本实用新型涉及一种用于光电通信领域的光导芯片镀膜结构。
背景技术：
随着网络经济快速发展，伴随着对网络产品提出更高的要求，光导芯片是加工各种网络产品中重要零件之一。现有光导芯片采用在单晶硅Si基材上通过氧化等半导体工艺，在单晶硅片表面形成各种光导管，形成芯片。所述光导芯片使用时需要在光导端口镀减反膜，减少信号的损耗。由于镀膜的基底是单晶硅与光波导，对于很多镀膜材料吸附性不好，容易造成牢固度差膜层容易脱落、缺块等造成光导芯片不能正常使用。。
技术实现要素：
有鉴于此，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种不仅能够具有减反膜效果，而且还可以因光导端口表面因对镀膜材料吸附性不好而引起镀膜层脱落或缺口现象发生的光导芯片镀膜结构
为此解决上述技术问题，本实用新型中的技术方案所采用一种光导芯片镀膜结构，其包括基材层，设置于基材层上面复数层减反膜层；所述基材层与减反膜层之间设置有粘接层，所述粘接层是采用环氧树脂胶粘剂制成。
依据上述主要技术特征所述，所述基材层采用单晶硅制成的。
依据上述主要技术特征所述，所述减反膜层与减反膜层相互层叠形成层状体。
依据上述主要技术特征所述，所述粘接层还包括AL2O3层状复合材料，该 AL2O3层状复合材料是由氧化铝和铝薄片交替层叠而成。
本实用新型的有益技术效果：因所述基材层与减反膜层之间设置有粘接层，所述粘接层是采用环氧树脂胶粘剂，以模压方式制成AL2O3层状复合材料。该 AL2O3层状复合材料能够将复数层减反膜层与基材层固定粘接一起形成整体，解决减反膜层与基材层连接不牢固，避免因光导端口表面因对镀膜材料吸附性不好而引起镀膜层脱落或缺口现象。与此同时，使得所述的复数层减反膜层能够有效发挥减反膜的作用，从而具有减反膜效果。
下面结合附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
【附图说明】
图1为本实用新型中光导芯片镀膜结构的示意图。
【具体实施方式】
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请参考图1所示，下面结合实施例说明一种光导芯片镀膜结构，其包括基材层1，设置于基材层1上面复数层减反膜层2，设置于所述基材层1与减反膜层2之间的粘接层3。
所述粘接层3是采用环氧树脂胶粘剂，以模压方式制成AL2O3层状复合材料。所述基材层1采用单晶硅制成的。所述减反膜层2与减反膜层2相互层叠形成层状体。所述AL2O3层状复合材料是由氧化铝和铝薄片交替层叠而成。所述减反膜层2数为3层至6层。
如需要在基材层1上镀膜一减反膜层2。则在减反膜层2与基材层1之间增加一层AL2O3层状复合材料，能很好的把减反膜层2固定在基材层1上面，从而解决减反膜层2与基材层1连接不牢固的问题。该AL2O3层状复合材料能够将复数层减反膜层2与基材层1固定粘接一起形成整体，解决减反膜层2与基材层1连接不牢固，避免因光导端口表面因对镀膜材料吸附性不好而引起镀膜层脱落或缺口现象。与此同时，使得所述的复数层减反膜层2能够有效发挥减反膜的作用，从而达到具有减反膜效果。
在基材层1与减反膜层2之间增加一AL2O3层状复合材料后，解决减反膜吸附性不好造成膜层脱落、缺块等，通过美军标光通讯元件可靠性试验《美军标MIL-C-48497A》及高温85℃高湿85％RH老化试验1000小时无脱落。
综上所述，因所述基材层1与减反膜层2之间设置有粘接层3，所述粘接层3是采用环氧树脂胶粘剂，以模压方式制成AL2O3层状复合材料。该AL2O3 层状复合材料能够将复数层减反膜层2与基材层1固定粘接一起形成整体，解决减反膜层2与基材层1连接不牢固，避免因光导端口表面因对镀膜材料吸附性不好而引起镀膜层脱落或缺口现象。与此同时，使得所述的复数层减反膜层 2能够有效发挥减反膜的作用，从而具有减反膜效果。
以上参照附图说明了本实用新型的优选实施例，并非因此局限本实用新型的权利范围。本领域技术人员不脱离本实用新型的范围和实质内所作的任何修改、等同替换和改进，均应在本实用新型的权利范围之内。