具有温度不敏感特征的光子装置和延迟线干涉仪的制作方法

本实用新型涉及硅光子装置。具体而言，涉及具有温度不敏感特征的光子装置和延迟线干涉仪。

背景技术：

具体地，硅光子装置已经应用于包括DWDM和CWDM(粗波分复用)的WDM光传输网络，其中，MUX/DEMUX波长可能由于环境温度而改变，从而对通过网络传输的光信号造成问题。延迟线干涉仪(DLI)可以是基于其两个臂部中的时间延迟双光束干涉的具有非常低损耗的重要双信道MUX/DEMUX装置。通常，DLI是温度敏感的，这是因为在两个臂部之间具有长度差异。然而，温度敏感性使其难以在非冷却环境中使用。需要额外的控制回路来跟踪波长或保持在波长网格上，降低了其在WDM应用中的可靠性并增加成本。

技术实现要素：

温度敏感性光子装置存在如下问题：难以在非冷却环境中使用，并且，需要额外的控制回路来跟踪波长或保持在波长网格上，降低了其在WDM应用中的可靠性，并且增加成本。

本实用新型提供了一种具有温度不敏感特征的光子装置，包括：第一波导，包括第一长度的第一材料，用于在环境温度下传输具有第一峰值频率的第一光波，所述第一材料特征在于与第一相位延迟对应的第一分组指数；第二波导，包括第二长度的第二材料，用于在相同的环境温度下传输相对于所述第一光波具有时间延迟差的具有第二峰值频率的第二光波，所述第二材料特征在于与第二相位延迟对应的第二分组指数；其中，所述第一相位延迟和所述第二相位延迟被配置为在环境温度具有任何变化时改变相同的量，并且所述第一光波与所述第二光波的所述时间延迟差等于自由光谱范围FSR的反转值，所述自由光谱范围被配置成使所述第一峰值频率和所述第二峰值频率与指定频率网格中的两个信道对准。

其中，第一波导和第二波导形成在同一SOI衬底中，并且分别埋入在与SOI衬底的硅体至少部分地隔离的介电绝缘体覆层材料内。

其中，所述第一材料包括氧化硅和氮化硅的混合物。

其中，第一材料包括玻璃材料，玻璃材料具有比氧化硅的分组指数大的分组指数和用于所述第一光波的透明度特征，并且相应地，所述第二材料由硅组成。

其中，第一峰值频率和第二峰值频率对应于密集波分复用(DWDM)ITU网格或宽间隔粗波分复用(CWDM)网格的两个信道，相互频率偏移不小于所述FSR的一半。

光子装置是延迟线干涉仪，延迟线干涉仪被配置为是使所述第一波导和所述第二波导分别与以1x2或2x2配置的输入多模干涉耦合器以及以用于将两个频率信道组合成一个复合信号流的2x1组合器配置的输出多模干涉耦合器耦合的交织器。

光子装置是延迟线干涉仪，延迟线干涉仪被配置为是使所述第一波导和所述第二波导分别与以1x2分光器或2x2配置的输入多模干涉耦合器以及以用于将混合有两个频率的密集信号分离为指定频率网格的两个单独信道的2x2配置的输出多模干涉耦合器耦合的解交织器。

其中，第一波导和第二波导分别包括均由具有第三长度的第三材料制成的第一额外部分和第二额外部分。

光子装置进一步包括设置在与所述第一长度的第一材料和所述第二长度的第二材料热隔离的所述第三长度的第一额外部分上的加热器，用于生成局部温度引起的频移，以补偿第一峰值频率远离由环境温度的变化引起的指定频率网格的标准信道频率的任何偏移。

本实用新型提供了一种具有温度不敏感特征的延迟线干涉仪，包括：第一波导臂部，包括串联连接以在环境温度下传输第一峰值频率的第一光波的第一多个区段，所述第一多个区段中的每一个的特征在于第一多个长度中的一个和特定材料分组指数；加热器，靠近所述第一多个区段中的至少一个附近设置，以局部设定第二温度；第二波导臂部，包括串联连接的以在相同的环境温度下传输相对于所述第一光波具有时间延迟差的第二信道频率的第二光波的第二多个区段，所述第二多个区段中的每一个的特征在于第二多个长度中的一个和特定材料分组指数；其中，用于传输所述第一光波的所述第一波导臂部的第一相位延迟变化被配置为在环境温度具有任何改变时等于用于传输所述第二光波的所述第二波导臂部的第二相位延迟变化，并且在所述第一光波和所述第二光波之间的时间延迟差等于与指定频率网格相关联的自由光谱范围FSR的反转值，并且所述第二温度被设置为高于所述环境温度，以引起频移，以使至少所述第一峰值频率与所述指定频率网格的信道频率对准。

