本发明涉及一种光调制器，特别涉及一种具备对设置于机壳的多个高频信号输入用的导体(例如，引脚)与光调制元件的电极之间进行中继的中继基板的光调制器及使用该光调制器的光传送装置。
背景技术：
在高速/大容量光纤通信系统中，较多地使用组装有波导型光调制元件的光调制器。其中，将具有电光效应的linbo3(以下也称为ln)用于基板的光调制元件由于光损失较少且能够实现宽频带的光调制特性，因此被广泛用于高速/大容量光纤通信系统。
在使用该ln基板的光调制元件中，设置有马赫-曾德尔型光波导、用于将作为调制信号的高频信号施加到该光波导的rf电极以及用于为了良好地保持该波导的调制特性而进行各种调整的偏置电极。并且，设置于光调制元件的这些电极经由设置于容纳该光调制元件的光调制器的机壳中的引脚和连接器而连接到电路基板，该电路基板搭载有用于使光调制器进行调制动作的电子电路。
光纤通信系统中的调制方式受到近年来的传送容量增大化的趋势影响，qpsk(quadraturephaseshiftkeying，四相相移键控)、dp-qpsk(dualpolarization-quadraturephaseshiftkeying，双极化-四相相移键控)等多变量调制和在多变量调制中引入极化复用的传送格式成为主流，并在基干光传送网络中使用，也正在被导入到城域网中。
进行qpsk调制的光调制器(qpsk光调制器)、进行dp-qpsk调制的光调制器(dp-qpsk光调制器)具备形成为被称为所谓嵌套式的嵌套构造的多个马赫-曾德尔型光波导，并且具备多个高频信号电极以及多个偏置电极(例如，参照专利文献1)，因此，存在光调制器的机壳的尺寸大型化的倾向。但是，近年来，与此相反地，对于该调制器的小型化的要求正在提高。
作为应对该小型化的要求的一个对策，以往，提出了如下的光调制器，该光调制器通过将作为rf电极的接口而设置于光调制器的机壳的插入式的同轴连接器置换成与偏置电极用的接口相同的引脚以及与这些引脚电连接的fpc(柔性配线板(fpc：flexibleprintedcircuits))，从而能够与外部的电路基板电连接(例如，参照专利文献1)。
例如，在dp-qpsk光调制器中使用由各自具有rf电极的四个马赫-曾德尔型光波导构成的光调制元件。在该情况下，由于将四个插入式同轴连接器设置于光调制器的机壳，因此无法避免机壳的大型化，但如果使用引脚和fpc来代替同轴连接器，则能够实现小型化。
另外，由于光调制器的机壳的引脚与搭载有用于使该光调制器进行调制动作的电子电路(驱动电路)的电路基板之间经由上述fpc而连接，因此不需要进行以往采用的同轴缆线的余长处理，能够缩小光发送装置内的光调制器的安装空间。
在这样的在机壳中设置有高频电信号输入用的引脚的光调制器中，通常，该引脚与容纳于机壳内的光调制元件的电极之间经由配置于该机壳内的中继基板而连接(例如，参照专利文献1)。
图13a、13b、13c是示出这样的以往的光调制器的结构的一个例子的图。在此，图13a是示出搭载在电路基板1330上的以往的光调制器1300的结构的俯视图，图13b是该以往的光调制器1300的侧视图，图13c是该以往的光调制器1300的仰视图。本光调制器1300具备光调制元件1302、容纳光调制元件1302的机壳1304、柔性配线板(fpc)1306、用于使光入射到光调制元件1302的光纤1308以及将从光调制元件1302输出的光导向机壳1304的外部的光纤1310。
光调制元件1302是包括例如设置在ln基板上的四个马赫-曾德尔型光波导以及分别设置在该马赫-曾德尔型光波导上并对在光波导内传播的光波进行调制的四个高频电极(rf电极)1312a、1312b、1312c、1312d在内的dp-qpsk光调制器。
机壳1304由固定有光调制元件1302的壳体1314a和盖体1314b构成。此外，为了容易理解机壳1304内部的结构，在图13a中，在图示左方仅示出盖体1314b的一部分。
在壳体1304a设置有四个引脚1316a、1316b、1316c、1316d。这些引脚1316a、1316b、1316c、1316d由玻璃密封部1400a、1400b、1400c、1400d(后述)密封，从机壳1304的底面(图13c所示的面)延伸到外部，并通过焊料等与形成于fpc1306上的通孔连接。
引脚1316a、1316b、1316c、1316d经由中继基板1318而分别与光调制元件1302的rf电极1312a、1312b、1312c、1312d的一端电连接。
rf电极1312a、1312b、1312c、1312d的另一端分别通过终端器1320而形成电终端。
图14a是图13a所示的光调制器1300的f部的局部详图，图14b是图13a所示的光调制器1300的gg剖面向视图。引脚1316a、1316b、1316c、1316d经由设置于壳体1314a的玻璃密封部1400a、1400b、1400c、1400d，分别从机壳1304内部向机壳1304外部延伸，从该机壳1304的下表面(图13c所示的面)突出并钎焊固定于fpc1306的通孔。
引脚1316a、1316b、1316c、1316d配置于图14a中的中继基板1318的图示下侧(图14b中的中继基板1318的图示左侧)的边(引脚侧边缘1410)的附近，分别通过焊料1408a、1408b、1408c、1408d而电连接到在该中继基板1318上设置的导体图案1402a、1402b、1402c、1402d。
另外，导体图案1402a、1402b、1402c、1402d分别通过例如金导线1406a、1406b、1406c、1406d而电连接到光调制元件1302的图示下端部(图14b中的光调制元件1302的图示左端)的rf电极1312a、1312b、1312c、1312d，并且这些rf电极1312a、1312b、1312c、1312d配置于图14a中的中继基板1318的图示上侧(图14b中的中继基板1318的图示右侧)的边(调制器侧边缘1412)的附近。
关于导体图案1402a、1402b、1402c、1402d，通常来说，为了使从各引脚1316a、1316b、1316c、1316d到与该各引脚1316a、1316b、1316c、1316d对应的各rf电极1312a、1312b、1312c、1312d为止的高频信号的传播距离最短，并使信号传播损失和时滞(传播延迟时间差)最小，这些导体图案1402a、1402b、1402c、1402d构成为彼此平行的直线图案。因此，光调制器1300构成为各引脚1316a、1316b、1316c、1316d之间的间隔与各rf电极1312a、1312b、1312c、1312d之间的间隔相同。
另外，导体图案1402a、1402b、1402c、1402d例如是接地共面线路，在中继基板1318的正面(图14a所示的设置有导体图案1402a等的面)上以夹着导体图案1402a、1402b、1402c、1402d的各导体图案的方式设置有接地图案1418a、1418b、1418c、1418d、1418e。另外，接地图案1418a、1418b、1418c、1418d、1418e分别经由多个导孔1420而与设置于中继基板1318的背面的接地图案(未图示)电连接。此外，在图14a中，为了易于观察，仅对设置于一个接地图案1418a的导孔附加标号地示出，在其他接地图案1418b、1418c、1418d、1418e的区域内示出的图示圆形部分全部是相同的导孔。
这些接地图案1418a、1418b、1418c、1418d、1418e分别通过金导线1412a、1412b、1412c、1412d、1412e而电连接到光调制元件1302上的接地电极(未图示)。
在此，从被上述玻璃密封部1400a等密封的引脚1316a等输入的电信号通常是几十ghz的高频信号(微波信号)。因此，引脚1316a等的设计阻抗(特性阻抗的设计值)、形成在中继基板1318上的导体图案1402a等的设计阻抗与光调制元件1302的rf电极1312a等的设计阻抗例如通过设为彼此相同的值(例如，50ω)而实现阻抗匹配。由此，抑制从引脚1316a等通过中继基板1318上的导体图案1402a等直至光调制元件1302的rf电极1312a等为止的高频传送路径中的高频信号的反射、放射。
