液晶显示元件及其制造方法与流程

本发明关于一种液晶显示元件及其制造方法。
背景技术：
液晶电视虽已广泛普及，但随着大型化带来的高画质化，移动于屏幕上的显示物的移动速度比小型液晶电视快，因此，要求加快液晶的响应速度，提升视频画质。不需要滤色器的场序全彩显示方式的特征在于使用按照“红→绿→蓝”的顺序点亮的背光源。在通常的crt、液晶显示器中，框架时间(frametime)为16.7ms，而在场序全彩显示方式中，则框架时间为5.6ms，要求高速响应性。作为表示高速响应性的指标，可列举τd与τr之和。τd为液晶的下降响应时间，τr为液晶的上升响应时间。为了满足场序全彩显示方式中的高速响应性，期望τd与τr之和小于1.5ms。目前在市场上被称为向列液晶的液晶材料，一般被利用于电视、监视器、移动电话、智能手机、平板终端等平板显示器。然而，由于向列液晶的响应速度慢，约为十几毫秒至数毫秒，故而期望改善。响应速度由于会受到液晶的旋转粘性γ1及弹性常数很大的影响，因此研究了通过新颖化合物的开发、组成的优化来改良，但改善的进展缓慢。相对于此，使用近晶液晶的铁电性液晶(flc)可实现数百微秒的高速响应。然而，由于仅为明与暗两种状态，故而不易实现全彩显示所需的中间渐变显示，使用的是区域渐变等方法。flc中，由flc与单体的混合物构成的高分子稳定v形铁电液晶(psv-flc)元件在铁电性液晶内形成有微细的聚合物网络，除了作为flc特长的高速响应性以外，也可实现中间渐变显示，此外，耐冲击性也比以往的flc获得提升(专利文献1)。此外，在向列液晶与高分子的复合材料中，若将70质量％以上的聚合性化合物添加于向列液晶介质，则虽然可得到响应时间为数十微秒的高速响应，但驱动电压却会超过约80v，并不实用，且实效的双折射率会比使用的液晶双折射率降低1位数以上，因此，使得元件的透射率下降。另一方面，提出有如下的ps(polymer-stabilised：高分子稳定化)或psa(polymer-sustainedalignment：高分子维持取向)显示器：将0.3质量％以上且小于1质量％的1种以上的聚合性化合物添加于液晶介质，施加或不施加电压，通过uv光聚合，在玻璃基板界面上形成聚合或者交联而得到的微细的突起结构物，主要诱发预倾斜(pretilt)(专利文献2～6)。ps或psa等显示器主要在垂直取向模式下使用交互配置有微细宽度的线状狭缝与微细宽度的线状电极的鱼骨型图案电极，形成分割成4个的多域(multi-domain)，实现高视野角化。此时，若施加电压，则液晶会朝线状狭缝方向倾斜取向。若在此取向状态下使聚合性化合物聚合，则高分子薄膜会形成于基板界面，基板界面附近的液晶取向会稳定化。此时，会诱发倾斜取向方位作为预倾斜，通过利用图案电极形成的取向分割，而不需要复杂的垂直取向膜的取向处理工序(非专利文献1)。此外，报道了响应时间可从10毫秒改善至数毫秒。关于其他的高分子取向稳定化技术，采用有使液晶中的聚合性化合物反应的方法。通过高分子使施加电压时的取向状态稳定化以得到所需的电光学特性，而可显示出仅以液晶单质无法得到的特性(专利文献7～14)。然而，即使在这些元件中，在高速响应性的观点下，也有改良的空间。尤其关于液晶显示装置的上升速度的高速响应化，实际使用的是液晶组合物的低粘性化、高介电常数化、低弹性常数化、赋予预倾角、或者过驱动(overdrive)法等驱动方法的改善等各种方法，但关于下降速度，现状是除了液晶组合物的低粘性化以外，尚未发现有效的方法，而期望改善。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-31821号公报专利文献2：日本特表2013-536271号公报专利文献3：日本特表2013-538249号公报专利文献4：日本特表2012-527495号公报专利文献5：日本特表2012-513482号公报专利文献6：日本特开2012-219270号公报专利文献7：日本特许4175826号专利文献8：日本特开2009-192600号公报专利文献9：日本特许5020203号专利文献10：日本特开1999-0258758号公报专利文献11：日本特许5383994号专利文献12：us8940375专利文献13：wo2011/055571专利文献14：wo2015/122457非专利文献非专利文献1：journalofthesid17/7，553-559(2009)技术实现要素：发明要解决的课题本发明所要解决的课题在于在pva(patternedverticalalignment，图案化垂直取向)、mva(multi-domainverticalalignment，多域垂直取向)的垂直取向(va)液晶显示器、ips(in-planeswitching，面内切换)模式、ffs(fringefieldswitching，边缘场切换)模式、tn(twistednematic，扭曲向列)模式等的平行取向液晶显示器中，抑制驱动电压的上升，抑制双折射率的降低，改善透射率，且同时改善液晶的下降时间，由此提供高透射率且高速响应性优异的液晶显示元件，另外，提供该液晶显示元件的制造方法。用于解决课题的手段为了在含有液晶组合物及聚合性化合物的聚合性液晶组合物中，在液晶单元整体形成具有折射各向异性并具有取向功能的聚合物网络，谋求高速响应，且可进行高分子稳定化以便使液晶分子的倾斜取向方位一致朝电极图案所规定的方向，本发明人着眼于聚合性化合物的含有率与聚合物网络形成条件，而完成本发明。[1]一种液晶显示元件的制造方法，含有：对于夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物，施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压，且同时照射紫外线进行聚合相分离的工序；以及然后在照射紫外线的状态下使电压小于阈值电压，并进一步照射紫外线的工序。[2]如前述[1]记载的液晶显示元件的制造方法，在施加聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压且同时照射紫外线进行聚合相分离的工序中，聚合性液晶组合物中的液晶分子相对于透明基板平面以0度至30度的范围倾斜而取向，而在照射紫外线的状态下使前述电压小于阈值电压并进一步照射紫外线的工序中，前述液晶分子相对于透明基板平面倾斜80度至90度而取向。[3]如前述[1]或[2]记载的液晶显示元件的制造方法，在施加聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压且同时照射紫外线进行聚合相分离的工序中，聚合性液晶组合物中的液晶分子相对于透明基板平面以0度至90度的范围倾斜而取向，而在照射紫外线的状态下使前述电压小于阈值电压并进一步照射紫外线的工序中，前述液晶分子相对于透明基板平面倾斜0度至30度而取向。[4]如前述[1]～[3]中任一项记载的液晶显示元件的制造方法，施加的电压为交流波形，具有聚合性液晶组合物显示出介电各向异性的范围的频率。[5]如前述[1]～[4]中任一项记载的液晶显示元件的制造方法，阈值电压以上的电压为电压v10以上，其中电压v10相对于聚合性液晶组合物的电压-透射率特性电压中的透射率总变化量为10％以上。[6]如前述[1]～[5]中任一项记载的液晶显示元件的制造方法，小于阈值电压的电压为0v以上且小于阈值电压的90％的电压。[7]如前述[1]～[6]中任一项记载的液晶显示元件的制造方法，作为聚合性液晶组合物中的聚合性化合物，使用选自下述通式(v)及通式(vi)表示的化合物中的1种或2种以上的化合物，(式中，x1及x2各自独立地表示氢原子或甲基，sp1及sp2各自独立地表示单键、碳原子数1～12的亚烷基(alkylenegroup)或-o-(ch2)s-(式中，s表示1～11的整数，氧原子连接于芳香环。)，u表示碳原子数2～20的直链或者分支多价亚烷基或碳原子数5～30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代，也可以被碳原子数5～20的烷基(基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代。)或环状取代基取代，k表示1～5的整数。式中所有的1,4-亚苯基中任意的氢原子可被取代为-ch3、-och3、氟原子或氰基。)(式中，x3表示氢原子或甲基，sp3表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)t-(式中，t表示2～11的整数，氧原子连接于芳香环。)，v表示碳原子数2～20的直链或者分支多价亚烷基或碳原子数5～30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代，或可被碳原子数5～20的烷基(基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代。)或环状取代基取代，w表示氢原子、卤原子或碳原子数1～15的烷基。式中所有的1,4-亚苯基中任意的氢原子可被取代成-ch3、-och3、氟原子或氰基。)。[8]如前述[7]记载的液晶显示元件的制造方法，作为前述聚合性化合物，使用通式(v)表示的sp1与sp2相同的1种或2种以上的化合物。[9]如前述[7]或[8]记载的液晶显示元件的制造方法，作为前述聚合性化合物，使用通式(v)表示的sp1与sp2相同的2种以上的化合物，其中该2种以上的化合物彼此的sp1及sp2不同。[10]如前述[1]至[9]中任一项记载的液晶显示元件的制造方法，作为聚合性液晶组合物中的液晶化合物，使用下述通式(lc)表示的液晶化合物，(通式(lc)中，rlc表示碳原子数1～15的烷基。该烷基中的1个或2个以上的ch2基可以氧原子不直接邻接的方式被-o-、-ch＝ch-、-co-、-oco-、-coo-或-c≡c-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可任意地被取代成卤原子。alc1及alc2各自独立地表示选自由下述的基团(a)、基团(b)及基团(c)组成的组中的基团。(a)反式-1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个ch2基或未邻接的2个以上的ch2基可被氧原子或硫原子取代。)，(b)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个ch基或未邻接的2个以上的ch基可被氮原子取代。)，(c)1,4-双环(2.2.2)亚辛基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或色满-2,6-二基，前述的基团(a)、基团(b)或基团(c)所含的1个或2个以上的氢原子各自可被氟原子、氯原子、-cf3或-ocf3取代。zlc表示单键、-ch＝ch-、-cf＝cf-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-、-cf2o-、-coo-或-oco-。ylc表示氢原子、氟原子、氯原子、氰基及碳原子数1～15的烷基。该烷基中的1个或2个以上的ch2基可以氧原子不直接邻接的方式被-o-、-ch＝ch-、-co-、-oco-、-coo-、-c≡c-、-cf2o-、-ocf2-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可任意地被卤原子取代。a表示1～4的整数。当a表示2、3或4而在通式(lc)中存在多个alc1时，多个存在的alc1可相同或不同，当存在多个zlc时，多个存在的zlc可相同或不同。)[11]如前述[1]至[10]中任一项记载的液晶显示元件的制造方法，液晶显示元件的单元结构为va模式、ips模式、ffs模式、va-tn模式、tn模式或ecb模式。[12]一种液晶显示元件，在夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的液晶组合物中含有聚合物或共聚物，该聚合物或共聚物的含量为该液晶组合物及该聚合物或共聚物的合计质量的0.5质量％以上且小于40质量％，该聚合物或共聚物形成聚合物网络，该聚合物网络具有单轴性的折射率各向异性或易取向轴，且具有不同的2种以上的取向状态。[13]如前述[12]记载的液晶显示元件，作为聚合物网络的不同的2种以上的取向状态，具有：相对于透明基板平面在0度至30度的范围的倾斜取向，以及相对于透明基板平面在80度至90度的范围的倾斜取向。[14]如前述[12]或[13]记载的液晶显示元件，具有可将液晶显示元件的显示像素内分割成多个域的形状的电极，在根据电极形状而被分割出的一个域内，作为聚合物网络的不同的2种以上的取向状态，具有：相对于透明基板平面在0度至30度的范围的倾斜取向，且该倾斜取向的倾斜取向方位方向固定；以及相对于透明基板平面在80度至90度的范围的倾斜取向，无施加电压时的液晶组合物中的液晶分子取向具有垂直取向或平行取向。[15]如前述[12]～[14]中任一项记载的液晶显示元件，按照聚合物网络的光轴方向或易取向轴方向与液晶组合物中的液晶分子取向一致的方式取向，作为不同的2种以上的取向状态，具有：相对于透明基板平面在0度至30度的范围的倾斜取向，以及相对于透明基板平面在80度至90度的倾斜取向，在无施加电压时，液晶组合物中的液晶分子相对于透明基板平面具有0度～90度的预倾角。[16]如前述[12]～[15]中任一项记载的液晶显示元件，相对于单元剖面方向，形成有至少为单元厚度的0.5％以上的厚度的聚合物网络层。[17]如前述[12]～[16]中任一项记载的液晶显示元件，作为聚合性液晶组合物中的聚合性化合物，使用选自由下述通式(v)及通式(vi)表示的化合物中的1种或2种以上的化合物，(式中，x1及x2各自独立地表示氢原子或甲基，sp1及sp2各自独立地表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)s-(式中，s表示1～11的整数，氧原子连接于芳香环。)，u表示碳原子数2～20的直链或者分支多价亚烷基或碳原子数5～30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代，或可被碳原子数5～20的烷基(基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代。)或环状取代基取代，k表示1～5的整数。式中所有的1,4-亚苯基中任意的氢原子可被取代为-ch3、-och3、氟原子或氰基。)(式中，x3表示氢原子或甲基，sp3表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)t-(式中，t表示2～11的整数，氧原子连接于芳香环。)，v表示碳原子数2～20的直链或者分支多价亚烷基或碳原子数5～30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代，或可被碳原子数5～20的烷基(基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代。)或环状取代基取代，w表示氢原子、卤原子或碳原子数1～15的烷基。式中所有的1,4-亚苯基中任意的氢原子可被取代为-ch3、-och3、氟原子或氰基。)。[18]如前述[17]记载的液晶显示元件，作为前述聚合性化合物，使用通式(v)表示的sp1与sp2相同的1种或2种以上的化合物。[19]如前述[17]或[18]记载的液晶显示元件，作为前述聚合性化合物，使用通式(v)表示的sp1与sp2相同的2种以上的化合物，其中该2种以上的化合物彼此的sp1及sp2不同。[20]如前述[11]～[19]中任一项记载的液晶显示元件，作为聚合性液晶组合物中的液晶化合物，使用下述通式(lc)表示的液晶化合物。(通式(lc)中，rlc表示碳原子数1～15的烷基。该烷基中的1个或2个以上的ch2基可以氧原子不直接邻接的方式被-o-、-ch＝ch-、-co-、-oco-、-coo-或-c≡c-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可任意地被取代成卤原子。alc1及alc2各自独立地表示选自由下述的基团(a)、基团(b)及基团(c)组成的组中的基团。(a)反式-1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个ch2基或未邻接的2个以上的ch2基可被氧原子或硫原子取代。)，(b)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个ch基或未邻接的2个以上的ch基可被氮原子取代。)，(c)1,4-双环(2.2.2)亚辛基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或色满-2,6-二基。前述的基团(a)、基团(b)或基团(c)所含的1个或2个以上的氢原子各自可被氟原子、氯原子、-cf3或-ocf3取代。zlc表示单键、-ch＝ch-、-cf＝cf-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-、-cf2o-、-coo-或-oco-。ylc表示氢原子、氟原子、氯原子、氰基及碳原子数1～15的烷基。该烷基中的1个或2个以上的ch2基可以氧原子不直接邻接的方式被-o-、-ch＝ch-、-co-、-oco-、-coo-、-c≡c-、-cf2o-、-ocf2-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可任意地被卤原子取代。a表示1～4的整数。当a表示2、3或4而在通式(lc)中存在多个alc1时，多个存在的alc1可相同或不同，当存在多个zlc时，多个存在的zlc可相同或不同。)[21]如前述[12]～[20]中任一项记载的液晶显示元件，单元结构为va模式、ips模式、ffs模式、va-tn模式、tn模式或ecb模式。发明的效果根据本发明，通过抑制驱动电压的上升，抑制双折射率的降低，改善透射率，且同时改善液晶的下降时间，从而提供一种高透射率且高速响应性优异的液晶显示元件。附图说明图1为本发明的液晶显示元件的示意图。图2为图1的部分放大图。图3为本发明的液晶显示元件的剖视图。图4为图1的部分放大图。图5为本发明的液晶显示元件的剖视图。图6为本发明的液晶显示元件的示意图。图7为图6的部分放大图。图8为本发明的液晶显示元件的剖视图。图9为实施例1的偏光显微镜照片。图10为比较例2的偏光显微镜照片。图11为表示本发明的斜向电场方式液晶显示装置的电极结构及液晶分子排列的示意图。图12为表示本发明的分割成8个部分的斜向电场方式液晶显示装置的电极结构的示意图。图13为实施例的鱼骨型va液晶单元的电极结构的示意图。具体实施方式<液晶组合物>[液晶化合物]作为本发明中使用的液晶组合物，优选含有通式(lc)表示的液晶化合物。通式(lc)中，rlc表示碳原子数1～15的烷基。该烷基中的1个或2个以上的ch2基可以氧原子不直接邻接的方式被-o-、-ch＝ch-、-co-、-oco-、-coo-或-c≡c-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可任意地被取代成卤原子。rlc的烷基各自可为支链状基，也可为直链状基，优选为直链状基。通式(lc)中，alc1及alc2各自独立地表示选自由下述的基团(a)、基团(b)及基团(c)组成的组中的基团。(a)反式-1,4-亚环己基(存在于该基团中的1个ch2基或未邻接的2个以上的ch2基可被氧原子或硫原子取代。)，(b)1,4-亚苯基(存在于该基团中的1个ch基或未邻接的2个以上的ch基可被氮原子取代。)，(c)1,4-双环(2.2.2)亚辛基、萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或色满-2,6-二基。前述的基团(a)、基团(b)或基团(c)所含的1个或2个以上的氢原子各自可被氟原子、氯原子、-cf3或-ocf3取代。通式(lc)中，zlc表示单键、-ch＝ch-、-cf＝cf-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-、-cf2o-、-coo-或-oco-。通式(lc)中，ylc表示氢原子、氟原子、氯原子、氰基及碳原子数1～15的烷基。该烷基中的1个或2个以上的ch2基可以氧原子不直接邻接的方式被-o-、-ch＝ch-、-co-、-oco-、-coo-、-c≡c-、-cf2o-、-ocf2-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可任意地被卤原子取代。通式(lc)中，a表示1～4的整数。当a表示2、3或4而在通式(lc)中存在多个alc1时，多个存在的alc1可相同或不同，当存在多个zlc时，多个存在的zlc可相同或不同。前述通式(lc)表示的化合物优选为选自下述通式(lc1)及通式(lc2)表示的化合物组中的1种或2种以上的化合物。通式(lc1)或(lc2)中，rlc11及rlc21各自独立地表示碳原子数1～15的烷基，该烷基中的1个或2个以上的ch2基可以氧原子不直接邻接的方式被-o-、-ch＝ch-、-co-、-oco-、-coo-或-c≡c-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可任意地被卤原子取代。作为通式(lc1)或(lc2)表示的化合物，rlc11及rlc21优选各自独立地为碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基，更优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、碳原子数2～5的烯基，进一步优选为直链状，作为烯基，最优选表示下述结构。(式中，右端连接于环结构。)通式(lc1)或(lc2)中，alc11及alc21各自独立地表示下述任一结构。该结构中，亚环己基中的1个或2个以上的ch2基可被氧原子取代，1,4-亚苯基中的1个或2个以上的ch基可被氮原子取代，此外，该结构中的1个或2个以上的氢原子可被氟原子、氯原子、-cf3或-ocf3取代。作为通式(lc1)或(lc2)表示的化合物，alc11及alc21优选各自独立地为下述的任一结构。通式(lc1)或(lc2)中，xlc11、xlc12、xlc21～xlc23各自独立地表示氢原子、氯原子、氟原子、-cf3或-ocf3，ylc11及ylc21各自独立地表示氢原子、氯原子、氟原子、氰基、-cf3、-och2f、-ochf2或-ocf3。作为通式(lc1)或(lc2)表示的化合物，ylc11及ylc21优选各自独立地为氟原子、氰基、-cf3或-ocf3，更优选为氟原子或-ocf3，特别优选为氟原子。通式(lc1)或(lc2)中，zlc11及zlc21各自独立地表示单键、-ch＝ch-、-cf＝cf-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-、-cf2o-、-coo-或-oco-。作为通式(lc1)或(lc2)表示的化合物，zlc11及zlc21优选各自独立地为单键、-ch2ch2-、-coo-、-oco-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-，更优选为单键、-ch2ch2-、-och2-、-ocf2-或-cf2o-，进一步优选为单键、-och2-或-cf2o-。通式(lc1)或(lc2)中，mlc11及mlc21各自独立地表示1～4的整数。作为通式(lc1)或(lc2)表示的化合物，mlc11及mlc21优选各自独立地为1、2或3，当重视低温时的保存稳定性、响应速度时，更优选为1或2，当改善向列相上限温度的上限值时，进一步优选为2或3。