技术特征：
技术总结
接近式曝光装置包括：平面镜(68)，具有能够校正曲率的镜变形单元(70)；CCD摄像机(30)，能够拍摄掩模M侧的对准标记(Ma)和工件(W)侧的对准标记(Wa)；存储部(91)，存储根据在对第一层的掩模(M)的图案进行曝光时照射到工件(W)的主光线(EL)的角度和掩模(M)及工件(W)间的间隙计算的对准标记(Wa)的初始偏移分量；以及控制装置(90)，在对第二层以后的掩模(M)的图案进行曝光时，利用对于由CCD摄像机(30)观测的工件(W)侧的对准标记(Wa)补偿初始偏移分量而得到的工件(W)侧的校正对准标记(Wa')以及掩模M侧的对准标记(Ma)来进行对准调整。
技术研发人员：川岛洋德
受保护的技术使用者：株式会社V技术
技术研发日：2017.12.06
技术公布日：2019.07.26