通过上述结构，在光调制器1300中，从形成于电路基板1330上的导体图案1332a、1332b、1332c、1332d(图1a)经由fpc1306输入到引脚1316a、1316b、1316c、1316d的高频电信号经由中继基板1318输入到光调制元件1302的rf电极1312a、1312b、1312c、1312d。
然而，在如上所述地实现了阻抗匹配的光调制器1300中，也有时产生噪声信号分量叠加到光调制元件1302的各rf电极1312a等、光调制器1300的眼图消光比、跳动等高频特性发生劣化、光发送装置的传送特性发生劣化等问题。
本发明的发明人针对该问题进行专心研究之后得到如下见解：该问题的一个原因是如下现象(下面称为谐振转移)，即在一个导体图案(1402a等)中传播的高频在中继基板的两端部重复反射而发生共振，该发生了共振的高频与其他导体图案(1402b等)发生谐振，从而该高频的功率的一部分向该其他导体图案转移。
即，中继基板1318的一个端部的与引脚1316a等的连接部是在该引脚1316a等中传播的高频的传播方向朝向中继基板1318上的导体图案1402a等弯曲90度的部分(图14b)，即使在引脚1316a等与导体图案1402a等之间使设计阻抗匹配，也可能无法充分地抑制在上述一个端部处的高频的反射。
另外，在中继基板1318的另一个端部的与光调制元件1302的rf电极1312a等的连接部，在中继基板1318(例如，陶瓷)和光调制元件1302的基板(例如，铌酸锂)这样的具有不同的介电常数的两个基板上分别形成的图案(导体图案1402a等和rf电极1312a等)也隔着空间并经由例如导线而连接。因此，即使使这些图案的设计阻抗相同，也难以完全抑制上述另一个端部处的高频的反射。
其结果是，由于在中继基板1318的两端部发生的高频的反射，在导体图案1402a等中传播的高频在根据作为分布常数线路的该导体图案1402a等的电长度而确定的固有的共振频率下具有极大功率。并且，具有该极大功率的共振频率分量作为反射波返回到电信号源侧，使外部电路(例如，输出用于各rf电极1312a等的高频电信号的驱动器电路)的动作变得不稳定，或者作为行波(或者透射波)到达rf电极1312a等而变成噪声。
特别是，在以往的光调制器1300的中继基板1318中，如上所述，为了使信号传播损失和时滞最小，导体图案1402a、1402b、1402c、1402d构成为彼此平行的直线图案，因此，这些导体图案的各导体图案处的共振频率大致相同。其结果是，如果在一个导体图案发生共振，则作为具有极大功率的该共振频率的高频分量转移到具有大致相同的共振频率的其他导体图案，发生上述谐振转移。
而且，在产生这样的谐振转移的情况下，在一个导体图案处产生的高功率的共振频率分量不仅对于对应的一个rf电极的动作造成影响，而且还经由上述谐振转移而对于其他rf电极的动作造成影响。因此，特别是在如dp-qpsk调制器这样的四个rf电极协作来进行光调制动作的设备的情况下，在上述一个导体图案处产生的高功率的共振频率分量作为与分别在四个rf电极处产生的四个噪声的加乘效应而出现，使调制光的眼图消光比、跳动等高频特性劣化。
另外，这样的谐振转移容易在多个高频信号在狭窄的区域内并行地传播时发生，并且所输入的高频信号的功率(例如，高频信号的振幅)越大，则越容易发生。例如，在具有四个高频信号输入的dp-qpsk调制器中，由于对各个电极输入具有半波长电压的2倍的振幅的高频信号，因此，在如上所述地使用fpc而使引脚间隔变窄的结构中，高功率的高频信号输入集中于狭窄的区域，可能形成更容易发生谐振转移的环境。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-109941号
技术实现要素：
根据上述背景，在具备对高频信号输入用的引脚与光调制元件的电极之间进行中继的中继基板的光调制器中，期望降低形成于该中继基板上的多个导体图案之间的上述谐振转移的影响、并防止光调制特性(例如，眼图消光比、跳动等高频特性)的劣化。
本发明的一个方式涉及一种光调制器，包括：光调制元件，具备多个信号电极；多个引脚，用于输入高频信号；以及中继基板，形成有导体图案，该导体图案将所述引脚与所述信号电极电连接，其中，所述光调制器构成为使所述导体图案与所述信号电极的连接部分附近的高频的放射量比该连接部分以外的部分高。
根据本发明的其他方式，对于至少一个所述导体图案，以使该导体图案与所述信号电极的连接部分附近的高频的放射量比该连接部分以外的部分高的方式，使设置在所述中继基板的正面上的接地图案的所述连接部分的结构与其他部分的结构不同。
根据本发明的其他方式，所述中继基板的所述导体图案与设置于该中继基板的接地图案以及抵接到所述中继基板的背面且连接于地电位的构造物一起构成共面线路，对于至少一个所述导体图案，以使该导体图案与所述信号电极的连接部分附近的高频的放射量比该连接部分以外的部分高的方式，使所述中继基板的背面的与所述构造物的电接触的方式在与所述连接部分对应的该背面的部分与该部分以外的部分不同。
根据本发明的其他方式，设置于所述中继基板的正面的所述接地图案经由多个导孔而连接到设置于所述中继基板的背面的接地图案，设置于从与所述连接部分最接近的所述中继基板的边缘起的预定距离范围内的所述导孔的直径小于设置于该预定距离范围外的导孔的直径。
根据本发明的其他方式，设置于所述中继基板的正面的所述接地图案经由多个导孔而连接到设置于所述中继基板的背面的接地图案，在从与所述连接部分最接近的所述中继基板的边缘起的预定距离范围内未设置所述导孔。
根据本发明的其他方式，设置于所述中继基板的正面的所述接地图案构成为，在从与所述连接部分最接近的所述中继基板的边缘起的预定距离范围内，沿着与该接地图案相邻的所述导体图案的长度方向以预定宽度延伸。
根据本发明的其他方式，设置于所述中继基板的正面的所述接地图案在从与所述连接部分最接近的所述中继基板的边缘起的预定距离范围内不延伸。
根据本发明的其他方式，将设置于所述中继基板的正面的所述接地图案与设置于所述光调制元件的接地电极连接的导线中的、与相邻的所述导体图案最接近的位置的导线在从该接地图案的边缘中的该相邻的导体图案侧的边缘隔开预定距离的位置连接于该接地图案，所述预定距离是所述相邻的导体图案侧的边缘与该相邻的导体图案的边缘之间的距离以上。
根据本发明的其他方式，所述中继基板的背面的从与所述连接部分最接近的边缘起的预定距离的范围以外的部分经由导电性材料而电连接于所述构造物，所述预定距离的范围内的部分未经由导电性材料连接于所述构造物。
根据本发明的其他方式，所述中继基板构成为所述预定距离的范围内的部分的厚度比该预定距离的范围以外的部分的厚度薄。
根据本发明的其他方式，在所述中继基板的背面，在所述预定距离的范围以外的部分设置有金属膜，在该预定距离的范围内的部分未设置所述金属膜。
根据本发明的其他方式，所述中继基板以使所述预定距离的范围内的部分从所述构造物的边缘突出的方式安装于该构造物。
本发明的另一方式涉及一种光调制器，包括：光调制元件，具备多个信号电极；多个引脚，用于输入高频信号；中继基板，在其正面形成有导体图案，该导体图案将所述引脚与所述信号电极电连接，其中，所述中继基板的正面与所述光调制元件的形成有所述信号电极的面在将所述导体图案与所述信号电极连接的部分形成高低差。
本发明的再另一方式涉及一种光发送装置，包括：上述任一种光调制器；以及电子电路，输出用于使该光调制器进行调制动作的电信号。
附图说明
图1a是示出本发明的第1实施方式的光调制器的结构的该光调制器的俯视图。
图1b是本发明的第1实施方式的光调制器的侧视图。
图1c是本发明的第1实施方式的光调制器的仰视图。
图2a是图1a所示的光调制器的a部的局部详图。
图2b是图1a所示的光调制器的bb剖面向视图。
图3是示出关于第1实施方式的光调制器的第1变形例的中继基板周围的结构的相当于图2a的局部详图。
图4是示出关于第1实施方式的光调制器的第2变形例的中继基板周围的结构的相当于图2a的局部详图。
图5是示出关于第1实施方式的光调制器的第3变形例的中继基板周围的结构的相当于图2a的局部详图。
图6是示出关于第1实施方式的光调制器的第4变形例的中继基板周围的结构的相当于图2a的局部详图。
图7a是示出关于第1实施方式的光调制器的第5变形例的中继基板周围的结构的相当于图2a的局部详图。
图7b是示出关于第1实施方式的光调制器的第5变形例的中继基板周围的剖面的结构的相当于图2b的局部详图。
