板和液晶盒，该液晶盒设置于该彩膜基板与该阵列基板之间，该彩膜基板上设有公共电极。

本发明的显示面板的阵列基板包括基板和设置在基板上的栅极、有源层、源极、漏极以及与漏极连接的像素电极，阵列基板还包括透明电极，透明电极设置于像素电极的下方，且透明电极与像素电极之间形成存储电容。本发明的阵列基板的像素电极与透明电极之间形成存储电容，替换了现有像素电极与不透明金属公共电极形成的存储电容，在aa区内可以部分省去利用金属制作公共电极的电极走线，有利于提高开口率，节省功耗。而且，本发明的阵列基板的像素电极与透明电极之间形成存储电容替换了现有像素电极与不透明金属栅极形成的存储电容，可减小栅极走线在像素区域的宽度，有利于提高开口率，节省功耗。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明。

附图说明

图1是本发明第一实施例的显示装置的结构示意图。

图2是本发明第二实施例的显示装置的结构示意图。

图3是本发明第二实施例的透明电极的平面结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的显示面板的阵列基板和显示装置的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下:

有关本发明的前述及其它技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。

图1是本发明第一实施例的显示装置的结构示意图。如图1所示，本发明的显示装置10的液晶显示模式为扭曲项列型(twistednematic；tn)显示模式。在本实施例中，显示装置10包括彩膜基板12、液晶盒14和阵列基板16，液晶盒14设置于彩膜基板12与阵列基板16之间。

彩膜基板12包括玻璃板122、黑矩阵123、色阻层124和公共电极125，黑矩阵123和色阻层124设置在玻璃板122上，公共电极125设置在黑矩阵123和色阻层124上。在本实施例中，公共电极125由氧化铟锡(ito)材料制成。

液晶盒14内具有向列型(nematic)液晶。在本实施例中，液晶盒14的两侧设置有90°的扭曲(twisted)配向结构。

阵列基板16包括基板17以及依次设置在基板17上的栅极161、栅极绝缘层163、数据电极162、有源层164、源极165a、漏极165b、第一绝缘层166、透明电极167、第二绝缘层168和像素电极169。在本实施例中，阵列基板16为显示面板的阵列基板。

具体地，基板17由透明的玻璃制成。

栅极161设置在基板17上。在本实施例中，栅极161的材料为钼(mo)、钛(ti)、铝(al)、铜(cu)中的一种或多种的堆栈组合。

栅极绝缘层163设置在基板17上，并覆盖栅极161。在本实施例中，栅极绝缘层163例如由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或符合材料制成。

数据电极162设置在栅极绝缘层163上。在本实施例中，数据电极162的材料为钼(mo)、钛(ti)、铝(al)、铜(cu)中的一种或多种的堆栈组合。

有源层164设置在栅极绝缘层163上，并位于栅极161的上方。在本实施例中，有源层164由铟镓锌氧化物(igzo)或者其它半导体材料制成。

源极165a与漏极165b相互间隔设置，源极165a和漏极165b的一部分设置在栅极绝缘层163上，源极165a和漏极165b的另一部分设置在有源层164上。在本实施例中，源极165a和漏极165b由钼(mo)、钛(ti)、铝(al)、铜(cu)中的一种或多种的堆栈组合，其中源极165a和漏极165b的材料优选为铜。

第一绝缘层166设置在栅极绝缘层163、有源层164、源极165a和漏极165b上。

透明电极167设置在第一绝缘层166上，透明电极167位于数据电极162的上方。在本实施例中，透明电极167由氧化铟锡(ito)制成。

第二绝缘层168设置在第一绝缘层166上，并覆盖透明电极167。

像素电极169设置在第二绝缘层168上，且像素电极169部分覆盖栅极161和数据电极162。第一绝缘层166和第二绝缘层168上设有露出漏极165b的通孔，像素电极169穿过通孔并与漏极165b连接。像素电极169设置于透明电极167的上方，且透明电极167与像素电极169之间形成存储电容。本发明的显示装置10通过阵列基板16的像素电极169与彩膜基板12的公共电极125之间产生驱使液晶分子扭转的电场。在本实施例中，像素电极169由氧化铟锡(ito)制成。

本发明的阵列基板16的像素电极169下方专门制作了一层透明电极167，使像素电极169与透明电极167之间形成存储电容，替换了现有像素电极与不透明金属公共电极形成的存储电容，省去了利用金属制作公共电极的电极走线，有利于提高开口率，节省功耗。而且，像素电极169与透明电极167之间形成存储电容替换了现有像素电极与不透明金属栅极形成的存储电容，可减小栅极走线在像素区域的宽度，有利于提高开口率，节省功耗。此外，透明电极167可以对部分数据线电极162走线和栅极161走线进行了屏蔽，像素电极169可部分覆盖在数据电极162走线和栅极161走线上，很大程度增加了像素电极169对液晶的有效控制范围。在本实施例中，透明电极167为连续的面状结构，即透明电极167上没有设置槽或开口，可通过增加第一绝缘层166的厚度，进而调整像素电极169与透明电极167形成的存储电容大小，满足不同显示装置10对不同存储电容的需求。