当在通式(lc1)或(lc2)存在多个alc11、alc21、zlc11及zlc21时，这些可相同或不同。作为通式(lc1)表示的化合物，优选为选自由下述通式(lc1-a)至通式(lc1-c)表示的化合物组成的组中的1种或2种以上的化合物。通式(lc1-a)～(lc1-c)中，rlc11、ylc11、xlc11及xlc12各自独立地表示与前述通式(lc1)中的rlc11、ylc11、xlc11及xlc12相同的含义。作为通式(lc1-a)至通式(lc1-c)表示的化合物，rlc11优选各自独立地为碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基，更优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、碳原子数2～5的烯基。此外，xlc11及xlc12优选各自独立地为氢原子或氟原子，ylc11优选各自独立地为氟原子、-cf3或-ocf3。通式(lc1-a)～(lc1-c)中，alc1a1、alc1a2及alc1b1表示反式-1,4-亚环己基、四氢吡喃-2,5-二基、1,3-二烷-2,5-二基。此外，通式(lc1-a)～(lc1-c)中，xlc1b1、xlc1b2、xlc1c1～xlc1c4各自独立地表示氢原子、氯原子、氟原子、-cf3或-ocf3。作为通式(lc1-a)至通式(lc1-c)表示的化合物，xlc1b1、xlc1b2、xlc1c1～xlc1c4优选各自独立地为氢原子或氟原子。此外，通式(lc1)也优选为选自由下述通式(lc1-d)至通式(lc1-p)表示的化合物组成的组中的1种或2种以上的化合物。通式(lc1-d)～(lc1-p)中，rlc11、ylc11、xlc11及xlc12各自独立地表示与前述通式(lc1)中的rlc11、ylc11、xlc11及xlc12相同的含义。作为通式(lc1-d)～(lc1-p)表示的化合物，rlc11优选各自独立地为碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基，更优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、碳原子数2～5的烯基。此外，xlc11及xlc12优选各自独立地为氢原子或氟原子。ylc11优选各自独立地为氟原子、-cf3或-ocf3。通式(lc1-d)～(lc1-p)中，alc1d1、alc1f1、alc1g1、alc1j1、alc1k1、alc1k2、alc1m1～alc1m3各自独立地表示1,4-亚苯基、反式-1,4-亚环己基、四氢吡喃-2,5-二基或1,3-二烷-2,5-二基。通式(lc1-d)～(lc1-p)中，xlc1d1、xlc1d2、xlc1f1、xlc1f2、xlc1g1、xlc1g2、xlc1h1、xlc1h2、xlc1i1、xlc1i2、xlc1j1～xlc1j4、xlc1k1、xlc1k2、xlc1m1及xlc1m2各自独立地表示氢原子、氯原子、氟原子、-cf3或-ocf3。作为通式(lc1-d)～(lc1-m)表示的化合物，xlc1d1～xlc1m2优选各自独立地为氢原子或氟原子。通式(lc1-d)～(lc1-p)中，zlc1d1、zlc1e1、zlc1j1、zlc1k1、zlc1m1各自独立地表示单键、-ch＝ch-、-cf＝cf-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-、-cf2o-、-coo-或-oco-。作为通式(lc1-d)～(lc1-p)表示的化合物，zlc1d1～zlc1m1优选各自独立地为单键、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-cf2o-或-och2-。作为通式(lc1-d)～(lc1-p)表示的化合物，优选为选自由下述通式(lc1-1)至通式(lc1-45)表示的化合物组成的组中的1种或2种以上的化合物。通式(lc1-1)至通式(lc1-45)中，rlc11各自独立地表示碳原子数1～7的烷基。通式(lc2)优选为选自由下述通式(lc2-a)至通式(lc2-g)表示的化合物组成的组中的1种或2种以上的化合物。通式(lc2-a)～(lc2-g)中，rlc21、ylc21、xlc21～xlc23各自独立地表示与前述通式(lc2)中的rlc21、ylc21、xlc21～xlc23相同的含义。作为通式(lc2-a)～(lc2-g)表示的化合物，rlc21优选各自独立地为碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基，更优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的烷氧基、碳原子数2～5的烯基。此外，xlc21～xlc23优选各自独立地为氢原子或氟原子，ylc21优选各自独立地为氟原子、-cf3或-ocf3。通式(lc2-a)～(lc2-g)中，xlc2d1～xlc2d4、xlc2e1～xlc2e4、xlc2f1～xlc2f4及xlc2g1～xlc2g4各自独立地表示氢原子、氯原子、氟原子、-cf3或-ocf3。作为通式(lc2-a)～(lc2-g)表示的化合物，xlc2d1～xlc2g4优选各自独立地为氢原子或氟原子。通式(lc2-a)～(lc2-g)中，zlc2a1、zlc2b1、zlc2c1、zlc2d1、zlc2e1、zlc2f1及zlc2g1各自独立地表示单键、-ch＝ch-、-cf＝cf-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-、-cf2o-、-coo-或-oco-。作为通式(lc2-a)～(lc2-g)表示的化合物，zlc2a1～zlc2g4优选各自独立地为-cf2o-或-och2-。前述通式(lc)表示的化合物也优选为选自下述通式(lc3)～通式(lc5)表示的化合物组中的1种或2种以上的化合物。(式中，rlc31、rlc32、rlc41、rlc42、rlc51及rlc52各自独立地表示碳原子数1～15的烷基，该烷基中的1个或2个以上的-ch2-可以氧原子不直接邻接的方式被-o-、-ch＝ch-、-co-、-oco-、-coo-或-c≡c-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可任意地被卤原子取代，alc31、alc32、alc41、alc42、alc51及alc52各自独立地表示下述的任一结构，(该结构中，亚环己基中的1个或2个以上的-ch2-可被氧原子取代，1,4-亚苯基中的1个或2个以上的-ch-可被氮原子取代，此外，该结构中的1个或2个以上的氢原子可被氟原子、氯原子、-cf3或-ocf3取代。)，zlc31、zlc32、zlc41、zlc42、zlc51及zlc51各自独立地表示单键、-ch＝ch-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-coo-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-，z5表示-ch2-或氧原子，xlc41表示氢原子或氟原子，mlc31、mlc32、mlc41、mlc42、mlc51及mlc52各自独立地表示0～3，mlc31+mlc32、mlc41+mlc42及mlc51+mlc52为1、2或3，当存在多个alc31～alc52、zlc31～zlc52时，它们可相同或不同。)rlc31～rlc52优选各自独立地为碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基，作为烯基，最优选表示下述结构，(式中，右端连接于环结构。)alc31～alc52优选各自独立地为下述的结构，zlc31～zlc51优选各自独立地为单键、-ch2o-、-coo-、-oco-、-ch2ch2-、-cf2o-、-ocf2-或-och2-。作为通式(lc3)、通式(lc4)及通式(lc5)表示的化合物，优选含有至少1种选自通式(lc3-1)、通式(lc4-1)及通式(lc5-1)表示的化合物组中的化合物。(式中，r31～r33表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，r41～r43表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，z31～z33表示单键、-ch＝ch-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-coo-、-oco-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-，x41表示氢原子或氟原子，z34表示-ch2-或氧原子。)在通式(lc3-1)～通式(lc5-1)中，r31～r33表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，优选表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，更优选表示碳原子数2～5的烷基或碳原子数2～4的烯基，进一步优选表示碳原子数3～5的烷基或碳原子数2的烯基，特别优选表示碳原子数3的烷基。r41～r43表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，优选表示碳原子数1～5的烷基或者碳原子数1～5的烷氧基，或碳原子数4～8的烯基或者碳原子数3～8的烯氧基，更优选表示碳原子数1～3的烷基或碳原子数1～3的烷氧基，进一步优选表示碳原子数3的烷基或碳原子数2的烷氧基，特别优选表示碳原子数2的烷氧基。z31～z33表示单键、-ch＝ch-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-coo-、-oco-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-，优选表示单键、-ch2ch2-、-coo-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-，更优选表示单键或-ch2o-。在液晶组合物中，优选含有选自通式(lc3-1)、通式(lc4-1)及通式(lc5-1)表示的化合物组中的化合物5质量％～50质量％，优选含有5质量％～40质量％，更优选含有5质量％～30质量％，更优选含有8质量％～27质量％，进一步优选含有10质量％～25质量％。通式(lc3-1)表示的化合物具体而言优选为以下记载的通式(lc3-11)～通式(lc3-15)表示的化合物。(式中，r31表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，r41a表示碳原子数1～5的烷基。)通式(lc4-1)表示的化合物具体而言优选为以下记载的通式(lc4-11)～通式(lc4-14)表示的化合物。(式中，r32表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，r42a表示碳原子数1～5的烷基，x41表示氢原子或氟原子。)通式(lc5-1)表示的化合物具体而言优选为以下记载的通式(lc5-11)～通式(lc5-14)表示的化合物。(式中，r33表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，r43a表示碳原子数1～5的烷基，z34表示-ch2-或氧原子。)在通式(lc3-11)、通式(lc3-13)、通式(lc4-11)、通式(lc4-13)、通式(lc5-11)及通式(lc5-13)中，r31～r33优选为通式(lc3-1)～通式(lc5-1)中的同样的实施方式。r41a～r41c优选为碳原子数1～3的烷基，更优选为碳原子数1或2的烷基，特别优选为碳原子数2的烷基。在通式(lc3-12)、通式(lc3-14)、通式(lc4-12)、通式(lc4-14)、通式(lc5-12)及通式(lc5-14)中，r31～r33优选为通式(lc3-1)～通式(lc5-1)中的同样的实施方式。r41a～r41c优选为碳原子数1～3的烷基，更优选为碳原子数1或3的烷基，特别优选为碳原子数3的烷基。通式(lc3-11)～通式(lc5-14)中，为了增大介电常数各向异性的绝对值，优选为通式(lc3-11)、通式(lc4-11)、通式(lc5-11)、通式(lc3-13)、通式(lc4-13)及通式(lc5-13)，更优选为通式(lc3-11)、通式(lc4-11)、通式(lc5-11)。本发明的液晶显示元件中的液晶层中，优选含有1种或2种以上的通式(lc3-11)～通式(lc5-14)表示的化合物，更优选含有1种或2种，特别优选含有1种或2种的通式(lc3-1)表示的化合物。此外，作为通式(lc3)、通式(lc4)及通式(lc5)表示的化合物，优选含有至少1种选自通式(lc3-2)、通式(lc4-2)及通式(lc5-2)表示的化合物组中的化合物。(式中，r51～r53表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，r61～r63表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，b1～b3表示可经氟取代的1,4-亚苯基或反式-1,4-亚环己基，z41～z43表示单键、-ch＝ch-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-coo-、-oco-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-，x42表示氢原子或氟原子，z44表示-ch2-或氧原子。)在通式(lc3-2)、通式(lc4-2)及通式(lc5-2)中，r51～r53表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，优选表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，更优选表示碳原子数2～5的烷基或碳原子数2～4的烯基，进一步优选表示碳原子数3～5的烷基或碳原子数2的烯基，特别优选表示碳原子数3的烷基。r61～r63表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，优选表示碳原子数1～5的烷基或者碳原子数1～5的烷氧基、或碳原子数4～8的烯基或者碳原子数3～8的烯氧基，更优选表示碳原子数1～3的烷基或碳原子数1～3的烷氧基，进一步优选表示碳原子数3的烷基或碳原子数2的烷氧基，特别优选表示碳原子数2的烷氧基。b31～b33表示可经氟取代的1,4-亚苯基或反式-1,4-亚环己基，优选为未经取代的1,4-亚苯基或反式-1,4-亚环己基，更优选为反式-1,4-亚环己基。z41～z43表示单键、-ch＝ch-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-coo-、-oco-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-，优选表示单键、-ch2ch2-、-coo-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-，更优选表示单键或-ch2o-。通式(lc3-2)、通式(lc3-3)、通式(lc4-2)及通式(lc5-2)表示的化合物，优选在液晶组合物中含有10～60质量％，更优选含有20～50质量％，更优选含有25～45质量％，更优选含有28～42质量％，进一步优选含有30～40质量％。通式(lc3-2)表示的化合物具体而言优选为以下记载的通式(lc3-21)～通式(lc3-29)表示的化合物。此外，作为通式(lc3-3)表示的化合物，也优选为以下记载的通式(lc3-31)～通式(lc3-33)表示的化合物。(式中，r51表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，r61a表示碳原子数1～5的烷基，优选为与通式(lc3-2)中的r51及r61同样的实施方式。)通式(lc4-2)表示的化合物具体而言优选为以下记载的通式(lc4-21)～通式(lc4-26)表示的化合物。(式中，r52表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，r62a表示碳原子数1～5的烷基，x42表示氢原子或氟原子，优选为与通式(lc4-2)中的r52及r62同样的实施方式。)通式(lc5-2)表示的化合物具体而言优选为以下记载的通式(lc5-21)～通式(lc5-26)表示的化合物。(式中，r53表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，r63a表示碳原子数1～5的烷基，w2表示-ch2-或氧原子，优选为与通式(lc5-2)中的r53及r63同样的实施方式。)在通式(lc3-21)、通式(lc3-22)、通式(lc3-25)、通式(lc4-21)、通式(lc4-22)、通式(lc4-25)、通式(lc5-21)、通式(lc5-22)及通式(lc5-25)中，r51～r53优选为通式(lc3-2)、通式(lc4-2)及通式(lc5-2)中的同样的实施方式。r61a～r63a优选为碳原子数1～3的烷基，更优选为碳原子数1或2的烷基，特别优选为碳原子数2的烷基。在通式(lc3-23)、通式(lc3-24)及通式(lc3-26)、通式(lc4-23)、通式(lc4-24)及通式(lc4-26)、通式(lc5-23)、通式(lc5-24)及通式(lc5-26)中，r51～r53优选为通式(lc3-2)、通式(lc4-2)及通式(lc5-2)中的同样的实施方式。r61a～r63a优选为碳原子数1～3的烷基，更优选为碳原子数1或3的烷基，特别优选为碳原子数3的烷基。通式(lc3-21)～通式(lc5-26)中，为了增大介电常数各向异性的绝对值，优选为通式(lc3-21)、通式(lc3-22)及通式(lc3-25)、通式(lc4-21)、通式(lc4-22)及通式(lc4-25)、通式(lc5-21)、通式(lc5-22)及通式(lc5-25)。通式(lc3-2)、通式(lc4-2)及通式(lc5-2)表示的化合物可含有1种或2种以上，优选含有b1～b3表示1,4-亚苯基的化合物及b1～b3表示反式-1,4-亚环己基的化合物各至少1种以上。此外，作为通式(lc3)表示的化合物，另外还优选为选自下述通式(lc3-a)及通式(lc3-b)表示的化合物组中的1种或2种以上的化合物。(式中，rlc31、rlc32、alc31及zlc31各自独立地表示与前述通式(lc3)中的rlc31、rlc32、alc31及zlc31相同的含义，xlc3b1～xlc3b6表示氢原子或氟原子，xlc3b1及xlc3b2或xlc3b3及xlc3b4的中的至少一个组合中均表示氟原子，mlc3a1为1、2或3，mlc3b1表示0或1，当存在多个alc31及zlc31时，它们可相同或不同。)rlc31及rlc32优选各自独立地表示碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基或碳原子数2～7的烯氧基。alc31优选表示1,4-亚苯基、反式-1,4-亚环己基、四氢吡喃-2,5-二基、1,3-二烷-2,5-二基，更优选表示1,4-亚苯基、反式-1,4-亚环己基。zlc31优选表示单键、-ch2o-、-coo-、-oco-、-ch2ch2-，更优选表示单键。作为通式(lc3-a)，优选表示下述通式(lc3-a1)。(式中，rlc31及rlc32各自独立地表示与前述通式(lc3)中的rlc31及rlc32相同的含义。)rlc31及rlc32优选各自独立地为碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基，更优选rlc31表示碳原子数1～7的烷基且rlc32表示碳原子数1～7的烷氧基。作为通式(lc3-b)，优选表示下述通式(lc3-b1)～通式(lc3-b12)，更优选表示通式(lc3-b1)、通式(lc3-b6)、通式(lc3-b8)、通式(lc3-b11)，进一步优选表示通式(lc3-b1)及通式(lc3-b6)，最优选表示通式(lc3-b1)。(式中，rlc31及rlc32各自独立地表示与前述通式(lc3)中的rlc31及rlc32相同的含义。)rlc31及rlc32优选各自独立地为碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基，更优选rlc31表示碳原子数2或3的烷基且rlc32表示碳原子数2的烷基。此外，通式(lc4)表示的化合物优选为下述通式(lc4-a)至通式(lc4-c)表示的化合物，通式(lc5)表示的化合物优选为下述通式(lc5-a)至通式(lc5-c)表示的化合物。(式中，rlc41、rlc42及xlc41各自独立地表示与前述通式(lc4)中的rlc41、rlc42及xlc41相同的含义，rlc51及rlc52各自独立地表示与前述通式(lc5)中的rlc51及rlc52相同的含义，zlc4a1、zlc4b1、zlc4c1、zlc5a1、zlc5b1及zlc5c1各自独立地表示单键、-ch＝ch-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-coo-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-。)rlc41、rlc42、rlc51及rlc52优选各自独立地表示碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基或碳原子数2～7的烯氧基。zlc4a1～zlc5c1优选各自独立地表示单键、-ch2o-、-coo-、-oco-、-ch2ch2-，更优选表示单键。前述通式(lc)表示的化合物也优选为选自下述通式(lc6)表示的化合物(其中，不包括通式(lc1)～通式(lc5)表示的化合物。)中的1种或2种以上的化合物。通式(lc6)中，rlc61及rlc62各自独立地表示碳原子数1～15的烷基。该烷基中的1个或2个以上的ch2基可以氧原子不直接邻接的方式被-o-、-ch＝ch-、-co-、-oco-、-coo-或-c≡c-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可任意地被卤素取代。作为通式(lc6)表示的化合物，rlc61及rlc62优选各自独立地为碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基，作为烯基，最优选表示下述的任一结构。(式中，右端连接于环结构。)通式(lc6)中，alc61～alc63各自独立地表示下述任一结构。该结构中，亚环己基中的1个或2个以上的ch2ch2基可被-ch＝ch-、-cf2o-、-ocf2-取代，1,4-亚苯基中的1个或2个以上的ch基可被氮原子取代。作为通式(lc6)表示的化合物，alc61～alc63优选各自独立地为下述的任一结构。通式(lc6)中，zlc61及zlc62各自独立地表示单键、-ch＝ch-、-c≡c-、-ch2ch2-、-(ch2)4-、-coo-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-，mlc61表示0～3。