图8a是示出关于第1实施方式的光调制器的第6变形例的中继基板周围的结构的相当于图2a的局部详图。
图8b是示出关于第1实施方式的光调制器的第6变形例的中继基板周围的剖面的结构的相当于图2b的局部详图。
图9a是示出关于第1实施方式的光调制器的第7变形例的中继基板周围的结构的相当于图2a的局部详图。
图9b是示出关于第1实施方式的光调制器的第7变形例的中继基板周围的剖面的结构的相当于图2b的局部详图。
图10a是示出关于第1实施方式的光调制器的第8变形例的中继基板周围的结构的相当于图2a的局部详图。
图10b是示出关于第1实施方式的光调制器的第8变形例的中继基板周围的剖面的结构的相当于图2b的局部详图。
图11a是示出关于第1实施方式的光调制器的第9变形例的中继基板周围的结构的相当于图2a的局部详图。
图11b是示出关于第1实施方式的光调制器的第9变形例的中继基板周围的剖面的结构的相当于图2b的局部详图。
图12是示出本发明的第2实施方式的光发送装置的结构的图。
图13a是示出以往的光调制器的结构的该光调制器的俯视图。
图13b是以往的光调制器的侧视图。
图13c是以往的光调制器的仰视图。
图14a是图13a所示的光调制器的f部的局部详图。
图14b是图13a所示的光调制器的gg剖面向视图。
标号说明
100、1202、1300…光调制器
102、1302…光调制元件
104、1304…机壳
106、1306…fpc
108、110、1308、1310…光纤
112a、112b、112c、112d、1312a、1312b、1312c、1312d…rf电极
114a、1314a…壳体
114b、1314b…盖体
114a-3…基座部
116a、116b、116c、116d、1316a、1316b、1316c、1316d…引脚
118、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1318…中继基板
120、1320…终端器
200a、200b、200c、200d、1400a、1400b、1400c、1400d…玻璃密封部
202a、202b、202c、202d、1332a、1332b、1332c、1332d、1402a、1402b、1402c、1402d…导体图案
206a、206b、206c、206d、222a、222b、222c、222d、222e、1406a、1406b、1406c、1406d、1412a、1412b、1412c、1412d、1412e…导线
208a、208b、208c、208d、1408a、1408b、1408c、1408d…焊料
210、1410…引脚侧边缘
212、1412…调制器侧边缘
218a、218b、218c、218d、218e、318a、318b、318c、318d、318e、418a、418b、418c、418d、418e、518a、518b、518c、518d、518e、618a、618b、618c、618d、618e、718a、718b、718c、718d、718e、818a、818b、818c、818d、818e、918a、918b、918c、918d、918e、1018a、1018b、1018c、1018d、1018e、1118a、1118b、1118c、1118d、1118e…接地图案
220a、220b、320、420、520、620、1120…导孔
850、950…导电性原料
900a…金属图案
1200…光发送装置
1204…光源
1206…调制信号生成部
1208…调制数据生成部
1330…电路基板。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的实施方式。
<第1实施方式>
首先，说明本发明的第1实施方式。图1a、1b、1c是示出本发明的第1实施方式的光调制器的结构的图。在此，图1a、1b、1c分别是本光调制器100的俯视图、侧视图、仰视图。
本光调制器100具备光调制元件102、容纳光调制元件102的机壳104、柔性配线板(fpc)106、用于使光入射到光调制元件102的光纤108以及将从光调制元件102输出的光导向机壳104的外部的光纤110。
光调制元件102是具备例如设置于ln基板上的四个马赫-曾德尔型光波导以及分别设置于该马赫-曾德尔型光波导上并对在光波导内传播的光波进行调制的四个高频电极(rf电极)112a、112b、112c、112d的dp-qpsk光调制器。从光调制元件102输出的两束光例如通过透镜光学系统(未图示)而进行极化合成，并经由光纤110导向机壳104的外部。
机壳104由固定有光调制元件102的壳体114a和盖体114b构成。此外，为了易于理解机壳104内部的结构，在图1a中，在图示左方仅示出盖体114b的一部分，但实际上盖体114b配置成覆盖箱状的壳体114a整体而对机壳104的内部进行气密密封。
在壳体114a设置有作为高频信号输入用的导体的四个引脚116a、116b、116c、116d。这些引脚116a、116b、116c、116d从机壳104的底面(图1c所示的面)延伸到外部，通过焊料等与形成在fpc106上的通孔连接。另外，壳体114a由导电性原料(例如，不锈钢等金属、镀敷有金等的金属薄膜的原料)构成，经由fpc106或者在将光调制器100安装到传送装置等时壳体104a与外部构造物进行接触，从而连接到地线。
引脚116a、116b、116c、116d经由中继基板118而分别与光调制元件102的rf电极112a、112b、112c、112d的一端电连接。此外，关于中继基板118的结构，在后文中叙述。
rf电极112a、112b、112c、112d分别设计成在动作频率范围内特性阻抗为预定值(例如，在本实施方式中是50ω)，rf电极112a、112b、112c、112d的另一端分别通过具有上述预定值的阻抗(例如，50ω)的终端器120而形成终端。此外，在下文中，除非另有说明，“特性阻抗”是指光调制元件102的动作频率范围内的特性阻抗。
图2a是图1a所示的光调制器100的a部的局部详图，图2b是图1a所示的光调制器100的bb剖面向视图。在中继基板118上设置有四个导体图案202a、202b、202c、202d。该导体图案202a、202b、202c、202d例如是直线状图案，分别通过例如导体导线(例如，金导线)206a、206b、206c、206d而电连接到配置于图2a中的中继基板118的图示上侧(图2b中的中继基板118的图示右侧)的边(调制器侧边缘212)的附近的光调制元件102的图示下端部(图2b中的光调制元件102的图示左端)部的rf电极112a、112b、112c、112d。
设置于中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d例如是接地共面线路，设计成具有与光调制元件102的rf电极112a、112b、112c、112d相同的特性阻抗(例如，50ω)。即，在中继基板118的正面(图2a所示的设置有导体图案202a等的面)上以夹着导体图案202a、202b、202c、202d的各导体图案的方式设置有接地图案218a、218b、218c、218d、218e，这些接地图案218a、218b、218c、218d、218e分别经由设置于各接地图案的导孔220a以及220b而与设置于中继基板118的背面的接地图案(未图示)电连接。此外，在图2a中，为了易于观察，仅针对一个接地图案218a而对导孔附加了标号，而其他接地图案218b、218c、218d、218e中的导孔(各接地图案的区域内所示的图示圆形部分)的配置以及结构与接地图案218a中的导孔的配置以及结构相同。
另外，接地图案218a、218b、218c、218d、218e分别通过导体导线(例如，金导线)222a、222b、222c、222d、222e而电连接于光调制元件102上的接地电极(未图示)。
以下，在提及“导孔”时，除非另有说明，是指用于将设置于中继基板的背面的接地图案与设置于该中继基板的正面的接地图案电连接的导孔。
引脚116a、116b、116c、116d设计成具有与光调制元件102的rf电极112a、112b、112c、112d相同的特性阻抗(例如，50ω)，经由设置于壳体114a的玻璃密封部200a、200b、200c、200d而分别从机壳104内部向机壳104外部延伸，从该机壳104的下表面(图1c所示的面)突出并钎焊固定于fpc106的通孔。
