彩膜基板及制造方法、增加膜层厚度的结构与流程

文档序号:13280997阅读:269来源:国知局
彩膜基板及制造方法、增加膜层厚度的结构与流程

本发明涉及显示领域,特别是涉及一种彩膜基板及制造方法、增加膜层厚度的结构。



背景技术:

随着膜层技术的发展,越来越多的产品需要使用不同高度的膜层,请参见图1,在玻璃基板110上形成第一膜层120,其后通过湿膜涂布在玻璃基板110和第一膜层120上形成第二膜层130,在这里,第一膜层120可以起到垫高其上第二膜层130的作用。然而,由于第二膜层130是通过湿膜涂布形成在玻璃基板110和第一膜层120上,有些第二膜层130材料流平性足够,第一膜层120和玻璃基板110相对第二膜层130的亲疏水性相近,此时,过了一定时间,第一膜层120上的第二膜层130会向两侧流动,也即由高处向低处流动,导致成膜后h2的厚度远小于h1,从而使第一膜层120上方的第二膜层130达不到想要的高度。

依据上述的原理,在液晶显示面板中,请参见图2,一般包括主间隔物241和辅间隔物242,主间隔物241其主要支撑作用,当主间隔物241被压缩一定高度时所述辅间隔物242才起支撑作用,从而,所述主间隔物241和所述辅间隔物242存在段差。为了实现两者的段差,现有技术一般制造主间隔物241和辅间隔物242的过程为:在下基板210上形成色阻层220,所述色阻层220包括第一色阻部241和第二色阻部242,两者分离设置,且设计成第一色阻部241的厚度大于第二色阻部242的厚度;在色阻层220和下基板210上形成平坦层230,所述平坦层230为有机材料或者无机材料。在所述平坦层230上形成间隔物层240,所述间隔物层240通过湿膜涂布在所述平坦层230上,其包括位于第一色阻部241上的主间隔物241和位于第二色阻部242上的辅间隔物242,两者形成段差。然而,在上述的过程中,使第一色阻部241和第二色阻部242两者具有不同的厚度,需要通过半色调光罩,增加了制程的复杂性,实现比较困难;而且,由于主间隔物241和辅间隔物242均形成在所述平坦层230上,由于所述主间隔物241位置高,辅间隔物242和其他位置的间隔物层240位置较低,从而主间隔物241处的材料会流到其他区域,最终导致主间隔物241和辅间隔物242之间的段差不理想。



技术实现要素:

本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种彩膜基板及制造方法、增加膜层厚度的结构。可改善膜层由于流平而厚度降低的问题。

为了解决上述技术问题,本发明第一方面实施例提供了一种彩膜基板,包括:

下基板;

色阻层,其形成在所述下基板上,所述色阻层包括第一色阻部和第二色阻部,所述第一色阻部和所述第二色阻部分离设置;

疏水薄膜层,其形成在第二色阻部和下基板上,且所述疏水薄膜层由第二色阻部上面延伸到邻近所述第一色阻部;

间隔物层,其通过湿膜涂布在所述疏水薄膜层和所述第一色阻部上,其包括位于第一色阻部上的主间隔物和位于第二色阻部上的辅间隔物;其中,

当所述间隔物层位于第一色阻部上时形成的第三接触角小于当所述间隔物层位于疏水薄膜层上时形成的第四接触角,以使间隔物层向主间隔物处汇聚用于增加主间隔物与所述辅间隔物之间的段差。

在本发明第一方面一实施例中,所述第三接触角范围为40°~60°;或/和第四接触角范围为80°~140°。

在本发明第一方面一实施例中,所述第一色阻部的横向截面积大于所述第二色阻部的横向截面积。

在本发明第一方面一实施例中,所述疏水薄膜层环绕所述第一色阻部的侧边。

在本发明第一方面一实施例中,所述第一色阻部上表面相对第一水平面的高度高于第二色阻部相对第一水平面的高度。

在本发明第一方面一实施例中,所述段差的范围为0.3μm~0.9μm。

在本发明第一方面一实施例中,所述疏水薄膜层的材料为氟化聚合物。

本发明第二方面实施例提供了一种制造彩膜基板的方法,包括:

提供下基板;

在下基板上形成色阻层,所述色阻层包括第一色阻部和第二色阻部,所述第一色阻部和所述第二色阻部分离设置;

在第二色阻部和下基板上形成疏水薄膜层,所述疏水薄膜层由第二色阻部上面延伸到邻近所述第一色阻部;

通过湿膜涂布间隔物层在所述疏水薄膜层和所述第一色阻部上,所述间隔物层包括位于第一色阻部上的主间隔物和位于第二色阻部上的辅间隔物,其中,当所述间隔物层位于第一色阻部上时形成的第三接触角小于当所述间隔物层位于疏水薄膜层上时形成的第四接触角,以使间隔物层向主间隔物处汇聚用于增加主间隔物与所述辅间隔物之间的段差。

本发明第三方面实施例提供了一种增加膜层厚度的结构,包括:

第一基板;

第一膜层,其形成在所述第一基板部分区域上;

疏水膜层,其形成在所述第一基板上且挨着所述第一膜层设置,所述疏水膜层的厚度小于第一膜层的厚度;

第二膜层,其通过湿膜涂布在所述第一膜层上,所述第二膜层还延伸到疏水膜层上;其中,

当所述第二膜层位于第一膜层上时形成的第一接触角小于当第二膜层位于疏水膜层上时形成的第二接触角,以使第二膜层向第一膜层上方汇聚用于增加第二膜层在第一膜层上的厚度。

在本发明第三方面一实施例中,所述第二膜层位于第一膜层上的第一接触角范围为40°~60°;或/和所述第二膜层位于疏水膜层上时形成的第二接触角范围为80°~140°。

实施本发明实施例,具有如下有益效果:

由于间隔物层通过湿膜涂布在所述疏水薄膜层和所述第一色阻部上,其包括位于第一色阻部上主间隔物和位于第二色阻部上的辅间隔物;其中,当所述间隔物层位于第一色阻部上时形成的第三接触角小于当所述间隔物层位于疏水薄膜层上时形成的第四接触角,以使间隔物层向主间隔物处汇聚用于增加主间隔物与所述辅间隔物之间的段差。从而,所述第一色阻部会吸引所述主间隔物,而所述疏水薄膜层会排斥所述辅间隔物,第一色阻部上的主间隔物不会向两侧的低洼处流,从而不会造成主间隔物的高度降低,而且,由于疏水薄膜层的排斥作用,疏水薄膜层上的间隔物层(包括辅间隔物)受到第一色阻部的吸引,会向主间隔物上方汇聚,从而可以维持和增加主间隔物在第一色阻部上的厚度,同时,辅间隔物由于疏水薄膜层的排斥,高度会有少量的降低,从而会使主间隔物与所述辅间隔物之间的段差得到维持或者增加,不会减少,段差比较理想。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术一般膜层结构的示意图;

图2是现有技术彩膜基板的示意图;

图3是本发明一实施例增加膜层厚度的结构的示意图;

图4是本发明一实施例彩膜基板的示意图;

图5是本发明一实施例制造彩膜基板的方法的流程图;

图示标号:

310-第一基板;320-第一膜层;330-第二膜层;340-疏水膜层;410-下基板;420-色阻层;421-第一色阻部;422-第二色阻部;430-疏水薄膜层;440-间隔物层;441-主间隔物;442-辅间隔物;450-上基板。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

本申请说明书、权利要求书和附图中出现的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外,术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同的对象,而并非用于描述特定的顺序。

本发明实施例提供一种增加膜层厚度的结构,请参见图3,包括第一基板310、第一膜层320、疏水膜层340和第二膜层330。

在本实施例中,所述第一基板310用于承载其他膜层,所述第一基板310可以是玻璃基板、塑料基板等。

在本实施例中,所述第一膜层320形成在所述第一基板310部分区域上,所述第一膜层320的其中一个作用是用来垫高其上的第二膜层330。

在本实施例中,所述疏水膜层340形成在所述第一基板310上且挨着所述第一膜层320设置,具体为所述疏水膜层340围绕所述第一膜层320设置,所述疏水膜层340的厚度小于第一膜层320的厚度,从而第一膜层320上表面的高度大于疏水膜层340上表面的高度。