作为通式(lc6)表示的化合物，zlc61及zlc62优选各自独立地为单键、-ch2ch2-、-coo-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-或-cf2o-。作为通式(lc6)表示的化合物，优选为选自由下述通式(lc6-a)至通式(lc6-v)表示的化合物组成的组中的1种或2种以上的化合物。通式(lc6-a1)～通式(lc6-p1)的式中，rlc61及rlc62各自独立地表示碳原子数1～7的烷基、碳原子数1～7的烷氧基、碳原子数2～7的烯基或碳原子数2～7的烯氧基。[聚合性化合物]作为本发明的聚合性化合物，可列举具有一个反应性基的单官能性聚合性化合物、及双官能或三官能等具有两个以上的反应性基的多官能性聚合性化合物。具有反应性基的聚合性化合物可含有或也可不含有液晶原(mesogen)性部位。在具有反应性基的聚合性化合物中，反应性基优选为具有光聚合性的取代基。尤其在通过热聚合生成垂直取向膜时，当垂直取向膜材料热聚合时，由于可抑制具有反应性基的聚合性化合物的反应，因此，反应性基特别优选为具有光聚合性的取代基。作为本发明的聚合性化合物，优选为以下的通式(p)表示的化合物。(上述通式(p)中，zp1表示氟原子、氰基、氢原子、氢原子可被取代为卤原子的碳原子数1～15的烷基、氢原子可被取代为卤原子碳原子数1～15的烷氧基、氢原子可被取代为卤原子的碳原子数1～15的烯基、氢原子可被取代为卤原子的碳原子数1～15的烯氧基或-spp2-rp2，rp1及rp2各自独立地表示以下的式(r-i)至式(r-ix)中的任一者，前述式(r-i)～(r-ix)中，r2～r6互相独立地为氢原子、碳原子数1～5个的烷基或碳原子数1～5个的卤化烷基，w为单键、-o-或亚甲基(methylene)，t为单键或-coo-，p、t及q各自独立地表示0、1或2，spp1及spp2表示间隔基团(spacergroup)，spp1及spp2各自独立地表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)s-(式中，s表示1～11的整数，氧原子连接于芳香环。)，lp1及lp2各自独立地表示单键、-o-、-s-、-ch2-、-och2-、-ch2o-、-co-、-c2h4-、-coo-、-oco-、-ocooch2-、-ch2ocoo-、-och2ch2o-、-co-nra-、-nra-co-、-sch2-、-ch2s-、-ch＝cra-coo-、-ch＝cra-oco-、-coo-cra＝ch-、-oco-cra＝ch-、-coo-cra＝ch-coo-、-coo-cra＝ch-oco-、-oco-cra＝ch-coo-、-oco-cra＝ch-oco-、-(ch2)z-c(＝o)-o-、-(ch2)z-o-(c＝o)-、-o-(c＝o)-(ch2)z-、-(c＝o)-o-(ch2)z-、-ch＝ch-、-cf＝cf-、-cf＝ch-、-ch＝cf-、-cf2-、-cf2o-、-ocf2-、-cf2ch2-、-ch2cf2-、-cf2cf2-或-c≡c-(式中，ra各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，前述式中，z表示1～4的整数。)，mp2表示1,4-亚苯基、1,4-亚环己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚满-2,5-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或1,3-二烷-2,5-二基，mp2未经取代或可被碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～12的卤化烷基、碳原子数1～12的烷氧基、碳原子数1～12的卤化烷氧基、卤原子、氰基、硝基或-rp1取代，mp1表示以下的式(i-11)～(ix-11)中的任一者，(式中，在★与spp1连接，在★★与lp1或者lp2连接。)，mp3表示以下的式(i-13)～(ix-13)中的任一者。(式中，在★与zp1连接，在★★与lp2连接。)，mp2～mp4各自独立地表示0、1、2或3，mp1及mp5各自独立地表示1、2或3，当存在多个zp1时，它们可相同或不同，当存在多个rp1时，它们可相同或不同，当存在多个rp2时，它们可相同或不同，当存在多个spp1时，它们可相同或不同，当存在多个spp2时，它们可相同或不同，当存在多个lp1时，它们可相同或不同，当存在多个mp2时，它们可相同或不同。)此外，该聚合性化合物优选含有1种或2种以上。在本发明的通式(p)中，zp1优选为-spp2-rp2，r11及r12优选各自独立地为式(r-1)至式(r-3)中的任一者。此外，在前述通式(p)中，优选mp1+mp5为2以上。此外，在前述通式(p)中，lp1为单键、-och2-、-ch2o-、-co-、-c2h4-、-coo-、-oco-、-cooc2h4-、-ococ2h4-、-c2h4oco-、-c2h4coo-、-ch＝ch-、-cf2-、-cf2o-、-(ch2)z-c(＝o)-o-、-(ch2)z-o-(c＝o)-、-o-(c＝o)-(ch2)z-、-ch＝ch-coo-、-coo-ch＝ch-、-ococh＝ch-、-(c＝o)-o-(ch2)z-、-ocf2-或-c≡c-，lp2为-och2ch2o-、-cooc2h4-、-ococ2h4-、-(ch2)z-c(＝o)-o-、-(ch2)z-o-(c＝o)-、-o-(c＝o)-(ch2)z-、-(c＝o)-o-(ch2)z-、-ch＝ch-coo-、-coo-ch＝ch-、-ococh＝ch-、-c2h4oco-或-c2h4coo-，前述式中的z优选为1～4的整数。此外，优选为，前述通式(p)的lp1及lp2的至少任一者为选自由-(ch2)z-c(＝o)-o-、-(ch2)z-o-(c＝o)-及-o-(c＝o)-(ch2)z-、-(c＝o)-o-(ch2)z-组成的组中的至少1种。此外，在前述通式(p)中，rp1及rp2更优选各自独立地为以下的式(r-1)至式(r-15)中的任一者。此外，前述通式(p)的mp3表示0、1、2或3，当mp2为1时，lp1为单键，当mp2为2或3时，多个存在的lp1的至少1个优选为单键。此外，前述通式(p)的mp3表示0、1、2或3，当mp3为1时，mp2为1,4-亚苯基，当mp3为2或3时，多个存在的mp2中优选至少隔着lp1而与mp1邻接的mp2为1,4-亚苯基。进一步，前述通式(p)的mp3表示0、1、2或3，mp2中的至少1个优选为经1个或2个以上的氟取代的1,4-亚苯基。进一步，前述通式(p)的mp4表示0、1、2或3，mp3中的至少1个优选为经1个或2个以上的氟取代的1,4-亚苯基。此外，作为前述通式(p)中的间隔基团(spp1，spp2，spp4)，优选为单键、-och2-、-(ch2)zo-、-co-、-c2h4-、-coo-、-oco-、-cooc2h4-、-ococ2h4-、-(ch2)z-、-c2h4oco-、-c2h4coo-、-ch＝ch-、-cf2-、-cf2o-、-(ch2)z-c(＝o)-o-、-(ch2)z-o-(c＝o)-、-o-(c＝o)-(ch2)z-、-(c＝o)-o-(ch2)z-、-o-(ch2)z-o-、-ocf2-、-ch＝ch-coo-、-coo-ch＝ch-、-ococh＝ch-或-c≡c-，该z优选为1以上10以下的整数。本发明的通式(p)的聚合性化合物，优选为选自由通式(p-a)、通式(p-b)、通式(p-c)及通式(p-d)表示的化合物组成的组中的至少1种化合物。上述通式(p-a)～通式(p-d)中，rp1及rp2各自独立地表示以下的式(r-i)至式(r-ix)中的任一者，前述式(r-i)～(r-ix)中，r2～r6互相独立地为氢原子、碳原子数1～5个的烷基或碳原子数1～5个的卤化烷基，w为单键、-o-或亚甲基，t为单键或-coo-，p、t及q各自独立地表示0、1或2，环a及环b各自独立地表示1,4-亚苯基、1,4-亚环己基、蒽-2,6-二基、菲-2,7-二基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、萘-2,6-二基、茚满-2,5-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或1,3-二烷-2,5-二基，优选为未经取代或经碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～12的卤化烷基、碳原子数1～12的烷氧基、碳原子数1～12的卤化烷氧基、卤原子、氰基、硝基或-rp1取代，环c表示以下的式(c-i)～(c-ix)的任一者，(式中，在★与spp1连接，在★★与lp5或者lp6连接。)spp1及spp4表示间隔基团，xp1～xp4优选各自独立地表示氢原子或卤原子，lp4、lp5及lp6优选各自独立地为单键、-och2-、-ch2o-、-co-、-c2h4-、-coo-、-oco-、-cooc2h4-、-ococ2h4-、-c2h4oco-、-c2h4coo-、-ch＝ch-、-cf2-、-cf2o-、-(ch2)z-c(＝o)-o-、-(ch2)z-o-(c＝o)-、-o-(c＝o)-(ch2)z-、-(c＝o)-o-(ch2)z-、-o-(ch2)z-o-、-ocf2-、-ch＝chcoo-、-cooch＝ch-、-ococh＝ch-或-c≡c-，前述式中的z优选为1～4的整数。lp3优选为-ch＝chcoo-、-cooch＝ch-或-ococh＝ch-。在上述通式(p-a)表示的化合物中，mp6及mp7优选各自独立地表示0、1、2或3。此外，更优选为mp6+mp7＝2～5。在上述通式(p-d)表示的化合物中，mp12及mp15各自独立地表示1、2或3，mp13优选表示0、1、2或3，mp14优选表示0或1。此外，更优选为mp12+mp15＝2～5。当存在多个rp1时，它们可相同或不同，当存在多个rp1时，它们可相同或不同，当存在多个rp2时，它们可相同或不同，当存在多个spp1时，它们可相同或不同，当存在多个spp4时，它们可相同或不同，当存在多个lp4及lp5时，它们可相同或不同，当存在多个环a～环c时，它们可相同或不同。以下例示本发明的通式(p-a)～通式(p-d)表示的化合物的优选结构。作为本发明的通式(p-a)表示的化合物的优选例，可列举下述式(p-a-1)～式(p-a-31)表示的聚合性化合物。作为本发明的通式(p-b)表示的化合物的优选例，可列举下述式(p-b-1)～式(p-b-34)表示的聚合性化合物。作为本发明的通式(p-c)表示的化合物的优选例，可列举下述式(p-c-1)～式(p-c-52)表示的聚合性化合物。本发明的通式(p-d)表示的化合物，优选为以下的通式(p-d’)表示的化合物。(在上述通式(p-d’)表示的化合物中，mp10更优选表示2或3。其他的记号与上述通式(p-d)相同，因而省略。)作为本发明的通式(p-d)表示的化合物的优选例，可列举下述式(p-d-1)～式(p-d-31)表示的聚合性化合物。本发明的“碳原子数1～15个的烷基”优选为直链状或分支状烷基，更优选为直链状烷基。此外，上述通式(1)中，r1及r2各自独立地为碳原子数1～15个的烷基，r1及r2优选各自独立地为碳原子数1～8个的烷基，更优选为碳原子数1～6个的烷基。作为本发明的“碳原子数1～15个的烷基”的例子，可列举：甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、异丁基、叔丁基、3-戊基、异戊基、新戊基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二基、十五基等。需说明的是，在本说明书中，烷基的例子是共通的，可根据各烷基的碳原子数的数目，适当从上述例示中加以选择。本发明的“碳原子数1～15个的烷氧基”的例子，优选为该取代基中的至少1个氧原子存在于与环结构直接连接的位置，更优选为甲氧基、乙氧基、丙氧基(正丙氧基(n-propoxy)、异丙氧基(i-propoxy))、丁氧基、戊氧基、辛氧基、癸氧基。需说明的是，在本说明书中，烷氧基的例子是共通的，可根据各烷氧基的碳原子数的数目，适当从上述例示中加以选择。本发明的“碳原子数2～15个的烯基”的例子，可列举：乙烯基、烯丙基、1-丙烯基、异丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、2-己烯基等。此外，作为本发明更优选的烯基，以下述记载的式(i)(乙烯基)、式(ii)(1-丙烯基)、式(iii)(3-丁烯基)及式(iv)(3-戊烯基)表示，(上述式(i)～(iv)中，＊表示连接于环结构的部位。)，但当本申请发明的液晶组合物含有聚合性单体时，优选为式(ii)及式(iv)表示的结构，更优选为式(ii)表示的结构。需说明的是，在本说明书中，烯基的例子是共通的，可根据各烯基的碳原子数的数目，适当从上述例示中加以选择。此外，本发明的聚合性化合物中，作为对于提高与低分子液晶的溶解性、抑制结晶化而言优选的单官能性的具有反应基的聚合性化合物，优选为下述通式(vi)表示的聚合性化合物。(式中，x3表示氢原子或甲基，sp3表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)t-(式中，t表示2～11的整数，氧原子连接于芳香环。)，v表示碳原子数2～20的直链或者分支多价亚烷基或碳原子数5～30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代，或可被碳原子数5～20的烷基(基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代。)或环状取代基取代，w表示氢原子、卤原子或碳原子数1～15的烷基。式中所有的1,4-亚苯基中任意的氢原子可被取代为-ch3、-och3、氟原子或氰基。)在上述通式(vi)中，x3表示氢原子或甲基，但当重视反应速度时，优选为氢原子，当重视降低反应残留量时，则优选为甲基。在上述通式(vi)中，sp3表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)t-(式中，t表示2～11的整数，氧原子连接于芳香环。)，由于碳链的长度会对tg造成影响，因此，当聚合性化合物含量小于10重量％时，优选为不太长，优选为单键或碳原子数1～5的亚烷基，当聚合性化合物含量小于6重量％时，更优选为单键或碳原子数1～3的亚烷基。当聚合性化合物含量在10重量％以上时，优选为碳数5～10的亚烷基。此外，当sp3表示-o-(ch2)t-时也同样，t优选为1～5，更优选为1～3。进一步，在含有取向膜的基板表面，由于碳原子数会对预倾角造成影响，因此，根据需要，优选混合sp3的碳原子数不同的多种聚合性化合物来使用，以得到期望的预倾角。在上述通式(vi)中，v表示碳原子数2～20的直链或者分支多价亚烷基或碳原子数5～30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代，或可被碳原子数5～20的烷基(基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代。)或环状取代基取代，优选被2个以上的环状取代基取代。通式(vi)表示的聚合性化合物更具体而言可列举通式(x1a)表示的化合物。(式中，a1表示氢原子或甲基，a2表示单键或碳原子数1～8的亚烷基(该亚烷基中的1个或2个以上的亚甲基可以氧原子不相互直接连接的方式各自独立地被氧原子、-co-、-coo-或-oco-取代，该亚烷基中的1个或2个以上的氢原子可各自独立地被氟原子、甲基或乙基取代。)，a3及a6各自独立地表示氢原子、卤原子或碳原子数1～10的烷基(该烷基中的1个或2个以上的亚甲基可以氧原子不相互直接连接的方式各自独立地被氧原子、-co-、-coo-或-oco-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可各自独立地被卤原子或碳原子数1～17的烷基取代。)，a4及a7各自独立地表示氢原子、卤原子或碳原子数1～10的烷基(该烷基中的1个或2个以上的亚甲基可以氧原子不相互直接连接的方式各自独立地被氧原子、-co-、-coo-或-oco-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可各自独立地卤原子或碳原子数1～9的烷基取代。)，p表示0～10，b1、b2及b3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的直链状或者支链状烷基(该烷基中的1个或2个以上的亚甲基可以氧原子不相互直接连接的方式各自独立地被氧原子、-co-、-coo-或-oco-取代，该烷基中的1个或2个以上的氢原子可各自独立地被卤原子或碳原子数3～6的三烷氧基硅基(trialkoxysilyl)取代。)上述通式(x1a)优选为下述通式(ii-b)表示的化合物。通式(ii-b)通式(ii-b)表示的化合物具体而言优选为下述式(ii-q)～(ii-z)、(ii-aa)～(ii-al)表示的化合物。上述通式(vi)、通式(xai)及通式(ii-b)表示的化合物可仅为1种，或也可为2种以上。此外，作为通式(vi)表示的聚合性化合物，也可列举通式(x1b)表示的化合物。(式中，a8表示氢原子或甲基，6元环t1、t2及t3各自独立地表示下述的任一者，(其中q表示1至4的整数。)q表示0或1，y1及y2各自独立地表示单键、-ch2ch2-、-ch2o-、-och2-、-coo-、-oco-、-c≡c-、-ch＝ch-、-cf＝cf-、-(ch2)4-、-ch2ch2ch2o-、-och2ch2ch2-、-ch＝chch2ch2-或-ch2ch2ch＝ch-，y3及y4各自独立地表示单键、碳原子数1～12的亚烷基(该亚烷基中的1个或2个以上的亚甲基可以氧原子不相互直接连接的方式各自独立地被氧原子、-co-、-coo-或-oco-取代，该亚烷基中的1个或2个以上的氢原子可各自独立地被氟原子、甲基或乙基取代。)，b8表示氢原子、氰基、卤原子或碳原子数1～8的烷基，或末端具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基的亚烷基。)作为例示化合物，如下所示，但并非限定于这些。进一步，通式(vi)表示的聚合性化合物具体而言也可列举通式(x1c)表示的化合物。(式中，r70表示氢原子或甲基，r71表示具有缩合环的烃基。)作为例示化合物，如下所示，但并非限定于这些。此外，本发明的聚合性化合物中，作为对于提高与低分子液晶的溶解性、抑制结晶化而言优选的多官能性具有反应基的聚合性化合物，优选为下述通式(v)表示的聚合性化合物。(式中，x1及x2各自独立地表示氢原子或甲基，sp1及sp2各自独立地表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)s-(式中，s表示1～11的整数，氧原子连接于芳香环。)，u表示碳原子数2～20的直链或者分支多价亚烷基或碳原子数5～30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代，或可被碳原子数5～20的烷基(基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代。)或环状取代基取代，k表示1～5的整数。式中所有的1,4-亚苯基中任意的氢原子可被取代成-ch3、-och3、氟原子或氰基。)在上述通式(v)中，x1及x2各自独立地表示氢原子或甲基，但当重视反应速度时，优选为氢原子，当重视降低反应残留量时，则优选为甲基。在上述通式(v)中，sp1及sp2各自独立地表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)s-(式中，s表示2～11的整数，氧原子连接于芳香环。)，本发明的液晶显示元件的预倾角会受到该碳原子数、与液晶相比的含量及所使用的取向膜的种类、取向处理条件的影响。优选使用会在取向膜表面取决于聚合性化合物的分子结构而自发地诱发预倾角的化合物。因此，并不一定要加以限定，例如使预倾角为5度左右时，优选为碳链不太长，更优选为单键或碳原子数1～5的亚烷基，更优选为单键或碳原子数1～3的亚烷基。进一步，为了使预倾角在2度左右以内，优选使用碳原子数为6～12的聚合性化合物，更优选碳原子数为8～10。此外，当sp1及sp2表示-o-(ch2)s-时，由于会对预倾角造成影响，因此，优选适当地根据需要对sp1及sp2的长度进行调整来使用，为了增加预倾角，s优选为1～5，更优选为1～3。为了减小预倾角，s优选为6～10。此外，由于sp1及sp2的至少一者为单键时会显现出分子的非对称性，因而诱发预倾斜，因而优选。此外，在上述通式(v)中，也优选sp1与sp2相同的化合物，优选使用sp1与sp2相同的2种以上化合物。此时，更优选使用彼此的sp1及sp2不同的2种以上的化合物。在上述通式(v)中，u表示碳原子数2～20的直链或者分支多价亚烷基或碳原子数5～30的多价环状取代基，多价亚烷基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代，或可被碳原子数5～20的烷基(基中的亚烷基可在氧原子不邻接的范围内被氧原子取代。)、环状取代基取代，优选被2个以上的环状取代基取代。在上述通式(v)中，u具体而言优选表示以下的式(va-1)至式(va-13)。为了提高锚定(anchoring)力，优选为直线性高的联苯等，优选表示式(va-1)至式(va-6)。此外，表示式(va-6)至式(va-11)的结构在与液晶的溶解性高的方面上优选，优选与式(va-1)至式(va-6)组合使用。(式中，两端连接于sp1或sp2。zp1及zp2各自独立地表示-och2-、-ch2o-、-coo-、-oco-、-cf2o-、-ocf2-、-ch2ch2-、-cf2cf2-、-ch＝ch-coo-、-ch＝ch-oco-、-coo-ch＝ch-、-oco-ch＝ch-、-coo-ch2ch2-、-oco-ch2ch2-、-ch2ch2-coo-、-ch2ch2-oco-、-coo-ch2-、-oco-ch2-、-ch2-coo-、-ch2-oco-、-cy1＝cy2-、-c≡c-或单键。式中所有的1,4-亚苯基中任意的氢原子可被取代为-ch3、-och3、氟原子或氰基。此外，亚环己基中的1个或2个以上的ch2ch2基可被-ch＝ch-、-cf2o-、-ocf2-取代。)当u具有环结构时，前述sp1及sp2优选至少一者表示-o-(ch2)s-(式中，s表示1～7的整数，氧原子连接于芳香环。)，也优选两者皆为-o-(ch2)s-。在上述通式(v)中，k表示1～5的整数，优选为k为1的双官能化合物，或k为2的三官能化合物，更优选为双官能化合物。上述通式(v)表示的化合物具体而言优选为以下的通式(vb)表示的化合物。(式中，x1及x2各自独立地表示氢原子或甲基，sp1及sp2各自独立地表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)s-(式中，s表示1～7的整数，氧原子连接于芳香环。)，z1表示-och2-、-ch2o-、-coo-、-oco-、-cf2o-、-ocf2-、-ch2ch2-、-cf2cf2-、-ch＝ch-coo-、-ch＝ch-oco-、-coo-ch＝ch-、-oco-ch＝ch-、-coo-ch2ch2-、-oco-ch2ch2-、-ch2ch2-coo-、-ch2ch2-oco-、-coo-ch2-、-oco-ch2-、-ch2-coo-、-ch2-oco-、-cy1＝cy2-(y1及y2各自独立地表示氢原子或氟原子。)、-c≡c-或单键，c表示1,4-亚苯基、反式-1,4-亚环己基或单键，式中所有的1,4-亚苯基中任意的氢原子可被氟原子取代。)