另外，引脚116a、116b、116c、116d配置于图2a中的中继基板118的图示下侧(图2b中的中继基板118的图示左侧)的边(引脚侧边缘210)的附近，并分别通过焊料208a、208b、208c、208d而电连接到设置于该中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d。
通过上述结构，从例如设置于机壳104外部的驱动装置(例如，构成有驱动电路的印刷配线板(pwb))经由fpc106输入到引脚116a、116b、116c、116d的高频信号经由中继基板118上的导体图案202a、202b、202c、202d而分别输入到光调制元件102的rf电极112a、112b、112c、112d，在光调制元件102中被进行光调制动作。
特别是，在本实施方式中，设置于从调制器侧边缘212侧起的预定距离范围(例如，100μm至2mm左右的距离范围)内的导孔220b的直径小于设置于该距离范围外的导孔220a的直径。此外，如上所述，接地图案218b、218c、218d、218e中的导孔的配置以及结构与接地图案218a中的导孔220a、220b的配置以及结构相同。
由此，在本实施方式的光调制器100中，在调制器侧边缘212附近部分，将中继基板118的正面的接地图案218a等与背面的接地图案(未图示)连接的导孔220b的截面积与设置于该附近部分以外的部分的导孔220a的截面积相比减少(即，调制器侧边缘212附近部分的将背面的接地图案与正面的接地图案连接的导体的电阻增加，使两面的接地图案的电位保持稳定的性能(接地性能)降低)，其结果是，被各接地图案210a、210b、210c、210d、210e夹着的导体图案202a、202b、202c、202d中的在调制器侧边缘212附近处的高频信号的限制的程度与其他部分相比变弱。因此，在导体图案202a、202b、202c、202d中各自传播的高频信号的一部分在该调制器侧边缘212的附近分别稍微地向中继基板118的内部、光调制元件102的内部或者空中放射。即，包括该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高。
并且，由于该高频信号的放射，与全部的导孔1420具有相同的形状且连接于中继基板1318的背面的接地图案的以往的结构相比，在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的量(即，高频的反射量)变少。
其结果是，降低导体图案202a、202b、202c、202d的各导体图案处的共振现象，抑制这些导体图案之间的高频功率的谐振转移，因此良好地保持光调制器100的光调制特性。
此外，在本实施方式中，形成为在从调制器侧边缘212起的预定距离范围内设置三个小径的导孔220b，全部的导孔220a和220b之间的彼此的距离全部相同(图2a)，但不限于此，例如也可以在上述预定距离范围内设置三个以外(不包括0)的数量的导孔220b，或者，导孔220a以及220b的各导孔之间的距离不规则地变化。
另外，能够形成为，设置于上述预定距离范围内的多个导孔各自的直径小于设置于该范围外的导孔220a的直径，并且，随着接近于调制器侧边缘212的导孔而例如多阶段性地或者连续地变小。由此，能够使导体图案202a等处的高频信号的限制强度多阶段性地或者连续地缓慢变弱，因此能够抑制伴随着限制强度的急剧变化的高频信号的反射而更有效地抑制谐振转移。
关于上述的导体图案202a等中的在调制器侧边缘212附近处的高频信号的限制强度的降低，除了如本实施方式那样通过改变设置于接地图案218a等的导孔的直径来进行的结构之外，还能够使用各种结构来实现。
接下来，使用图4至图11b来说明第1实施方式的光调制器的变形例。
〔第1变形例〕
首先，说明关于第1实施方式的光调制器100的第1变形例。
图3是利用对应于图2a的局部详图来示出能够代替中继基板118而使用的本变形例的中继基板300的结构的图。在图3中，关于与图2a所示的中继基板118相同的结构要素，使用与图2a中的标号相同的标号，并援引关于上述图2a的说明。
图3所示的中继基板300具有与图2a所示的中继基板118相同的结构，但在具备接地图案318a、318b、318c、318d、318e而代替接地图案218a、218b、218c、218d、218e这一点上不同。该接地图案318a、318b、318c、318d、318e具有与接地图案218a、218b、218c、218d、218e相同的结构，但用于与设置于中继基板300背面的接地图案(未图示)电连接的导孔的配置不同。
以下，采用接地图案318a为例，说明导孔的配置。其他接地图案318b、318c、318d、318e中的导孔的配置以及结构与以下所示的接地图案318a中的导孔的配置以及结构相同。
接地图案318a在从调制器侧边缘212起的预定距离d11的范围内以外的区域中例如彼此隔开恒定的间隔地设置有多个导孔320。由此，在调制器侧边缘212附近部分，中继基板300的正面的接地图案318a等与背面的接地图案(未图示)未连接。因此，与第1实施方式同样地，在该附近部分，在导体图案202a等中传播的高频信号的限制效应变低，在导体图案202a等中传播的高频信号的一部分在调制器侧边缘212附近放射(即，包括导体图案202a等与rf电极112a等的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高)。其结果是，降低在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的、在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的反射量，导体图案202a、202b、202c、202d之间的谐振转移被抑制。
在此，预定距离d11能够以在调制器侧边缘212的附近从导体图案202a等放射的高频功率的比例(放射功率相对于总功率的比例)为期望的值的方式设定。例如，通过将距离d11相对于与接地图案相邻的导体图案和该接地图案之间的距离d12(例如，与接地图案318a相邻的导体图案202a和该接地图案318a之间的距离d12)设为如下：
d11≥2×d12(1)，
能够有效地抑制谐振转移。
此外，在本变形例中，导孔320形成为彼此的间隔恒定，但也可以是不恒定的间隔。
〔第2变形例〕
接下来，说明关于第1实施方式的光调制器100的第2变形例。
图4是利用对应于图2a的局部详图来示出能够代替中继基板118而使用的本变形例的中继基板400的结构的图。在图4中，关于与图2a所示的中继基板118相同的结构要素，使用与图2a中的标号相同的标号，并援引关于上述图2a的说明。
图4所示的中继基板400具有与图2a所示的中继基板118相同的结构，但在具备接地图案418a、418b、418c、418d、418e而代替接地图案218a、218b、218c、218d、218e这一点上不同。该接地图案418a、418b、418c、418d、418e具有与接地图案218a、218b、218c、218d、218e相同的结构，但调制器侧边缘212侧的端部的形状以及导孔的配置不同。
以下，采用接地图案418a、418b为例，说明其形状以及导孔的配置。
接地图案418a的从调制器侧边缘212起的预定距离d21的范围形成为如下形状：保留沿着在图示左侧相邻的导体图案202a的边延伸至调制器侧边缘212的预定宽度d22的部分422a，而将导体部分的一部分切除。另外，在从调制器侧边缘212起的预定距离d21的范围内未设置导孔，在该范围以外的区域中例如彼此隔开恒定的间隔地设置有导孔420。
另外，接地图案418b的从调制器侧边缘212起的预定距离d21的范围形成为如下形状：保留沿着相邻的两个导体图案202a以及202b各自的边延伸至调制器侧边缘212的两个预定宽度d22的部分422b、422c，而将导体部分的一部分切除。另外，在从调制器侧边缘212起的预定距离d21的范围内未设置导孔，在该范围以外的区域中例如彼此隔开恒定的间隔地设置有导孔420。