其中，第一波导臂部和所述第二波导臂部形成在共用SOI衬底中，并且通过由氧化硅制成的绝缘体覆层材料彼此隔离。

其中，第一峰值频率和第二峰值频率对应于选自标准ITU网格的两个密集波分复用(DWDM)信道，相互频率偏移不小于所述FSR的一半。

其中，第二温度被设置为引起小于所述FSR的一半值的频移。

其中，加热器包括与埋入在由氧化硅制成的同一块绝缘体覆层材料中的至少一个第一区段相同的长度，所述绝缘体覆层材料与附近的覆层材料热隔离并且通过一个或多个部分蚀刻掉结构悬挂于硅衬底下面。

本实用新型取得了如下效果：在高速低损耗DWDM光通信中在用于特定频率网格的两个信道的基于波导的DLI中能够非常精确地实现温度自补偿。

附图说明

下图仅是示例，不应在本文中不适当地限制权利要求的范围。本领域的技术人员会认识到很多其他变化、修改以及替换。还要理解的是，在本文中描述的示例和实施例仅用于说明的目的，并且向本领域的技术人员暗示鉴于此的各种修改或变化，并且这些修改或变化包含在该过程的精神和范围以及所附权利要求的范围内。

图1是根据本实用新型的实施例的温度不敏感延迟线干涉仪(DLI)的简化图。

图2是示出根据本实用新型的实施例的与图1的DLI相关联的自由光谱范围的示意图。

图3是示出根据本实用新型的实施例的由不同材料制成的DLI的频移的温度依赖性的示例性图表。

图4是根据本实用新型的另一个实施例的温度不敏感DLI的简化图。

图5是根据本实用新型另一实施例的具有波长锁定加热器的温度不敏感DLI的简化图。

图6是示出在图5的DLI中的加热器和根据本实用新型的实施例的衬底的简化图，该加热器设置在波导附近，该加热器和波导都嵌入与附近的覆层隔离的绝缘体覆层材料内。

具体实施方式

本实用新型涉及光通信技术。更具体地，本实用新型提供了一种基于硅光子波导的温度不敏感延迟线干涉仪。仅通过示例，本实用新型公开了具有混合臂部材料和匹配臂部长度的温度不敏感DLI装置，并且提供了一种在高速低损耗DWDM光通信中在用于特定频率网格的两个信道的基于波导的DLI中非常精确地实现温度自补偿的方法，虽然能够具有其他应用。

在现代电气互连系统中，高速串行链路已经代替了并联数据总线，并且串行链路速度因CMOS技术的演进而快速增大。根据摩尔定律，互联网带宽每两年就几乎翻倍。但是摩尔定律在今后十年结束。标准CMOS硅晶体管在大约5nm时停止增大。并且，因生产规模而增大的互联网带宽进入稳定时期。但是互联网和移动应用继续需要大量带宽来传输照片、视频、音乐以及其他多媒体文件。本公开描述了越过摩尔定律提高通信带宽的技术和方法。

在一个实施例中，本实用新型提供了一种具有温度不敏感特征的光子装置。该光子装置包括第一波导，其包括第一长度的第一材料，用于在环境温度下传输具有第一峰值频率的第一光波，第一材料特征在于对应于第一相位延迟的第一分组指数。此外，光子装置包括第二波导，第二波导包括第二长度的第二材料，用于在相同的环境温度下传输相对于第一光波具有时间延迟差的具有第二峰值频率的第二光波，第二材料特征在于与第二相位延迟对应的第二分组指数。所述第一相位延迟和所述第二相位延迟被配置为在环境温度具有任何变化时改变相同的量。在所述第一光波和所述第二光波之间的时间延迟差等于自由光谱范围(FSR)的反转值(inversed value)，所述自由光谱范围被配置成使第一峰值频率和第二峰值频率与指定频率网格中的两个信道对准。

