彩膜基板及其制备方法、显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种彩膜基板及其制备方法、显示面板。

背景技术：

LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)包括相互对盒的阵列基板和彩膜基板、以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶，通过控制液晶的偏转角度，实现灰阶显示。

在液晶显示器的制作和使用过程中，彩膜基板极易产生和积累静电。当静电积累到一定程度后会产生静电场，该电场容易引起填充于彩膜基板与阵列基板之间的液晶分子发生偏转，从而导致显示画面的异常，所以消除静电对液晶显示器非常重要。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种彩膜基板及其制备方法、显示面板。

为实现上述目的，本发明提供了一种彩膜基板，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的遮光图形，所述遮光图形中设置有挖槽，所述挖槽将所述遮光图形划分为外侧遮光子图形和内侧遮光子图形，所述外侧遮光子图形与所述彩膜基板的周边区域对应，所述内侧遮光子图形与所述彩膜基板的显示区域对应设置；

在所述挖槽内的至少部分区域设置有导电图形，所述导电图形的电阻率小于遮光图形的电阻率，所述导电图形与所述内侧遮光子图形和/或外侧遮光子图形连接，所述导电图形接地。

可选地，所述导电图形填充整个所述挖槽。

可选地，所述彩膜基板上对应显示面板的台阶区的一侧为第一侧，所述挖槽连通至所述彩膜基板的第一侧；

所述导电图形的至少一端延伸至所述彩膜基板的所述第一侧，且所述阵列基板与彩膜基板对盒后所述导电图形延伸至所述第一侧的部分通过导电胶与阵列基板上的接地走线电连接。

可选地，所述挖槽的形状为U字型或口字型。

可选地，所述挖槽的深度与所述遮光图形的厚度相等。

可选地，所述挖槽的宽度为20um～50um。

可选地，所述遮光图形的材料为树脂材料。

可选地，所述导电图形的材料为金属材料。

为实现上述目的，本发明还提供了一种显示面板，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板采用上述的彩膜基板。

为实现上述目的，本发明还提供了一种彩膜基板的制备方法，包括：

在衬底基板上形成遮光图形，所述遮光图形中设置有挖槽，所述挖槽将所述遮光图形划分为外侧遮光子图形和内侧遮光子图形，所述外侧遮光子图形与所述彩膜基板的周边区域对应，所述内侧遮光子图形与所述彩膜基板的显示区域对应设置；

在所述挖槽内的至少部分区域设置导电图形，所述导电图形的电阻率小于遮光图形的电阻率，所述导电图形与所述内侧遮光子图形和/或外侧遮光子图形连接，所述导电图形接地。

可选地，所述在衬底基板上形成遮光图形的步骤包括：

在衬底基板上形成遮光材料膜层；

使用预设掩膜板对所述遮光材料膜层进行曝光、显影处理，以得到所述外侧遮光子图形和所述内侧遮光子图形，所述外侧遮光子图形和内侧遮光子图形之间为所述挖槽；

所述在所述挖槽内的至少部分区域设置导电图形的步骤包括：

在所述遮光图形上和所述挖槽内形成导电薄膜；

在所述导电薄膜上形成一层预设光刻胶，所述预设光刻胶和所述遮光材料膜层中的一者为正性光刻胶，另一者为负性光刻胶；

使用所述预设掩膜板对所述预设光刻胶进行曝光、显影处理，所述预设光刻胶对应所述挖槽的部分完全保留；

对所述导电薄膜进行刻蚀处理，以得到所述导电图形。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供了一种彩膜基板及其制备方法、显示面板，通过在遮光图形中设置挖槽，在挖槽内形成与外侧遮光子图形和/或内侧遮光子图形连接的导电图形，可有效解决遮光图形位于显示区域的部分出现静电积累过多的问题。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种彩膜基板的俯视图；

图2为图1中A-A向的截面示意图；

图3为图1所示彩膜基板与阵列基板对盒后的示意图；

图4为本发明实施例一提供的又一种彩膜基板的俯视图；

图5为本发明实施例三提供的一种彩膜基板的制备方法的流程图；

图6为采用图5所示制备方法制备彩膜基板的中间结构示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种彩膜基板及其制备方法、显示面板进行详细描述。

图1为本发明实施例一提供的一种彩膜基板的俯视图，图2为图1中A-A向的截面示意图，如图1和图2所示，该彩膜基板，包括：衬底基板1和位于衬底基板1上的遮光图形2，遮光图形2中设置有挖槽5，挖槽5将遮光图形2划分为外侧遮光子图形3和内侧遮光子图形4，外侧遮光子图形3与彩膜基板的周边区域对应，内侧遮光子图形4与彩膜基板的显示区域对应设置；在挖槽5内的至少部分区域设置有导电图形6，导电图形6与外侧遮光子图形3和内侧遮光子图形4中的至少一者连接，导电图形6的电阻率小于遮光图形2的电阻率，导电图形6接地。