在上述通式(vb)中，x1及x2各自独立地表示氢原子或甲基，优选为皆表示氢原子的二丙烯酸酯衍生物，或皆具有甲基的二甲基丙烯酸酯衍生物，也优选为一者表示氢原子，另一者表示甲基的化合物。这些化合物的聚合速度为，二丙烯酸酯衍生物最快，二甲基丙烯酸酯衍生物慢，非对称化合物为中间，可根据其用途使用优选的方式。在上述通式(vb)中，sp1及sp2各自独立地表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)s-，优选至少一者为-o-(ch2)s-，更优选为两者表示-o-(ch2)s-的方式。这种情况下，s优选为1～6。在上述通式(vb)中，z1表示-och2-、-ch2o-、-coo-、-oco-、-cf2o-、-ocf2-、-ch2ch2-、-cf2cf2-、-ch＝ch-coo-、-ch＝ch-oco-、-coo-ch＝ch-、-oco-ch＝ch-、-coo-ch2ch2-、-oco-ch2ch2-、-ch2ch2-coo-、-ch2ch2-oco-、-coo-ch2-、-oco-ch2-、-ch2-coo-、-ch2-oco-、-cy1＝cy2-(y1及y2各自独立地表示氢原子或氟原子。)、-c≡c-或单键，优选为-och2-、-ch2o-、-coo-、-oco-、-cf2o-、-ocf2-、-ch2ch2-、-cf2cf2-或单键，更优选为-coo-、-oco-或单键，特别优选为单键。在上述通式(vb)中，c表示任意氢原子可被氟原子取代的1,4-亚苯基、反式-1,4-亚环己基或单键，优选为1,4-亚苯基或单键。当c表示单键以外的环结构时，z1也优选为单键以外的连接基团，当c为单键时，z1优选为单键。根据上述，在上述通式(vb)中，c表示单键，环结构由两个环形成的情况是优选的，作为具有环结构的聚合性化合物，具体而言优选为以下的通式(v-1)至(v-6)表示的化合物，特别优选为通式(v-1)至(v-4)表示的化合物，最优选为通式(v-2)表示的化合物。此外，在上述通式(vb)中，以下的通式(v1-1)至(v1-5)表示的化合物在提高与液晶组合物的溶解性的方面优选，特别优选为通式(v1-1)表示的化合物。此外，上述通式(vb)由三个环结构形成时也优选地被使用，通式(v1-6)至(v1-13)表示的化合物在提高与液晶组合物的溶解性的方面优选。进一步，与液晶的锚定力强的通式(v-1)至(v-6)表示的化合物中，也优选与锚定力弱但与液晶组合物的相溶性良好的通式(v1-1)至(v1-5)表示的化合物混合来使用。(式中，q1及q2各自独立地表示1～12的整数，r3表示氢原子或甲基。)作为上述通式(v)表示的化合物，具体而言，以下的通式(vc)表示的化合物在提高反应速度的方面优选，此外，由于会使预倾角热稳定化，因此优选。进一步，也可根据需要调整sp1、sp2及sp3的碳原子数而得到想要的预倾角。关于预倾斜与该碳原子数的关系，显示出与官能基为2个时相同的倾向。(式中，x1、x2及x3各自独立地表示氢原子或甲基，sp1、sp2及sp3各自独立地表示单键、碳原子数1～12的亚烷基或-o-(ch2)s-(式中，s表示2～7的整数，氧原子连接于芳香环。)，z11表示-och2-、-ch2o-、-coo-、-oco-、-cf2o-、-ocf2-、-ch2ch2-、-cf2cf2-、-ch＝ch-coo-、-ch＝ch-oco-、-coo-ch＝ch-、-oco-ch＝ch-、-coo-ch2ch2-、-oco-ch2ch2-、-ch2ch2-coo-、-ch2ch2-oco-、-coo-ch2-、-oco-ch2-、-ch2-coo-、-ch2-oco-、-cy1＝cy2-、-c≡c-或单键，j表示1,4-亚苯基、反式-1,4-亚环己基或单键，式中所有的1,4-亚苯基中任意的氢原子可被氟原子取代。)作为聚合性化合物，还优选使用具有光取向功能的化合物。其中，优选使用显示出光异构化的化合物。作为具有光取向功能的聚合性化合物，具体而言优选为下述的化合物：在通式(vb)中，x1及x2各自独立地表示氢原子或甲基，sp1及sp2各自独立地表示单键、碳原子数1～8的亚烷基或-o-(ch2)s-(式中，s表示1～7的整数，氧原子连接于芳香环。)，z1表示-n＝n-，c表示1,4-亚苯基、反式-1,4-亚环己基(任意的氢原子可被氟原子取代。)或单键。其中，优选为以下的通式(vn)表示的化合物。(式中，rn1及rn2各自独立地表示氢原子或甲基，式中，pn及qn各自独立地表示1～12的整数。)[聚合引发剂]作为本发明中所使用的聚合性化合物的聚合方法，可使用自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等，优选通过自由基聚合来进行聚合，更优选为通过光弗里斯重排进行的自由基聚合、通过光聚合引发剂进行的自由基聚合。作为自由基聚合引发剂，可使用热聚合引发剂、光聚合引发剂，优选光聚合引发剂。具体而言优选以下的化合物。优选：二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、苄基二甲基缩酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-(2-羟基-2-丙基)酮、1-羟基环己基-苯基酮、2-甲基-2-n-吗啉基(4-硫代甲基苯基)丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮、4'-苯氧基苯乙酮、4'-乙氧基苯乙酮等苯乙酮系；安息香、安息香异丙醚、安息香异丁醚、安息香甲醚、安息香乙醚等安息香系；2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基膦氧化物等酰基膦氧化物系；苄基、甲基苯基乙醛基酯；二苯甲酮、邻苯甲酰基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮、羟基二苯甲酮、4-苯甲酰基-4'-甲基-二苯硫醚、丙烯酸化二苯甲酮、3,3',4,4'-四(叔丁基过氧化羰基)二苯甲酮、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、2,5-二甲基二苯甲酮、3,4-二甲基二苯甲酮等二苯甲酮系；2-异丙基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮等噻吨酮系；米氏酮、4,4'-二乙基氨基二苯甲酮等氨基二苯甲酮系；10-丁基-2-氯吖啶酮、2-乙基蒽醌、9,10-菲醌、樟脑醌等。其中，最优选为苄基二甲基缩酮。此外，考虑到自由基的寿命、反应性，也优选使用多种聚合引发剂。进一步，作为不使用上述的聚合引发剂，而是作为利用光弗里斯重排进行的自由基聚合，使其含有具有吸收紫外线的共轭结构的聚合性液晶化合物并使其聚合。例如，通过使用通式(x1c-1)至(x1c-4)表示的具有共轭体系结构的聚合性液晶化合物代替聚合引发剂，不会使液晶元件的电压保持率下降，因而优选。此外，为了促进聚合，也优选将它们与聚合引发剂合并使用。[聚合性液晶组合物]本发明中使用的聚合性液晶组合物，优选含有上述所例示的液晶组合物与上述所例示的0.5质量％以上且小于10质量％的聚合性化合物，聚合性化合物的含量的下限值优选为1质量％以上，优选为2质量％以上，上限值优选小于9质量％，更优选小于7质量％。此外，本发明中使用的聚合性液晶组合物，也优选含有上述所例示的液晶组合物与上述所例示的10质量％以上且小于40质量％的聚合性化合物，此时的聚合性化合物的含量的下限值优选为15质量％以上，优选为20质量％以上，上限值优选小于30质量％，更优选小于25质量％。进一步，本发明中使用的聚合性液晶组合物优选含有上述所例示的液晶组合物与上述所例示的5质量％以上且小于15质量％的聚合性化合物。关于本发明中使用的聚合性液晶组合物，优选通过含有0.5质量％以上且小于40质量％的聚合性化合物，来形成具有单轴性光学各向异性或单轴性折射率各向异性或易取向轴方向的聚合物网络，更优选按照该聚合物网络的光学轴或易取向轴与低分子液晶的易取向轴大致一致的方式形成。需说明的是，该聚合物网络也包括多个聚合物网络集合形成高分子薄膜而成的聚合物粘合剂。聚合物粘合剂的特征在于：具有显示出单轴取向性的折射率各向异性，低分子液晶分散于该薄膜，该薄膜的单轴性光学轴与低分子液晶的光学轴大致皆朝向同一方向。因而，由此，其特征是，不同于作为光散射型液晶的高分子分散型液晶或聚合物网络型液晶，不会发生光散射，在使用偏光的液晶元件中，可获得高对比度的显示，且缩短下降时间，提高液晶元件的响应性。进一步，关于本发明中使用的聚合性液晶组合物，将聚合物网络层形成于液晶元件整体，不同于在液晶元件基板上形成聚合物的薄膜层而诱发预倾斜的psa(polymersustainedalignment，高分子维持取向)型液晶组合物。无论在何种浓度，均优选为含有至少两种以上的tg不同的聚合性化合物并根据需要调整tg。作为tg高的聚合物的前体，聚合性化合物优选为具有交联密度变高的分子结构的聚合性化合物且官能基数为2以上。此外，tg低的聚合物的前体优选为官能基数在1或者2以上且官能基间具有作为间隔基的亚烷基等而使分子长度变长的结构。在为了应对聚合物网络的热稳定性、耐冲击性的提升而调整聚合物网络的tg时，优选适当调整多官能单体与单官能单体的比例。此外，tg也关系到聚合物网络的主链及侧链中的分子水平的热运动性，也会对电光学特性造成影响。例如若提高交联密度，则主链的分子运动性会下降，与低分子液晶的锚定力提高，驱动电压变高，并且下降时间变短。另一方面，若降低交联密度以使tg下降，则因聚合物主链的热运动性提升而表现出与低分子液晶的锚定力降低，驱动电压下降，下降时间变长的倾向。聚合物网络界面处的锚定力除了受到上述tg影响以外，也会受到聚合物侧链的分子运动性的影响，通过使用具有多价支链亚烷基及多价烷基的聚合性化合物，聚合物界面的锚定力会降低。此外，具有多价支链亚烷基及多价烷基的聚合性化合物可有效在基板界面诱发预倾角，会作用于降低极角方向的锚定力的方向。在聚合性液晶组合物显示出液晶相的状态下，使聚合性液晶组合物中的聚合性化合物进行聚合，由此使聚合性化合物的分子量增加，使液晶组合物与聚合性化合物发生相分离。分离为二相的形态在很大程度上会根据含有的液晶化合物的种类、聚合性化合物的种类而有所不同。可通过双节分解(binodaldecomposition)形成相分离结构，也可通过旋节分解(spinodaldecomposition)形成相分离结构，该双节分解为在液晶相中聚合性化合物相作为无数个岛状的的核而产生并成长，该旋节分解为由液晶相与聚合性化合物相的浓度波动而引起相分离。要形成由双节分解引起的聚合物网络，优选使低分子液晶的含量至少为85质量％以上，通过使用聚合性化合物的反应速度快的化合物，会产生无数个尺寸小于可见光波长的聚合性化合物的核，形成纳米级的相分离结构，因而优选。结果，若聚合性化合物相中的聚合进行，则取决于相分离结构而形成空隙间隔小于可见光波长的聚合物网络，另一方面，如果聚合物网络的空隙由低分子液晶相的相分离所引起，并且该空隙的尺寸小于可见光波长，则无光散射性而为高对比度，且源自聚合物网络的锚定力的影响会变强，下降时间会变短，而获得高速响应的液晶显示元件，故而特别优选。双节分解的聚合性化合物相的核生成会受到因化合物种类、组合的不同而导致的相溶性的变化，或者反应速度、温度等参数的影响，优选根据需要适当地进行调整。关于反应速度，在紫外线聚合时，取决于聚合性化合物的官能基、光引发剂的种类及含量、紫外线照射强度，只要适当地调整紫外线照射条件以促进反应性即可，优选为至少20mw/cm2以上的紫外线照射强度。在低分子液晶为85质量％以上时，优选利用由旋节分解引起的相分离结构形成聚合物网络，旋节分解由于可获得由具有周期性的两相的浓度波动所引起的相分离微细结构，因此易于形成比可见光波长小且均一的空隙间隔，因而优选。优选以聚合物网络形成。若聚合性化合物的比例小于15质量％，优选形成由双节分解引起的相分离结构，若为15质量％以上，则优选形成由旋节分解引起的相分离结构。若聚合性化合物含量增加，则存在低分子液晶相与聚合性化合物相在温度的影响下发生两相分离的相转变温度。在高于两相分离转变温度的温度，会呈现各向同性相(isotropicphase)，但若低于该温度，则会发生分离，无法获得均匀的相分离结构，并不优选。当因温度而发生两相分离时，优选在高于两相分离温度的温度形成相分离结构。无论在上述何种情况中，均在保持与低分子液晶的取向状态相同的取向状态的同时形成聚合物网络。所形成的聚合物网络以仿照低分子液晶的取向的方式显示出光学各向异性。作为聚合物网络中的液晶层的形态，可列举：液晶组合物在聚合物的三维网状结构中形成连续层的结构，液晶组合物的液滴分散于聚合物中的结构，或者两者混合存在的结构，以及以两基板面为起点存在聚合物网络层、并且在与对面基板的中心附近仅有液晶层的结构。无论为何种结构，均优选通过聚合物网络的作用来诱发相对于液晶元件基板界面呈0～90°的预倾角。形成的聚合物网络优选具有使共存的低分子液晶沿液晶单元的取向膜所呈现的取向方向取向的功能，进一步，也优选具有使低分子液晶相对于聚合物界面方向发生预倾斜的功能。若导入使低分子液晶相对于聚合物界面发生预倾斜的聚合性化合物，则对提升透射率、降低液晶元件的驱动电压有用，因而优选。此外，关于可具有折射率各向异性、使液晶朝取向方向取向的功能，优选使用具有液晶基原的聚合性化合物。此外，也可通过施加电压且同时照射紫外线等来形成聚合物网络，形成预倾斜。对于va模式等的垂直取向单元，也可使用会诱发垂直取向且不具有液晶基原而具有多价烷基或多价分支亚烷基的聚合性化合物，也优选与具有液晶基原的聚合性化合物合并使用。当使用上述聚合性液晶组合物，通过相分离聚合而在垂直取向单元内形成聚合物网络时，优选在与低分子液晶相对于液晶单元基板垂直的方向大致相同的方向形成有纤维状或柱状聚合物网络。此外，对位于单元基板表面的垂直取向膜实施摩擦处理等以诱发液晶倾斜取向从而诱发了预倾角，当使用这样的垂直取向膜时，优选为纤维状或柱状的聚合物网络在与预倾斜取向的低分子液晶相同的方向上倾斜地形成。也可以按照聚合物网络的倾斜自发地发生于基板界面的方式选定聚合性化合物。此外，也可施加电压使液晶为倾斜取向状态，照射紫外线等而形成聚合物网络。进一步，作为在施加电压的同时诱发预倾角的方法，可以在比聚合性液晶组合物的阈值电压低0.9v左右的电压至高2v左右的电压的范围内施加电压的同时使其聚合，或也可在聚合物网络形成过程中短时间施加阈值电压以上的电压数秒～数十秒后，设为小于阈值电压，形成聚合物网络。由于纤维状或柱状聚合物网络倾斜地形成以诱发相对于透明基板平面呈90度～80度的预倾角，故更优选，优选为90度～85度的预倾角，优选为89.9度～85度的预倾角，优选为89.9度～87度的预倾角，优选为89.9度～88度的预倾角。以任一方法形成的纤维状或柱状聚合物网络的特征在于，将二片单元基板间连接。由此，预倾角的热稳定性会获得提升，可提高液晶显示元件的可靠性。另外，作为通过使纤维状或柱状聚合物网络倾斜取向地形成而诱发低分子液晶的预倾角的方法，可列举下述方法：将位于官能基与液晶基原间且亚烷基的碳原子数为6以上且预倾角的诱发角度小的双官能丙烯酸酯、和位于液晶基原间且亚烷基的碳原子数为5以上且预倾角的诱发角度大的双官能丙烯酸酯组合使用。可通过调整这些化合物的配合比，在界面附近诱发想要的预倾角。进一步，可列举在至少0.01％以上且1％以下的范围添加具有可逆性光取向功能的聚合性化合物从而形成纤维状或柱状聚合物网络的方法。这种情况下，在反式体中，会成为与低分子液晶相同的棒状形态，对低分子液晶的取向状态造成影响。关于本发明的聚合性液晶组合物所含有的该反式体，若从单元上表面照射作为平行光的紫外线，则该棒状的分子长轴方向会一致平行于紫外线行进方向，低分子液晶也同时取向成一致朝向该反式体的分子长轴方向。若对单元倾斜地照射紫外线，则该反式体的分子长轴会朝向倾斜方向，使液晶朝紫外线的倾斜方向取向。也就是说，会诱发预倾角，显示出光取向功能。若在此阶段使聚合性化合物交联，则经诱发的预倾角会因由聚合相分离所形成的纤维状或柱状聚合物网络而固定化。因此，关于va模式中重要的预倾角的诱发，可根据需要，使用下述方法来制作本发明的液晶元件：在施加电压的同时进行聚合相分离的方法；添加多种诱发不同预倾角的聚合性化合物进行聚合相分离的方法；利用具有可逆性光取向功能的聚合性化合物所显示出的光取向功能，使低分子液晶及聚合性液晶化合物朝紫外线行进方向取向，进行聚合相分离的方法。具有光取向功能的聚合性化合物优选为会吸收紫外线而成为反式体的光异构化合物，进一步优选具有光取向功能的聚合性化合物的反应速度慢于具有光取向功能的聚合性化合物以外的聚合性化合物的反应速度。若受到紫外线照射，则具有光取向功能的聚合性化合物会立即变成反式体并且沿光行进方向取向，这样一来，周围含有聚合性化合物的液晶化合物也会朝相同的方向取向。此时，聚合相分离进行，低分子液晶长轴方向与聚合物网络的易取向轴方向会一致朝向与具有光取向功能的聚合性化合物的易取向轴相同的方向，朝紫外线光行进方向诱发预倾角。进一步，在ips、ffs模式等的平行取向单元中，使用聚合性液晶组合物，通过相分离聚合而形成纤维状或柱状聚合物网络，其中低分子液晶相对于位于液晶单元基板面的取向膜的取向方向平行取向，优选所形成的纤维状或柱状聚合物网络的折射率各向异性或易取向轴方向与低分子液晶的取向方向为大致相同的方向。进一步，纤维状或柱状聚合物网络更优选为除了分散有低分子液晶的空隙以外大致存在于单元整体中。为了相对于聚合物界面方向诱发该预倾角，优选使用不具有液晶基原而具有多价烷基或多价亚烷基的聚合性化合物和具有液晶基原的聚合性化合物。进一步，电光学特性会受到聚合物网络界面的表面积及聚合物网络的空隙间隔的影响，不会发生光散射是重要的，优选使平均空隙间隔小于可见光波长。例如为了扩大该界面的表面积且缩小该空隙间隔，有增加单体组合物含量的方法。由此，使聚合相分离结构发生变化，该空隙间隔变得微细，从而以增加该界面的表面积的方式形成聚合物网络，驱动电压及下降时间变少。聚合相分离结构也受到聚合温度的影响。在本发明中，优选通过加快相分离速度使其聚合来获得具有微细空隙的相分离结构。相分离速度会受到低分子液晶与聚合性化合物的相溶性、聚合速度的很大影响。由于很大程度上取决于化合物的分子结构、含量，因此优选适当地调整组成来使用。在该相溶性高时，优选使用该聚合速度快的聚合性化合物，而在紫外线聚合时，则优选提高紫外线强度。此外，也优选增加聚合性液晶组合物中的聚合性化合物的含量。当相溶性低时，相分离速度变得足够快，因此有益于制作本发明的液晶元件。作为降低相溶性的方法，可列举在低温使其聚合的方法。若处于低温，则液晶的取向秩序度会获得提升，液晶与单体的相溶性会下降，因此可加快聚合相分离速度。进一步，作为其他方法，也可列举使聚合性液晶组合物成为呈过冷却状态的温度而进行聚合的方法。这种情况下，只要稍低于聚合性液晶组合物的熔点即可，因此仅降低数度温度，也可加快相分离，是优选的。由此，形成相当于将数十％含量的单体组合物添加于液晶时的聚合相分离结构，也就是发挥作用使下降时间变短的结构即聚合物网络界面的表面积增大且该空隙间隔微细的聚合物网络结构。因此，关于本发明的聚合性液晶组合物，优选按照使下降时间变短的方式，考虑到取向功能、交联密度、锚定力、空隙间隔，适当调整聚合性液晶的组成。在使用本发明的聚合性液晶组合物的液晶元件中，为了获得高对比度的显示，必须不会发生光散射，重要的是，考虑到上述方法，按照获得目标电压-透射率特性及切换特性的方式控制相分离结构，形成适当的聚合物网络层结构。若具体地说明聚合物网络层结构，则如下所述。<聚合物网络层连续结构>其为液晶相中在液晶显示元件整面形成有聚合物网络层且液晶相连续的结构，优选聚合物网络的易取向轴、单轴的光学轴为与低分子液晶的易取向轴大致相同的方向，优选以诱发低分子液晶的预倾角的方式形成聚合物网络，通过使聚合物网络的平均空隙间隔小于可见光波长的大小，至少小于450nm，从而不会发生光散射，因而优选。进一步，为了通过聚合物网络与低分子液晶的相互作用效果(锚定力)使响应的下降时间短于低分子液晶单质的响应时间，优选设为50nm～450nm的范围。为了使液晶的单元厚度对下降时间的影响变小，即使单元厚度厚，也显示出与薄厚度同等的下降时间，优选至少使平均空隙间隔处于下限为200nm附近且上限为450nm附近的范围。若减小平均空隙间隔，则存在驱动电压增加的课题，为了将驱动电压的增加抑制在25v以下且缩短下降响应时间，只要使平均空隙间隔处于250nm附近至450nm的范围即可，下降响应时间可改善至约5msec至约1msec的范围，因而优选。此外，为了将驱动电压的增加抑制在5v左右以内，优选使平均空隙间隔处于300nm附近至450nm的范围。进一步，也可控制聚合物网络的平均空隙间隔，使下降响应时间为1msec以下的高速响应。虽有时驱动电压会增加至30v以上，但只要使平均空隙间隔在50nm附近至250nm附近之间即可，为了达到0.5msec以下，优选使平均空隙间隔在50nm附近至200nm附近。关于聚合物网络的平均直径，与平均空隙间隔相反，优选处于20nm至700nm的范围。若聚合性化合物的含量增加，则平均直径有增加的倾向。若提高反应性、加快聚合相分离速度，则由于聚合物网络的密度增加、聚合物网络的平均直径会减小，因此只要根据需要调整相分离条件即可。在聚合性化合物含量为10％以下时，优选平均直径处于20nm至160nm，在平均空隙间隔处于200nm至450nm范围时，优选平均直径为40nm至160nm的范围。若聚合性化合物含量大于10％，则优选为50nm至700nm的范围，更优选为50nm至400nm的范围。<聚合物网络层不连续结构>相对于在液晶显示元件整面形成有聚合物网络层且液晶相连续的结构，若聚合性化合物含量变低、达不到聚合物网络层被覆单元整体所需的量，则聚合物网络层会不连续地形成。若聚酰亚胺取向膜等基板表面的极性高，则聚合性化合物易聚集于液晶单元基板界面附近，聚合物网络会从基板表面成长而以附着于基板界面的方式形成聚合物网络层，以从单元基板表面起依次层叠聚合物网络层、液晶层、聚合物网络层、对向基板的方式形成。若呈现聚合物网络层/液晶层/聚合物网络层的层叠结构且形成有相对于单元剖面方向至少为单元厚度的0.5％以上、优选1％以上、更优选5％以上的厚度的聚合物网络层，则会因聚合物网络与低分子液晶的锚定力的作用而显现出下降时间变短的效果，显示出优选的倾向。其中，由于单元厚度的影响变大，因此当若增加单元厚度则下降时间变长时，只要根据需要增加聚合物网络层的厚度即可。关于聚合物网络层中的聚合物网络的结构，只要低分子液晶与易取向轴、单轴的光学轴皆朝向大致相同的方向即可，只要以低分子液晶诱发预倾角的方式形成即可。平均空隙间隔优选为90nm至450nm的范围。例如在使聚合性化合物含量为1质量％至6质量％时，优选使用锚定力高的具有液晶基原的双官能单体，优选使用作为官能基间距离短的结构且聚合速度快的双官能单体，优选在0℃以下的低温形成聚合相分离结构。当使聚合性化合物含量为6质量％至小于10质量％时，优选该双官能单体与锚定力弱的单官能单体的组合，优选根据需要在25℃～-20℃的范围形成聚合相分离结构。进一步，如果该熔点为室温以上，则若使其比该熔点低5℃左右，则会获得与低温聚合相同的效果，因此优选。当使聚合性化合物含量为10质量％至40质量％时，由于聚合物粘合剂或聚合物网络会严重影响低分子液晶的取向、驱动电压，使驱动电压增大，因此，优选使用具有低分子液晶的取向功能且锚定力相对较弱的具有液晶基原的聚合性化合物。例如关于锚定力弱且具有液晶基原的聚合性化合物，增加位于官能基与液晶基原之间的亚烷基的碳数是有效的，优选碳数为5～10。此外，若聚合性化合物超过30质量％，则也有时会成为聚合物粘合剂中分散有液晶滴的状态，这种情况下，也优选为具有折射率各向异性的聚合物粘合剂，且基板面的取向膜显示的取向方向与聚合物粘合剂的光轴方向一致。聚合性液晶组合物中的聚合性化合物的浓度越高，液晶组合物与聚合物界面的锚定力越大，τd越高速化。