在可替换的实施例中，本实用新型提供了一种具有温度不敏感特征的延迟线干涉仪。延迟线干涉仪包括第一波导臂部，第一波导臂部包括串联连接的第一多个区段，以在环境温度下传输第一峰值频率的第一光波。所述第一多个区段中的每一个的特征在于所述多个第一长度中的一个和特定材料分组指数。此外，延迟线干涉仪包括加热器，加热器设置在所述第一多个区段中的至少一个附近，以局部设定第二温度。而且，延迟线干涉仪包括第二波导臂部，第二波导臂部包括串联连接的第二多个区段，以在相同的环境温度下传输相对于第一光波具有时间延迟差的第二信道频率的第二光波。所述多个第二区段中的每一个的特征在于所述多个第二长度中的一个和材料特定分组指数。用于传输所述第一光波的所述第一波导臂部的第一相位延迟变化被配置为在环境温度具有任何改变时等于用于传输所述第二光波的所述第二波导臂部的第二相位延迟变化。在第一光波和第二光波之间的时间延迟差等于与指定频率网格相关联的自由光谱范围(FSR)的反转值。所述第二温度被设置为高于环境温度，以引起频移，以使至少第一峰值频率与指定频率网格的信道频率对准。

图1是根据本实用新型的实施例的温度不敏感延迟线干涉仪(DLI)的简化图。该图仅是示例，不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的技术人员会认识到很多变化、替换以及修改。如图所示，延迟线干涉仪(DLI)100在概念上设置在两个多模干涉(MMI)耦合器131和132之间。DLI装置100包括两个臂部，即，臂部A和臂部B，用于承载从第一MMI耦合器131分离的具有相应的两个峰值频率的两个相等强度的光束。在穿过这两个臂部时，这两个光束中的一个与另一个相比在相位上延迟，然后，在第二MMI耦合器132处再次组合，其中，两个光束彼此建设性或破坏性地干扰，以产生两个频率的敏感(intensity-keyed)输出信号流。用于形成臂部A和臂部B的材料可以是由硅或氮化硅或在共同硅或绝缘体上硅衬底上形成的其他合适材料制成的传统光纤或半导体波导。注意，该图仅是示意图。直角臂部不是锯齿状的，以表示真正的光纤或波导布局配置。

在一个实施例中，第一MMI耦合器131被设置为1x2分光器耦合器(或一个输入端口终止的2x2耦合器)，使得具有在网格中的可能所有波长的入射光束可以被馈送到一个输入端口内，例如，端口101，另一个输入端口被终止。同时，第二MMI耦合器132被配置为具有两个输出端口103和104的2×2耦合器。因此，DLI装置100被配置为双信道DEMUX装置或具体为解交织器，两个输出端口输出具有相对相位延迟的相应的两个峰值频率的两个相等强度的光波。在可替换的实施例中，第一MMI耦合器131可以被设置为2x2耦合器，而第二MMI耦合器132被设置为2x1组合器耦合器(例如，一个输出端口103被终止或用作抽头端口)，以便以使DLI装置100成为双信道MUX装置或交织器，以将在两个DWDM信道处具有相应的两个峰值频率的两个光波组合成复合信号流。

通常，DLI装置100的两个峰值频率可以被设置为ITU网格的两个密集波分复用(DWDM)信道或指定频率网格中的任何最小间隔信道或宽间隔CWDM信道。DLI装置100与由在两个臂部之间的对于等于光频率的间隔或在两个连续的传输光信号干涉最大值之间的波长的任何波长的时间延迟差确定的内在自由光谱范围(SFR)相关联。图2是示出根据本实用新型的实施例的与图1的DLI相关联的自由光谱范围的示意图，用于对两个频率信道ν1和ν2进行复用或解复用。对于具有ITU网格的DWDM应用，信道间隔通常为100GHz、或50GHz、或25GHz、或12.5GHz，或者可选地极小至5GHz或甚至2.5GHz，DLI装置的对应的期望FSR值仅为信道间距的两倍。或者，该DLI装置100也可适用于CWDM应用，使得两个工作频率的信道间隔可以选自200GHz或400GHz。理想地，DLI配置有与两个臂部相关联的适当的时间延迟差，这是因为这两个峰值频率与指定频率网格的两个信道频率对准。但是可以存在小于信道间隔的偏移。

