本实用新型涉及OLED领域,尤其涉及一种底发光OLED用的彩膜基板及底发光OLED。
背景技术:
传统的底发光OLED用的彩膜基板通常包括黑矩阵列和若干RGB像素,所述黑矩阵列定义出各RGB像素的所在区域,用于将各RGB像素相互隔离,每个RGB像素分别有R(红)、G(绿)和B(蓝)三个子像素组成。OLED发光器件发出的白光经彩膜基板过滤后,根据三原色配比形成全彩显示。
在使用过程中,空气中的水汽、氧气等易从彩膜层、平坦层侧面渗透,进而对OLED有机材料层进行侵蚀,尤其是当OLED处于阴暗潮湿的环境中时,OLED有机材料层受到空气中的水汽、氧气等的侵蚀,容易引起氧化,造成OLED的显示不良。
技术实现要素:
为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供一种底发光OLED用的彩膜基板及底发光OLED。该彩膜基板的可靠性和稳定性高,防止水汽、氧气等渗透的性能优良,能够有效阻隔空气中的水汽、氧气等,防止水汽、氧气等对OLED有机材料层引起侵蚀,导致OLED的显示不良。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种底发光OLED用的彩膜基板,包括载体基板和设置在所述载体基板上的黑矩阵列,所述黑矩阵列内设置有若干RGB像素,每个RGB像素及其相对应的黑矩阵列的裸露面单独地覆盖有平坦层,所述平坦层上覆盖有透明电极层。
进一步地,所述黑矩阵列和若干RGB像素分布在所述载体基板的全部区域或部分区域。
进一步地,所述RGB像素分别由R子像素、G子像素和B子像素组成。
进一步地,所述R子像素、G子像素和B子像素分别为R、G、B色滤镜或者R、G、B色油墨。
进一步地,所述平坦层上覆盖有防止水汽、氧气渗透的防渗透层。
进一步地,所述载体基板为玻璃基板或塑料基板。
进一步地,所述透明电极层为ITO电极层。
一种底发光OLED,包括相对设置的盖板和上述的彩膜基板,所述盖板和彩膜基板通过密封胶密封固定,所述彩膜基板靠近盖板的一侧上依次设有OLED有机材料层和金属电极层。
本实用新型具有如下有益效果:该彩膜基板通过给每个RGB像素及其相对应的黑矩阵列的裸露面单独覆盖平坦层,可以从侧面有限阻隔空气中的水汽、氧气等的渗透,防止水汽、氧气等的渗透对OLED有机材料层对造成侵蚀,导致OLED的显示不良;防渗透层可以进一步加强彩膜基板对空气中水汽、氧气等的防渗透能力,进一步提高OLED的显示性能。
附图说明
图1为本实用新型提供的底发光OLED用的彩膜基板;
图2为本实用新型提供的底发光OLED。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。
实施例一
如图1所示,一种底发光OLED用的彩膜基板,包括载体基板1和设置在所述载体基板1上的黑矩阵列2,所述黑矩阵列2内设置有若干RGB像素3,每个RGB像素3及其相对应的黑矩阵列2的裸露面单独地覆盖有平坦层4,所述平坦层4上覆盖有透明电极层6。
每个RGB像素3及其相对应的黑矩阵列2的裸露面(上表面和侧面)单独地覆盖有平坦层4,平坦层4既可以使其上表面平坦,也可以解决侧面水汽、氧气等渗透导致OLED有机材料层被氧化,从而使得OLED的显示不良的问题。
所述若干RGB像素3和黑矩阵列2分布在所述载体基板1的全部区域或部分区域,即所述彩膜基板可以实现底发光OLED的全区域彩色显示,也可以实现底发光OLED的部分区域彩色显示。
所述RGB像素3分别由R子像素、G子像素和B子像素组成,所述R子像素、G子像素和B子像素分别为R、G、B色滤镜或者R、G、B色油墨。
优选地,所述平坦层4和透明电极层6之间还设置有防止水汽、氧气等渗透的防渗透层5,所述防渗透层5可以进一步阻隔空气中的水汽、氧气等的渗透,保护OLED有机材料层免受空气中的水汽、氧气等的侵蚀。
所述载体基板1为塑料基板,如:PET、PMMA等;或者玻璃基板;或者蓝宝石基板。
所述透明电极层6为ITO电极层,用作底发光OLED的透明阳极。
实施例二
如图2所示,一种底发光OLED,包括相对设置的盖板9和实施例一所述的彩膜基板,所述盖板9和彩膜基板通过密封胶10密封固定,所述彩膜基板上设有黑矩阵列2和若干RGB像素3的一侧面向所述盖板9,所述彩膜基板靠近盖板9的一侧上还设有底发光OLED器件。
具体的,所述彩膜基板上的透明电极层6作为底发光OLED器件的透明阳极,其上依次设置有OLED发光材料层7和金属阴极层8。
OLED器件中的每个发光子像素对应着所述彩膜基板上的三原色R、G、B子像素中的一个,通过控制OLED输入的每个发光子像素的电流大小,调整搭配R、G、B子像素的发光强度,使透过R、G、B子像素的光线组合成各种颜色。
所述若干RGB像素3和黑矩阵列2分布在所述载体基板1的全部区域或部分区域,即所述彩膜基板可以实现底发光OLED的全区域彩色显示,也可以实现底发光OLED的部分区域彩色显示。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本实用新型的保护范围之内。