需要说明的是，本领域技术人员公知的是，彩膜基板包括显示区域(A-A区)和包围该显示区域的周边区域，显示区域用于进行像素显示。

在现有技术中，为避免遮光图形2上积累较多静电，往往将遮光图形2的侧边接地。然而，在实际应用中，由于遮光图形2的电阻率(一般为10^12Ω·cm)较大、导电性能较差，遮光图形2上位于显示区域的部分所积累的电荷无法通过遮光图形2侧边而导出，因此遮光图形2位于显示区域的部分仍会积累较多静电。

在本实施例中，为解决遮光图形2位于显示区域的部分积累较多静电的问题，采用了“疏”和“堵”两种措施，具体地：

在本实施例中，通过设置挖槽5且在挖槽5内设置电阻率较小的导电图形6，导电图形6接地，当导电图形6与位于显示区域的内侧遮光子图形4连接时，可使得内侧遮光子图形4与大地电连接，即“疏通”了内侧子遮光图形4与大地之间的连接通道，有利于内侧遮光子图形上静电的导出，从而避免了内侧遮光子图形4上出现静电积累过多的问题；当导电图形6与位于非显示区域的外侧遮光子图形3连接时，可使得外侧遮光子图形3与大地电连接，在静电通过外侧遮光子图形3向内侧遮光子图形4运动过程中，静电会被与内侧遮光子图形4连接的导电图形6导出，而无法运动至内侧遮光子图形4，即“堵住”了静电运动至内侧遮光子图形4的通道，从而避免了内侧遮光子图形上出现静电积累过多的问题。

可选地，挖槽5的深度与遮光图形的厚度相等，即挖槽贯穿整个遮光图形。

作为一种优选方案，如图1和图2所示，导电图形6填充整个挖槽5，此时导电图形6与外侧遮光子图形3和内侧遮光子图形4均连接，导电图形6不仅起到“既堵又疏”的作用，还可有效避免挖槽5处出现漏光的问题。

可选地，遮光图形2的材料为树脂材料，导电图形6的材料为金属材料。挖槽5的宽度为20um～50um，外侧遮光子图形3的宽度范围为100um～200um。

由上述内容可见，导电图形6无论是与内侧遮光子图形4连接还是与外侧遮光子图形3连接，其均可有效解决遮光图形2位于显示区域的部分积累较多静电的问题。需要说明的是，本实施例中的导电图形6与外侧遮光子图形3和内侧遮光子图形4均连接的方案为本发明中的优选方案，可对静电起到“既堵又疏”的双重作用，其不会对本发明中的技术方案产生限制。本领域技术人员应该知晓的是，将导电图形6仅与外侧遮光子图形3和内侧遮光子图形4中一者连接，以解决了内侧遮光子图形上出现静电积累过多的问题，其也属于本发明的保护范围。具体情况此处不再进行详细描述。

可选地，在该彩膜基板还包括彩色色阻R/G/B，内侧遮光子图形4中设置有与彩色色阻R/G/B一一对应的若干个与开槽，各彩色色阻R/G/B位于对应的开槽内，以供进行彩色显示。需要说明的是，附图中彩色色阻包括色阻R、色阻G、色阻B共三种的情况，仅起到示例性作用，其不会对本发明的技术方案产生限制。

图3为图1所示彩膜基板与阵列基板对盒后的示意图，如图3所示，优选地，彩膜基板上对应显示面板的台阶区8(阵列基板上超出彩膜基板的一侧与彩膜基板上的对应侧构成台阶区8，阵列基板上对应台阶区8中设置有驱动芯片、信号走线、接地走线等结构)的一侧为第一侧，挖槽5连通至彩膜基板的第一侧，导电图形6的至少一端延伸至彩膜基板的第一侧，且阵列基板与彩膜基板对盒后导电图形6延伸至第一侧的部分通过导电胶7(导电银胶)与阵列基板上的接地走线电连接。本实施例中，通过导电胶7将导电图形6延伸至第一侧的部分与阵列基板上的接地走线(未示出)电连接，以实现导电图形6接地，因而无需在彩膜基板上额外设置接地走线，有效节省成本。