另一方面，若液晶组合物与聚合物界面的锚定力变大，则τr会低速化。为了使τd与τr之和小于1.5ms，聚合性液晶组合物中的聚合性化合物的浓度为1质量％以上且小于40质量％，优选为2质量％以上且15质量％以下，更优选为3质量％以上且8质量％以下。当用于tft驱动液晶显示元件时，必须抑制闪烁(flicker)且提升因烧屏所引起的残影等的可靠性，电压保持率成为重要的特性。认为使电压保持率降低的原因在于聚合性液晶组合物内所含有的离子性杂质。尤其可移动离子会严重影响电压保持率。因此，优选以可获得至少1014ω·cm以上的电阻率的方式实施纯化处理等，将可移动离子去除。此外，若通过自由基聚合形成聚合物网络，则有时会因光聚合引发剂等所产生的离子性杂质导致电压保持率降低，优选选定有机酸、低分子副产物的生成量少的聚合引发剂。[液晶显示元件]本发明的液晶显示元件中，在夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的液晶组合物中含有聚合物或共聚物，该聚合物或共聚物的含量为该液晶组合物及该聚合物或共聚物的合计质量的0.5质量％以上且小于40质量％，该聚合物或共聚物形成聚合物网络，该聚合物网络具有单轴性的折射率各向异性或易取向轴，且具有不同的2种以上的取向状态。本发明的液晶显示元件优选具有用以使液晶组合物在至少一方的透明基板上取向的取向膜。对设置于基板的该取向膜与设置于基板的电极施加电压，可控制液晶分子的取向。聚合物网络或聚合物粘合剂具有单轴性的折射率各向异性或易取向轴方向，优选聚合物网络或聚合物粘合剂的光轴方向或易取向轴方向与低分子液晶的易取向轴方向为相同方向。就此点而言，与不具有单轴性的折射率各向异性或易取向轴方向的光散射型聚合物网络液晶、高分子分散型液晶不同。进一步，优选取向膜的易取向轴方向与聚合物网络或聚合物粘合剂的易取向轴方向相同。通过具备偏光板、相位差膜等，利用此取向状态进行显示。作为液晶显示元件，可应用于tn、stn、ecb、va、va-tn、ips、ffs、π单元、ocb、胆甾醇液晶等工作模式。其中，特别优选为va、ips、ffs、va-tn、tn、ecb。需说明的是，本发明的液晶显示元件中，就液晶组合物中含有聚合物或共聚物的方面而言，与取向膜上具有聚合物或共聚物的psa(polymersustainedalignment，高分子维持取向)型液晶显示元件不同。液晶组合物中的聚合物或共聚物的含量为该液晶组合物及该聚合物或共聚物的合计质量的0.5质量％以上且小于40质量％，作为下限值，优选为0.7质量％以上，优选为0.9质量％以上，作为上限值，优选小于30质量％，优选小于20质量％。在psa型液晶显示元件中，在电极设置3～5μm宽度的多条狭缝使液晶朝狭缝方向倾斜取向，来代替摩擦取向处理，由此省略取向处理。在量产技术方面，若施加数十伏特的电压，且同时照射紫外线，则液晶的取向会以在基板界面得到预倾角(相对于基板法线的倾斜角)的方式被高分子稳定化，形成聚合物的薄膜。预倾角会因该高分子薄膜的作用而被诱发，利用此现象，而可使用于psva(polymer-stabilizedverticalalignment，聚合物稳定垂直取向)lcd或psalcd的制造。此外，为了提升视野角，而使用设计为可形成多域的图案电极，将一个像素内的预倾角方向分割成多个。当使用具有负介电各向异性的液晶时，若以从液晶的垂直取向转化成弯曲取向(bendalignment)的方式将饱和电压以上的电压施加于单元并照射紫外线，则当微量添加于液晶中的单体在垂直取向膜上聚合时，会形成取向膜，该取向膜使作为弯曲变形端且稍微倾斜的液晶的取向发生高分子稳定化且诱发预倾角。由此，若结束照射紫外线、中断施加电压，则可得到稍微倾斜的(预倾斜)垂直取向。然而，若将此方法应用于可在单元整体形成聚合物网络等而改善响应的缓和时间的液晶显示元件，则由于施加饱和电压以上的数十伏特的电压、进行紫外线照射，因此，聚合物网络会使液晶在平行取向状态下高分子稳定。如此，由于会以将液晶分子保持于平行取向状态的方式形成聚合物网络的折射各向异性或易取向轴，故会无法得到垂直取向。就垂直取向型的lcd而言，为了通过施加电压而使倾斜取向的倾斜方位一致地朝一定方向，通过赋予相对于单元法线方向在2度以内的预倾角，来谋求改善透射率、响应时间等电光学特性。然而，为了以诱发预倾角的方式形成稍微倾斜的聚合物网络，认为要施加稍高于液晶的阈值电压的电压，使液晶在2度以内倾斜取向的状态下形成。然而，在pva(patternedverticalalignment，图案化垂直取向)等通过电极形状使倾斜取向方向固定一致的液晶显示元件中，若施加阈值电压附近的低电压、形成聚合物网络的折射各向异性或易取向轴，则会因液晶的倾斜取向方位不固定，而使得透射率下降。其原因在于：若施加阈值电压附近的电压，则仅因为稍微变形成弯曲取向，弯曲变形的取向膜侧的一端大致垂直，垂直取向膜的影响大，因此在基板界面附近的液晶会成为垂直取向，因此在基板界面附近无法将倾斜取向方位规定朝向一定方向，变得不稳定。另一方面，若施加电光学特性的饱和电压以上的高电压，则基板界面附近的液晶会变成倾斜取向状态，且电场强，因此，由图案电极引起的电场分布的影响会变大，倾斜取向方位变为一定方向，可有助于提升透射率。然而，由于平行取向的聚合物网络会形成于单元整体，因此如上所述，会无法得到垂直取向。倾斜取向方位由于在很大的程度上取决于电极图案的种类，因此例如图13所示的鱼骨(fishbone)型电极，交互地重复配置有多条3～5μm左右宽度的微细的线电极和与线电极同样宽度的线状狭缝，在该图案电极中液晶的倾斜取向方位为，线电极上的液晶会取向成大致朝狭缝方向平行。因此，必须使其具有倾斜取向方位朝狭缝方向固定的取向记忆作为聚合物网络的折射各向异性或易取向轴。此外，当轴对称垂直取向(axiallysymmetricverticalalignment)的图案电极的情况中，为由点电极与近似正方形的对向电极构成的次像素结构。中心轴虽即使施加电压也呈垂直取向，但以中心轴的点电极为起点，液晶轴向(liquidcrystaldirector)倾斜取向成放射状。当从上方观看元件时，倾斜取向方位为，液晶轴向从中心轴以放射状360度连续地取向。若通过施加高电压，在聚合物网络的一部分使取向状态发生高分子稳定化，则会以放射状的倾斜取向方位发生稳定化的方式，形成一部分聚合物网络。若在紫外线照射中使电压小于阈值电压，从而使液晶恢复成大致垂直取向，并在此状态下继续照射紫外线，则会以成为大致垂直取向的方式形成聚合物网络的折射各向异性或易取向轴，放射状倾斜取向方位可以轨迹的形式残留于聚合物网络，能够同时兼顾施加电压时的取向控制与无施加电压时的垂直取向。也就是说，在pva的液晶显示元件中，共存两种不同的使液晶取向状态稳定化的聚合物网络，从而各自形成的聚合物网络对液晶取向的影响力不同，上述两种不同的聚合物网络分别是：为了使施加阈值电压以上的电压所得到的取向状态高分子稳定化，以与液晶取向状态一致的方式形成聚合物网络的折射率各向异性或易取向轴的情况；以及为了使施加小于阈值电压的电压所得到的取向状态高分子稳定化，以与液晶取向状态一致的方式形成聚合物网络的折射率各向异性或易取向轴的情况。例如，若仅形成使小于阈值电压的液晶取向状态稳定化的聚合物网络，则当通过开关电压使液晶取向改变时，由于受到来自聚合物网络的影响，液晶的取向状态会与液晶显示元件原本所需的液晶取向状态不同，故在pva单元的开关时取向改变后的取向会发生变形，无法得到想要的取向状态，而对电光学效果造成影响，对比度、透射率等下降。因此，通过使聚合物网络中共存有施加阈值电压以上的电压所得到的取向状态与施加小于阈值电压的电压所得到的取向状态这两种取向状态，可使得两状态间的取向改变变得容易，显示特性变良好。因此，为了使阈值电压以上的液晶取向状态与小于阈值电压的液晶取向状态高分子稳定化，按照这两种取向状态混合存在的方式形成于聚合物网络，优选地，聚合性液晶组合物中含有的聚合性化合物的一部分用于使阈值电压以上的液晶取向状态稳定化，其余的聚合性化合物使用于以使小于阈值电压的液晶取向状态稳定化的方式形成的聚合物网络。若施加阈值电压以上的电压后，在紫外线聚合中施加小于阈值电压的电压，则虽会发生液晶取向的转变，但有时会在此转变时发生取向缺陷，若此取向缺陷受到高分子稳定化，则小于阈值电压的液晶取向状态的均一性会受损，成为对比度、透射率的下降原因，故不优选。尤其是当阈值电压以上的电压为饱和电压以上时，若在照射紫外线过程中使其变成小于阈值电压的电压，引起液晶取向转变，则会发生大量取向缺陷。因此，必须通过施加饱和电压以下的电压，来抑制取向转变时发生取向缺陷(向错(disclination))，但同时如上述，由于基板界面的液晶的倾斜变弱，倾斜方位方向变为不稳定，故不优选。为了抑制因紫外线聚合中的取向转变所发生的取向缺陷，施加从紫外线聚合中的阈值电压以上的电压降低至阈值电压以下的电压的中间电压，至少施加液晶的响应时间以上的时间，优选为不会对聚合物网络的形成造成影响的时间，只要为可抑制发生取向缺陷的时间即可，只要为不会使取向缺陷高分子稳定化的时间即可，取决于液晶中的聚合性化合物的反应性，优选为至少5秒以内。此外，中间电压优选至少在阈值电压以上且在饱和电压以下，为中间灰度电压。波形优选为矩形波，优选为电压按照阈值电压以上的电压、中间电压、阈值电压以下的电压的顺序阶段性地变低的阶段状波形。此外，中间电压也可为使电压连续地从阈值电压以上的电压降低至阈值电压以下的电压的斜波(rampwave)。进一步，为了以施加中间电压以外的方法使取向缺陷受到高分子稳定化后不残留，可在紫外线照射中途，切断阈值电压以上的电压，与施加电压同步地中断紫外线照射，再次施加液晶取向会成为大致垂直取向那样的阈值电压以下的电压，在此时与电压同步地再次照射紫外线。也就是说，在连续地照射紫外线时，当照射中的液晶取向转变时施加中间电压即可。而在间断地照射紫外线时，则在液晶取向转变时在一瞬间中断紫外线照射，并且在转变结束的时刻再照射紫外线即可。进一步，由于会成为具有各自使这两种不同的取向状态稳定化的作用的聚合物网络混合存在的状态，因此，形成聚合物网络后的元件当无施加电压时的液晶取向状态会受到想要保持两种不同取向状态的聚合物网络的影响，各聚合物网络的影响力的均衡会决定无施加电压时的液晶取向状态。例如，在垂直取向模式的液晶显示元件中，若增强使小于阈值电压的液晶取向状态稳定化的聚合物网络的影响力，则液晶显示元件会显示原本所需的垂直取向，提高液晶显示的对比度，因而优选。相反地，若使阈值电压以上的液晶取向稳定化的聚合物网络的影响力过强，则会有液晶的预倾角增加，对比度下降的倾向。为了提高液晶显示元件的透射率、对比度，提升显示质量，使两种不同的液晶取向状态稳定化的聚合物网络各自的影响力的平衡调整是重要的，例如在pva单元中，若按照使阈值电压以上的液晶取向状态稳定化的方式作用的聚合物网络其影响力过强，则虽然最大透射率会提升，但黑电平会增加，引起对比度下降。此外，若按照使小于阈值电压的液晶取向状态稳定化的方式作用的聚合物网络其影响力过强，则虽可得到良好的黑电平，但却会引起最大透射率下降，对比度降低，并不优选。若施加弯曲取向变形等液晶会倾斜的电压，使液晶的倾斜取向的方位固定，则最大透射率会获得提升，因此，若先按照使倾斜取向方位成为固定的方式、使得使阈值电压以上的液晶取向状态稳定化而形成的聚合物网络的影响极小，再在紫外线照射中途施加小于阈值电压的电压，形成聚合物网络，以使可得到良好黑电平的大致垂直的取向状态稳定化，则会成为良好的黑电平，倾斜取向的方位会成为固定，最大透射率会变高，因此，可得到高对比度，显示质量获得提升，从而优选。此时，为了使按照使倾斜取向方位成为固定的方式形成的聚合物网络的影响力极小，优选为施加阈值电压以上的电压来形成聚合物网络，并且电压施加时间为使倾斜取向未被完全高分子稳定化的时间，可在紫外线照射中，在施加阈值电压以下的电压时，按照可得到大致垂直取向的方式继续照射紫外线。[液晶显示元件的制造方法与聚合物网络的作用]本发明的液晶显示元件的制造方法，为含有下述工序的方法：对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物，施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压且同时照射紫外线，进行聚合相分离的工序；以及然后在照射紫外线的状态下，使电压小于阈值电压，并进一步照射紫外线的工序。由此，其为如下的方法：形成分别将阈值电压以上的液晶的取向状态与小于阈值电压的液晶的取向状态稳定化的聚合物网络，使将两种不同液晶取向状态稳定化的聚合物网络混合存在地形成。此外，当为含有图案电极单元等的垂直取向模式液晶显示元件时，优选在施加聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压且同时照射紫外线进行聚合相分离的工序中，优选地，在弯曲取向变形下，聚合性液晶组合物中的液晶分子在透明基板平面附近相对于透明基板平面以0度至30度的范围倾斜地取向，且在照射紫外线的状态下使前述电压小于阈值电压并进一步照射紫外线的工序中，大致垂直取向，在透明基板平面附近，前述液晶分子相对于透明基板平面倾斜80度至90度而取向。关于液晶分子相对于透明基板平面以0度至30度的范围倾斜取向的状态为，液晶的双折射率呈现因施加电压而增加的状态，若液晶的取向状态相对于透明基板平面为0度，则双折射率会最大，是优选的，但即使是相对于基板平面倾斜30度而取向，也优选。尤其在pva单元中，由于可使倾斜方位为固定，因而优选。无论哪种情况，皆优选按照使施加电压造成的液晶倾斜取向方位成为固定方向的方式，形成使取向稳定化的聚合物网络。此时，为了使按照倾斜取向方位成为固定的方式形成的聚合物网络的影响力极小，在紫外线照射中施加阈值电压以上的电压，使液晶产生弯曲取向变形，但优选使此状态的时间小于施加阈值电压以下的电压的时间，只要当结束施加阈值电压以上的电压时为发生取向转变的状态即可。当使按照倾斜取向方位成为一定的方式形成的聚合物网络的影响力强时，预倾角会增加而无法得到所需的黑电平，因此，为了避免这种情况，若在紫外线照射中施加阈值电压以下的电压，则会从弯曲取向变形向大致垂直取向转变，而继续照射紫外线即可，优选使液晶中没有残留的聚合性化合物。优选在照射紫外线的状态下使前述电压小于阈值电压并进一步照射紫外线的工序中，使主要的聚合物网络形成。此时，预倾角的大小会取决于施加阈值电压以上的电压的时间与施加阈值电压以下的电压的时间的比例，施加阈值电压以上的时间，是在聚合相分离过程中从液晶中完全没有形成聚合物网络的初始状态至聚合相分离开始而在一部分形成有聚合物网络的时刻为止，优选为若停止施加电压则可从弯曲取向变形恢复成大致垂直取向的状态。施加阈值电压以上的电压的时间，优选为1秒至15秒。当从此工序换到下个工序时，优选在发生取向转变成为大致垂直取向的状态下施加阈值电压以下的电压并照射紫外线，优选完全形成聚合物网络、使液晶中没有残留的聚合性化合物。施加阈值电压以下的电压的状态为大致垂直取向状态，但也可为稍微的弯曲取向变形，根据需要调整电压使所需的黑电平与倾斜取向方位成为固定。需说明的是，施加阈值电压以下的电压的时间可以是至聚合物网络的形成大致结束为止，当残留于液晶中的单体量为微量而即使残留单体聚合也不会对电光学特性造成影响时，也可不施加阈值电压以下的电压。进一步，在前述施加阈值电压以上的电压且同时照射紫外线进行聚合相分离的工序及然后在照射紫外线的状态下使电压小于阈值电压并照射紫外线的工序之间，也可设置在照射紫外线的状态下施加至少在阈值电压以上且饱和电压以下的中间灰度电压的工序。中间灰度电压优选小于最初的工序的施加电压且在阈值电压以上。中间灰度电压为了延迟从弯曲取向变形向大致垂直取向的转变而施加。由于通过延迟效果可抑制取向缺陷的发生，因此优选根据需要施加。关于液晶分子相对于透明基板平面以预倾角的形式倾斜80度至90度而取向的状态，若在无施加电压时液晶相对于透明基板平面呈90度而取向，则双折射率会变成最小，对于液晶显示元件的高对比度化有用而优选，但为了在施加电压时使其朝固定方向倾斜而取向，更优选为以预倾角的形式相对于基板平面倾斜89.9度至85度以内。若相对于基板平面超过80度，则由于双折射率及透光量会增加，而使得显示的对比度下降，并不优选，相对于基板平面在85度以上时，显示的黑电平会变得良好，可得到高对比度，因此优选。此外，在ips(in-planeswitching，面内切换)显示模式、ffs(fringefieldswitching，边缘场切换)模式、tn(twistednematic，扭曲向列)模式的液晶显示元件中，也优选为：在施加聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压且同时照射紫外线进行聚合相分离的工序中，聚合性液晶组合物中的液晶分子取决于施加电压而相对于透明基板平面在0度至90度的范围倾斜而取向，另外在照射紫外线的状态下使前述电压小于阈值电压并进一步照射紫外线的工序中，前述液晶分子取决于施加电压而相对于透明基板平面以预倾角的形式倾斜0度至30度而取向。关于液晶分子相对于透明基板平面在0度至90度的范围倾斜而取向，按照使施加了电压的液晶的取向状态稳定化的方式形成聚合物网络。但是，前提条件为当停止施加电压时，会成为对应于小于阈值电压的液晶取向状态。在ips模式时，元件所使用的取向膜的性质的倾斜角度影响很大，可在1度至2度左右的范围，预倾角含有扭曲取向的液晶分子的倾斜角度优选为0.5度至3度，优选为0度至2度以内。在施加聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压且同时照射紫外线进行聚合相分离的工序中，优选施加会变成扭曲变形的状态的的电压，而在照射紫外线的状态下使前述电压小于阈值电压并进一步照射紫外线的工序中，优选在扭曲变形未高分子稳定化的状态下使电压小于阈值电压，以成为平行取向的黑显示的条件使其聚合。在ffs模式中，若施加阈值电压以上的电压，则液晶的取向状态中，会取决于元件内的电场分布而共存有喷射(spray)取向、弯曲取向、扭曲取向状态，但主要表现出喷射取向与扭曲取向状态。在这些状态的液晶分子取向状态下的倾斜角在0度至45度的范围，若以聚合物网络使取向稳定化，则优选以同样的范围被稳定化。但是，前提条件是当停止施加电压时，成为对应于小于阈值电压的液晶的取向状态，优选从这些状态恢复至成为平行取向的状态，并照射紫外线。而在tn模式中，优选为45度至90度范围的倾斜角度。另一方面，虽施加小于阈值电压的电压，按照使液晶的取向状态稳定化的方式形成聚合物网络，但在ips模式、ffs模式及tn模式的情况中，由于摩擦取向处理，在基板界面的预倾角为1度～3度左右，因此，优选按照使施加了小于阈值电压的电压的液晶取向状态稳定化的方式形成聚合物网络，液晶取向的角度也可在该范围内倾斜，使用光取向膜等其他取向处理方法，预倾角含有扭曲取向的液晶分子的倾斜角度优选为0.5度至3度，而0度至2度以内对于得到宽视野角有用，更加优选。此外，优选施加的电压为交流波形，并且具有聚合性液晶组合物显示出介电各向异性的范围的频率。波形优选为尖峰电压设为固定时可使有效电压高的矩形波。频率的上限为通过液晶显示元件中所使用的驱动电路传递至像素的信号不会衰减的范围内的频率即可，优选至少频率在2khz以下。关于照射紫外线前的聚合性液晶组合物显示的介电常数的频率依赖性，以介电各向异性显示的频率计在10khz以下即可。关于下限值，当驱动元件时有时会产生闪烁，下限值为使此时闪烁最小的频率即可，优选至少在20hz以上。本发明的液晶显示元件的制造方法具有如上述那样按照保持两种液晶取向状态的方式形成聚合物网络的特征，为了保持各个液晶取向状态而形成的聚合物网络形成为聚合物网络的折射率各向异性或易取向轴与阈值电压以上的液晶取向方向或小于阈值电压的液晶取向方向一致。由此，产生使施加电压时的液晶取向稳定化的聚合物网络与使无施加电压时的液晶取向稳定化的聚合物网络共存的状态，可抑制从无施加电压时的液晶取向状态通过施加电压使其取向变形时发生的取向畸变，可提升对比度等改善显示特性。另一方面，仅就按照保持无施加电压时的液晶取向状态的方式形成的聚合物网络而言，当向施加电压时的液晶取向状态转变时，按照保持小于阈值电压的液晶取向的方式形成的聚合物网络的影响力强，因此，在向阈值电压以上的液晶取向状态转变时，会产生取向畸变，成为使透射率下降的原因。通过使聚合物网络的一部分形成使施加电压时的液晶取向稳定化的聚合物网络，可抑制因开关而发生的取向改变的畸变，可得到原本所需的液晶取向的改变，提升透射率。需说明的是，按照使施加电压时及无施加电压时的各液晶取向状态稳定化的方式形成的聚合物网络的特征在于，按照沿着两种不同的液晶取向的方式形成聚合物网络的折射率各向异性或易取向轴。进一步，根据紫外线照射中的阈值电压以上的电压的施加时间，为了使阈值电压以上的液晶状态稳定化而形成的聚合物网络的影响力发生变化，可改变电光学特性。例如，使施加电压时的液晶取向状态为包含相对于基板平面呈0度至30度的倾斜取向的平行取向而形成聚合物网络的情况下，若缩短紫外线照射中的阈值电压以上的电压的施加时间，则保持平行取向的作用极小，因此液晶在保持垂直取向的聚合物网络的作用下取向。进一步，来自保持两种不同取向的聚合物网络对于两取向的影响力均衡，相对于透明基板法线方向，诱发小至1度以内的角度的预倾斜。随着紫外线照射中的阈值电压以上的电压的施加时间增长，保持平行取向的聚合物网络的影响会变强，因此预倾角会因保持垂直取向的力与保持平行取向的力之间的均衡而增加，可增加预倾角且相对于透明基板法线方向在10度以上。此外，紫外线照射中的阈值电压以上的电压的施加时间很大程度上取决于所使用的聚合性液晶组合物具有的反应性，因此优选适当地进行调整以得到想要的预倾角。尤其优选调整为在相对于基板平面呈80度至90度的范围得到预倾角，更优选调整为85度至89.9度，进一步优选调整为87度至89.9度。关于为了保持通过施加阈值电压以上的电压而得到的液晶的取向状态而形成的聚合物网络，在使用负介电各向异性的垂直取向模式的液晶显示元件中，期望为平行取向状态、或方位角固定的倾斜取向。以小于阈值电压的电压得到的取向状态优选为大致垂直取向，特别优选为相对于基板平面呈80度至90度的大致垂直的取向，优选为表现为可得到高对比度那样的良好黑电平的取向状态。在使用利用负介电各向异性或正介电各向异性的横向电场的ips(in-planeswitching，面内切换)显示模式中，施加紫外线照射中的阈值电压以上的电压所得到的液晶取向状态优选为扭曲取向。以小于阈值电压的电压得到的取向状态优选为方位角固定的平行取向。在ffs(fringefieldswitching，边缘场切换)模式中，优选紫外线照射中施加阈值电压以上的电压所得到的取向状态至少为弯曲取向、喷射取向、倾斜取向的任一者，或多种混合存在的取向状态。在小于阈值电压下，优选为大致平行取向。通过在按照保持施加电压时的液晶的取向状态的方式形成聚合物网络后，使小于阈值电压的液晶的取向状态高分子稳定化，从而可轻易地向聚合物网络形成完毕后施加了电压时的液晶的取向状态进行取向变形，可同时兼顾高透射率与高速响应。照射紫外线时的施加电压优选进行适当调整以使得聚合物网络形成后的液晶显示元件的显示成为高对比度，由于很大程度上取决于照射紫外线前的聚合性液晶组合物的电光学效果的特性，因此，必须与聚合性液晶组合物所显示的电压-透射率特性相配合。作为阈值电压以上的电压，优选为电压v10以上，其中电压v10相对于聚合性液晶组合物的电压-透射率特性电压中的透射率总变化量为10％以上，更优选电压v20以上，其中电压v20的透射率总变化量为20％以上，更优选为电压v50以上，其中电压v50的透射率总变化量为50％以上。但是，优选为临界电压的6倍以下的电压。关于紫外线照射中所施加的阈值电压以上的电压，优选施加交流电压，优选施加矩形波。频率优选为以目视无法识别出闪烁的频率，当在玻璃基板上形成有tft基板等电子电路时，只要为不会发生重合电压衰减的频率即可，优选为30hz至5khz左右。