参考图1，DLI装置100被配置为具有两个臂部A和B的温度不敏感DLI，两个臂部A和B由不同或混合材料以各自匹配的长度制成。在特定实施例中，臂部A和臂部B可以是由两种或更多种不同材料制成的多个波导部分，并且一些波导部分具有相同材料，使得在抵消了共同长度的具有相同材料的那些波导部分之后，臂部A包括与具有净波导长度L_B的材料B的臂部B对应的净波导长度L_A的材料A。在某些实施例中，臂部A仅由材料A制成，臂部B仅由材料B制成。

例如，臂部A是包括部分111、部分110和部分112的波导，其中，部分111和部分112由相同的第一材料制成，而部分110由长度L_A的第二材料制成。同样，臂部B是包括部分121、部分120和部分122的另一波导，其中，部分121和部分122由相同第一材料制成，其组合长度等于组合部分111和部分112的组合长度。部分120由长度L_B的第三材料制成。因此，在臂部A和臂部B之间的净差异的特征在于第二材料的长度L_A与第三材料的长度L_B的比值(versus)。另外，第二材料的特征在于分组指数N_A，分组指数N_A对应于与温度变化ΔT相关联的指数变化ΔN_A。因此，通过该温度变化ΔT在臂部A中引起相位延迟变化L_A·ΔN_A。同样，第三材料的特征在于分组指数N_B，分组指数N_B对应于指数变化ΔN_B，并且因此对应于与相同温度变化ΔT相关联的相位延迟变化L_B·ΔN_B。在一个实施例中，第三材料可以与第一材料相同或不同。那些部分111、112或121、122的使用是用于将其他特征或部件添加到温度不敏感DLI装置的一个或两个臂部。在某些应用中，可以消除这些部分。

在一个实施例中，温度不敏感DLI 100被配置为具有其特征分组指数，由于相同的温度变化、长度和自由光谱范围而具有指数变化，以满足以下两个限制要求：

△N_A·L_A＝△N_B·L_B (1)

其中，c是光速。等式(1)仅确保该DLI装置的温度不敏感性的性质，基于该性质，无论环境温度如何变化，在这两个波导臂部之间的相位延迟变化保持相同。在一个或多个实施例中，等式(1)适用于宽范围的WDM操作波长，并且宽范围选择的材料的分组指数的温度依赖性以这种线性变化模式在WDM应用的扩展范围中保持。等式(2)仅仅用于保留任何DLI装置的基本相位延迟限制，在图2中定义的其内在FSR与指定的频率网格(例如，用于DWDM或CWDM应用)相关联，不管是由相同类型的材料还是由混合材料制成。

在具体实施例中，氮化硅和硅是分别选择用于形成DLI装置的两个臂部的波导的材料。硅已经被广泛用于在高速光通信中应用的硅光子装置中形成具有低插入损耗和高制造性的阵列波导。硅的分组指数的温度依赖性很好地表征为与指数变化系数△N_Si＝2×10^-4/℃具有线性关系。氮化硅也是具有较高的分组指数值和较小的温度依赖性的光子材料。氮化硅的分组指数的温度依赖性表征为也与指数变化系数△N_SiN＝2×10^-5/℃具有线性关系。

可以选择硅和氮化硅混合物中的一种或两种，以形成DLI装置的任一臂部。在一个示例中，臂部A的所有部分由长度为L_SiN的氮化硅制成，并且臂部B的所有部分由长度为L_Si的硅制成。在另一个示例中，所有共同波导部分(例如，臂部A的部分111和112以及臂部B的部分121和122)可以由硅材料制成，而臂部A的部分110被具体选择为使用长度为L_SiN的氮化硅材料。同时，臂部B的所有共同部分由硅材料制成，以与臂部A的材料相同，而部分120选择为仍然使用长度为L_Si的硅材料，以区别于部分110的材料。在一个具体实施例中，一旦选择对应于臂部A中的材料A和臂部B中的材料B的净长度的相同比率的长度比L_Si:L_SiN＝1:10，则满足等式(1)，假设用于硅和氮化硅材料的指数变化系数如上所示。当然，臂部A和臂部B中的材料的不同选择导致不同的匹配长度比，以满足等式(1)的要求。换言之，臂部A和臂部B的这些材料/机械配置直接导致温度不敏感DLI装置。当然，如同用于特定WDM操作波长带的DLI装置，也需要满足等式(2)。