其他接地图案中的接地图案418e在图示右侧具有相邻的导体图案202d，因此是使接地图案418a左右反转而成的结构。另外，接地图案418c、418d具有与接地图案418b相同的结构。
根据上述结构，在中继基板400中，在调制器侧边缘212附近部分(即，预定距离d21的范围)，中继基板400的正面的接地图案418a等与背面的接地图案(未图示)未连接，并且，在调制器侧边缘212附近部分，从图示左右方向夹着导体图案202a等的接地图案的面积变窄。其结果是，与第1实施方式同样地，导体图案202a等处的在调制器侧边缘212附近的高频信号的限制效果变弱，在导体图案202a等中传播的高频信号的一部分在调制器侧边缘212附近放射(即，包括导体图案202a等与rf电极112a等的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高)。由此，降低在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的反射量，抑制导体图案202a、202b、202c、202d之间的谐振转移。
在此，预定距离d21以及标号422a、422b、422c所示的部分的宽度d22能够以在调制器侧边缘212的附近从导体图案202a等放射的高频功率的比例(放射功率相对于总功率的比例)为期望的值的方式设定。例如，通过设为距离d21以及宽度d22相对于与接地图案相邻的导体图案和该接地图案之间的距离d23(例如，与接地图案418a相邻的导体图案202a和该接地图案418a之间的距离d23)满足以下的式(2)以及式(3)的结构，能够有效地抑制谐振转移。
d21≥2×d23(2)
d22≤10×d23(3)
此外，在本变形例中，导孔420的彼此的间隔恒定，但也可以是不恒定的间隔。另外，沿着相邻的导体图案延伸至调制器侧边缘212的部分422a、422b、422c的宽度在本变形例中设为相同的宽度，但不限于此，例如可以是在满足上述式(2)、(3)的范围内彼此不同的宽度。例如，能够使标号422b、422c的部分的宽度相同，使标号422a的部分的宽度比该宽度宽。另外，也可以使延伸的部分422a、422b、422c的宽度沿着延伸方向呈锥形状地变化或者阶段性地变化。
另外，在本变形例中，延伸至调制器侧边缘212的部分422a、422b、422c的宽度全部是相同的宽度，但不限于此，在满足式(2)的范围内能够设为彼此不同的宽度。
另外，在本变形例中，导体图案202a等具有彼此相同的宽度d23，但不限于此，能够设为具有彼此不同的宽度。在该情况下，接地图案的延伸部分422b等的宽度设为相对于与该切缺部分相邻的导体图案的宽度满足式(3)即可。例如在导体图案202b具有宽度d23′(≠d23)的情况下，延伸部分422c的宽度能够不设为d22而设为满足d22≤10×d23′的d22′。
另外，接地图案的切缺部分的长度(即d21)能够设为相对于相邻的导体图案的宽度(在如接地图案418b那样在图示两侧具有两个相邻的导体图案的情况下，是它们中的具有较大的宽度的导体图案的宽度)满足式(2)的范围。例如在导体图案202b是宽度d23′(＞d23)的情况下，延伸部分422b与422c之间的切缺部分(即，延伸部分422b、422c的图示纵向的长度)能够不设为d21而设为满足d21′≥2×d23′的d21′。
进而，本变形例的接地图案418a等的形状也能够在作为在中继基板的背面不设置接地图案的共面线路(例如，不是接地共面线路的共面线路)而设置导体图案202a等的情况下使用。即，在接地图案418a等处不设置导孔，仅通过将接地图案418a等的形状形成为图4所示的形状，能够在调制器边缘212附近使在导体图案202a等中传播的高频的一部分放射，抑制谐振转移。
〔第3变形例〕
接下来，说明关于第1实施方式的光调制器100的第3变形例。
图5是利用对应于图2a的局部详图来示出能够代替中继基板118而使用的本变形例的中继基板500的结构的图。在图5中，关于与图2a所示的中继基板118相同的结构要素，使用与图2a中的标号相同的标号，并援引关于上述图2a的说明。
图5所示的中继基板500具有与图2a所示的中继基板118相同的结构，但在具备接地图案518a、518b、518c、518d、518e而代替接地图案218a、218b、218c、218d、218e这一点上不同。该接地图案518a、518b、518c、518d、518e具有与接地图案218a、218b、218c、218d、218e相同的结构，但它们的形状以及导孔的配置不同。
以下，采用接地图案518a为例，说明其形状以及导孔的配置。
在图2a所示的中继基板118中，接地图案218a等延伸至调制器侧边缘212，与此相对地，在本变形例的中继基板500中，接地图案518a未延伸至调制器侧边缘212，而延伸至距该调制器侧边缘212预定距离d31的位置。另外，关于设置于接地图案518a的导孔，不一定需要使它们的直径不同，在本变形例中，例如具有直径相同且以彼此相同的间隔配置的导孔520。其他接地图案518b、518c、518d、518e的结构与上述接地图案518a的结构相同。
通过上述结构，在中继基板500中，导体图案202a等在调制器侧边缘212附近部分(即，预定距离d31的范围)存在未被接地图案518a等夹着的部分。其结果是，与第1实施方式同样地，导体图案202a等处的调制器侧边缘212附近的高频信号的限制效果变弱，在导体图案202a等中传播的高频信号的一部分在调制器侧边缘212附近放射(即，包括导体图案202a等与rf电极112a等的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高)。由此，降低在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的反射量，抑制导体图案202a、202b、202c、202d之间的谐振转移。
在此，预定距离d31如果过大，则来自导体图案202a等的高频的放射功率的比例变得过大而对传播特性造成影响，因此，适当的是，优选在动作频率超过10ghz的频率范围内例如设为：
d31≤100μm(3)。
此外，在本变形例中，导孔520形成为彼此的间隔恒定，但也可以是不恒定的间隔。
另外，本变形例的接地图案518a等的形状也能够在作为在中继基板的背面不设置接地图案的共面线路(例如，不是接地共面线路的共面线路)而设置导体图案202a等的情况下使用。即，在接地图案518a等处不设置导孔，仅通过将接地图案518a等的形状设为图5所示的形状，能够在调制器边缘212附近使在导体图案202a等中传播的高频的一部分放射，抑制谐振转移。
〔第4变形例〕
接下来，说明关于第1实施方式的光调制器100的第4变形例。
图6是利用对应于图2a的局部详图来示出能够代替中继基板118而使用的本变形例的中继基板600的结构的图。在图6中，关于与图2a所示的中继基板118相同的结构要素，使用与图2a中的标号相同的标号，并援引关于上述图2a的说明。
图6所示的中继基板600具有与图2a所示的中继基板118相同的结构，但在具备接地图案618a、618b、618c、618d、618e而代替接地图案218a、218b、218c、218d、218e这一点上不同。该接地图案618a、618b、618c、618d、618e具有与接地图案218a、218b、218c、218d、218e相同的结构，但它们的形状以及导孔的配置不同。另外，将接地图案618a、618b、618c、618d、618e与光调制元件102上的接地电极(未图示)连接的导体导线222a、222b、222c、222d、222e的位置与图2a中的中继基板118的情况不同。
以下，采用接地图案618b为例，说明其形状、导孔的配置以及导体导线的配置。
在图6所示的本变形例的中继基板600中，与图5所示的中继基板500的接地图案518b等同样地，接地图案618b延伸至从调制器侧边缘212起隔开预定距离d41的位置。该预定距离d41例如与上述第3变形例中的d31同样地，优选设为d41≤100μm。
进而，在本变形例中，将接地图案618b与光调制元件102的接地电极(未图示)连接的导体导线222b中的与相邻的导体图案202a最接近的导体导线222b-1的与接地图案618b的连接位置从该接地图案618b的边中的与相邻的导体图案202a相对的边隔开预定距离d42。