图2是本发明第二实施例的显示装置的结构示意图。如图2所示，本实施例的显示装置10’与第一实施例的显示装置10的结构大致相同，不同点在于阵列基板16’的局部结构不同。

图3是本发明第二实施例的透明电极167’的平面结构示意图。如图2和图3所示，在本实施例中，阵列基板16’包括基板17以及设置在基板17上的栅极161、栅极绝缘层163、数据电极162、有源层164、源极165a、漏极165b、第一绝缘层166、透明电极167’、第二绝缘层168和像素电极169。在本实施例中，阵列基板16’为显示面板的阵列基板。

具体地，基板17由透明的玻璃制成。

栅极161设置在基板17上。在本实施例中，栅极161的材料为钼(mo)、钛(ti)、铝(al)、铜(cu)中的一种或多种的堆栈组合。

栅极绝缘层163设置在基板上，并覆盖栅极161。在本实施例中，栅极绝缘层163例如由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或符合材料制成。

数据电极162设置在栅极绝缘层163上。在本实施例中，数据电极162的材料为钼(mo)、钛(ti)、铝(al)、铜(cu)中的一种或多种的堆栈组合。

有源层164设置在栅极绝缘层163上，并位于栅极161的上方。在本实施例中，有源层164由铟镓锌氧化物(igzo)或者其它半导体材料制成。

源极165a与漏极165b相互间隔设置，源极165a和漏极165b的一部分设置在栅极绝缘层163上，源极165a和漏极165b的另一部分设置在有源层164上。在本实施例中，源极165a和漏极165b由钼(mo)、钛(ti)、铝(al)、铜(cu)中的一种或多种的堆栈组合，其中源极165a和漏极165b的材料优选为铜。

第一绝缘层166设置在栅极绝缘层163、有源层164、源极165a和漏极165b上。

透明电极167’设置在第一绝缘层166上。透明电极167’为不连续的面状结构，即透明电极167’上设有槽或开口，如图3所示，透明电极167’包括开孔区101和非开孔区102，开孔区101内设置有多个贯穿透明电极167的开口103，各开口103呈矩阵排列的分布在开孔区101内，开口103的形状可根据需求自由选择。在本实施例中，透明电极167’可包括多个开孔区101，开孔区101的数量可根据实际需要自由选择，例如透明电极167’上包括两个开孔区101，每个开孔区101内设置有多个贯穿透明电极167’的开口103，且非开孔区102位于两个开孔区101之间。值得一提的是，每个开孔区101内的开口103数量、开口103的形状以及开口103排列位置可根据实际需要自由选择。在本实施例中，透明电极167’由氧化铟锡(ito)制成。

第二绝缘层168设置在第一绝缘层166上，并覆盖透明电极167。

像素电极169设置在第二绝缘层168上，且像素电极169部分覆盖栅极161和数据电极162。第一绝缘层166和第二绝缘层168上设有露出漏极165b的通孔，像素电极169穿过通孔并与漏极165b连接。像素电极169设置于透明电极167’的上方，且透明电极167’与像素电极169之间形成存储电容。本发明的显示装置10’通过阵列基板16’的像素电极169与彩膜基板12的公共电极125之间产生驱使液晶分子扭转的电场。在本实施例中，像素电极169由氧化铟锡(ito)制成。

在本实施例中，透明电极167’为呈面状，透明电极167’包括开孔区101和非开孔区102，开孔区101内设置有多个贯穿透明电极167’的开口103，数据电极162位于非开孔区102的下方。因此，可通过增加或减少开孔区101内的开口103数量，进而调整像素电极169与透明电极167’形成的存储电容大小，满足不同显示装置10’对不同存储电容的需求。

本发明的显示面板的阵列基板16、16’包括基板和设置在基板上的栅极161、有源层164、源极165a、漏极165b以及与漏极165b连接的像素电极169，阵列基板16、16’还包括透明电极167、167’，透明电极167、167’设置于像素电极169的下方，且透明电极167、167’与像素电极169之间形成存储电容。本发明的阵列基板16、16’的像素电极169与透明电极167、167’之间形成存储电容，替换了现有像素电极与不透明金属公共电极形成的存储电容，省去了利用金属制作公共电极的电极走线，有利于提高开口率，节省功耗。而且，本发明的阵列基板16、16’的像素电极169与透明电极167、167’之间形成存储电容替换了现有像素电极与不透明金属栅极形成的存储电容，可减小栅极走线在像素区域的宽度，有利于提高开口率，节省功耗。

需要说明的是，本发明是以扭曲项列型(twistednematic；tn)显示模式为例，对于拥有相似电极结构的显示模式也同样适用，例如原始的va(verticalalignment)显示模式等。

以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。