图3是示出根据本实用新型的实施例的由不同材料制成的DLI的频移的温度依赖性的示例性图表。如图所示，绘制由不同材料制成的DLI装置的频移相对于温度。在大约室温～25℃、45℃、65℃和85℃下测量三种类型的DLI装置的多个数据点。为每组数据绘制线性回归线。虚线310对应于仅由硅制成的DLI的频移的温度依赖性，其具有-9GHz/℃的最陡斜率。虚线320对应于仅由氮化硅制成的另一DLI的频移的温度依赖性，提供-2GHz/℃的小得多的斜率。这表明由氮化硅材料制成的DLI装置对温度不太敏感。进一步，实线330对应于由硅和氮化硅混合材料(具体地，例如，臂部A由氮化硅制成，并且臂部B由硅制成)制成的第三DLI的频移的温度依赖性，其具有期望比率的适当匹配的长度，产生基本上为零的斜率并且表示对温度完全不敏感的DLI。

图4是根据本实用新型的另一个实施例的温度不敏感DLI的简化图。该图仅是示例，不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的技术人员会认识到很多变化、替换以及修改。如图所示，装置400配备有设置在两个MMI耦合器431和432之间的两个波导臂部A和B。波导臂部A被配置为任意数量的串联连接的波导部分40A1、40A2、...40Ai...。臂部A中的每个波导部分的特征在于至少包括不同长度L_A、特定材料分组指数N_A和温度变化引起的指数变化ΔN_A的参数。同样，波导臂部B被配置为另一任意数量(可以等于或可以不等于波导臂部A的数量)的串联连接的波导部40B1、40B2、...40Bj...。臂部B中的每个波导部分的特征在于以下参数，至少包括不同长度L_B、特定材料分组指数N_B和温度变化引起的指数变化ΔN_B。在一个实施例中，通过将每个臂部的所有波导部分中的每个的参数限制为以下条件，将装置400配置为温度不敏感延迟线干涉仪：

与等式(1)一样，等式(3)用于确保由于由温度变化引起的臂部A的每个部分中的分组指数变化导致的总相位延迟变化等于由于由相同温度变化引起的臂部B的每个部分中的分组指数变化导致的总相位延迟变化。这对于实现温度不敏感功能是必要的。与等式(2)一样，等式(4)是对DLI装置的自然要求，以在分别行进通过由其特征自由光谱范围FSR限制的臂部A和臂部B的两个光波之间的其时间延迟差配置DLI装置。理想地，DLI装置被配置为具有在由FSR定义的频率网格的一个信道处以第一频率行进通过臂部A的第一光波以及在相同频率网格的另一个信道处以第二频率行进通过臂部B的第二光波。在一个实施例中，在第一频率和第二频率之间的差异被设置为不小于FSR的一半值。

图5是根据本实用新型另一实施例的具有波长锁定加热器的温度不敏感延迟线干涉仪的简化图。该图仅是示例，不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的技术人员会认识到很多变化、替换以及修改。如图所示，提供了与DLI装置100基本相同的将额外加热器540添加到臂部A的一个部分的温度不敏感延迟线干涉仪500。与图1所示的DLI装置100一样，图5的DLI装置500也包括由相同长度的相同第一材料制成的一些波导部分(511、512、521、522)，同时保持由长度L_A的第二材料制成的在臂部A中的第一净差分部分510对应于由长度L_B的第三材料(可以与第一材料相同或不同)制成的在臂部B中的第二净差分部分520。优化长度L_A的在臂部A中的第二材料和长度L_B的在臂部B中的第三材料，以满足等式(1)和等式(2)，以使DLI装置500完全对温度不敏感。

参考图5，当在输入或输出端口中用2x1或2x2MMI耦合器适当地实现时，DLI装置500可以用作交织器/解交织器结构，然后，该结构可以在WDM光通信应用中作为双信道MUX/DEMUX装置非常精确地保持在指定的频率网格上。尽管DLI装置对温度不敏感，但是仍然需要加热器来将DLI装置对准指定的频率网格，例如，在C带中的DWDM信道或宽间隔CWDM信道的ITU网格。如图5所示，加热器540用于改变其中一个臂部(例如，DLI装置500的臂部A)的温度。温度改变该臂部的材料折射率，该材料折射率反过来根据以下等式移动峰值频率：