同样地，将接地图案618b与光调制元件102的接地电极(未图示)连接的导体导线222b中的与相邻的导体图案202b最接近的导体导线222b-2的与接地图案618b的连接位置从该接地图案618b的边中的与相邻的导体图案202b相对的边隔开预定距离d43。
一般来说，将夹着作为高频信号的传播路径的导体图案的接地图案与光调制元件的接地电极连接的导体导线为了提高该导体图案处的高频信号的限制效果，固定安装并连接于该接地图案中的与该相邻的导体图案尽可能近的部。与此相对地，在本变形例中，如上所述，将接地图案618b与光调制元件102的接地电极(未图示)连接的导体导线222b-1、222b-2未连接到接地图案618b中的相邻的导体图案202a、202b的最接近部分，而分别连接到从接地图案618b的边中的与相邻的导体图案202a、202b相对的边隔开了预定距离d42、d43的位置。
因此，在本变形例的中继基板600中，接地图案618b延伸至从调制器侧边缘起隔开了预定距离d41的位置，在此基础上，导体图案202a等处的调制器侧边缘212附近的高频信号的限制效果减弱，在导体图案202a等中传播的高频信号的一部分在调制器侧边缘212附近放射(即，包括导体图案202a等与rf电极112a等的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高)。其结果是，降低在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的反射量，抑制导体图案202a、202b、202c、202d之间的谐振转移。
在此，为了将来自导体图案202a等的高频的放射功率的比例设为有意义的水平，适当的是，预定距离d42、d43优选分别为相邻的导体图案202a、202b的边缘和与这些边缘相对的接地图案618b的对应的边缘之间的距离d44、d45以上。即，优选设为：
d42≥d44(4)
d43≥d45(5)。
此外，在本变形例中，形成为在接地图案618b连接有两根导体导线202b-1、202b-2的结构，但导体导线的数量不限于此，能够设为任意的数量。即，例如在将四根导体导线连接到接地图案618b的情况下，将该四根导体导线中的与相邻的导体图案202a、202b最接近的导体导线分别设为导体导线202b-1、202b-2，并配置成满足上述(4)式、(5)式即可。上述(4)式、(5)式不需要两方都满足，满足任一个式子就能够得到一定的效果。这对于其他接地图案也一样。
关于其他接地图案618a、618c、618d、618e的结构与关于上述接地图案618b的结构相同。在此，接地图案618a、618e分别具有仅与图示左右中的某一方相邻的导体图案202a、202d，因此，导体导线222a、222e的位置相对于直至分别相邻的导体图案202a、202d为止的距离满足上述式(3)或者(4)即可。
此外，本变形例的接地图案618a等的形状也能够在作为在中继基板的背面不设置接地图案的共面线路(例如，不是接地共面线路的共面线路)而设置导体图案202a等的情况下使用。即，在接地图案618a等不设置导孔，仅通过将接地图案618a等的形状设为图6所示的形状，能够在调制器边缘212附近使在导体图案202a等中传播的高频的一部分放射，抑制谐振转移。
〔第5变形例〕
接下来，说明关于第1实施方式的光调制器100的第5变形例。
图7a、7b是利用分别对应于图2a、2b的局部详图来示出能够代替中继基板118而使用的本变形例的中继基板700的结构的图。在图7a、7b中，关于与图2a、2b所示的中继基板118相同的结构要素，使用与图2a、2b中的标号相同的标号，并援引关于上述图2a、2b的说明。
图7a、7b所示的中继基板700与中继基板118同样地具有导体图案202a、202b、202c、202d，但这些导体图案202a等构成为在中继基板700的背面接触到被接地的壳体114a时作为接地共面线路而发挥功能，在这一点上不同。为了实现这一点，中继基板700具备接地图案718a、718b、718c、718d、718e而代替接地图案218a、218b、218c、218d、218e。即，导体图案202a、202b、202c、202d与接地图案718a、718b、718c、718d、718e以及抵接到中继基板700的背面且连接于地电位的构造物即壳体114a一起构成接地共面线路。
该接地图案718a、718b、718c、718d、718e各自具有与接地图案218a、218b、218c、218d、218e相同的结构，但各自与导体图案202a、202b、202c、202d之间的距离为与接地图案218a、218b、218c、218d、218e不同的距离。即，接地图案718a、718b、718c、718d、718e设计成，在中继基板700的背面抵接于壳体114a时，或者在与壳体114a抵接且在与该壳体114a之间涂敷有例如导电性粘接剂等而电连接时，导体图案202a、202b、202c、202d作为接地共面线路而发挥功能。另外，接地图案718a、718b、718c、718d、718e与接地图案218a、218b、218c、218d、218e不同，可以不具有导孔。
并且，特别是，如图7b所示，中继基板700形成为在从调制器侧边缘212(图7a所示的中继基板700的图示上方的边缘。即，图7b中的图示右侧的边缘)起的预定距离d51的范围削除其背面而成的形状，从调制器侧边缘212起的距离d51的范围内的基板部分700a的厚度比其他基板部分700b薄。因此，中继基板700在向壳体114a安装时，其背面在从调制器侧边缘212起的预定距离d51的范围内不与壳体114a电连接。
因此，在中继基板700中，关于导体图案202a等，在调制器侧边缘212的附近，基于壳体114a的地电位的高频信号的限制效果减弱，在导体图案202a等中传播的高频信号的一部分在调制器侧边缘212附近放射(即，包括导体图案202a等与rf电极112a等的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高)。其结果是，降低在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的反射量，导体图案202a、202b、202c、202d之间的谐振转移被抑制。
此外，在本变形例的中继基板700中，导体图案202a、202b、202c、202d构成为在中继基板700的背面与壳体114a电接触时作为接地共面线路而发挥功能，但不限于此，也可以构成为通常的(不是接地共面线路的)共面线路。在该情况下，在中继基板700中，由于调制器侧边缘212的附近的与地电位导体(即壳体114a)的电位置关系(或者连接关系)相比于其他部分发生变化(即，在从调制器侧边缘212起的预定距离d51的范围内不与壳体114a电接触)，因此，实质上也能够在该调制器侧边缘212的附近从导体图案202a等发生高频的放射而抑制谐振转移。
〔第6变形例〕
接下来，说明关于第1实施方式的光调制器100的第6变形例。
图8a、8b是利用分别对应于图2a、2b的局部详图来示出能够代替中继基板118而使用的本变形例的中继基板800的结构的图。在图8a、8b中，关于与图2a、2b所示的中继基板118相同的结构要素，使用与图2a、2b中的标号相同的标号，并援引关于上述图2a、2b的说明。
图8a、8b所示的中继基板800与中继基板118同样地具有导体图案202a、202b、202c、202d，而这些导体图案202a等构成为在中继基板800的背面接触到被接地的壳体114a时作为接地共面线路而发挥功能。为了实现这一点，中继基板800具备接地图案818a、818b、818c、818d、818e而代替接地图案218a、218b、218c、218d、218e。即，导体图案202a、202b、202c、202d与接地图案818a、818b、818c、818d、818e以及抵接到中继基板800的背面且连接于地电位的构造物即壳体114a一起构成接地共面线路。