虽然使在紫外线照射途中所施加的电压从阈值电压以上变为小于阈值电压，但作为小于阈值电压的电压，只要为液晶的取向不会因电压而变化的范围即可，优选为0v以上且小于阈值电压的90％的电压，优选为小于80％的电压，更优选为70％以下。此外，虽在紫外线照射中使施加电压为阈值电压以下，但此时优选恢复成为液晶显示元件off时的液晶取向状态，例如，如上述那样在垂直取向模式中可恢复为垂直取向，在ffs模式、ips模式则可成为平行取向。为了恢复成为液晶显示元件off时的液晶取向状态，优选在使施加电压时的液晶取向稳定化的聚合物网络其影响力极小的状态下降低成小于阈值电压的电压。在施加阈值电压以上的电压后照射紫外线，但若紫外线照射中电压施加时间变长，则使紫外线照射中施加电压时的液晶取向稳定化的聚合物网络的影响力会增大，不会恢复成所需的液晶显示元件off时的液晶取向状态，并不优选。因此，优选将最合适的紫外线照射中的电压适当优化，来制造本发明的液晶显示元件。此外，当使紫外线照射中的电压小于阈值电压时，也可为了调整聚合性液晶组合物的液晶的响应缓和时间，而在紫外线照射途中慢慢地降低电压，使施加电压的下降时间比紫外线照射中的液晶的响应缓和时间长，由此使响应缓和过程中产生的逆流(backflow)的影响为最低限度，施加电压的下降时间优选为10ms以上至1000ms以内。此外，相反地，快速下降的情况也是可以的，优选至少设为比聚合性液晶组合物显示出的缓和时间短，优选为100ms以下。通过在施加阈值电压以上的电压的状态下照射紫外线，由此部分地形成平行取向成分的聚合物网络，继续照射紫外线且同时使电压小于阈值电压，由此使液晶恢复为垂直取向，从而完成聚合相分离。在鱼骨型电极液晶单元中，可通过上述平行取向成分与垂直取向成分的比例改变预倾角，若在聚合物网络形成初始过程中去除电压，则倾斜取向方位将会固定下来，再以残留单体形成垂直取向，由此，可兼顾垂直取向与倾斜取向方位，为纳米相分离液晶的取向控制技术。需说明的是，所谓平行取向状态，意思是施加电压从而负介电各向异性液晶成为大致平行取向状态，优选相对于基板面在0.1度至30度的范围，优选以0.1度至10度的范围倾斜取向。所谓无施加电压时的垂直取向，意思是因垂直取向膜的作用而成为大致垂直取向状态，液晶的取向优选相对于基板平面倾斜80至89.9度而取向，更优选倾斜85度至89.9度。在正介电各向异性液晶的情况中，若施加电压，则虽会得到垂直取向，但液晶取向状态也包括液晶相对于基板平面以45度至89.9度的范围倾斜取向。无施加电压时的平行取向，意思是因平行取向膜的作用而成为大致平行取向状态，液晶的取向包括相对于基板平面倾斜0.1至30度而取向。因此，本发明涉及的液晶显示元件的制造方法优选具有下述工序：光照射工序，对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线；以及电压施加工序，对前述夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物，施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压。优选在开始前述光照射工序的时刻，施加前述电压施加工序的电压。因此，前述电压施加工序与前述光照射工序可同时进行，也可以是晚于前述电压施加工序而开始前述光照射工序。此外，优选在施加电压时的取向转变时发生的取向缺陷已消失的阶段，开始前述光照射工序。例如，当在施加电压时取向缺陷几乎不发生的情况下，可同时开始(或进行)前述电压施加工序与前述光照射工序，也可同时中断或停止前述电压施加工序与前述光照射工序，可以如下那样进行：在液晶元件的on状态下进行前述光照射工序，在聚合工序的中途，on状态的取向因形成聚合物网络而即将稳定化之前，中断前述电压施加工序，在液晶元件的off状态下，仅进行前述光照射工序，使残留于液晶中的聚合性化合物消失。此外，从on状态至off状态的取向转变之间，优选中断紫外线照射，使聚合物网络不能形成。只要存在如下的期间(时间)即可：在对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的状态下，照射紫外线，施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压。换言之，在对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压、且同时照射紫外线而进行聚合相分离的工序中，可以在正在进行前述电压施加工序时进行前述光照射工序，优选前述光照射工序的期间与前述电压施加工序的期间重叠。本发明涉及的液晶显示元件制造方法的优选方式为，在对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线的光照射工序中，只要是进行照射紫外线而可以从on状态向off状态发生取向转变即可，电压施加工序优选为3～30秒钟，更优选为5～10秒钟，当中断光照射时，紫外线照射的中断期间优选设置为电压施加工序刚结束后。可在液晶取向转变过程结束、取向状态处于平衡的状态下重启紫外线照射，结束前述光照射工序。在本发明的液晶显示元件的制造方法中，优选地，对夹持于前述至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的时间比对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线的时间短。在本发明的液晶显示元件的制造方法中，对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的电压施加工序可设置1次以上的多次(2次、3次以上10次以下)。此时的施加电压的大小各自可相同或不同。优选为不同。作为该电压施加工序的方式，优选为下述方式：在对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线的状态下，以规定时间施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的1次电压(v1)作为1次电压后，在照射紫外线的状态下，施加阈值电压以上且1次电压(v1)以下的中间电压(vm)。在本发明涉及的液晶显示元件的制造方法中，也可进行1次以上的多次(2次、3次以上10次以下)的下述电压施加工序：在照射紫外线的状态下施加上述聚合性液晶组合物的阈值电压以下的电压。此时的施加电压的大小各自可相同或不同。此外，当施加阈值电压以下的电压时，可阶段性地将施加电压降低至阈值电压以下的电压来进行，也可连续地将施加电压降低至阈值电压以下的电压来进行。在上述的优选方式中，若在施加阈值电压以上的电压后，在紫外线聚合中施加小于阈值电压的电压，则会发生液晶取向的转变，但有时会在此转变时发生取向缺陷，若此取向缺陷受到高分子稳定化，则小于阈值电压时的液晶取向状态的均一性会受损，而成为对比度、透射率的下降原因，故不优选。尤其当阈值电压以上的电压为饱和电压以上时，若在紫外线照射中改变为小于阈值电压的电压，引起液晶取向转变，则会发生大量取向缺陷。因此，必须通过施加饱和电压以下的电压，来抑制取向转变时发生取向缺陷(向错)，但同时如上述那样，基板界面的液晶的倾斜会变弱，倾斜方位方向变得不稳定，故不优选。为了抑制紫外线聚合中的取向转变时发生的取向缺陷，施加从紫外线聚合中的阈值电压以上的电压向阈值电压以下的电压降低的中间电压，施加至少液晶的响应时间以上的时间，优选为不会对聚合物网络的形成造成影响的时间，可以为能够抑制发生取向缺陷的时间，可以为不会使取向缺陷进行高分子稳定化的时间，取决于液晶中的聚合性化合物的反应性，优选在至少5秒以内。此外，中间电压至少在阈值电压以上且在饱和电压以下，优选为中间灰度电压。波形优选为矩形波，优选为如下的阶段状波形：电压按照阈值电压以上的电压、中间的电压、阈值电压以下的电压的顺序阶段地变低。此外，关于中间的电压，可为使电压从阈值电压以上的电压连续地降低至阈值电压以下的电压的斜波。进一步，要利用施加中间电压以外的方法使取向缺陷不发生高分子稳定化而残留时，在紫外线照射中途，切断阈值电压以上的电压，但与施加电压同步地中断紫外线照射，再次施加阈值电压以下的电压以使得液晶取向成为大致垂直取向，在此时可与电压同步地再次照射紫外线。也就是说，在连续地照射紫外线时，当照射中的液晶取向转变时施加中间电压即可。而在间断地照射紫外线时，当液晶取向转变时，则瞬间中断紫外线照射，在转变完毕的时刻再照射紫外线即可。优选形成使取向稳定化的聚合物网络，以使施加电压形成的液晶倾斜取向方位为固定方向。此时，为了使按照倾斜取向方位成为固定的方式形成的聚合物网络的影响力极小，在紫外线照射中施加阈值电压以上的电压，使液晶产生弯曲取向变形，但优选使此状态的时间小于施加阈值电压以下的电压的时间，当结束施加阈值电压以上的电压时，为发生取向转变的状态即可。当按照倾斜取向方位成为一定的方式形成的聚合物网络的影响力强时，由于预倾角会增加而无法得到所需的黑电平，因此，为了避免这种情况，若在紫外线照射中施加阈值电压以下的电压，则会从弯曲取向变形转变成大致垂直取向，并且继续照射紫外线即可，优选使残留于液晶中的聚合性化合物消失。优选在照射紫外线的状态下使前述电压小于阈值电压并进一步照射紫外线的工序中，使主要的聚合物网络形成。此时，预倾角的大小会取决于施加阈值电压以上的电压的时间与施加阈值电压以下的电压的时间的比例，施加阈值电压以上的时间是从聚合相分离过程中在液晶中完全没有形成聚合物网络的初始状态至聚合相分离开始而在一部分形成有聚合物网络的时刻，优选为若停止施加电压则可从弯曲取向变形恢复成大致垂直取向的状态。施加阈值电压以上的电压的时间优选为1秒至15秒。当从该工序换到下个工序时，优选在向大致垂直取向发生取向转变的状态下施加阈值电压以下并照射紫外线，优选完全形成聚合物网络并且使液晶中残留的聚合性化合物消失。施加阈值电压以下的状态为大致垂直取向状态，但也可为稍微的弯曲取向变形，按照使所需的黑电平与倾斜取向方位成为固定的方式根据需要调整电压。需说明的是，施加阈值电压以下的电压的时间可直至聚合物网络的形成大致结束为止，当残留于液晶中的单体量为微量且即使残留单体聚合也不会对电光学特性造成影响时，也可不施加阈值电压以下的电压。进一步，在施加前述阈值电压以上的电压且同时照射紫外线而进行聚合相分离的工序、以及然后在照射紫外线的状态下使电压小于阈值电压并照射紫外线的工序之间，也可设置在照射紫外线的状态下施加至少在阈值电压以上且饱和电压以下的中间灰度电压的工序。中间灰度电压优选小于最初的工序的施加电压且在阈值电压以上。中间灰度电压为了延迟从弯曲取向变形向大致垂直取向的转变而施加。由于通过延迟效果可抑制取向缺陷的发生，因此优选根据需要施加。本发明涉及的液晶显示元件制造方法的优选实施方式之一具有对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线的光照射工序、以及施加前述聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的电压施加工序，并且含有在前述电压施加工序中开始前述光照射工序并在照射紫外线的状态下使电压小于阈值电压并进一步照射紫外线的工序。此外，优选地，对前述聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的时间比对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线的时间短。由此，由于可使其从阈值电压以上的取向状态转变成阈值电压以下的取向状态，能够对两种液晶取向状态照射紫外线，因而优选。上述的优选实施方式的变形例具有对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线的光照射工序、施加前述聚合性液晶组合物的阈值电压以上的第1电压(v1)的第1电压施加工序、以及施加前述聚合性液晶组合物的阈值电压以上且前述第1电压(v1)以下的第2电压(v2)的第2电压施加工序，并且含有在前述第1电压施加工序及/或第2电压施加工序中开始前述光照射工序并在照射紫外线的状态下使电压小于阈值电压并进一步照射紫外线的工序。此外，优选地，对前述聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的时间比对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线的时间短。本发明涉及的制造方法的其他优选实施方式之一为具有下述特征的液晶显示元件制造方法：具有对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的电压施加工序、以及在前述电压施加工序中开始前述光照射工序且对前述聚合性液晶组合物照射紫外线的光照射工序，前述光照射工序具备将紫外线照射中断的紫外线照射中断期间，在照射紫外线的状态下使电压小于阈值电压，并进一步照射紫外线。此外，优选地，对前述聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的时间比对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线的时间短。由此，虽会形成保持阈值电压以上的取向状态的聚合物网络，但可使影响力极小，主要会形成保持阈值电压以下的状态的聚合物网络，可增强其影响力，因而优选。在进一步制作的液晶元件中，可使阈值电压以上的取向状态与阈值电压以下的取向状态的两状态进行转换。若该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的施加电压时间长，则会保持阈值电压以上的取向状态，无法恢复成阈值电压以下的取向状态，无法得到on-off的转换，因而不优选。上述优选实施方式的变形例为具有下述特征的液晶显示元件制造方法：具有对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的电压施加工序、以及在前述电压施加工序中开始前述光照射工序且对前述聚合性液晶组合物照射紫外线的光照射工序，并且，在同时停止前述光照射工序与前述电压施加工序后，重启前述光照射工序，在照射紫外线的状态下使电压小于阈值电压，并进一步照射紫外线。此外，虽会对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线并中断，但优选总照射时间比对前述聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的时间长。由此，由于可防止从阈值电压以上向阈值电压以下的取向转变时发生的取向缺陷被形成的聚合物网络保持，可得到高对比度且高速响应的液晶元件，因而优选。本发明涉及的制造方法的其他优选实施方式之一具有下述工序的液晶显示元件制造方法：对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的电压施加工序；在前述电压施加工序中开始前述光照射工序，且对前述聚合性液晶组合物照射紫外线的光照射工序；在照射紫外线的状态下，使电压为小于阈值电压的第3电压(v3)，并进一步照射紫外线的工序；以及在照射紫外线的状态下，使电压为小于第3电压(v3)(第3电压(v3)小于阈值电压)的第4电压(v4)，并进一步照射紫外线的工序。此外，优选地，对前述聚合性液晶组合物施加该聚合性液晶组合物的阈值电压以上的电压的时间比对夹持于至少一者具有电极的2片透明基板间的聚合性液晶组合物照射紫外线的时间短。由此，关于得到的液晶元件的液晶on状态的取向与off状态的取向，即使形成聚合物网络，也可使其类似于聚合前的液晶的各自取向状态，可得到高对比度且显示出高速响应的液晶元件，因而优选。需说明的是，本发明的范围并不限定于上述记载的本发明涉及的优选实施方式。此外，上述的光照射工序(包含第1、第2)及电压施加工序由于与本发明涉及的聚合相分离的工序的说明相同，因此，此处省略。本发明的液晶显示元件的基板间的距离(d)优选为2～5μm的范围，更优选为3.5μm以下。一般而言，会调整双折射率以使液晶组合物的双折射率与单元厚度之积在0.275附近，但由于本发明的聚合性液晶组合物会在聚合相分离后形成聚合物网络，故而施加电场时的液晶显示元件的双折射率会因聚合物网络的锚定力作用与聚合物网络的光学性质而变低，因此，关于液晶组合物及聚合组合物或聚合性液晶组合物所含的液晶组合物的双折射率(△n)与基板间距离(d)之积，若驱动电压因形成聚合物网络而有5v左右以内的增加，则特别优选为0.3～0.4μm的范围，若有3v左右以内的增加，则进一步优选为0.30～0.35μm的范围，若驱动电压有1v以内的增加，则特别优选为0.29～0.33μm的范围。通过使液晶显示元件的基板间的距离(d)及液晶组合物的双折射(△n)与基板间的距离(d)之积分别在上述范围内，透射率高且可与仅有低分子液晶的情况匹敌，可获得高速响应且色彩再现性好的显示。相对于单元厚度(d)与双折射率(△n)之积0.275，优选使用于聚合性液晶组合物的液晶组合物的双折射率为1～1.9倍。本发明的液晶显示元件的驱动电压并非仅取决于液晶组合物的介电各向异性、弹性常数，也会受到在液晶组合物与聚合物界面之间作用的锚定力很大的影响。例如作为关于高分子分散型液晶显示元件的驱动电压的记述，日本特开平6-222320号公报中示出下式的关系。(vth表示阈值电压，1kii及2kii表示弹性常数，i表示1、2或3，△ε表示介电常数各向异性，<r>表示透明性高分子物质界面的平均空隙间隔，a表示透明性高分子物质对液晶组合物的锚定力，d表示具有透明性电极的基板间的距离。)据此，光散射型液晶显示元件的驱动电压取决于透明性高分子物质界面的平均空隙间隔、基板间的距离、液晶组合物的弹性常数或介电常数各向异性，以及液晶组合物与透明性高分子物质间的锚定能。其中，可通过本发明的液晶显示元件控制的参数为液晶物性与聚合物间的锚定力。由于锚定力很大程度上取决于该聚合物的分子结构及低分子液晶的分子结构，故而若选定锚定力强的聚合性化合物，则可将响应时间增快至1.5ms以下，但同时驱动电压会增加至30v以上，因此，优选以驱动电压成为30v以下且响应速度成为1.5ms以下的方式适当选定液晶化合物及聚合性化合物，调整组成。优选适当配合锚定力强的聚合物前体与锚定力弱的聚合物前体并以取得驱动电压与响应速度之间的平衡的方式调整组成。另一方面，作为降低驱动电压所要求的液晶组合物的物性，特别优选对于p型液晶使介电各向异性成为6以上，对于n型液晶使介电各向异性成为-3以下。此外，优选使双折射率为0.09以上。进一步，若使液晶组合物的双折射率与纤维状或柱状聚合物网络的折射率尽可能地接近而消除光散射，则更优选。其中，聚合物前体浓度会影响液晶元件的延迟(retardation)，故而优选以可获得所需的延迟的方式适当增减液晶组合物的双折射率而使用。本发明的液晶显示元件优选以下述方式得到：一边使上述液晶组合物成为-50℃～30℃一边照射能量射线，使聚合性化合物聚合而在液晶组合物中形成具有折射率各向异性或易取向轴方向的聚合物网络。聚合温度的上限为30℃，优选为20℃～-10℃。如以下实施例所述，本发明人发现取决于聚合性化合物组成，通过低温聚合及常温聚合而使τd进一步高速化。认为其理由在于：1)在液晶分子的取向度因低温而上升的状态下进行聚合；2)通过低温聚合而聚合的聚合物与液晶组合物的相溶性下降，使得相分离变得容易，聚合相分离速度加快，聚合物网络的空隙间隔变得微细；3)即便使用锚定力相对较低的聚合性化合物，也因空隙间隔微细，而形成锚定力的影响力变强那样的折射率各向异性聚合物网络；等。进一步，本发明的液晶显示元件优选形成为，具有单轴性折射率各向异性或易取向轴方向的聚合物网络或聚合物粘合剂的光轴方向或易取向轴方向相对于透明基板形成预倾角，并且优选为通过下述而得到的构成：通过调整电场强度控制低分子液晶取向以使其相对于基板面倾斜，对上述液晶层施加电压且同时照射能量射线，从而使聚合性化合物发生高分子化，在液晶组合物中获得具有折射率各向异性或易取向轴方向的聚合物。在垂直取向的va模式中，通过以预倾角相对于基板法线方向成为20度以内的方式施加电压使其聚合，不仅具有相当于目前va模式单元所用的突起(protrusion)等、psa液晶的微细聚合物突起的效果，并且显示出psa所无法实现的高速响应，因此特别优选。此外，通过从多个方向施加电场使其高分子化，可形成多域，可提高视野角，因而更优选。进一步，以在基板界面垂直取向膜界面使低分子液晶诱发预倾角的方式对该取向膜实施光取向处理、摩擦取向处理等，从而可规定低分子液晶取向的倾斜方向，抑制切换时产生取向缺陷，从而优选，或者也优选使用向多个方向倾斜那样的图案电极实施该取向处理。关于前述液晶层，对含有聚合性化合物的液晶组合物适当在-50℃～30℃的温度范围施加交流电场，且同时照射紫外线或电子射线，由此使具有折射率各向异性的聚合物网络以其光轴方向相对于基板面形成预倾角的方式形成于液晶中。若在利用低分子液晶的介电各向异性通过施加电场而诱发预倾角的取向状态下进行聚合相分离，则可获得使聚合后的聚合物网络的光轴相对于基板面倾斜的液晶元件，更优选为使前述聚合性化合物实现高分子化的构成。进一步，也优选将使施加电压后的取向状态稳定化而得的聚合物网络与使未施加电压的取向状态稳定化而得的聚合物网络复合化，诱发预倾角。本发明的液晶显示元件中使用的两片基板可采用玻璃或如塑料那样具有柔软性的透明材料。具有透明电极层的透明基板例如可通过将铟锡氧化物(ito)溅射在玻璃板等透明基板上而获得。滤色器例如可通过颜料分散法、印刷法、电镀法或染色法等制作。若以通过颜料分散法进行的滤色器制作方法为一例来说明，则将滤色器用的固化性着色组合物涂布于该透明基板上，实施图案化处理，然后通过加热或照光使其固化。针对红、绿、蓝三种颜色分别进行此工序，由此可制作滤色器用的像素部。另外也可在该基板上设置设有tft、薄膜二极管等有源元件的像素电极。使上述基板以透明电极层成为内侧的方式相对。此时可经由间隔物来调整基板的间隔。此时优选调整成使获得的调光层的厚度成为1～100μm。更优选为1.5至10μm，在使用偏光板时，优选以对比度成为最大的方式调整液晶的折射率各向异性△n与单元厚度d之积，并根据显示模式而设为550nm的1/2或1/4。此外，当具有两片偏光板时，也可调整各偏光板的偏光轴而将视野角、对比度调整为良好。进一步，也可使用用以扩大视野角的相位差膜。作为间隔物，例如可列举玻璃粒子、塑料粒子、氧化铝粒子、由光致抗蚀剂材料等构成的柱状间隔物等。然后，将环氧系热固化性组合物等密封剂以设置液晶注入口的形状网版印刷于该基板，将该基板彼此贴合，加热而使密封剂热固化。关于使聚合性液晶组合物夹持于两片基板间的方法，可采用通常的真空注入法或odf法等。在odf法的液晶显示元件制造工序中，使用点胶机将环氧系光热并用固化性等的密封剂以闭环堤坝状描绘于背板或前板中的任一基板，在除气下向其中滴加规定量的聚合性液晶组合物后，将前板与背板接合，由此可制造液晶显示元件。本发明中使用的聚合性液晶组合物由于可稳定地进行odf工序中的液晶-单体复合材料的滴加，因此可适宜地使用。作为使聚合性化合物聚合的方法，为了得到液晶的良好取向性能，期望适度的聚合速度，因此优选为通过单一或并用或依次照射作为活性能量射线的紫外线或电子射线以使其聚合的方法。在使用紫外线时，可使用偏光光源，也可使用非偏光光源。此外，当使聚合性液晶组合物夹持于两片基板间的状态下进行聚合时，至少照射面侧的基板必须对活性能量射线具有适度的透明性。此外，优选对含有聚合性化合物的液晶组合物，将聚合性液晶组合物在-50℃～20℃的温度范围施加交流电场，且同时照射紫外线或电子射线。所施加的交流电场优选为频率10hz～10khz的交流，更优选为频率100hz至5khz，电压取决于液晶显示元件想要的预倾角来加以选择。也就是说，可通过施加的电压来控制液晶显示元件的预倾角。在横向电场型mva模式的液晶显示元件中，从取向稳定性及对比度的观点，优选将预倾角控制在80度～89.9度。照射时的温度优选为聚合性液晶组合物为-50℃～30℃的温度范围。作为产生紫外线的灯，可使用金属卤化物灯、高压水银灯、超高压水银灯等。