需要说明的是，本实施例中将导电图形6的至少一端延伸至彩膜基板上对应台阶区8的一侧，并使用导电胶7将导电图形6与阵列基板上的接地走线连接以实现导电图形6接地的方案为本发明中的优选方案，其不会对本发明的技术方案产生限制，本实施例中还可以采用其他方式来使得导电图形6接地，例如在彩膜基板的周边区域设置接地走线。

图4为本发明实施例一提供的又一种彩膜基板的俯视图，如图4所示，与图1中挖槽5为U字型不同的是，图4中挖槽5的形状为口字型。当然，本发明中的挖槽5还可以根据实际需要而设计为其他形状，此处不再一一举例。

本发明实施例一提供了一种彩膜基板，通过在遮光图形中设置挖槽，在挖槽内形成与外侧遮光子图形和/或内侧遮光子图形连接的导电图形，可有效解决遮光图形位于显示区域的部分出现静电积累过多的问题。

实施例二

本发明实施例二提供了一种显示面板，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，彩膜基板采用上述实施例一中提供的彩膜基板，具体描述可参见上述实施例一中的内容，此处不再赘述。

实施例三

本发明实施例三提供了一种彩膜基板的制备方法，该制备方法可制备出上述实施例一中的彩膜基板。下面将结合附图来对本实施例提供的制备方法进行详细描述。

图5为本发明实施例三提供的一种彩膜基板的制备方法的流程图，图6为采用图5所示制备方法制备彩膜基板的中间结构示意图；如图5和图6所示，该彩膜基板的制备方法包括：

步骤S1、在衬底基板上形成遮光图形，遮光图形中设置有挖槽，挖槽将遮光图形划分为外侧遮光子图形和内侧遮光子图形，外侧遮光子图形与彩膜基板的周边区域对应，内侧遮光子图形与彩膜基板的显示区域对应设置。

可选地，步骤S1包括：

步骤S101、在衬底基板上形成遮光材料膜层。

本实施例中，遮光材料膜层9的材料为树脂材料。

步骤S102、使用预设掩膜板对遮光材料膜层进行曝光、显影处理，以得到外侧遮光子图形和内侧遮光子图形，外侧遮光子图形和内侧遮光子图形之间为挖槽。

步骤S2、在挖槽内的至少部分区域设置导电图形，导电图形的电阻率小于遮光图形的电阻率，导电图形与内侧遮光子图形和/或外侧遮光子图形连接，导电图形接地。

可选地，导电图形6填充整个挖槽5，此时步骤S2包括：

步骤S201、在遮光图形上和挖槽内形成导电薄膜。

其中，导电薄膜10的材料为金属材料。

步骤S202、在导电薄膜上形成一层预设光刻胶。

其中，预设光刻胶和遮光材料膜层中的一者为正性光刻胶，另一者为负性光刻胶。

本实施例中以预设光刻胶为负性光刻胶，遮光材料膜层为正性光刻胶为例。该预设掩膜板包括透光区域和不透光区域，在上述步骤S102中对遮光材料膜层9进行曝光时，透光区域与挖槽5对应，不透光区域与内侧遮光子图形4和外侧遮光子图形3对应，经过显影液处理后，遮光材料膜层上对应挖槽5的的部分被完全去除，从而得到内侧遮光子图形4和外侧遮光子图形3。

步骤S203、使用预设掩膜板对预设光刻胶进行曝光、显影处理，预设光刻胶对应挖槽的部分完全保留。

在对预设光刻胶11进行曝光时，透光区域与挖槽5区域对应，经过显影液处理后，预设光刻胶11上对应挖槽5的部分完全保留，而其他部分完全溶解于显影液中。

步骤S204、对导电薄膜进行刻蚀处理，以得到导电图形。

在对导电薄膜进行刻蚀处理时，由于导电薄膜10对应挖槽5的部分其上方存在预设光刻胶11，因此导电薄膜对应挖槽5的部分会完成保留，而其他部分被刻蚀液刻蚀掉。此时，导电图形6正好填充整个挖槽5。待刻蚀工艺结束后，进行光刻胶剥离工艺。

由上述内容可见，本实施例中遮光图形的制备和导电图形6的制备可使用同一掩膜板，从而可有效降低生产成本。

此外，本实施例中导电图形6是位于挖槽5中，因而不会增加彩膜基板的厚度。

可选地，在步骤S2之后还包括：步骤S3。

步骤S205、在内侧遮光子图形中形成开槽，并在开槽内填充彩色色阻。

需要说明的是，在本实施例中，可采用现有的任意一种色阻制备工艺，以在内侧遮光子图形4的开槽内形成对应的彩色色阻R/G/B。具体过程此处不进行详细描述。

经过上述步骤S1～步骤S3可得到图1或图4所示彩膜基板。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。