该接地图案818a、818b、818c、818d、818e分别具有与接地图案218a、218b、218c、218d、218e相同的结构，但各自与导体图案202a、202b、202c、202d之间的距离为与接地图案218a、218b、218c、218d、218e不同的距离。即，接地图案818a、818b、818c、818d、818e设计成，在中继基板800的背面抵接到壳体114a时，或者在与壳体114a抵接且在与该壳体114a之间夹设有例如导电性粘接剂等导电性原料而电连接时，导体图案202a、202b、202c、202d作为接地共面线路而发挥功能。另外，接地图案818a、818b、818c、818d、818e与接地图案218a、218b、218c、218d、218e不同，可以不具有导孔。
并且，特别是，关于中继基板800，其背面通过导电性原料850(例如，钎焊材料、焊料、导电性粘接剂等)固定且电连接到壳体114a，但如图8b所示，在其背面上的从调制器侧边缘212起的预定距离d61以内的范围内不涂敷导电性原料850，该范围与壳体114a的电连接为不完全的状态(例如，与经由导电性粘接剂的连接相比，(在表面凹凸的整个面不进行接触这样的意思下)接触面积较小或者接触电阻较大的状态)。
因此，在中继基板800中，关于导体图案202a等，在调制器侧边缘212的附近，基于壳体114a的地电位的高频信号的限制效果减弱，因此，在导体图案202a等中传播的高频信号的一部分在调制器侧边缘212附近放射(即，包括导体图案202a等与rf电极112a等的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高)。其结果是，降低在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的反射量，导体图案202a、202b、202c、202d之间的谐振转移被抑制。
此外，在本变形例的中继基板800中，导体图案202a、202b、202c、202d构成为在中继基板800的背面与壳体114a电接触时作为接地共面线路而发挥功能，但不限于此，也可以构成为通常的(不是接地共面线路的)共面线路。在该情况下，在中继基板800中，由于调制器侧边缘212的附近的与地电位导体(即壳体114a)的电位置关系(或者连接关系)相比于其他部分发生变化(即，在从调制器侧边缘212起的预定距离d61的范围内，与壳体114a电接触是不完全的)，因此，实质上也能够在该调制器侧边缘212的附近从导体图案202a等发生，高频的放射而抑制谐振转移。
〔第7变形例〕
接下来，说明关于第1实施方式的光调制器100的第7变形例。
图9a、9b是利用分别对应于图2a、2b的局部详图来示出能够代替中继基板118而使用的本变形例的中继基板900的结构的图。在图9a、9b中，关于与图2a、2b所示的中继基板118相同的结构要素，使用与图2a、2b中的标号相同的标号，并援引关于上述图2a、2b的说明。
图9a、9b所示的中继基板900与中继基板118同样地具有导体图案202a、202b、202c、202d，而这些导体图案202a等构成为在中继基板900的背面接触到被接地的壳体114a时作为接地共面线路而发挥功能。为了实现这一点，中继基板800具备接地图案918a、918b、918c、918d、918e而代替接地图案218a、218b、218c、218d、218e。即，导体图案202a、202b、202c、202d与接地图案918a、918b、918c、918d、918e以及抵接到中继基板900的背面且连接于地电位的构造物即壳体114a一起构成接地共面线路。
该接地图案918a、918b、918c、918d、918e各自具有与接地图案218a、218b、218c、218d、218e相同的结构，但各自与导体图案202a、202b、202c、202d之间的距离为与接地图案218a、218b、218c、218d、218e不同的距离。即，接地图案918a、918b、918c、918d、918e设计成，在中继基板900的背面抵接到壳体114a时导体图案202a、202b、202c、202d作为接地共面线路而发挥功能。另外，接地图案918a、918b、918c、918d、918e与接地图案218a、218b、218c、218d、218e不同，可以不具有导孔。
特别是，如图9b所示，在中继基板900的背面，除去从调制器侧边缘212起的预定距离d71以内的范围，设置有金属图案900a(图示斜线部分)。而且，中继基板900通过导电性原料950(例如，钎焊材料、焊料、导电性粘接剂等)将该金属图案900a固定且电连接到壳体114a。即，中继基板900的背面在从调制器侧边缘212起的预定距离d71的范围内与壳体114a的电连接为不完全的状态(即，相比于该预定距离d71的范围外的与壳体114a的电连接，(在表面凹凸的整个面不进行接触这样的意思下)接触面积较小或者接触电阻较大的状态)。
因此，在中继基板900中，关于导体图案202a等，在调制器侧边缘212的附近，基于壳体114a的地电位的高频信号的限制效果减弱，在导体图案202a等中传播的高频信号的一部分在调制器侧边缘212附近放射(即，包括导体图案202a等与rf电极112a等的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高)。其结果是，降低在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的反射量，导体图案202a、202b、202c、202d之间的谐振转移被抑制。
此外，在本变形例的中继基板900中，导体图案202a、202b、202c、202d构成为在中继基板900的背面与壳体114a电接触时作为接地共面线路而发挥功能，但不限于此，也可以构成为通常的(不是接地共面线路的)共面线路。在该情况下，在中继基板900中，由于调制器侧边缘212的附近的与地电位导体(即壳体114a)的电位置关系(或者连接关系)相比于其他部分发生变化(即，在从调制器侧边缘212起的预定距离d71的范围内，与壳体114a的电接触是不完全的)，因此，实质上也能够在该调制器侧边缘212的附近从导体图案202a等发生高频的放射而抑制谐振转移。
〔第8变形例〕
接下来，说明关于第1实施方式的光调制器100的第8变形例。
图10a、10b是利用分别对应于图2a、2b的局部详图来示出能够代替中继基板118而使用的本变形例的中继基板1000的结构的图。在图10a、10b中，关于与图2a、2b所示的中继基板118相同的结构要素，使用与图2a、2b中的标号相同的标号，并援引关于上述图2a、2b的说明。
图10a、10b所示的中继基板1000与中继基板118同样地具有导体图案202a、202b、202c、202d，而这些导体图案202a等构成为在中继基板1000的背面接触到被接地的壳体114a时作为接地共面线路而发挥功能。为了实现这一点，中继基板800具备接地图案1018a、1018b、1018c、1018d、1018e而代替接地图案218a、218b、218c、218d、218e。即，导体图案202a、202b、202c、202d与接地图案1018a、1018b、1018c、1018d、1018e以及抵接到中继基板1000的背面且连接于地电位的构造物即壳体114a一起构成接地共面线路。
该接地图案1018a、1018b、1018c、1018d、1018e分别具有与接地图案218a、218b、218c、218d、218e相同的结构，但各自与导体图案202a、202b、202c、202d之间的距离为与接地图案218a、218b、218c、218d、218e不同的距离。即，接地图案1018a、1018b、1018c、1018d、1018e设计成，在中继基板900的背面抵接到壳体114a时，或者在与壳体114a抵接且在与该壳体114a之间涂敷有例如导电性粘接剂等而电连接时，导体图案202a、202b、202c、202d作为接地共面线路而发挥功能。另外，接地图案1018a、1018b、1018c、1018d、1018e与接地图案218a、218b、218c、218d、218e不同，可以不具有导孔。
并且，特别是，中继基板1000构成为，沿着图10b的左右方向的长度比中继基板118长，在固定于壳体114a时，在从壳体114a的基座部114a-3起的沿着图示左右方向的预定距离d81的范围内突出(即，构成为从调制器侧边缘212起的沿着图示左右方向的预定距离d81的范围的部分从基座部114a-3伸出)。