在本实施例中,所述第二膜层330通过湿膜涂布在所述第一膜层320上,从而所述第二膜层330刚涂布时呈液态。所述第二膜层330还延伸到疏水膜层340上。从而,形成在第一膜层320上方的第二膜层330高度较高,形成在疏水膜层340上的第二膜层330高度较矮,最开始时一般第二膜层330各处的厚度比较一致。

为了防止第一膜层320上的第二膜层330在涂抹初期由于还是液态从高处流到低处,在本实施例中,所述第一膜层320相对所述第二膜层330为亲水性,所述疏水膜层340相对所述第二膜层330为疏水性,从而,当第二膜层330形成在所述第一膜层320和疏水膜层340上时,所述第一膜层320会吸引所述第二膜层330,而所述疏水膜层340会排斥所述第二膜层330,从而,第一膜层320上的第二膜层330部分不会向两侧流平,而且,由于疏水膜层340的排斥作用,疏水膜层340上的第二膜层330部分会向第一膜层320上方汇聚,从而可以增加第二膜层330在第一膜层320上的厚度,从而会使位于第一膜层320上的第二膜层330的高度得到维持或者增加,不会降低。

为了体现所述第一膜层320相对所述第二膜层330为亲水性,所述疏水膜层340相对所述第二膜层330为疏水性,在本实施例中通过接触角来体现。具体说来,所述第一膜层320相对所述第二膜层330为亲水性,也即所述第二膜层330位于第一膜层320上的第一接触角范围为40°~60°,例如为40°、45°、50°、55°、60°等。所述疏水膜层340相对所述第二膜层330为疏水性,也即所述第二膜层330位于疏水膜层340上时形成的第二接触角范围为80°~140°,例如为80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°等。

本发明实施例还利用上述的原理提供一种彩膜基板,在此处,所述彩膜基板的范围比平常说的彩色滤光片基板的范围要大,只要基板上设有色阻层这样的结构就包括在本发明的彩膜基板的范围内。请参见图4,在本实施例中,所述彩膜基板为coa技术的阵列基板,所述彩膜基板包括下基板410、色阻层420、疏水薄膜层430、间隔物层440。

在本实施例中,所述下基板410包括透明基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极、漏极和钝化层。具体说来,所述透明基板可以为玻璃基板、柔性基板、塑料基板等。所述栅极位于所述透明基板上,当然,与栅极电连接的扫描线也位于所述透明基板上。所述栅极绝缘层形成所述栅极和所述扫描线上。所述半导体层形成在所述栅极绝缘层,所述半导体层可以为a-si半导体层、igzo半导体层、多晶硅半导体层等。所述半导体层的两侧形成源极和漏极,与源极电连接的数据线与所述源极、漏极一同形成。在所述源极、漏极和数据线上形成钝化层。另外,在本发明的其他实施例中,所述下基板还可以只为透明基板,此时,所述彩膜基板为本领域技术人员所知的彩色滤光片基板。

在本实施例中,所述色阻层420位于所述下基板410上,具体为位于所述钝化层上。所述色阻层420包括红色色阻(r)、蓝色色阻(b)和绿色色阻(g)等,色阻与色阻间分离设置。在本实施例中,所述色阻层420包括第一色阻部421和第二色阻部422,所述第一色阻部421和所述第二色阻部422分离设置,所述第一色阻部421为红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻之一,所述第二色阻部422为红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻之一。

在本实施例中,所述疏水薄膜层430形成在所述第二色阻部422和下基板410上,且所述疏水薄膜层430由第二色阻部422上面延伸到邻近所述第一色阻部421。具体说来,在本实施例中,所述疏水薄膜层430环绕所述第一色阻部421的侧边,具体制程为形成疏水薄膜层430的材料沉积一整层,然后将第一色阻部421上表面的部分去掉以使所述疏水薄膜层430环绕所述第一色阻部421的侧边。在本实施例中,所述疏水薄膜层430覆盖所述第二色阻部422、第二色阻部422和第一色阻部421之间的区域以及第一色阻部421周围的区域。在本实施例中,所述疏水薄膜层430比较薄,厚度最佳为300nm以下,例如为250nm、200nm、100nm等。