此外，作为照射的紫外线的波长，优选照射波长区域不在液晶组合物的吸收波长域的紫外线，优选根据需要将小于365nm的紫外线滤除后使用。照射的紫外线的强度优选为0.1mw/cm2～100w/cm2，更优选为2mw/cm2～50w/cm2。照射的紫外线的能量的量可适当调整，优选为10mj/cm2至500j/cm2，更优选为100mj/cm2至200j/cm2。当照射紫外线时，也可改变强度。照射紫外线的时间可根据照射的紫外线强度作适当选择，优选为10秒至3600秒，更优选为10秒至600秒。(横向电场型)首先，一边参照附图一边说明本发明一实施方式的液晶显示元件。图1为表示本发明的液晶显示元件一例的概略剖视图。本发明一实施方式的液晶显示元件10具备在表面形成有取向层4的第一基板2、与前述第一基板分离设置且在表面形成有光取向层的第二基板7、以及填充于前述第一基板2与第二基板7之间且与前述一对取向层抵接的液晶层5，在前述取向层4(4a、4b)与前述第一基板2之间具有电极层3，该电极层3具备作为有源元件的薄膜晶体管、共用电极22及像素电极。图1为示意性地表示液晶显示元件的构成的图。图1中为方便说明而将各构成要素分离记载。本发明的一实施方式的液晶显示元件10的构成如图1所记载，为具有夹持于对向配置的第一透明绝缘基板2与第二透明绝缘基板7之间的聚合性液晶组合物(或液晶层5)的横向电场方式(图中一例为作为ips的一形态的ffs模式)的液晶显示元件。第一透明绝缘基板2在液晶层5侧的表面形成有电极层3。此外，在液晶层5与第一透明绝缘基板2之间及液晶层5与第二透明绝缘基板7之间分别具有与构成液晶层5的聚合性液晶组合物直接抵接而诱发均质取向的一对取向膜4(4a、4b)，该聚合性液晶组合物中的液晶分子在无施加电压时被取向成相对于前述基板2、7大致平行。如图1及图3所示，前述第二基板7与前述第一基板2也可被一对偏光板1、8夹持。进一步，在图1中，在前述第二基板7与取向膜4之间设置有滤色器6。需说明的是，作为本发明涉及的液晶显示元件的形态，也可为所谓整合式滤色器(coa)，可在含有薄膜晶体管的电极层与液晶层之间设置滤色器，或可在该含有薄膜晶体管的电极层与第二基板之间设置滤色器。即，本发明的一实施方式的液晶显示元件10为依次层叠有第一偏光板1、第一基板2、含有薄膜晶体管的电极层3、取向膜4、含有聚合性液晶组合物的液晶层5、取向膜4、滤色器6、第二基板7以及第二偏光板8的构成。第一基板2与第二基板7可使用玻璃或如塑料那样具有柔软性的透明材料，其中一者也可为硅等不透明材料。两片基板2、7由配置于周边区域的环氧系热固化性组合物等密封(seal)材及封装材贴在一起，其间也可配置有例如玻璃粒子、塑料粒子、氧化铝粒子等粒状间隔物或通过光刻法形成的由树脂构成的间隔柱，以保持基板间距离。图2为将图1中形成于基板2上的电极层3的由ii线围成的区域放大所得的俯视图。图3为沿图2中iii-iii线方向切割图1所示的液晶显示元件所获得的剖视图。如图2所示，形成于第一基板2表面的含有薄膜晶体管的电极层3中，用以供给扫描信号的多条栅极配线24与用以供给显示信号的多条数据配线25相互交叉地配置成矩阵状。需说明的是，图2中仅显示一对栅极配线24及一对数据配线25。利用由多条栅极配线24与多条数据配线25围成的区域形成液晶显示装置的单位像素，在该单位像素内形成有像素电极21及共用电极22。在栅极配线24与数据配线25相互交叉的交叉部附近，设置有含有源极电极27、漏极电极26与栅极电极28的薄膜晶体管。该薄膜晶体管作为对像素电极21供给显示信号的开关元件而与像素电极21连接。此外，与栅极配线24平行地设置有共用线(未图示)。该共用线与共用电极22连接以向共用电极22供给共用信号。薄膜晶体管结构的一优选方式例如如图3所示，具有形成于基板2表面的栅极电极11、以被覆该栅极电极11且被覆前述基板2大致整面的方式设置的栅极绝缘层12、形成于前述栅极绝缘层12的表面而与前述栅极电极11相对的半导体层13、以被覆前述半导体层13一部分表面的方式设置的保护层14、以被覆前述保护层14及前述半导体层13的一个侧端部且与形成于前述基板2表面的前述栅极绝缘层12接触的方式设置的漏极电极16、以被覆前述保护层14及前述半导体层13的另一个侧端部且与形成于前述基板2表面的前述栅极绝缘层12接触的方式设置的源极电极17、以及以被覆前述漏极电极16及前述源极电极17的方式设置的绝缘保护层18。也可在栅极电极11的表面形成阳极氧化被膜(未图示)，以消除与栅极电极的段差等。前述半导体层13可使用非晶硅、多晶硅等，但若使用zno、igzo(in-ga-zn-o)、ito等透明半导体膜，则可抑制起因于光吸收的光载流子的危害，从增大元件开口率的观点而言，也优选。进一步，为了减小肖特基能障的宽度、高度，也可在半导体层13与漏极电极16或源极电极17之间设置欧姆接触层15。欧姆接触层可使用n型非晶硅、n型多晶硅等高浓度地添加有磷等杂质的材料。栅极配线26、数据配线25、共用线29优选为金属膜，更优选为al、cu、au、ag、cr、ta、ti、mo、w、ni或其合金，特别优选使用al或其合金的配线的情况。此外，绝缘保护层18为具有绝缘功能的层，由氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅膜等形成。在图2及图3所示的实施方式中，共用电极22为形成于栅极绝缘层12大致整面上的平板状电极，另一方面，像素电极21为形成于被覆共用电极22的绝缘保护层18上的梳形电极。也就是说，共用电极22被配置于比像素电极21更靠近第一基板2的位置，这些电极隔着绝缘保护层18相互重叠地配置。像素电极21与共用电极22例如由氧化铟锡(ito，indiumtinoxide)、氧化铟锌(izo，indiumzincoxide)、氧化铟锌锡(izto，indiumzinctinoxide)等透明导电性材料形成。由于像素电极21与共用电极22由透明导电性材料形成，故而单位像素面积中的开口的面积变大，开口率及透射率增加。此外，关于像素电极21与共用电极22，为了在这些电极间形成边缘电场，将像素电极21与共用电极22之间的电极间距离(也称为最小间隔距离)：r形成为小于第一基板2与第二基板7的距离：g。此处，电极间距离：r表示各电极间在与基板水平的方向上的距离。图3中，由于平板状共用电极22与梳状的像素电极21重叠，因此示出了电极间距离：r＝0的例子，由于最小间隔距离：r小于第一基板2与第二基板7的距离(即单元间隙)：g，故而形成边缘电场e。因此，ffs型液晶显示元件可利用与形成像素电极21的梳形的线垂直的方向上形成的水平方向电场，及抛物线状电场。像素电极21的梳状部分的电极宽度：l及像素电极21的梳状部分的间隙的宽度：m优选形成为产生的电场可使液晶层5内的液晶分子全部被驱动的程度的宽度。此外，像素电极与共用电极的最小间隔距离r可作为栅极绝缘层12的(平均)膜厚进行调整。此外，本发明涉及的液晶显示元件也可不同于图3，形成为像素电极21与共用电极22之间的电极间距离(也称为最小间隔距离)：r大于第一基板2与第二基板7的距离：g(ips方式)。这种情况下，例如可列举梳状的像素电极与梳状的共用电极在大致同一平面内交互设置的构成等。本发明涉及的液晶显示元件的一个优选方式优选为利用边缘电场的ffs方式的液晶显示元件，若共用电极22与像素电极21邻接的最短间隔距离d短于取向膜4彼此(基板间距离)的最短间隔距离d，则可在共用电极与像素电极间形成边缘电场，可有效率地利用液晶分子的水平方向及垂直方向的取向。在本发明的ffs方式液晶显示元件的情况中，若对按照长轴方向与取向层的取向方向平行的方式配置的液晶分子施加电压，则会在像素电极21与共用电极22间，抛物线形电场的等电位线形成至像素电极21与共用电极22的上部，液晶层5内的液晶分子的长轴沿所形成的电场排列。因此，即使是低介电各向异性，也可驱动液晶分子。就防止漏光的观点而言，本发明涉及的滤色器6优选在与薄膜晶体管及存储电容器23对应的部分形成黑矩阵(未图示)。此外，滤色器6中，通常由r(红)g(绿)b(蓝)3种滤色器像素构成影像、图像的1个点，例如该3种滤色器沿栅极配线的延伸方向排列。该滤色器6例如可通过颜料分散法、印刷法、电沉积法或染色法等制作。若以通过颜料分散法进行的滤色器制作方法为一例进行说明，则是将滤色器用的固化性着色组合物涂布于该透明基板上，实施图案化处理，并且通过加热或照射光使其固化。针对红、绿、蓝三种颜色分别进行此工序，由此可制作滤色器用的像素部。另外也可为在该基板上设置设有tft、薄膜二极管等有源元件的像素电极的所谓整合式滤色器。在电极层3及滤色器6上可设置有与构成液晶层5的聚合性液晶组合物直接抵接而诱发均质取向的一对取向膜4。此外，关于偏光板1及偏光板8，可调整各偏光板的偏光轴而调整成使视野角、对比度变得良好，优选以这些透射轴在常黑(normallyblack)模式下工作的方式具有相互垂直的透射轴。特别优选偏光板1与偏光板8中的任一者以具有与液晶分子的取向方向平行的透射轴的方式配置。此外，优选以对比度成为最大的方式调整液晶的折射率各向异性△n与单元厚度d之积。进一步，也可使用用以扩大视野角的相位差膜。此外，作为其他液晶显示元件的实施方式，在ips方式的情况中，为邻近的共用电极与像素电极间的最短间隔距离d大于液晶取向膜间的最短间隔距离g的条件，例如可列举下述构成等：在共用电极与像素电极形成于同一基板上且该共用电极与该像素电极交互配置的情况下，邻近的共用电极与像素电极间的最短间隔距离d大于液晶取向膜间的最短间隔距离g。在本发明涉及的液晶显示元件的制造方法中，优选在具有电极层的基板及/或基板表面形成被膜后，以该被膜成为内侧的方式使一对基板分离地相对后，在基板间填充液晶组合物。此时，优选经由间隔物调整基板间隔。前述基板间的距离(为获得的液晶层的平均厚度，也称为被膜间的间隔距离)优选调整为1～100μm。前述被膜间的平均间隔距离进一步优选为1.5～10μm。本发明中，作为用以调整基板间距离之间隔物，例如可列举玻璃粒子、塑料粒子、氧化铝粒子、由光致抗蚀剂材料等所构成的柱状间隔物等。使用图1～图3说明的ffs型液晶显示元件为一例，只要未脱离本发明的技术思想，则也可以其他的各种方式实施。以下使用图4及图5，说明本发明涉及的液晶显示元件的其他实施方式。例如图4为将图1中形成于基板2上的电极层3的由ii线围成的区域放大所得的俯视图的其他实施方式。如图4所示，也可设为像素电极21具有狭缝的构成。此外，也可以相对于栅极配线24或数据配线25具有倾斜角的方式形成狭缝的图案。该图4所示的像素电极21为对近似长方形平板体的电极切出近似矩形框状的切口部而成的形状。此外，在该像素电极21的背面隔着绝缘保护层18(未图示)在一面形成有梳齿状共用电极22。进一步，在邻接的共用电极与像素电极的最短间隔距离r小于取向层彼此的最短间隔距离g时会成为ffs方式，而在r大于g时则会成为ips方式。此外，在前述像素电极的表面优选被保护绝缘膜及取向膜层被覆。需说明的是，也可与上述同样地在被前述多根栅极配线24与多根数据配线25围绕的区域设置将经由数据配线25供给的显示信号加以保存的存储电容器23。需说明的是，切口部的形状并无特别限制，不仅为图4所示的近似矩形，也可使用椭圆、圆形、长方形、菱形、三角形或平行四边形等公知形状的切口部。此外，在邻接的共用电极与像素电极的最短间隔距离r大于取向层彼此的最短间隔距离g时，会成为ips方式的显示元件。图5为有别于图3的实施方式，为沿图2中iii-iii线方向切割图1所示的液晶显示元件所获得的剖视图的另一例。表面形成有取向层4及含有薄膜晶体管20的电极层3的第一基板2与表面形成有取向层4的第二基板8以规定间隔d分离成取向层彼此相对，在此空间填充有含有液晶组合物的液晶层5。在第一基板2表面的一部分依次层叠有栅极绝缘层12、共用电极22、绝缘保护层18、像素电极21及取向层4。此外，也如图4所示，像素电极21为在平板体的中央部及两端部切出三角形的切口部并且在其余区域切出长方形的切口部而成的形状，并且共用电极22为如下的构造：梳齿状的共用电极与前述像素电极21的近似椭圆形的切口部大致平行地配置于比前述像素电极更靠近第一基板侧。在图5所示的例子中，使用有梳状或具有狭缝的共用电极22，像素电极21与共用电极22的电极间距离r＝α(需说明的是，图5中为了方便而将电极间距离的水平成分记为r)。进一步，在图3中，虽示出在栅极绝缘层12上形成有共用电极22的例子，但也可如图5所示那样在第一基板2上形成共用电极22，隔着栅极绝缘层12设置像素电极21。像素电极21的电极宽度：l、共用电极22的电极宽度：n及电极间距离：r优选适当调整为产生的电场可使液晶层5内的液晶分子全部被驱动的程度的宽度。当邻接的共用电极与像素电极的最短间隔距离r小于取向层彼此的最短间隔距离g时，会成为ffs方式，而当r大于g时，则会成为ips方式。进一步，在图5中，像素电极21与共用电极22在厚度方向上的位置不同，但也可将两电极在厚度方向上的位置设为相同或将共用电极设置于液晶层5侧。(垂直电场型)本发明优选的其他实施方式为使用液晶组合物的垂直电场型液晶显示元件。图6为示意性地表示垂直电场型液晶显示元件的构成的图。此外，图7中为了方便说明，而将各构成要素分离加以记载。图7为将该图6中形成于基板上的含有薄膜晶体管的电极层300(或也称为薄膜晶体管层300)由vii线围绕的区域放大所得到的俯视图。图8为沿图7中viii-viii线方向切割图6所示的液晶显示元件所获得的剖视图。以下参照图6～9说明本发明涉及的垂直电场型液晶显示元件。关于本发明涉及的液晶显示元件1000的构成，如图6所记载的那样，为如下的液晶显示元件：具有第二基板800、第一基板200及夹持于前述第一基板200与第二基板800间的聚合性液晶组合物(或液晶层500)，且该聚合性液晶组合物中的液晶分子在无施加电压时的取向大致垂直于前述基板200、800，其中，前述第二基板800具备由透明导电性材料构成的透明电极(层)600(或也称为共用电极600)，前述第一基板200含有由透明导电性材料构成的像素电极及形成有对各像素所具备的前述像素电极进行控制的薄膜晶体管的薄膜晶体管层300。此外，如图6及图8所示，前述第二基板800与前述第一基板200也可被一对偏光板100、900夹持。进一步，在图6中，在前述第一基板200与共用电极600之间设置有滤色器700。此外进一步，在透明电极(层)600、1400表面，按照与本发明的液晶层500邻接且与构成该液晶层500的聚合性液晶组合物直接接触的方式形成有一对取向膜400。也就是说，本发明涉及的液晶显示元件1000为依次层叠有第一偏光板100、第一基板200、含有薄膜晶体管的电极层(或也称为薄膜晶体管层)300、光取向膜400、含有液晶组合物的层500、取向膜400、共用电极600、滤色器700、第二基板800及第二偏光板900的构成。需说明的是，取向膜400优选为光取向膜。取向膜为在使用取向处理(掩模摩擦(maskrubbing)或者光取向)制造的液晶单元中，在液晶单元的透明电极的内侧(液晶层侧)，形成有相对于玻璃基板的法线方向稍微倾斜(0.1～5.0°)的垂直取向膜。聚合性单体受到垂直取向膜的取向规制力而沿垂直方向排列，通过照射紫外线光使聚合性单体聚合并固定化而形成聚合物网络。推断以此方式形成的聚合物网络具有如下的约4种的结构：(1)横跨上下基板形成聚合物网络；(2)自上(下)基板朝向液晶方向形成聚合物网络，但形成至中途；(3)仅在取向膜的表面附近形成聚合物网络(主要为单官能单体的情况)；(4)在液晶层内聚合物网络彼此连接(不浮动(floating))。这些方式中，皆混合存在有使如下两种不同的取向状态稳定化的聚合物网络：聚合物网络的折射率各向异性或易取向轴被形成为使阈值电压以上的取向状态稳定化的情况，以及聚合物网络的折射率各向异性或易取向轴被形成为使阈值电压以下的取向状态稳定化的情况。认为以此方式形成的具有各向异性的聚合物网络会与液晶层大致完全分离，液晶分子在这些高分子网络之间取向排列。其具有的结构，与液晶分子和高分子网络混合存在而在无施加电压时发生光散射的所谓的聚合物网络型液晶的分子排列结构明显不同，并且也与psa等所采用的偏靠于取向膜附近的取向维持层的结构全然不同。作为例示，示出有通过使用取向膜的方法而获得的聚合物网络与液晶分子排列结构。另一方面，即使在具有肋状物、狭缝等构造物的所谓的mva方式、pva等中，仅基板界面附近的聚合物网络、液晶分子的预倾斜会因经由构造物、狭缝所施加的斜向电场强度等而稍有不同，推断本质上具有如上图的结构。在具有由这样的聚合物网络与液晶分子构成的液晶分子排列的va型液晶显示装置中，无施加电压时对液晶分子的锚定力会因液晶取向膜与聚合物网络具有的锚定力的协同作用而更强地作用，结果可加快电压off时的响应速度。(横向/斜向电场型)作为不对取向膜进行掩模摩擦、掩模照射等繁杂的工序而可通过仅致力于电极构造的简便方法对液晶显示区域进行取向分割的新颖显示技术，提出有使斜向电场与横向电场作用于液晶层的方法。图11为概略地表示使用有上述技术的tft液晶显示元件的一像素px中的最小单元构成体的俯视图。以下简单说明横向/斜向电场模式液晶显示装置的构造及运作。像素电极pe具有主像素电极pa及副像素电极pb。这些主像素电极pa及副像素电极pb相互电连接，这些主像素电极pa及副像素电极pb均被设置于阵列基板ar。主像素电极pa沿第2方向y延伸，副像素电极pb沿与第2方向y不同的第1方向x延伸。在图示的例子中，像素电极pe形成为近似十字状。副像素电极pb结合于主像素电极pa的大致中央部，从主像素电极pa向其两侧即像素px的左侧及右侧延伸。这些主像素电极pa及副像素电极pb彼此大致正交。像素电极pe与在像素电极pb中省略图示的开关元件电连接。共用电极ce具有主共用电极ca及副共用电极cb，这些主共用电极ca及副共用电极cb彼此电连接。共用电极ce与像素电极pe电绝缘。共用电极ce中，主共用电极ca及副共用电极cb的至少一部分被设置于对向基板ct。主共用电极ca沿第2方向y延伸。该主共用电极ca被配置于夹着主像素电极pa的两侧。此时，在x-y平面内，任一主共用电极ca均不与主像素电极pa重合，各个主共用电极ca与主像素电极pa之间形成有大致相等的间隔。也就是说，主像素电极pa位于邻接的主共用电极ca的大致中间位置。副共用电极cb沿第1方向x延伸。副共用电极cb被配置于夹着副像素电极pb的两侧。此时，在x-y平面内，任一副共用电极cb均不与副像素电极pb重合，各个副共用电极cb与副像素电极pb之间形成有大致相等的间隔。也就是说，副像素电极pb位于邻接的副共用电极cb的大致中间位置。在图示的例子中，主共用电极ca形成为沿第2方向y直线地延伸的带状。副共用电极cb则形成为沿第1方向x直线延伸的带状。需说明的是，主共用电极ca沿第1方向x隔开间隔地两两平行排列，以下为了区分它们而将图中左侧的主共用电极称为cal，将图中右侧的主共用电极称为car。此外，副共用电极cb沿第2方向y隔开间隔地两两平行排列，以下为了区分它们而将图中上侧的副共用电极称为cbu，将图中下侧的副共用电极称为cbb。主共用电极cal及主共用电极car与副共用电极cbu及副共用电极cbb为同电位。在图示的例子中，主共用电极cal及主共用电极car分别与副共用电极cbu及副共用电极cbb连接。主共用电极cal及主共用电极car分别被配置于该像素px与左右邻接的像素之间。即，主共用电极cal被配置为跨过图示的该像素px与其左侧的像素(未图示)的边界，主共用电极car被配置为跨过图示的该像素px与其右侧的像素(未图示)的边界。副共用电极cbu及副共用电极cbb分别配置于该像素px与上下邻接的像素之间。即，副共用电极cbu被配置为跨过图示的该像素px与其上侧的像素(未图示)的边界，副共用电极cbb被配置为跨过图示的该像素px与其下侧的像素(未图示)的边界。在图示的例子中，在一像素px中，被像素电极pe与共用电极ce划分的4个区域被形成作为主要有助于显示的开口部、透射部。在此例中，液晶分子lm的初始取向方向为与第2方向y大致平行的方向。第1取向膜al1配置于阵列基板ar的与对向基板ct相对向的面，在大致整个有源区域act中延伸。该第1取向膜al1被覆像素电极pe，也配置于第2层间绝缘膜13上。这样的第1取向膜al1由显示出水平取向性的材料形成。需说明的是，阵列基板ar有时也进一步具备作为共用电极的一部分的第1主共用电极及第1副共用电极。图12为分割成8个部分的斜向电场模式液晶单元的电极构造示意图。通过这样地将1个像素分割成8个部分，可实现进一步的宽视野角化。接下来，说明上述构成的液晶显示面板的运作。在未对液晶层施加电压的状态下，即在像素电极pe与共用电极ce间未形成有电场的无电场时(off时)，如图11中虚线所示，液晶层lq的液晶分子lm以其长轴朝向第1取向膜al1的第1取向处理方向pd1及第2取向膜al2的第2取向处理方向pd2的方式取向。这样的off时相当于初始取向状态，off时的液晶分子lm的取向方向相当于初始取向方向。严格来说，液晶分子lm并非仅平行于x-y平面取向，多数情况下有预倾斜。因此，液晶分子lm在严格意义上的初始取向方向为将off时的液晶分子lm的取向方向正投影至x-y平面所获得的方向。第1取向处理方向pd1及第2取向处理方向pd2均为与第2方向y大致平行的方向。在off时，液晶分子lm如图11中虚线所示那样，以其长轴朝向与第2方向y大致平行的方向的方式进行初始取向。即，液晶分子lm的初始取向方向与第2方向y平行(或相对于第2方向y呈0°)。如图示的例子那样，当第1取向处理方向pd1及第2取向处理方向pd2平行且朝向相同时，在液晶层lq的剖面中，液晶分子lm在液晶层lq的中间部附近大致水平(预倾角约为零)取向，以此处为边界，在第1取向膜al1的附近及第2取向膜al2的附近以成为对称的方式具有预倾角而取向(喷射取向)。在液晶分子lm以此方式喷射取向的状态下，即使在相对于基板法线方向倾斜的方向上，也会受到第1取向膜al1附近的液晶分子lm与第2取向膜al2附近的液晶分子lm的光学补偿。因此，当第1取向处理方向pd1及第2取向处理方向pd2相互平行且朝向相同时，黑显示时漏光少，可实现高对比度，能够提高显示质量。需说明的是，当第1取向处理方向pd1及第2取向处理方向pd2相互平行且朝向相反时，在液晶层lq的剖面中，液晶分子lm在第1取向膜al1的附近、第2取向膜al2的附近及液晶层lq的中间部具有大致均匀的预倾角而取向(均质取向)。来自背光源4的背光源光的一部分会穿过第1偏光板pl1入射至液晶显示面板lpn。入射至液晶显示面板lpn的光为与第1偏光板pl1的第1偏光轴ax1正交的直线偏光。这样的直线偏光的偏光状态在通过off时的液晶显示面板lpn时几乎没有变化。因此，穿过液晶显示面板lpn的直线偏光会被与第1偏光板pl1呈交叉尼科尔(crossnicol)位置关系的第2偏光板pl2吸收(黑显示)。另一方面，在对液晶层lq施加电压的状态下，即像素电极pe与共用电极ce间形成有电位差的状态下(on时)，在像素电极pe与共用电极ce之间会形成与基板大致平行的横向电场(或斜向电场)。液晶分子lm会受到电场的影响而其长轴如图中实线所示那样在与x-y平面大致平行的平面内旋转。在图11所示的例子中，像素电极pe与主共用电极cal之间的区域中，下半侧区域内的液晶分子lm相对于第2方向y沿顺时针方向旋转，而取向成朝向图中的左下方，此外，上半侧区域内的液晶分子lm相对于第2方向y沿逆时针方向旋转，而取向成朝向图中的左上方。像素电极pe与主共用电极car之间的区域中，下半侧区域内的液晶分子lm相对于第2方向y沿逆时针方向旋转，而取向成朝向图中的右下方，上半侧区域内的液晶分子lm相对于第2方向y沿顺时针方向旋转，而取向成朝向图中的右上方。以此方式，各像素px中，在像素电极pe与共用电极ce之间形成有电场的状态下，液晶分子lm的取向方向以与像素电极pe重叠的位置作为边界而分成多个方向，在各取向方向上形成域(domain)。也就是说，在一像素px中形成多个域。在这样的on时，与第1偏光板pl1的第1偏光轴ax1正交的直线偏光会入射至液晶显示面板lpn，其偏光状态在通过液晶层lq时会根据液晶分子lm的取向状态而变化。