因此，在中继基板1000中，关于导体图案202a等，在调制器侧边缘212的附近，基于壳体114a的地电位的高频信号的限制效果减弱，在导体图案202a等中传播的高频信号的一部分在调制器侧边缘212附近放射(即，包括导体图案202a等与rf电极112a等的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高)。其结果是，降低在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的反射量，导体图案202a、202b、202c、202d之间的谐振转移被抑制。
此外，在本实施方式中，构成为使中继基板1000的沿着图10b的左右方向的长度比中继基板118长，从调制器侧边缘212起的沿着图示左右方向的预定距离d81的部分从壳体114a的基座部114a-3伸出，但不限于此，也可以构成为使基座部114a-3的沿着图10b的左右方向的长度比中继基板1000的长度短，从调制器侧边缘212起的沿着图示左右方向的预定距离d81的部分从壳体114a的基座部114a-3伸出。
另外，在本变形例的中继基板1000中，导体图案202a、202b、202c、202d构成为在中继基板1000的背面与壳体114a电接触时作为接地共面线路而发挥功能，但不限于此，也可以构成为通常的(不是接地共面线路的)共面线路。在该情况下，在中继基板1000中，由于调制器侧边缘212的附近的与地电位导体(即壳体114a)的电位置关系(或者连接关系)相比于其他部分发生变化(即，在从调制器侧边缘212起的预定距离d81的范围内不与壳体114a电接触)，因此，实质上也能够在该调制器侧边缘212的附近从导体图案202a等发生高频的放射而抑制谐振转移。
〔第9变形例〕
接下来，说明关于第1实施方式的光调制器100的第9变形例。
图11a、11b是利用分别对应于图2a、2b的局部详图来示出能够代替中继基板118而使用的本变形例的中继基板1100的结构的图。在图11a、11b中，关于与图2a、2b所示的中继基板118相同的结构要素，使用与图2a、2b中的标号相同的标号，并援引关于上述图2a、2b的说明。
图11a、11b所示的中继基板1100与中继基板118同样地具备构成为作为接地共面线路而发挥功能的导体图案202a、202b、202c、202d，但在具有接地图案1118a、1118b、1118c、1118d、1118e而代替接地图案218a、218b、218c、218d、218e这一点上不同。该接地图案1118a、1118b、1118c、1118d、1118e具有与接地图案218a、218b、218c、218d、218e相同的结构，但在与以往同样地具备直径相同且分布至调制器侧边缘212的附近而配置的导孔1120这一点上不同。
并且，特别是，中继基板1100构成为沿着图11b中的上下方向的高度比中继基板118厚，且在该中继基板1100的背面通过导电性粘接剂、钎焊材料等而固定并电连接到壳体114a时，如图11b所示，沿着图示上下方向的中继基板1100的正面的位置(即高度)与光调制元件102的正面的高度相比，在图示上下方向上高出预定高度距离d91。
因此，在中继基板1100中，在中继基板1100的正面与光调制元件102的正面之间存在预定高度距离d91的高低差，将导体图案202a等与rf电极112a等连接的导体导线206a等的长度变长，并且，从导体图案202a等到对应的rf电极112a等为止的物理连续性被扰乱(例如，在最接近导体图案202a的端部的位置不存在对应的rf电极112a的端部)。
由此，在中继基板1100中，在调制器侧边缘212的附近，容易从导体图案202a等放射高频信号，因此相应地降低在导体图案202a、202b、202c、202d中传播的高频信号中的在该导体图案202a、202b、202c、202d与rf电极112a、112b、112c、112d的连接部反射的高频信号的反射量(即，包括导体图案202a等与rf电极112a等的连接部或者其附近部在内的调制器侧边缘212附近部分(连接部分附近)(例如，包括该连接部的预定范围内、或者该连接部以及从该连接部起的预定距离的范围内)的高频的放射量与其他部分相比升高)，导体图案202a、202b、202c、202d之间的谐振转移被抑制。
此外，在本变形例中，构成为中继基板1100的厚度比中继基板118厚，从而中继基板1100的正面比光调制元件102的正面高，但不限于此，也可以构成为例如使中继基板1100的厚度与中继基板118的厚度相同，通过使壳体114a中的安装有中继基板1100的基座部114a-3的沿着图示上下方向的高度变高，或者通过使光调制元件102的厚度变薄，从而使中继基板1100的正面比光调制元件102的正面高。
另外，在本变形例中，构成为中继基板1100的正面比光调制元件102的正面高，但不限于此，也可以构成为中继基板1100的正面比光调制元件102的正面低，扰乱从导体图案202a等到rf电极112a等的物理连续性。不过，在如本变形例那样构成为中继基板1100的正面比光调制元件102的正面高的情况下，更加能够抑制从导体图案202a等放射之后打中光调制元件102而反射的高频的量，因此，能够得到更好的谐振转移抑制效果。
进而，关于通过使中继基板的正面与光调制元件的正面的高度不同来抑制谐振转移的本变形例的结构，在使用导体图案未形成为接地共面线路的中继基板(例如，导体图案形成为通常的(不是接地的)共面线路的中继基板)的情况下，也能够起到谐振转移抑制效果。
<第2实施方式>
接下来，说明本发明的第2实施方式。本实施方式是搭载有第1实施方式以及上述第1至第9变形例中的任一种光调制器的光发送装置。
图12是示出本实施方式的光发送装置的结构的图。本光发送装置1200具有光调制器1202、使光入射到光调制器1202的光源1204、调制信号生成部1206和调制数据生成部1208。
光调制器1202能够设为是上述第1实施方式以及上述第1至第9变形例中的任一种光调制器。但是，在以下说明中，为了避免冗长的记载而易于理解，设为使用第1实施方式的光调制器100作为光调制器1202。
调制数据生成部1208接收从外部提供的发送数据，生成用于发送该发送数据的调制数据(例如，将发送数据转换或者加工成预定的数据格式而得到的数据)，并向调制信号生成部1206输出该生成的调制数据。
调制信号生成部1206是输出用于使光调制器1202进行调制动作的电信号的电子电路(驱动器电路)，基于调制数据生成部1208输出的调制数据，生成作为用于使光调制器1202进行依照该调制数据的光调制动作的高频信号的调制信号，并输入到光调制器1202。该调制信号由与作为光调制器1202的光调制器100所具备的光调制元件102的四个rf电极112a、112b、112c、112d对应的四个rf信号构成。
该四个rf信号经由作为光调制器1202的光调制器100的fpc106而输入到引脚116a、116b、116c、116d，并经由中继基板118分别施加到上述rf电极112a、112b、112c、112d。
由此，从光源1204输出的光由光调制器1202调制而成为调制光，并从光发送装置1200输出。
特别是，在本光发送装置1200中，作为光调制器1202，使用第1实施方式和上述第1至第9变形例中的任一种光调制器，因此能够确保稳定且良好的光调制特性，因此，能够实现稳定且良好的传送特性。
此外，在上述各实施方式中，示出了具备将ln用作基板的具有四个rf电极的光调制元件的光调制器，但本发明不限于此，也能够同样地应用于具有四个以外的数量的多个rf电极的光调制器及/或将ln以外的材料用作基板的光调制器。
如以上说明地，在上述实施方式及其变形例的光调制器中，通过使调制器侧边缘212附近部分的导体图案202a等的高频的限制效果减弱等，使得在该部分放射高频信号，从而使该部分的高频的反射量(因而，反射率)降低。其结果是，能够抑制导体图案之间的谐振转移，防止光调制元件的光调制特性的劣化。
此外，上述第1实施方式及其变形例的结构彼此不是排他性的，在能够在构造上不矛盾地组合于一个中继基板的范围内，能够彼此组合来使用。例如，能够将第1实施方式中的中继基板118的导孔的结构与具有厚度不同的两个部分的第5变形例中的中继基板700的结构组合而构成一个中继基板。