在本实施例中,所述间隔物层440通过湿膜涂布在所述疏水薄膜层430和所述第一色阻部421上,从而所述间隔物层440最开始状态为液态。所述间隔物层440包括位于第一色阻部421上的主间隔物441(mainphotospacer)和位于第二色阻部422上的辅间隔物442(subphotospacer),所述主间隔物441和所述辅间隔物442之间设有连接两者的其余部分间隔物层440。在本实施例中,由于所述主间隔物441和辅间隔物442都是位于色阻层420上,而疏水薄膜层430比较薄,从而,所述主间隔物441和辅助间隔物相比其他部分的间隔物层440往上突出来。

为了维持和增加主间隔物441和辅间隔物442之间的段差,也即维持和增加主间隔物441上表面和辅间隔物442上表面之间的高度差,在本实施例中,所述色阻层420相对所述间隔物层440为亲水性,所述疏水薄膜层430相对所述间隔物层440为疏水性,从而,当间隔物层440形成在所述疏水薄膜层430和所述第一色阻部421上时,所述第一色阻部421会吸引所述主间隔物441,而所述疏水薄膜层430会排斥所述辅间隔物442,从而,第一色阻部421上的主间隔物441不会向两侧的低洼处流,从而不会造成主间隔物441的高度降低,而且,由于疏水薄膜层430的排斥作用,疏水薄膜层430上的间隔物层440(包括辅间隔物442)受到第一色阻部421的吸引,会向主间隔物441上方汇聚,从而可以维持和增加主间隔物441在第一色阻部421上的厚度,同时,辅间隔物442由于疏水薄膜层430的排斥,高度会有少量的降低,从而会使主间隔物441与所述辅间隔物442之间的段差得到维持或者增加,不会减少,段差比较理想。

为了体现所述色阻层420(第一色阻部421)相对所述间隔物层440为亲水性,所述疏水薄膜层430相对所述间隔物层440为疏水性,在本实施例中通过接触角来体现。具体说来,所述色阻层420相对所述间隔物层440为亲水性,也即当所述间隔物层440位于色阻层420上时形成的第三接触角范围为40°~60°,例如为40°、45°、50°、55°、60°等。所述疏水薄膜层430相对所述间隔物层440为疏水性,也即当所述间隔物层440位于所述疏水薄膜层430上时形成的第四接触角范围为80°~140°,例如为80°、90°、100°、110°、120°、130°、140°等。通过设置色阻层420、疏水薄膜层430相对所述间隔物层440为亲水性或者疏水性,使主间隔物441和辅间隔物442之间的段差比较理想。在本实施例中,所述主间隔物441和所述辅间隔物442之间的段差为0.3μm~0.9μm,例如为0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm等。

在本实施例中,由于间隔物层440通过湿膜涂布在所述疏水薄膜层430和所述第一色阻部421上,其包括位于第一色阻部421上主间隔物441和位于第二色阻部422上的辅间隔物442;其中,当所述间隔物层440位于第一色阻部421上时形成的第三接触角小于当所述间隔物层440位于疏水薄膜层430上时形成的第四接触角,以使间隔物层440向主间隔物441处汇聚用于增加主间隔物441与所述辅间隔物442之间的段差。从而,所述第一色阻部421会吸引所述主间隔物441,而所述疏水薄膜层430会排斥所述辅间隔物442,第一色阻部421上的主间隔物441不会向两侧的低洼处流,从而不会造成主间隔物441的高度降低,而且,由于疏水薄膜层430的排斥作用,疏水薄膜层430上的间隔物层440(包括辅间隔物442)受到第一色阻部421的吸引,会向主间隔物441上方汇聚,从而可以维持和增加主间隔物441在第一色阻部421上的厚度,同时,辅间隔物442由于疏水薄膜层430的排斥,高度会有少量的降低,从而会使主间隔物441与所述辅间隔物442之间的段差得到维持或者增加,不会减少,段差比较理想。