在这样的on时，通过液晶层lq的光的至少一部分穿过第2偏光板pl2(白显示)。若根据这样的构造，则由于可在一像素内形成4个域，因此可对4个方向的视野角进行光学补偿，而实现宽视野角化。因此，可实现无渐变颠倒且高透射率的显示，能够提供显示质量良好的液晶显示装置。此外，通过在一像素内将由像素电极pe与共用电极ce划分的4个区域各开口部的面积设定为大致相同，可使各区域的透射率大致相同，穿过各开口部的光彼此相互进行光学补偿而在整个宽视野角范围内实现均匀的显示。(鱼骨型电极)图13表示记载的鱼骨型电极结构。在以预定的单元间隙对向地贴合的2片玻璃基板间封装有液晶层。在对向的2片基板的对向面各自形成有由ito构成的透明电极。使用0.7mm左右的厚度的玻璃基板，在对向基板上形成共用电极。在透明电极中设置有去除电极材料(ito)的一部分而成的狭缝部512c。按照将长方形单元的各对向边中点连接的十字状，宽度3～5μm左右的狭缝部512c作为取向规制用结构物而发挥功能，沿从狭缝部512c倾斜45°方向延伸的宽度5μm的狭缝部512c以间距8μm形成有多个，它们会作为抑制倾斜时的方位角方向混乱的辅助取向控制因子而发挥功能。显示用的像素电极的宽度为3μm。像素干部电极512a与像素枝部电极512b具有45度的角度，且同时具有以像素中央为对称中心而在每90度不同的4个方向延伸有枝部电极的结构。液晶分子虽会因施加电压而倾斜取向，但由于会倾斜取向成倾斜取向的方位与这4个方向一致，因此，使一个像素内形成分割成4个的域来增大显示的视野角。实施例以下举实施例更详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。此外，以下的实施例及比较例的组合物中的“％”意思是“质量％”。[实施例1]制备下述(lcn-1)所示的组合物(δn0.103，粘性η16.5，δε-3.1)作为n型液晶组合物。将n型液晶组合物(lcn-1)加热至60℃，将固态聚合性化合物(v1-1-1)及聚合性化合物(v1-1-2)混合并使其溶解。在室温使聚合性化合物(v1-1-1)与(v1-1-2)均匀溶解，以偏光显微镜确认显示出向列液晶相。在该溶液中混合聚合光引发剂irgacure651，制备聚合性液晶组合物。将制备的聚合性液晶组合物的组成表记载于表1。以可得到液晶的单轴取向(水平取向)的方式，使用单元间隙3.6μm的涂布有聚酰亚胺垂直取向膜的鱼骨型图案电极垂直取向(pva)的单元，通过真空注入法将得到的聚合性液晶组合物注入于单元内。在单元中刻有多条狭缝以使液晶会因施加电压而朝狭缝方向倾斜取向。鱼骨型图案电极的线电极宽度与狭缝宽度皆为3.5μm，线电极的长度为100μm。注入后，以封口剂3026e(threebond公司制)将注入口密封。以频率1khz施加2.45v的矩形波电压，且同时使用波长365nm的紫外线led的光源照射照射强度为15mw/cm2的紫外线12秒钟后，在持续照射紫外线的状态下，使电压为0v，恢复至垂直取向，从使电压恢复至0v的时刻开始照射紫外线68秒钟，而制得鱼骨型pva单元。由此使其形成平行取向成分的聚合物网络与垂直取向成分的聚合物网络。需说明的是，使紫外线照射时间以整体计为80秒。紫外线照射完毕后，对单元施加电压，以明视野变得最明亮的方式配置为狭缝方向相对于交叉尼科尔偏光板的2个偏光轴的任一者成45度，以偏光显微镜观察单元的液晶取向状态。关于不施加电压的状态，可确认为暗视野且完全大致垂直取向状态。若慢慢地升高电压进行施加，则确认狭缝的部分会从垂直取向变化成倾斜取向，亮度逐渐增加。在此单元中，为了确认液晶的倾斜取向方位，在施加7.5v的电压变成倾斜取向的状态下，以透射率成为最小的方式使狭缝方向相对于交叉尼科尔偏光板的2个偏光轴的任一者平行。如图9的偏光显微镜照片所示，若倾斜取向方位一致朝向狭缝方向，则会与狭缝和线电极一致地观察到黑线，若使偏光方向与狭缝方向一致，则会与狭缝和线电极一致地观察到无数条黑线，确认倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向。由此可知若对液晶施加电压使液晶倾斜取向，则由于会朝狭缝方向倾斜，因此透射率会获得提升。施加60hz的矩形波，测量电压-透射率特性，结果，最大透射率t100为65％，为与液晶单质显示的透射率69％接近的值。[表1][表2]<lcn-1>[比较例1]以与实施例1同样的方式将表1的比较例1的组合物注入于单元。在进行紫外线照射前，施加15v的电压，等待数分钟直至取向缺陷消失。然后，使电压为0v。然后，以偏光显微镜确认液晶一致朝狭缝方向取向后，照射紫外线80秒钟。在照射结束后，对形成有聚合物网络的单元施加9v的电压，使液晶倾斜取向，在偏光显微镜观察中，若使偏光方向与狭缝方向一致，则会在一部份观察到无数条黑线，倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向的部分与倾斜取向方位从狭缝方向偏离的明亮部分混合存在，狭缝整体不会变为黑线，观察到倾斜取向方位不一样。若慢慢增加电压并测量透射率，则最大透射率t100低，为36.1％。[比较例2-3]以与实施例1同样的方式将表1的比较例2、3的组合物注入于单元。在进行紫外线照射前，对单元施加15v的电压，等待数分钟直至取向缺陷消失。然后，对各单元施加表2的电压，以偏光显微镜确认液晶一致朝狭缝方向倾斜取向，在施加电压的状态下照射紫外线80秒钟。为了使用偏光显微镜观察液晶的取向，在照射结束后，对单元施加9v的电压，使液晶倾斜取向，若使偏光方向与狭缝方向一致，则会在一部份观察到无数条黑线，倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向的部分与倾斜取向方位从狭缝方向偏离的明亮部分混合存在，狭缝整体不会变为黑线，如图10所示的比较例2的偏光显微镜照片那样，观察到倾斜取向方位不一样。若慢慢增加电压并测量透射率，则最大透射率t100在比较例2中为40.3％，在比较例3中为36.1％，相比于比较例1，t100虽提升，但液晶的倾斜取向方位没有全部一致朝向狭缝方向，为低。[比较例4]以与实施例1同样的方式将表1的比较例4的组合物注入于单元。在进行紫外线照射前，对单元施加15v的电压，等待数分钟直至取向缺陷消失。然后，对单元施加表2的电压，以偏光显微镜确认液晶一致朝狭缝方向倾斜取向，在施加电压的状态下，照射紫外线80秒钟。若使用偏光显微镜观察液晶的取向，则在未施加电压的状态下显示出明视野，若测量最小透射率t0，则为39.6％，聚合物网络被形成为保持阈值电压以上的取向状态，大致平行的液晶取向状态受到稳定化，无法得到暗视野的黑色。若施加电压并测量最大透射率t100，则为60.3％。[实施例2～5]以与实施例1同样的方式将表1的实施例2～5的组合物注入于单元。注入后将玻璃单元取出，以封口剂3026e(threebond公司制)将注入口密封。使用波长365nm的紫外线led光源，在25℃照射照射强度为15mw/cm2的紫外线80秒钟。以频率1khz且2.39v～7.5v的矩形波作为电压，从开始照射紫外线的时刻起适当调整时间而施加5秒～15秒钟后，在照射紫外线的状态下，使聚合电压为0v，恢复至垂直取向，制得鱼骨型pva单元。由此使其形成平行取向成分的聚合物网络与垂直取向成分的聚合物网络。紫外线照射完毕后，配置成狭缝方向相对于交叉尼科尔偏光板的任一者倾斜45度，以偏光显微镜观察单元的液晶取向状态。关于未施加电压的状态，可确认为暗视野且完全为大致垂直取向状态。若慢慢地升高电压进行施加，则确认狭缝的部分会从垂直取向变化成倾斜取向，亮度逐渐增加。为了确认倾斜取向方位，施加7.5v的电压使其为倾斜取向状态，以透射率成为最小的方式使狭缝方向与偏光板方向一致。若倾斜取向方位一致朝向狭缝方向，则与狭缝和线电极一致地观察到黑线。若使偏光方向与狭缝方向一致，则与狭缝和线电极一致地观察到无数条黑线，确认倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向。施加60hz的矩形波，测量电压-透射率特性，结果，最大透射率t100为60％以上，为与液晶单质显示的透射率69％接近的值。[实施例6]以与实施例1同样的方式将表1的实施例6的组合物注入于单元。注入后将玻璃单元取出，以封口剂3026e(threebond公司制)将注入口密封。使用波长365nm的紫外线led光源，在25℃照射照射强度为15mw/cm2的紫外线80秒钟。以频率1khz且2.45v的矩形波作为电压，从开始照射紫外线的时刻起施加12秒钟后，在照射紫外线的状态下，使电压为0v，恢复至垂直取向，制得鱼骨型pva单元。由此使其形成平行取向成分的聚合物网络与垂直取向成分的聚合物网络。紫外线照射完毕后，配置成狭缝方向相对于交叉尼科尔偏光板的任一者倾斜45度，以偏光显微镜观察单元的液晶取向状态。关于未施加电压的状态，可确认为暗视野且完全为大致垂直取向状态。若慢慢地升高电压进行施加，则确认狭缝的部分会从垂直取向变化成倾斜取向，亮度逐渐增加。为了确认倾斜取向方位，施加7.5v的电压使其为倾斜取向状态，以透射率成为最小的方式使狭缝方向与偏光板方向一致。即使改变聚合性化合物、液晶组成，若倾斜取向方位一致朝向狭缝方向，则会与狭缝和线电极一致地观察到黑线。若使偏光方向与狭缝方向一致，则会与狭缝和线电极一致地观察到无数条黑线，确认倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向。施加60hz的矩形波，测量电压-透射率特性，结果，最大透射率t100为60％以上，为与液晶单质显示的透射率69％接近的值。[实施例7]以与实施例1同样的方式将表1的实施例7的组合物注入于单元。注入后将玻璃单元取出，以封口剂3026e(threebond公司制)将注入口密封。使用波长365nm的紫外线led光源，在25℃照射照射强度为15mw/cm2的紫外线80秒钟。以频率1khz且2.45v的矩形波作为电压，从开始照射紫外线的时刻起施加8秒钟后，在照射紫外线的状态下，使电压为0v，恢复至垂直取向，制得鱼骨型pva单元。由此使其形成平行取向成分的聚合物网络与垂直取向成分的聚合物网络。紫外线照射完毕后，配置成狭缝的直线方向相对于交叉尼科尔偏光板的任一者倾斜45度，以偏光显微镜观察单元的液晶取向状态。关于未施加电压的状态，可确认为暗视野且完全为大致垂直取向状态。若慢慢地升高电压进行施加，则确认狭缝的部分会从垂直取向变化成倾斜取向，亮度逐渐增加。为了确认倾斜取向方位，施加7.5v的电压使其为倾斜取向状态，以透射率成为最小的方式使狭缝方向与偏光板方向一致。即使改变聚合性化合物、液晶组成，若倾斜取向方位一致朝向狭缝方向，则会与狭缝和线电极一致地观察到黑线。若使偏光方向与狭缝方向一致，则会与狭缝和线电极一致地观察到无数条黑线，确认倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向。施加60hz的矩形波，测量电压-透射率特性，结果，最大透射率t100为65.4％以上，为与液晶单质显示的透射率69％接近的值。[实施例8]以与实施例1同样的方式将表1的实施例8的组合物注入于单元。注入后将玻璃单元取出，以封口剂3026e(threebond公司制)将注入口密封。使用波长365nm的紫外线led光源，在25℃照射照射强度为15mw/cm2的紫外线1200秒钟。以频率1khz且3.4v的矩形波作为电压，从开始照射紫外线的时刻起施加100秒钟后，在照射紫外线的状态下，使电压为0v，恢复至垂直取向，制得鱼骨型pva单元。由此使其形成平行取向成分的聚合物网络与垂直取向成分的聚合物网络。与实施例7同样地为了确认倾斜取向方位，施加7.5v的电压使其为倾斜取向状态，以透射率成为最小的方式使狭缝方向与偏光板方向一致。即使改变聚合性化合物、液晶组成，若倾斜取向方位一致朝向狭缝方向，则会与狭缝和线电极一致地观察到黑线。若使偏光方向与狭缝方向一致，则会与狭缝和线电极一致地观察到无数条黑线，确认倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向。施加60hz的矩形波，测量电压-透射率特性，结果，最大透射率t100为64.3％，为与液晶单质显示的透射率69％接近的值。[实施例9]以与实施例1同样的方式调整表1的实施例9的组合物。以得到液晶的垂直取向(同向取向)的方式涂布聚酰亚胺取向膜后，以预倾角相对于基板面法线方向为1°左右的方式实施摩擦取向处理，使用附有ito的平行摩擦取向的单元，通过真空注入法将得到的聚合性液晶组合物注入于单元内。注入后将玻璃单元取出，以封口剂3026e(threebond公司制)将注入口密封。在25℃照射照射强度为15mw/cm2的紫外线80秒钟。以频率1khz且12v的矩形波作为电压，从开始照射紫外线的时刻起从2秒改变至10秒的时间进行施加后，在照射紫外线的状态下，使电压为0v，恢复至垂直取向，制得鱼骨型pva单元。由此使其形成平行取向成分的聚合物网络与垂直取向成分的聚合物网络两种不同取向的聚合物网络。紫外线照射完毕后，配置成摩擦取向轴方向平行于交叉尼科尔偏光板的任一者，以偏光显微镜观察单元的液晶取向状态。单元编号1～2为暗视野，即使将单元旋转以朝向方位角方向，暗视野的黑电平也无变化，为同向取向，确认聚合物网络光轴方向与液晶易取向轴方向形成为与单元面正交。而单元编号3～4中，即使将单元旋转以朝向方位角方向，也显示出具有可得到与单元编号1～2同样的暗视野的方位与暗视野稍微变明亮的方位。单元编号5与其他单元不同，即使将单元旋转以朝向方位角方向，也无显示暗视野的方位角，相比于单元编号1～4的暗视野，变得稍微明亮。确认到，由于按照使聚合物网络光轴方向与液晶易取向轴一致的方式形成的聚合物网络的锚定力的效果，使得下降时间变短。将单元编号1～5配置成相对于交叉尼科尔偏光板的任一者倾斜45度，以偏光显微镜观察单元的液晶取向状态。在无施加电压下，显示暗视野(除了单元编号5)，若慢慢升高电压施加，则变化成明视野。在该单元的配置状态下，测量电光学特性，将结果汇总于表3。若将照射紫外线过程中的电压施加时间从2秒改变至10秒，则预倾角从1.9°增加至22.4°。随着预倾角增加，toff(缓和时间)从3.8ms增加至7.7ms，最小透射率t0从0.01％增加至5.26％。尤其若电压施加时间变为10秒，则t0会急剧增加。另一方面，驱动电压v90从8.1v减少至5.5v。在开始照射紫外线的时刻，施加显示平行取向的电压12v，留下使平行取向稳定化的聚合物网络的轨迹，若在照射紫外线途中使电压为0v，则虽会形成使垂直取向稳定化的聚合物网络，但会混合存在显示出(a)使平行取向稳定化的成分与(b)使垂直取向稳定化的成分的聚合物网络，随着电压施加时间变长，(a)的影响力逐渐增加，预倾角增加。此结果说明了想要变成平行取向的聚合物网络的锚定力与想要变成垂直取向的聚合物网络的锚定力的平衡会决定预倾角。若施加电压时间变为10秒以上，则(a)的影响力会变大，会朝向平行取向的方向，t0会在0.1％以上，对比度会下降。若聚合电压施加时间在7秒以下的话，则(a)的影响力极小，因此，t0会在0.1％以下，显示出良好的值，可得到高对比度。[表3][实施例10]使用实施例6的聚合性液晶组合物，单元的制作与实施例7相同。如表4所示，在施加电压时间后中止照射紫外线，测量紫外线照射中途的电压-透射率特性后，以总照射时间成为80秒的方式用剩余的时间照射紫外线，测量紫外线照射完毕后的电压-透射率特性。通过测量紫外线照射中途的电压-透射率，来调查显示出(a)使平行取向稳定化的成分与(b)使垂直取向稳定化的成分的聚合物网络的影响。将同一单元的施加电压后的电压-透射率特性与响应时间、以及使聚合电压为0v而用剩余的时间照射紫外线后的电压-透射率特性与响应时间示于表4。若比较单元编号1至5的施加电压后的电压-透射率特性(v90，t0，t100)，则显示出几乎相同的特性。此外，紫外线照射完毕后的电压-透射率特性(v90，t0，t100)也大致相同。然而，单元编号6的施加电压后的t0与预倾角相比于单元编号1～5急剧地增加。这起因于(a)的平行取向稳定化成分增加。因此，为了得到显示出良好黑电平的暗视野，必须适当调整为t0不会增加的聚合电压施加时间。在实施例10中，优选使聚合施加时间在10秒以内。若比较单元编号1至5的紫外线照射完毕后的电压-透射率特性，则可得到0.1％以下的良好的t0，但单元编号6的聚合电压施加结束后的t0更进一步增加，(a)的影响力增加。结果由于预倾角大，使得响应时间也变长，不适合显示元件。也就是说，在垂直取向单元的情况中，以成为不牺牲黑电平的范围(0.1％以下)的方式调整聚合电压施加时间，由此得到toff在4ms以下且最大透射率t100高的电压-透射率特性。[表4][实施例11]使用实施例1的聚合性液晶组合物，单元的制作也与实施例1相同。注入后，以封口剂3026e(threebond公司制)将注入口密封。施加频率1khz且2.45v的矩形波电压，且同时使用波长365nm的紫外线led光源，照射照射强度为15mw/cm2的紫外线12秒钟后，在持续照射紫外线的状态下，使电压为0.9v，恢复至垂直取向，从使电压恢复为0.9v的时刻起照射紫外线68秒钟，制得鱼骨型pva单元。由此使其形成平行取向成分的聚合物网络与垂直取向成分的聚合物网络。紫外线照射完毕后，配置成狭缝方向相对于交叉尼科尔偏光板的任一者倾斜45度，以偏光显微镜观察单元的液晶取向状态。关于不施加电压的状态，可确认为暗视野且完全大致垂直取向状态。若慢慢地升高电压进行施加，则确认狭缝的部分会从垂直取向变化成倾斜取向，亮度逐渐增加。为了确认倾斜取向方位，施加7.5v的电压使其为倾斜取向状态，以透射率成为最小的方式使狭缝方向与偏光板方向一致。若倾斜取向方位一致朝向狭缝方向，则会与狭缝和线电极一致地观察到黑线。若使偏光方向与狭缝方向一致，则会与狭缝和线电极一致地观察到无数条黑线，确认倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向。施加60hz的矩形波并测量电压-透射率特性，结果，最大透射率t100为63％以上，为与液晶单质显示的透射率69％接近的值。[实施例12-15]以与实施例1同样的方式将表1的实施例6的组合物注入于单元。注入后将玻璃单元取出，以封口剂3026e(threebond公司制)将注入口密封。关于紫外线照射条件，使用波长365nm的紫外线led光源，在25℃照射照射强度为15mw/cm2的紫外线80秒钟。另一方面，电压施加条件则是在前述照射紫外线条件下，施加频率为1khz且为表5记载的作为一次电压的矩形波电压，从开始照射紫外线的时刻起施加6秒钟后，在照射紫外线的状态下将前述表5记载的一次电压换成表5记载的中间电压，施加1秒钟后，照射紫外线且同时将前述表5记载的中间电压换成表5制作条件记载的二次电压(液晶阈值电压以下)，在恢复为垂直取向的状态下，制得鱼骨型pva单元。由此使其形成平行取向成分的聚合物网络与垂直取向成分的聚合物网络。紫外线照射完毕后，配置成狭缝方向相对于交叉尼科尔偏光板的任一者倾斜45度，以偏光显微镜观察单元的液晶取向状态。关于未施加电压的状态，可确认为暗视野且完全为大致垂直取向状态。若慢慢地升高电压进行施加，则确认狭缝的部分会从垂直取向变化成倾斜取向，亮度逐渐增加。为了确认倾斜取向方位，施加7.5v的电压使其为倾斜取向状态，以透射率成为最小的方式使狭缝方向与偏光板方向一致。若倾斜取向方位一致朝向狭缝方向，则会与狭缝和线电极一致地观察到黑线。若将电压去除，则可确认有时发生的取向缺陷未受到高分子稳定化。若使偏光方向与狭缝方向一致，则会与狭缝和线电极一致地观察到无数条黑线，确认倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向。施加60hz的矩形波并测量电压-透射率特性，结果，最大透射率t100如表5元件特性记载，显示出与液晶单质显示的透射率69％接近的值。[实施例16-18]以实施例1同样的方式将表1的实施例6的组合物注入于单元。注入后将玻璃单元取出，以封口剂3026e(threebond公司制)将注入口密封。关于紫外线照射条件，使用波长365nm的紫外线led光源，在25℃照射照射强度为15mw/cm2的紫外线80秒钟，如后述，设置照射紫外线的中断期间(需说明的是，80秒不含照射紫外线的中断期间)。另一方面，电压施加条件则是在前述紫外线照射条件下，施加频率为1khz且为表5制作条件记载的作为一次电压的矩形波电压，从开始照射紫外线的时刻起施加10秒钟后，将电压与紫外线同时去除，在不施加表5记载的中间电压的状态下，将紫外线照射中断一秒钟后，在恢复为垂直取向的状态下，仅照射紫外线，制得鱼骨型pva单元。由此使其形成平行取向成分的聚合物网络与垂直取向成分的聚合物网络。紫外线照射完毕后，配置成狭缝方向相对于交叉尼科尔偏光板的任一者倾斜45度，以偏光显微镜观察单元的液晶取向状态。关于未施加电压的状态，可确认为暗视野且完全为大致垂直取向状态。若慢慢地升高电压进行施加，则确认狭缝的部分会从垂直取向变化成倾斜取向，亮度逐渐增加。为了确认倾斜取向方位，施加7.5v的电压使其为倾斜取向状态，以透射率成为最小的方式使狭缝方向与偏光板方向一致。若倾斜取向方位一致朝向狭缝方向，则会与狭缝和线电极一致地观察到黑线。若将电压去除，则可确认有时发生的取向缺陷未受到高分子稳定化。若使偏光方向与狭缝方向一致，则会与狭缝和线电极一致地观察到无数条黑线，确认倾斜取向的方位一致朝向狭缝方向。施加60hz的矩形波并测量电压-透射率特性，结果，最大透射率t100如表5记载，显示出与液晶单质显示的透射率69％接近的值。(表5制作条件)[表5](表6元件特性)[表6]v90t100totofftongap实施例128.162.80.023.93.13.62实施例138.162.30.013.13.93.61实施例148.262.90.032.94.93.65实施例158.261.20.042.76.63.67实施例167.765.30.013.63.43.57实施例177.264.90.023.23.93.65实施例187.765.10.013.34.73.98需说明的是，本说明书中、实施例中，实施例的表的缩写“gap”表示单元间隙(μm)，“v90”表示驱动电压(v)、ton(开启时间毫秒)、toff(关闭时间毫秒)。本申请援引加入作为基础申请的2016年4月5日在日本申请的特愿2016-075809的全部内容。符号说明1…偏光板，2…第一透明绝缘基板，3…电极层，4…取向膜，4a…取向方向，5…液晶层，5a…无施加电压时的液晶分子，5b…施加电压时的液晶分子，6…滤色器，7…第二透明绝缘基板，8…偏光板，9…连续或不连续的聚合物网络，10…液晶显示元件，11…栅极电极，12…栅极绝缘层，13…半导体层，14…保护层，15…欧姆接触层，16…漏极电极，17…源极电极，18…绝缘保护层，21…像素电极，22…共用电极，23…存储电容器，24…栅极配线，25…数据配线，26…漏极电极，27…源极电极，28…栅极电极，29…共用线，100…偏光板，110…栅极电极，120…栅极绝缘层，130…半导体层，140…保护层，160…漏极电极，190b…有机绝缘膜，200…第一基板，210…像素电极，220…存储电容器，230…漏极电极，240…数据配线，250…栅极配线，260…源极电极，270…栅极电极，300…薄膜晶体管层，400…取向膜，500…液晶层，510…液晶显示装置，512…像素电极，512a…像素干部电极，512b…像素枝部电极，512c…像素狭缝，516…扫描配线，517…信号配线，600…共用电极，700…滤色器，800…第二基板，900…偏光板，1000…液晶显示元件，1400…透明电极(层)，px…像素，pe…像素电极，pa…主像素电极，pb…副像素电极，ce…共用电极，ca…主共用电极，cal…左侧主共用电极，car…右侧主共用电极，cb…副共用电极，cbu…上侧副共用电极，cbb…下侧副共用电极。当前第1页12