其中，λ是指定网格的一个特定波长，△n(T)是由加热器引起的温度变化造成的材料折射率变化，L是应用在臂部的相应波导部分上的加热器的长度。在加热器的调谐温度范围内，可以调整DLI装置的相位延迟，以补偿两个峰值频率的偏移，以允许这两个峰值频率与特定WDM应用的期望频率网格对准。从图3可以看出，对于设置在硅波导部分处的加热器，大约10℃的温度变化可导致大约100GHz的频移，这足以处理对网格对准的任何可能的要求。一旦完成与期望频率网格的对准，加热器340将保持恒定功率，而DLI装置500保持为独立于温度的固定网格。

加热器540优选地安装在由对温度变化更敏感的材料制成的波导部分附近。对于具有氮化硅材料的一个臂部并且硅材料的另一个臂部的DLI装置，额外的Si材料包含在DLI的氮化硅臂部内，以实施加热器。由于氮化硅材料对温度不如硅材料那样敏感，所以在添加的硅波导部分上实现的加热器功率效率更高。然后，在DLI的硅臂部B的相应长度上补偿在臂部A(主要由氮化硅制成)中的该额外硅波导长度。在另一个具体实施例中，DLI装置的每个波导臂部都包括利用加热器实现的硅波导部分，该加热器用于调谐温度，以实现如上所述的波长锁定(尽管原则上一个加热器足以调谐DLI装置的相位延迟)。

图6是示出在图5的DLI中的加热器和根据本实用新型的实施例的衬底的简化图，该加热器设置在波导附近，该加热器和波导都嵌入与附近的覆层隔离的绝缘体覆层材料内。该图仅是示例，不应不适当地限制权利要求的范围。本领域的技术人员会认识到很多变化、替换以及修改。如图所示，在一个具体实施例中，加热器540设置在波导部分512附近，并且加热器540和波导部分512两者都埋入绝缘体覆层材料650中。在一个实施例中，绝缘体覆层材料650直接利用在SOI衬底中的绝缘体材料，通常为氧化硅，波导部分512(通常为硅波导)由该绝缘体材料形成并埋入该绝缘体材料内。在波导部分512由一层覆层材料650形成和被覆盖之后，加热器540被添加在这层覆层材料650之上，其长度一直延伸到波导部分512的全长，并且宽度优选地为波导部分512的几倍。然后，加热器540再次被相同绝缘体覆层材料650的另一层钝化。

在可替换的实施例中，进一步处理埋入式加热器/波导组合，以通过蚀刻掉两侧上的部分覆层材料和下面的衬底材料而与附近的覆层材料和衬底材料部分隔离。再次参照图6，沿着埋入式加热器/波导组合结构540/541的两侧，对多个蚀刻窗口601进行图案化。每个蚀刻窗口601通过间隙彼此分开，以保持覆层材料650的一小部分，以与附近的覆层材料651连接。每个蚀刻窗口601允许部分去除覆层材料650和衬底材料690，以在埋入式加热器/波导组合结构540/541的部分侧面区域和整个下部区域上形成多个空隙。然后，埋入式加热器/波导组合结构540/541的主要部分被来自附近覆层材料651的蚀刻掉的空隙完全分离(如在图6中的AA'剖视图中看到的)并且完全悬挂于Si衬底材料下面。这些蚀刻空隙可以被良好的隔热材料填充或者仅仅留下空气，因为空气本身是良好的隔热材料。热传导限于保持在两侧的覆层材料的几个小连接和在该加热器/波导540/512与一个或两个相邻波导(例如，如图5所示的氮化硅波导510)之间的串联连接，具有远远更小的横截面面积。因此，通过这种特定的一个硅波导部分512实现了非常好的隔热，在该波导部分512处可以通过加热器540局部地控制温度，而不影响DLI装置的两个臂部中的波导部分的其余部分。氮化硅波导部分510(甚至属于同一波导臂部A)可以基本上维持在环境温度下。由于加热器540仅仅用于将温度局部地设定为用于波长锁定，所以波导臂部A的其余部分和整个臂部B经受相同的环境温度变化，而不受波导部分512中的加热器540设定的局部温度的影响。因此，在该温度不敏感DLI装置的一个共同环境温度下仍然满足等式(1)和(2)。加热器540仅仅用于为DLI装置500提供波长调谐和锁定机构，以确保其在期望的频率网格处操作。