为了使所述疏水薄膜层430相对所述间隔物层440为疏水性,在本实施例中,所述疏水薄膜层430的材料为氟化聚合物(cytop)。当然,在本发明的其他实施例中,所述疏水薄膜层还可以是其他相对所述间隔物层为疏水性的材料。

一般说来,主间隔物441下面的第一色阻部421、辅间隔物442下面的第二色阻部422越小,主间隔物441和辅间隔物442形成时越易流平。为了平稳维持所述主间隔物441和辅间隔物442之间的段差,在本实施例中,位于主间隔物441下面的所述第一色阻部421的横向截面积大于位于辅间隔物442下面的所述第二色阻部422的横向截面积,从而,第一色阻部421上面的主间隔物441高度变化尺寸要小于第二色阻部422上面的辅间隔物442高度变化尺寸,从而,主间隔物441和辅间隔物442之间的段差可以得到维持或者增加。

进一步,为了增加主间隔物441和辅间隔物442之间的段差,在本实施例中,所述第一色阻部421上表面相对第一水平面的高度高于所述第二色阻部422上表面相对第一水平面的高度,在此处,所述第一水平面例如为海平面。由于设置第一色阻部421上表面高些,而且疏水薄膜层430本身很薄,从而可以使段差得到增加。较佳的,所述第一色阻部421上表面相对第一水平面的高度高于所述第二色阻部422上面的疏水薄膜层430上表面相对第一水平面的高度。在本实施例中,为了实现第一色阻部421上表面高于第二色阻部422上表面,所述第二色阻部422在制程过程中对厚度进行降低处理,也即第二色阻部422在纵向上被去除了一部分。当然,在本发明的其他实施例中,还可以是加厚所述第一色阻部的厚度。另外,在本发明的其他实施例中,所述第一色阻部下方还可以设置垫高层以垫高所述第一色阻部的高度。

另外,在本发明的其他实施例中,所述主间隔物441和辅间隔物442的上方还可以设置上基板450,所述上基板450和下基板410之间填充液晶层。

本发明实施例还提供一种制造彩膜基板的方法,请参见图4和图5,包括:

s110:提供下基板410;

s120:在下基板410上形成色阻层420,所述色阻层420包括第一色阻部421和第二色阻部422,所述第一色阻部421和所述第二色阻部422分离设置;

s130:在第二色阻部422和下基板410上形成疏水薄膜层430,所述疏水薄膜层430由第二色阻部422上面延伸到邻近所述第一色阻部421;

s140:通过湿膜涂布间隔物层440在所述疏水薄膜层430和所述第一色阻部421上,所述间隔物层440包括位于第一色阻部421上的主间隔物441和位于第二色阻部422上的辅间隔物442,其中,当所述间隔物层440位于第一色阻部421上时形成的第三接触角小于当所述间隔物层440位于疏水薄膜层430上时形成的第四接触角,以使间隔物层440向主间隔物441处汇聚用于增加主间隔物441与所述辅间隔物442之间的段差。

需要说明的是,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置实施例而言,由于其与方法实施例基本相似,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

通过上述实施例的描述,本发明具有以下优点:

由于间隔物层通过湿膜涂布在所述疏水薄膜层和所述第一色阻部上,其包括位于第一色阻部上主间隔物和位于第二色阻部上的辅间隔物;其中,当所述间隔物层位于第一色阻部上时形成的第三接触角小于当所述间隔物层位于疏水薄膜层上时形成的第四接触角,以使间隔物层向主间隔物处汇聚用于增加主间隔物与所述辅间隔物之间的段差。从而,所述第一色阻部会吸引所述主间隔物,而所述疏水薄膜层会排斥所述辅间隔物,第一色阻部上的主间隔物不会向两侧的低洼处流,从而不会造成主间隔物的高度降低,而且,由于疏水薄膜层的排斥作用,疏水薄膜层上的间隔物层(包括辅间隔物)受到第一色阻部的吸引,会向主间隔物上方汇聚,从而可以维持和增加主间隔物在第一色阻部上的厚度,同时,辅间隔物由于疏水薄膜层的排斥,高度会有少量的降低,从而会使主间隔物与所述辅间隔物之间的段差得到维持或者增加,不会减少,段差比较理想。

以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。

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